【課題】被研磨面の面内均一性および研磨速度の長期的な安定性を確保することができ、かつ、研磨パッドの寿命を大きく改善することができる化学機械研磨パッドのドレッシング方法を提供すること。
【解決手段】化学機械研磨パッドのドレッシング方法は、金属原子および金属イオンまたはいずれか一方を含む水不溶性化合物を水溶化させる水溶化成分と、金属原子および金属イオンまたはいずれか一方と水可溶性錯体を形成する水可溶性錯体形成成分との少なくともいずれか一方を含有する洗浄用組成物を化学機械研磨パッドの研磨面に接触させた状態で、０．２μｍ／分 以上の磨耗速度でドレッシング荷重２ｌｂｆ以上にて前記研磨面を磨耗する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドに貫通孔を設け光学的に研磨状態を測定する研磨装置において、貫通孔の隙間からスラリーが漏れて測定手段を汚したり研磨パッドのクッション層にしみ込んだりすることを防止する研磨パッドと保護フィルムを提供する。
【解決手段】研磨パッドはクッション層を有し、研磨面と裏面を連通する貫通孔が設けられ、該クッション層の吸水率を５％以下とする。また保護フィルムは、研磨パッドを固定する定盤に光学的に研磨状態を測定するための貫通孔が設けられ、その貫通孔にはめ込まれた透明材を保護するものであって、ベースフィルム１９と粘着層２０とセパレーターフィルム２１の三層から構成され、セパレーターフィルムはベースフィルムの端より大きく、切り込み２２によって２個以上に分割されている。分割されている一部のセパレーターフィルムを剥がし貫通孔部分に粘着し、その後残りの部分を粘着させると皺が入らず良好に貼り付け可能である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の被加工膜等を十分な速度で研磨することができ、特に、微細化素子分離の工程において有用な化学機械研磨用水系分散体を提供する。
【解決手段】シリカ、セリア等の無機砥粒と、カルボキシル基、ヒドロキシル基、硫酸エステル基、スルホン酸基等のアニオン基を有するポリメチルメタクリレート、ポリスチレン等からなる有機粒子とを含有し、酸化ケイ素膜の研磨速度が窒化ケイ素膜の研磨速度の５倍以上、特に１０倍以上である化学機械研磨用水系分散体を得る。この水系分散体には、ドデシルベンゼンスルホン酸カリウム、ポリアクリル酸カリウム塩、ポリイソプレンスルホン酸カリウム塩等を含有させることもできる。また、エチレンジアミン、エタノールアミン等の有機塩基、アンモニア、水酸化カリウム等の無機塩基によりｐＨを調整することによって、分散性、研磨速度及び選択性をより向上させることもできる。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハー等の被研磨物を、精度よく且つ高い研磨効率で研磨するために有用な、厚さが均一な研磨パッドを、効率よく製造する方法を提供すること。
【解決手段】 熱可塑性樹脂を射出圧縮成形してシート状成形体とする工程を含む研磨パッドの製造方法により達成される。該製造方法において、例えば、熱可塑性樹脂を射出圧縮成形して溝パターンを有さないシート状成形体とし、その後、該シート状成形体に溝パターンを形成するか、またはスタンパーを装着した金型を用いて熱可塑性樹脂を射出圧縮成形して溝パターンを有するシート状成形体とする。 （もっと読む）

【課題】被研磨物の被研磨面におけるスクラッチの発生が十分に抑制され、かつ研磨速度および被研磨面内均一性に優れる化学機械研磨パッドを提供すること。
【解決手段】上記化学機械研磨パッドは、その研磨面に、中心部から周辺部へと向かう方向に互いに近接して平行に伸びる複数本の溝からなる溝群の複数を有する。上記複数の溝群は、研磨面の中心部において他の溝群と接している溝群と、他の溝群と接していない溝群とからなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上定盤の揺動性（不安定性）を向上させ、荷重の微細な調整を可能とした両面研磨装置を提供することにある。
【解決手段】この発明は、上定盤、下定盤及び上定盤の昇降機構を具備し、上定盤と下定盤の間でワークが挿着されたキャリヤを自転及び公転させて前記ワークを研磨する両面研磨装置において、前記昇降機構は、前記上定盤の荷重調整機構を有し、該荷重調整機構は、前記上定盤の径方向中心円の外側位置で、前記上定盤を吊支し、その中央部分に軸方向に延出する支持部が形成された上定盤支持プレートと、前記上定盤支持プレートの支持部の下端部分に接する曲面を有するプレート支持部と、該プレート支持部、前記上定盤及び前記上定盤支持プレートの荷重とバランスをとるために、前記支持部に形成の貫通孔を貫通して、少なくとも一つのローラを介して前記プレート支持部とワイヤで連結される可変可能なバランス荷重部とによって少なくとも構成されることにある。 （もっと読む）

【課題】被研磨物の被研磨面におけるスクラッチの発生が十分に抑制され、かつ研磨速度および被研磨面内均一性に優れる化学機械研磨パッドを提供すること。
【解決手段】上記化学機械研磨パッドは、複数の領域からなる研磨面を有し、
上記複数の領域はそれぞれが平行して伸びる複数の直線溝を有し、
各領域の有する直線溝のうちの少なくとも一本は研磨面の端部に達しており、
そして隣接するふたつの領域が有する直線溝の方向が相異なっている。 （もっと読む）

【課題】
半導体デバイス製造工程における銅配線、バリア層、及び絶縁膜層を含有した基板の平坦化工程に用いる二次研磨剤を提供する。
【解決手段】 （Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、（Ｄ）成分、（Ｅ）成分、及び（Ｆ）成分を含む研磨用組成物であって、（Ａ）成分が水溶性高分子、（Ｂ）成分がポリカルボン酸（Ｂ１）、その塩（Ｂ２）又はそれらの混合物、（Ｃ）成分が縮合リン酸（Ｃ１）、その塩（Ｃ２）又はそれらの混合物、（Ｄ）成分が砥粒、（Ｅ）成分が酸化剤、及び（Ｆ）成分が水であり、そして５〜９のｐHを有する半導体デバイス製造における金属層、バリア層又は絶縁層の研磨に用いる研磨用組成物。研磨用組成物中の上記（Ａ）成分の含有量が０．０５〜５．０質量％、上記（Ｂ）成分の含有量が０．０１〜５．０質量％、上記（Ｃ）成分の含有量が０．５〜５．０質量％である。 （もっと読む）

【課題】ウェハ研磨面の初期段差の解消終点を正確に検知して研磨効率のアップ、ランニングコストの低減、ウェハの歩留り向上を図る。
【解決手段】ウェハＷ表面に形成された被研磨膜２０を研磨するＣＭＰ装置１０の段差解消終点検出装置１１は、ウェハＷの粗研磨中に該研磨面に光を照射する光照射手段２２と、該研磨面からの反射光の光強度を電気信号に変換して光強度信号として出力する光電変換手段２３と、該光電変換手段２３から出力された光強度信号に基づいてウェハＷの初期段差の解消終点を判定する判別手段２５とを備える。又、前記照射した光が白色光であり、且つ、白色光は分光して光電変換手段２３に入力され、該分光された波長ごとの光強度信号が出力される。これにより、ウェハ研磨中に初期段差の解消終点を光学的に検知する。 （もっと読む）

【課題】シリカ粒子分散液の保存環境の変化に依らず、分散液中の粗大粒子の発生を抑え、被研磨物のスクラッチを低減することができる研磨用シリカ粒子分散液及びその保存方法を提供する。
【解決手段】 シリカ粒子、化合物（Ａ）及び水を含有する研磨用シリカ粒子分散液であって、前記化合物（Ａ）は、コロイダルシリカと前記化合物（Ａ）とを含む試験用水分散液を６０℃で７２時間保存する標準保存試験において、保存前後の前記試験用水分散液１ｍＬ中における粒径０．５６μｍ以上の粗大粒子の増加量が２万個以下となる凝集防止能を有する研磨用シリカ粒子分散液。 （もっと読む）

【課題】半導体に関する金属基材の化学機械平坦化（ＣＭＰ）のための組成物および関連する方法が記載される。
【解決手段】組成物は、非イオン性フルオロカーボン界面活性剤およびペル型酸化剤（例えば過酸化水素）を含む。この組成物および関連する方法は銅をＣＭＰする間に低−ｋフィルムの除去速度を制御するのに効果的であり、そして銅、タンタル、および酸化物フィルムの除去速度に関して低−ｋフィルムの除去速度の調整能力をもたらす。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロー・トレンチ分離用絶縁膜や配線間の絶縁膜層を平坦化するＣＭＰ技術において、酸化珪素被膜の研磨速度を従来の研磨速度に保ちながら、窒化珪素被膜の研磨速度を例えば従来の７０〜１２０Å／分であるものを４０Å／分以下に抑えることで、ストッパ膜として用いる窒化珪素被膜の保護能力を高めることが可能となる研磨剤用添加剤、研磨剤、基板の研磨方法及び研磨された基板を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子を含有する酸化珪素膜研磨用の研磨剤へ添加して用いられる添加剤であって、下記の３成分
１）ポリアクリル酸
２）ｐＫａが３以下の強酸
３）ｐＫａが１０以上の強塩基
を含有し、ｐＨが６．５〜８．０である研磨剤用添加剤、前記添加剤と酸化セリウム粒子を含有するスラリーとからなる研磨剤。 （もっと読む）

【課題】バリア金属材料からなるバリア層を研磨するバリアＣＭＰにおいて用いられる固体砥粒を用いた研磨液であって、バリア層に対する優れた研磨速度が得られ、且つ、絶縁膜の研磨速度の任意に制御を可能とする研磨剤を提供すること。
【解決手段】半導体集積回路のバリア層を研磨するための研磨液であって、表面が正のζ電位を示すコロイダルシリカ、カルボキシル基を有する化合物、腐食抑制剤、及び界面活性剤を含み、ｐＨが２．５〜５．０であることを特徴とする研磨液。 （もっと読む）

【課題】タングステン含有基材の研磨に有用な化学機械研磨組成物及びタングステン含有基材の研磨法を提供する。
【解決手段】タングステンのエッチング剤、タングステンのエッチング抑制剤および水を含み、タングステンのエッチング抑制剤が少なくとも１つの窒素含有複素環又は三級若しくは四級窒素原子を有する少なくとも１つの繰り返し基を含むポリマー、コポリマー又はポリマーブレンドであるタングステンを含む基材の研磨に有用な化学機械研磨組成物、該組成物の使用を通してのタングステンを含む基材の化学機械研磨法。 （もっと読む）

【課題】六方晶炭化ケイ素単結晶ウエハなどの炭化ケイ素ウエハを研磨する用途でより好適に使用可能な研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、バナジン酸アンモニウム、バナジン酸ナトリウム及びバナジン酸カリウムなどのバナジン酸塩と、過酸化水素及びオゾンなどの酸素供与剤とを含有する。研磨用組成物は、好ましくは砥粒及びｐＨ調整剤の少なくともいずれか一方をさらに含有する。 （もっと読む）

【課題】 フラッシュメモリーにおけるフローティングゲート形成工程などに適用可能な、ポリシリコン膜の凸部を研磨して平坦化し、下地を露出する前に研磨を停止するＣＭＰ工程に適した、研磨用組成物を提供するものであり、これにより、優れた平坦性と残膜厚制御性が得られるため、半導体素子の歩留まり、信頼性の向上が可能となる。
【解決手段】 ａ）砥粒、ｂ）アニオン系ポリマーの塩、ｃ）ポリアルキレンオキサイド構造を有するポリマー、および水を含む、ポリシリコン膜研磨用の研磨用組成物であり、好ましくはさらに4級アンモニウムイオンを含む。 （もっと読む）

【課題】迅速なＣＭＰ速度及び良好な銅／タンタル研磨選択性を有し、ディッシングが少なく、被研磨面の平坦性を向上させることが可能な金属用研磨液。
【解決手段】半導体デバイス製造工程において、銅又は銅合金からなる導体膜を化学的機械的に研磨する際に用いられ、（１）下記一般式（Ｉ）で表されるアミノ酸誘導体（式（Ｉ）中、Ｒ^１は炭素数１〜４のアルキル基を表す。）、（２）表面の珪素原子の少なくとも一部がアルミニウム原子で修飾されているコロイダルシリカ、（３）酸化剤、の成分を含む金属用研磨液。
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【課題】ウエハの周縁近傍に対する押下げ圧力の低下を抑制し、これによって研磨レートの低下や不均一な研磨を抑制可能な研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨ヘッド１３は、ウエハ１２を面内方向に保持するリテーナリング１６と、ウエハ１２を研磨パッド１１側に押圧するメンブレンシート１７と、リテーナリング１６及びメンブレンシート１７を支持するヘッド本体１４とを有する。リテーナリング１６は、研磨対象のウエハ１２の外径及び厚みよりもそれぞれ大きな内径及び厚みを有し、ヘッド本体１４によって研磨パッド１１側に押圧されるリング状の固定リテーナリング２０と、ウエハ１２の厚みとほぼ同じ厚みを有し、固定リテーナリング２０の内縁とウエハ１２の周縁との間に挟まれて、ウエハ１２の周縁を面内方向に保持する遊離リテーナリング２１とを備え、メンブレンシート１７は、ウエハ１２と遊離リテーナリング２１とを研磨パッド１１側に押圧する。 （もっと読む）

【課題】研磨速度を増大させて研磨の均一性を向上させる温度制御研磨ヘッドを有する化学機械研磨システムを提供する。
【解決手段】化学機械研磨システムは、ウェーハ６の研磨に用いる。化学機械研磨システムは、研磨ヘッドと、研磨ヘッドに接続され熱媒体が充填された内管１６と、内管１６に接続された媒体加熱装置２０と、内管１６に接続された圧力制御装置１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造を有することで、コストダウンの可能なウエハのノッチ部の研磨装置の提供を目的とする。
【解決手段】研磨装置１は、テープ搬送手段３により搬送される研磨テープＴを、ウエハＷの所定位置に押し当ててウエハＷのノッチ部を形成する研磨装置１において、テープ搬送手段３は、研磨テープＴを正逆搬送可能に駆動制御する正逆搬送手段２２を備えている構成にしてある。また、テープ搬送手段３が、正逆回転可能に駆動制御させるステッピングモータまたはサーボモータ１０を備えているものである記干渉部分８以外の残り部分９から分離する分離手段を具備してなることを特徴とする。 （もっと読む）