【課題】 超音波振動する切削ブレードの径方向の振幅を測定して，切削加工精度を向上させることが可能な超音波振動切削装置を提供すること。
【解決手段】
切削ブレード２２を径方向に超音波振動させて被加工物を切削する超音波振動切削装置が提供される。この超音波振動切削装置は，切削ブレード２２が径方向に超音波振動する振幅ｄを測定する振幅測定装置５０を備えることを特徴とする。これにより，切削ブレード２２が径方向に超音波振動する振幅ｄを測定できるので，測定した振幅ｄに基づいて切削ブレード２２の切り込み深さを制御でき，また，切削ブレード２２が予定した振幅ｄで振動しているか否かを確認することもできる。よって，切削加工精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 バリアメタル研磨に使用する研磨剤（スラリー）、及び研磨条件を制御することにより、終点検出の精度を向上させる。
【解決手段】 ウエハに形成された絶縁膜５内に凹部を形成する工程と、凹部に第１の導電膜４を形成する工程と、第１の導電膜４上に凹部を埋め込むように第２の導電膜を堆積する工程と、凹部からはみ出した第２の導電膜および第１の導電膜を研磨により除去する工程とを含み、第１の導電膜４を除去する際に、光源からウエハに照射される入射光１０１に対するウエハからの反射光１０４の強度の変化により研磨の終点を検出するとともに、波長５００ｎｍ〜７００ｎｍの入射光１０１が２０％以上透過する研磨剤１０２を用いて行う。これにより半導体集積回路の高集積化に伴う、バリアメタルの薄膜化の影響を受けることなく、バリアメタル除去終了時を光学的に高い精度で検出することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】目立て部材の劣化状態を常時正確にモニターでき、交換時期を検知できる方法を提供する。
【解決手段】本発明では、モーターにより研磨布を駆動させて基板の研磨および研磨布の目立てを行う研磨方法において、研磨中に研磨布の目立てを行っているときの前記モーターの第一のトルク電流値を測定する工程と、研磨のみを行っているときの前記モーターの第二のトルク電流値を測定する工程と前記第一のトルク電流値と前記第二のトルク電流値の差分をとることにより、目立て部材と研磨布との間に生じる摩擦力をモニターする。研磨布を駆動させるモーターのトルク電流値を測定し、目立て部材と研磨布との間に生じる摩擦力をモニターすることにより、目立て部材の劣化を検知でき、目立て不足による研磨レートの低下を事前に検知できるため、製品の研磨異常発生を未然に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】研磨を終了する時点を判定する研磨技術を応用して、被研磨物の表面を平滑で平坦に安定して研磨できる研磨パッド及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】表面に研磨面１１ａを有する光透過性パッドから成る研磨パッド１０。光透過性パッド１１の裏面１１ｂに凹部１２を形成して、光透過率を局所的に変えることができる。光透過性パッド１１は、３５０〜９００ｎｍの光波長領域内にある少なくとも一つの波長の光に対して１０％以上、好ましくは３０％以上の光透過率を有する。光透過性パッド１１は、好適に、３７０〜９００ｎｍの光波長領域、より好適に３９０〜９００ｎｍの光波長領域にわたって１０％以上の光透過率を示す。また、光透過性パッド１１は、好適に、４００〜９００ｎｍの光波長領域、より好適に４５０〜９００ｎｍの波長範囲にわたって３０％以上の光透過率を示す。 （もっと読む）

【課題】 研磨パッドの厚みを常に均一に保ち、高平坦な半導体ウエハの研磨と使用期限までの使用を可能にする。
【解決手段】 ウエハを支える保持具１１と、ウエハに研磨を行う研磨パッド１と、研磨パッド１の活性化を行うドレッサ６とを備え、ドレッサ６は、研磨パッド１の厚みを測定する渦電流式厚み測定機構１３を備えている。これにより保持具１１を分解することなく研磨パッド１の厚みをリアルタイムに測定することができ、研磨パッド１の厚み分布に応じて、圧力を調節しながら研磨パッド１の活性化を行うことができる。このため、常に平坦な研磨パッド１を用いての半導体ウエハの研磨が可能になる。 （もっと読む）

【課題】ウェハの厚みバラツキの安定化、及びウェハのうねりの低減を実現し、高精度ウェハを安定的に供給することができる外周刃における切断方法及び切断装置を提供すること。
【解決手段】切断中の外周刃ブレード２を回転させている第一モータ５の電力量の増減及びワーク１を切断方向に動かす第二モータ４の電力量の増減を電力量検出手段６により検出し、前記電力量検出手段によって検出された第一モータ５及び第二モータ４の電力量の増減に基づいて、それぞれの電力量が一定になるように第一モータ５によるブレード回転数及び第二モータ４によるワーク押し付け速度を制御手段７により制御する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の周縁部に対して研磨不足や研磨過剰を招くことなく、適切な研磨量で研磨を行う。
【解決手段】 半導体基板１３の周縁部を研磨するための基板処理方法であって、基板１３の周縁部の主面に研磨機構２０の研磨面を接触・加圧させ、基板１３をモータ１２により回転させることにより主面を研磨しながら、主面の研磨状態をモニタすることにより該主面の研磨終点を検出し、研磨終点が検出されたら、主面の研磨を終了すると共に、該研磨終了時点で決まる主面の研磨時間に基づいて、次に研磨すべき主面以外の面に対する研磨時間を設定し、設定された研磨時間に応じて主面以外の面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】研磨面の半径全体にわたって常にほぼ均一な研磨間隙が実現される両面研磨機を提供する。
【解決手段】本両面研磨機は、研磨板１６及び保持板１４をそれぞれ具備してなる上側定盤１０と下側定盤１２が同軸廻りに相対的に回転駆動されるとともに、各定盤の間に平坦な被加工物の両面を加工するための研磨間隙が設けられてなる両面研磨機において、温度流体を流体通路５４を介して上側定盤１０内へ運ぶ少なくとも上側定盤用の温度制御手段と、各定盤に組み合わされ研磨間隙の半径方向に離間した少なくとも２点において研磨間隙の間隙幅を測定する間隔測定装置４０と、を更に備えたものである。 （もっと読む）

【課題】ウエハの研磨の間、定盤の重量が変化した場合であっても、常に安定した荷重状態でウエハの研磨を行う研磨装置及び研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨装置１には、上定盤２１と下定盤２２とから構成された一対の定盤２と、上定盤２１を昇降させる昇降機構３とが、設けられている。昇降機構３は、上定盤２１を支える支持部４と、上定盤２１を昇降させるモータ５と、モータ５の昇降機能を制御するためのストッパー部６と、ウエハＷの研磨の間、経時的に変化する上定盤２１の重量に基づき上定盤側の荷重を加減する逆圧制御機構７と、から構成される。逆圧制御機構７では、測定部７１による上定盤２１の重量の測定値に基づいて、ウエハＷの研磨の間の上定盤側の荷重が算出され、この荷重に変動があった場合にその過不足分の荷重が上定盤側の荷重に加減される。 （もっと読む）

【課題】被研磨材間あるいは１つの被研磨材における厚さの不均一性を改善し、かつ研磨の終点制御を容易にすることができる研磨装置及び方法を提供する。
【解決手段】被研磨物を研磨するための研磨室３６と制御装置３４とを有する研磨装置であって、前記研磨室には、前記研磨室内の雰囲気の温度を測定する温度センサ４８と、研磨面１０を有する研磨テーブル１２と、前記研磨面に研磨液を供給するノズル１６とが設けられ、前記制御装置に入力された被研磨物と研磨面との接触面の温度に対する研磨目標温度の値と前記温度センサ４８により測定された値に基づいて前記研磨液の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された膜を目標膜厚まで精度よく研磨する。
【解決手段】基板研磨装置では、膜厚測定部にて基板の表面に形成された膜の厚さを測定して第１膜厚が取得され（ステップＳ１２）、研磨部にて基板が所定の初期研磨時間だけ研磨される（ステップＳ１３）。初期研磨時間の研磨が終了すると、基板の膜の第２膜厚が取得され（ステップＳ１４）、第１膜厚、第２膜厚および初期研磨時間から研磨レートが導かれる（ステップＳ１５）。研磨レートは補正係数を用いて補正され（ステップＳ１６）、第２膜厚と目標膜厚との差と、補正後の研磨レートとに基づいて追加研磨時間が求められる（ステップＳ１７）。そして、追加研磨時間だけ基板がさらに研磨される（ステップＳ１８）。これにより、基板の表面に形成された膜を目標膜厚まで精度よく研磨することができる。 （もっと読む）

【課題】平坦度が０．２５μｍ以内の高平坦度を有するマスクブランク用基板、マスクブランクおよびこの基板を用いたときのパターン位置精度や、転写精度が良好な転写用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】キャリアの保持孔に保持されたマスクブランク用基板を、該基板の上下両面に研磨パッドを貼った上下定盤に挟持させ、前記上下定盤を基板の被加工面と垂直な軸にそれぞれ回転させ、キャリアに保持された基板が、研磨パッド間で自転しながら公転する摺動運動をすることにより、前記基板を両面研磨して、前記基板主表面の表面粗さＲａが０．２５ｎｍ以下、平坦度が１μｍ以下になるようにした後、前記基板の少なくとも一主表面の平坦度を測定し、測定したデータに基づき基板の平坦度が所望の値となるように、前記一主表面において任意に設定した基準面に対して相対的に凸状になっている領域についてエッチング作用を利用して局所的に形状修正する。 （もっと読む）

研磨装置は、研磨面（４０）を有する研磨テーブル（１８）と、基板上の複数の領域（Ｃ１−Ｃ４）に対する押圧力を独立に制御しつつ基板を研磨面（４０）に押圧するトップリング（２０）とを備える。研磨装置は、複数の基板の計測点の基板状態を監視するセンサ（５２）と、センサ（５２）からの信号に所定の演算処理をしてモニタ信号を生成するモニタ装置（５３）と、それぞれの計測点におけるモニタ信号と基準信号とを比較し、計測点におけるモニタ信号が基準信号に収束するように、トップリング（２０）による押圧力を制御する制御部（５４）とを備える。
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ワイヤソーとウェハの安定化システムが、ソーイング工程中の振動及び好ましくない移動に対してウェハの区画（１１２）を一様に保持するために提供されている。安定化手段（１１４）は、ウェハの部分がシリコン材料のインゴットまたはブロックから部分的に切り出されるときの初期段階で、部分的に形成されたウェハの区画の端部に適用される。安定化手段は、後続のソーイング工程中の振動、揺動、又は好ましくない接触に対してウェハの区画を安定化するように働く。また、安定化手段は、スライスが完了した後のウェハの処理を加速し、洗浄工程を容易化し、カセットの中へのウェハのより迅速な、若しくは自動化された収容を可能とする。安定化システムによって生産されたウェハは、最小化された全体的な厚みのばらつき、実質的に均一な平面度、及び実質的に曲がりまたは撓みがないことによって特徴付けられる。
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【課題】
【解決手段】
ＣＭＰシステムのプロセス制御を提供するシステム及び方法は、ウエハ研磨パッドを調整するための真空補助装置を使用して、調整プロセスからの廃液（すなわち、ウエハデブリス、研磨スラリ、化学的又はその他の副生成物）は、廃棄物の流れから逸れて、その代わりに更なるプロセシングのための分析モジュールに導入される。この分析モジュールは、廃液中の少なくとも一のパラメータを決定し、分析に基づいてプロセス制御信号を発生するように機能する。次いで、このプロセス制御信号は、平坦化プロセスにフィードバックされ、研磨スラリ組成物、温度、流速等の各種のパラメータの制御を可能にする。また、このプロセス制御信号を用いて、調整プロセス及び／又は平坦化プロセス自体の終点を決定することが出来る。 （もっと読む）

本発明は、工具（６）の駆動部に使用されるモータ（８）を備えた手持ち式電動工具に関する。該手持ち式電動工具（１）は、被加工品（７）に対して及ぼされる工具（６）の押圧を検出するセンサユニット（９）が信号発生器（１０）と共働することを特徴とする。
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本発明によるシステムおよび方法においては、消耗品の状態の変化を補うために、パッド調整システムのドライブアセンブリからのモータ電流信号のようなセンサ信号を、ＣＭＰシステムの制御に使用する。これにより、プロセス安定性が向上する。
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空気式制御システムは、空気作動式機械の流体ラインに連結できる連結ラインを持つ少なくとも一つの流れ制御ライン、負圧源に連結できる負圧ライン、連結ラインと負圧ラインとの間の流れを制御する負圧バルブ、加圧流体源に連結できる圧力ライン、及び連結ラインと圧力ラインとの間の流れを制御する圧力バルブを含む。圧力マニホールドが圧力ライン及び連結ラインの第１部分を画成し、圧力バルブを支持し、負圧マニホールドが負圧ライン及び連結ラインの第２部分を画成し、負圧バルブを支持する。負圧マニホールドは、圧力マニホールドとは別個に交換されるようになっている。

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