【課題】レーザ照射によって生じる脆性基板内の熱拡散による基板の変形を防止する。
【解決手段】脆性基板加工装置は、レーザ光を脆性基板表面上の加工予定ラインに従って所定速度で移動させながら照射し、レーザ光移動後の加熱位置に冷却媒体を吹き付ける。このレーザ加工中に脆性基板の加工予定ラインの両側を押圧手段で押圧することによって、加工時のレーザ照射による発熱を割断ライン付近で吸収すると共に拡散する熱による脆性基板の変形を防止する。ヘッド位置調整手段によって移動時における加工ヘッドの基板に対する間隔をほぼ同一高さに制御する。脆性基板をエアの吹き出しと吸引によりバランスさせて浮上させるエア浮上ステージ手段にて保持する。冷却手段は、液体である冷却媒体とキャリアガスを混合したものを脆性基板表面に適量吹き付ける。 （もっと読む）

【課題】裏面に反射膜を積層したサファイア基板の内部にストリートに沿って改質層を形成することができ、かつ反射膜をストリートに沿って切断することができるサファイア基板の加工方法を提供する。
【解決手段】表面に複数の光デバイスが格子状のストリート２２で区画形成されたサファイア基板２０をストリートに沿って分割するサファイア基板の加工方法であって、基板に対して透過性を有する波長のレーザー光を裏面側から基板の内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射し、ストリートに沿って改質層を形成する工程と、基板の裏面に反射膜２１０を積層する工程と、裏面に積層された反射膜側から反射膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、反射膜をストリートに沿って切断する工程と、基板に外力を付与して基板を変質層が形成されたストリートに沿って破断し、個々の光デバイスに分割する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】スクライビングホイールの側壁面とホルダーの支持部との間にカレットが巻き込まれ難くすると共に、ピンが回転し易くしたホルダー、ホルダーユニット及びスクライブ装置の提供。
【解決手段】ホルダーユニット１０のホルダー１１は、ホルダー溝１４によって形成された互いに平行な対向する面を有する一対の支持部１５、１６と、支持部１５、１６にそれぞれ同軸に貫通するように形成された一対のピン孔１７、１８及びディスク状のスクライビングホイール１２の貫通孔に回転自在に挿入され、ホルダー溝１４内でスクライビングホイール１２を回転自在に保持するピン１９と、を有し、ホルダー溝１４は、スクライビングホイール１２の一部が挿入される狭幅部１４ａと、ホルダー１１の切断端側に形成された狭幅部１４ａよりも幅広の広幅部１４ｂとからなり、ピン孔１７、１８はホルダー溝１４の広幅部１４ｂに対応する位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 被加工物を個々のチップに分割するのと同時に外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有するチップを形成可能なチップ形成方法を提供することである。
【解決手段】 被加工物を分割して外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有する複数のチップを形成するチップ形成方法であって、被加工物に該チップの該傾斜面に対応した複数の傾斜面を設定する傾斜面設定ステップと、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を被加工物内部に位置付けた状態で該レーザビームを照射しつつ、被加工物と該レーザビームとを相対移動させて該傾斜面に沿って互いに離間した複数の改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップを実施した後、被加工物に外力を付与して該改質層を起点に該傾斜面に沿って被加工物を分割して複数のチップを形成する分割ステップとを具備したことを特徴とする （もっと読む）

【課題】基板Ｗの裏面に傷が発生したり、コンタミが付着したりすることを十分に抑えて、基板Ｗの品質を維持する。
【解決手段】テーブル１５の上方位置に基板Ｗの表面に割断予定線ＰＬに沿ってレーザ光ＬＢを照射するレーザ光照射ユニット２５が設けられ、テーブル１５の上方位置に基板Ｗの表面にレーザ光ＬＢを照射した直後に冷媒Ｍを噴射する冷媒噴射ユニット３３が設けられ、テーブル１５は、支持フレームに配設されかつエアの圧力を利用して基板を浮上させる複数の浮上ユニット４５と、基板Ｗをテーブル１５の長手方向へ搬送する複数の搬送ローラユニット５９とを備えたこと。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を格子状にスクライブ及びブレイクによって分断する場合に、割断面の突起や割れを小さくすること。
【解決手段】半導体基板１０に対してスクライブ及びブレイクしてチップに分断する場合に、あらかじめスクライブ予定ラインの下方にＶ字形の溝１２を形成する。そしてスクライブ予定ラインに沿ってスクライブライン１４を形成し、ブレイク装置によって分断する。こうすれば半導体チップの裏面に突起や割れが生じにくく、垂直断面性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 窒化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 酸化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 窒化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 窒化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 酸化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドポイントの長寿命化が実現されたスクライブ装置を提供する。
【解決手段】脆性材料基板４にスクライブラインを形成するスクライブ装置が、先端にダイヤモンド含有物からなる刃部６１を有するダイヤモンドポイント６０と、ダイヤモンドポイント６０を保持しつつ移動させる保持手段３１と、脆性材料基板４を保持する保持ユニットと、を備え、保持ユニットに保持された脆性材料基板４の表面に刃部６１を接触させつつ保持手段３１によってダイヤモンドポイント６０を移動させることにより表面にスクライブラインを形成可能とされてなり、少なくともスクライブラインの形成の間、刃部６１が存在する被供給空間１１０に不活性ガスを供給することにより、被供給空間１１０を低酸素状態とする雰囲気調整機構１００、をさらに備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】ツールを往復移動させて溝加工する装置において、ツールの振れを抑え、溝を高い精度で加工できるようにする。
【解決手段】この溝加工装置は、移動方向の両端に刃を有する溝加工ツール２を基板のパターニングラインに沿って往復移動させ、基板上に溝を形成する装置であって、基板が載置されるテーブル１と、溝加工ツール２が装着されるヘッド３と、テーブル１とヘッド３とを水平面内で相対的に移動させるための移動支持機構６と、を備えている。ヘッド３は、上下移動可能なホルダ１７と、揺動部材１８と、振れ規制機構と、を有している。揺動部材１８は、溝加工ツール２を保持し、移動方向と直交する揺動軸を支点としてホルダ１７に揺動自在に支持されて往動位置と復動位置とを取り得る。振れ規制機構は往動位置と復動位置の揺動部材１８の揺動軸方向の振れを規制する。 （もっと読む）

【課題】シリコンカーバイドの表面にアスペクト比の大きい損傷を高速に形成することができるレーザ加工装置を提供すること。
【解決手段】レーザ加工装置は、無偏光でかつ波長５００ｎｍ以上のパルスレーザ光を出射するレーザ光源と、無偏光でかつ波長５００ｎｍ以上のパルスレーザ光をシリコンカーバイドに照射する光学系と、光学系およびシリコンカーバイドの少なくとも一方を移動させて、光学系とシリコンカーバイドとを相対的に移動させる駆動部と、を有する。レーザ加工装置は、シリコンカーバイドにパルスレーザ光をシリコンカーバイドの切断予定ラインに沿って照射して、切断予定ラインに沿ってシリコンカーバイドの表面にパルスレーザ光の多光子吸収により損傷を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコンカーバイドからなるウェハの表面にアスペクト比の大きい損傷を高速に形成して分割することができるチップの製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコンカーバイドからなるウェハに無偏光でかつ波長５００ｎｍ以上のパルスレーザ光をウェハの切断予定ラインに沿って照射して、切断予定ラインに沿ってウェハの表面にパルスレーザ光の多光子吸収により損傷を形成する。次いで、損傷を形成されたウェハに機械的応力を印加して、切断予定ラインに沿ってウェハを分割する。 （もっと読む）

【課題】 集積型薄膜太陽電池を歩留まりよく製造することのできる溝加工ツールおよびスクライブ装置を提供する。
【解決手段】 棒状のボディ８１と、ボディ８１の先端に形成された直方体状の刃先領域８２からなり、刃先領域８２は、一対の短辺と一対の長辺とで囲まれる長方形の底面８３と、底面８３の２つの短辺側でそれぞれ底面８３に対し直交する前面８４および後面８５と、底面８３の２つの長辺側でそれぞれ底面８３に対し直交する右側面８９および左側面８８からなる５つの平面で形成され、前面８４と右側面８９との角部９４、および、前面８４と左側面８８との角部９３に縦方向の刃先が形成され、前面８４と底面８３との角部に横方向の刃先が形成され、底面８３と前面８４との角部に傾斜面９０が形成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】長尺な脆性板材であるワークが、スクライブ加工により幅方向において横断する複数のスクライブ線のみに沿って分断される場合に、スクライブ工程に要する時間を短くできる簡素化及び小型化された分断装置を提供する。
【解決手段】分断装置において、第一支持台移動機構１４は、ワーク９を主経路Ｒ１における所定位置Ｐ１から主経路Ｒ１の方向に対し交差する装置幅方向において往復移動させる。ビーム１２は、複数のスクライブ加工端１１各々を、主経路Ｒ１の方向に沿って間隔を空けて支持する。昇降機構１５は、第一支持台移動機構１４により移動中の第一支持台１３に固定されたワーク９に対してスクライブ線を形成可能な加工位置で保持する。 （もっと読む）

【課題】ブレイク後のＬＥＤチップに加工変質層の残存しないＬＥＤパターン付き基板の加工方法を提供する。
【解決手段】下地基板上に複数のＬＥＤ単位パターンを２次元的に繰り返し配置してなるＬＥＤパターン付き基板を加工する方法が、ＬＥＤパターン付き基板を分割予定線に沿ってレーザー光を照射することにより、ＬＥＤパターン付き基板を格子状にスクライブするスクライブ工程と、スクライブ工程を経たＬＥＤパターン付き基板をエッチング液に浸漬することにより加工変質層を除去するエッチング工程と、エッチング工程を経たＬＥＤパターン付き基板をスクライブラインに沿ってブレイクすることにより個片化するブレイク工程と、を備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】分割予定線が形成された板状部材の保持手段と、板状部材を分割する外力付与手段とを相対移動させることで、板状部材の全領域をチップに分割することのできる分割装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷＦを分割予定線ＬＳに沿って分割する分割装置１０であり、当該装置は、接着シートＡＳを介して支持されたウエハＷＦを保持する保持手段１１と、ウエハＷＦを分割するための外力を付与する外力付与手段１２と、保持手段１１と外力付与手段１２とを相対移動させる移動手段１４とを備えている。外力付与手段１２を保持手段１１に保持されたウエハＷＦの面に沿って横方向に移動させながら、接着シートＡＳに気体を噴出して外力を付与することでウエハＷＦが折れ曲がるように変形し、分割予定線ＬＳでチップＣＩに分割される。 （もっと読む）