【課題】信頼性の向上を図るＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】本実施形態によるＭＥＭＳ素子は、基板１０上に固定された平板形状の第１電極１１と、前記第１電極の上方に対向して配置され、上下方向に可動である平板形状の第２電極１５と、前記基板上において、前記第１電極および前記第２電極を収納するキャビティ２０を有する膜２６と、を具備する。前記第２電極は、ばね部１６を介して前記基板上に接続されたアンカー部１４に接続されるとともに、その上方において前記膜に接続される。 （もっと読む）

【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能な機能性デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理することにより金属酸化物又は金属となる液体材料を準備する第１工程と、基材上に液体材料を塗布することにより金属酸化物又は金属の前駆体組成物からなる前駆体組成物層を形成する第２工程と、前駆体組成物層に対して凹凸型を用いて型押し加工を施すことにより前駆体組成物層に残膜を含む型押し構造を形成する第３工程と、型押し構造が形成された前駆体組成物層に対して大気圧プラズマ又は減圧プラズマによるアッシング処理を施すことにより残膜を処理する第４工程と、前駆体組成物層を熱処理することにより、前駆体組成物層から金属酸化物又は金属からなる型押し構造体を形成する第５工程とをこの順序で含む型押し構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】スティッキング現象の発生を抑制できる静電駆動型アクチュエータや可変容量素子を実現するとともに、それらを歩留まり良く、高い形状精度で生産する製造方法を実現する。
【解決手段】可変容量素子１において、可動梁３は、固定板２に対向する。可動梁側駆動容量電極８Ａ，８Ｂおよび可動梁側ＲＦ容量電極９は、可動梁３に設けられる。固定板側駆動容量電極５Ａ，５Ｂは、可動梁側駆動容量電極８Ａ，８Ｂに対向して固定板２に設けられる。固定板側ＲＦ容量電極６Ａ，６Ｂは、可動梁側ＲＦ容量電極９に対向して固定板２に設けられる。誘電体膜４は、固定板側駆動容量電極５Ａ，５Ｂと固定板側ＲＦ容量電極６Ａ，６Ｂとを覆うように形成される。可動梁３は、初期状態において、固定板２側に先端が撓んでいるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】可撓梁の厚みのばらつきを小さくすることができる梁構造デバイスと、その製造方法とを実現する。
【解決手段】第一面と第二面とを有する可撓梁形成基板２１を用意し、可撓梁形成基板２１の第一面側を厚み方向に削り、可撓梁の固定部３Ｃと空洞部２１Ａとを可撓梁形成基板２１に形成する第一工程と、支持基板２を用意し、可撓梁形成基板２１の第一面が支持基板２に対向するように、可撓梁形成基板２１と支持基板２とを接合して、固定部３Ｃを支持基板２に固定する第二工程と、可撓梁形成基板２１の第二面を研削して可撓梁形成基板２１を薄化させる第三工程と、可撓梁形成基板２１の第二面側を厚み方向に削り、可撓梁を形成する第四工程と、を有し、第三工程において、可撓梁が形成される位置とは異なる位置であって、可撓梁形成基板２１と支持基板２との間に、支持柱７が配置されている。 （もっと読む）

【課題】カプセル化構造（１００）を作製する方法を提供すること。
【解決手段】方法は、加熱されると少なくとも１つの気体を放出することが可能な少なくとも１つの材料部分（１１０）を作製するステップであって、材料部分が、カプセル化構造の気密封止された空胴（１０２）の内側と連通する、ステップと、気体の少なくとも一部が空胴内の前記材料部分から放出されるように、前記材料部分のすべてまたは一部を加熱するステップとを含み、加熱されると少なくとも１つの気体を放出することが可能な前記材料部分は、前記材料部分内に閉じ込められた要素を含み、前記閉じ込められた要素は、前記材料が加熱されると気体の状態で前記材料部分から放出される。 （もっと読む）

【課題】容量性トランスデューサとその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】第１ドーピング領域２０と、該第１ドーピング領域２０と反対の型のドーピング領域であり、第１振動部分３２を含む第２ドーピング領域３０と、該第１ドーピング領域と該第１振動部分３２との間に備えられた、空間６０と、を備えるトランスデューサ。第１及び第２ドーピング領域２０，３０は、一体である。第１振動部分は複数の貫通ホール４０を含み、振動部分上に貫通ホール４０を密封する物質膜５０が備えられる。 （もっと読む）

【課題】サージ耐圧が高く、ＥＳＤ破壊の発生を抑制できる可変容量装置を実現する。
【解決手段】可変容量装置１は、支持板２と、可動梁３と、上側駆動容量電極８Ａ，８Ｂと、下側駆動容量電極５Ａ，５Ｂと、上側ＲＦ容量電極９と、下側ＲＦ容量電極６Ａ，６Ｂと、誘電体膜４とを備える。上側ＲＦ容量電極９の端部と可動梁３の端部との間の領域に電極非形成領域３Ｆが設けられており、可動梁３が変形して可動梁３の先端が誘電体膜４に線接触する際に、上側ＲＦ容量電極９と誘電体膜４とは接触しないように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 回路の小型化と消費電力の低減が可能な可変容量装置を提供する。
【解決手段】 容量検出回路３１は、可変容量素子２の駆動容量Ｃ1のキャパシタンス値に応じた検出信号Ｓxと、基準となる基準信号Ｓyとを出力する。駆動電圧制御回路２１は、検出信号Ｓxと基準信号Ｓyとを比較し、この比較結果に応じて駆動電圧Ｖcontを制御し、駆動容量Ｃ1を増加または減少させる。駆動容量Ｃ1の一端側には駆動電圧Ｖcontが印加され、他端側には容量検出回路３１の検出用電流回路３３から検出用電流Ｉcontが周期的に入力される。このため、駆動容量Ｃ1が検出用電流回路３３に接続されると、駆動容量Ｃ1のキャパシタンス値と検出用電流Ｉcontの大きさとに応じて、駆動容量Ｃ1の他端側の電圧が上昇し、この電圧に応じた検出信号Ｓxが出力される。 （もっと読む）

【課題】３つ以上のキャパシタンス値が得られると共に、装置の小型化と信号損失の低減が可能な可変容量装置および駆動電圧制御回路を提供する。
【解決手段】可変容量素子２の駆動容量Ｃ1は、駆動電圧制御回路３１から出力される駆動電圧Ｖdに応じて変化する。駆動電圧制御回路３１は、駆動容量Ｃ1の検出値と目標値とを比較する比較器３２と、比較器３２の比較結果に応じた駆動電圧Ｖdを発生させる駆動電圧発生回路３４とを備える。駆動電圧発生回路３４の電流出力型レベル変換回路は、比較器３２の比較結果に応じて平滑化容量にソース電流またはシンク電流を流し、駆動電圧Ｖdを昇圧または降圧する。平滑化容量には、スイッチを用いて接続および遮断が可能な補助容量が並列接続される。 （もっと読む）

【課題】低電圧で駆動でき、リップルを抑えて安定した出力が得られる可変インダクタを提供する。
【解決手段】対向配置した薄膜インダクタと磁界遮蔽板、磁界遮蔽板を変位自在に支持する梁部及び薄膜インダクタと磁界遮蔽板の対向間隔を変化させるための駆動電圧が与えられる駆動電極を有し、互いに直列接続された複数のインダクタ素子と、この複数のインダクタ素子の駆動電極に、該素子毎に所定の位相差をもって、交流の駆動電圧を順に印加する駆動制御手段とを備え、複数のインダクタ素子のインダクタンス総和をインダクタンスとする可変インダクタ。 （もっと読む）

【課題】 電子装置の特性の劣化を抑制することが可能な電子装置を提供すること。
【解決手段】 電子素子22を有するチップ部品２と、電子素子22を収容する空間Ｓを介してチップ部品２が搭載される配線基板３と、空間Ｓを囲むようにしてチップ部品２の上面及び側面から配線基板３の表面にかけて設けられる樹脂層４と、樹脂層４における配線基板３及びチップ部品２の側面との接着部分のみを覆うようにして設けられた封止補強用樹脂５とを有する電子装置１である。 （もっと読む）

【課題】低い電圧で上部電極が可動してＯＮ，ＯＦＦし、かつ寒極温度が高く変化しても動作電圧に影響を与えるようなデバイスの形状変化が起こらないＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】絶縁基板１の上に形成される第１の支柱５と、第１の支柱５から間隔をおいて絶縁基板１の上に形成される第２の支柱６と、第１の支柱５に固定される固定端８ａと第２の支柱６の上に移動自在に配置される自由端８ｂとを有する第１の電極８と、絶縁基板１の上における第１の支柱５と第２の支柱６の間の領域で、第１の支柱５及び第２の支柱６より低い位置に形成される第２の電極４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】優れた素子特性を得ることができるＭＥＭＳを提供する。
【解決手段】基板１０上に下部電極１２Ａを形成する工程と、下部電極１２Ａに隣接するように電気的にフローティング状態になる補助構造体１３Ａを基板１０上に形成する工程と、下部電極１２Ａ上、補助構造体１３Ａ上、及び基板１０上に犠牲膜を形成する工程と、犠牲膜上に上部電極１６を形成する工程と、犠牲層を除去し、上部電極１６を下部電極１２Ａの上方に空洞２１Ａを介して配置する工程とを具備する。下部電極１２Ａ上及び補助構造体１３Ａ上に形成された犠牲膜は上面が平坦であり、犠牲膜上に形成された上部電極１６は下面が平坦である。 （もっと読む）

【課題】スティッキングによる可変容量素子の動作不良を防ぎ、また、特性ばらつきを抑える。
【解決手段】可変容量素子１は、固定板２と可動板３と誘電体膜８と電極４Ａ，４Ｂ，５Ａ，５Ｂ，６，７Ａ，７Ｂとを備える。電極５Ａ，５Ｂ，７Ａ，７Ｂは対向し、駆動電圧が印加される。誘電体膜８は、電極５Ａ，５Ｂ，７Ａ，７Ｂに対向する領域８Ｃが周囲よりも薄肉で、領域８Ｃを挟むように周囲から突出する２列のストッパ８Ａを備える。ストッパ８Ａの間隔は狭く、可動板３のヤング率は高く、可動板３の厚みは厚く、駆動電圧は低く、ストッパ高さは高いことが望ましい。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスとその製造方法において、封止後に電子デバイス内に残留する脱ガスの量を低減すること。
【解決手段】基板２０の上に下地膜２１を形成する工程と、下地膜２１の上に、感光性樹脂を露光及び現像してなる封止体２５ｂを形成する工程と、封止体２５ｂを加熱することにより、該封止体２５ｂをキュアする工程と、基板１に形成されたスイッチ素子１９に封止体２５ｂを貼付することにより、封止体２５ｂでスイッチ素子１９を封止する工程と、封止の後、下地膜２１を境にして封止体２５ｂから基板１を剥離する工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 （もっと読む）

【課題】可変容量装置において容量可変域を従来よりも広げる。
【解決手段】可変容量装置１は、支持板２、可動板３、駆動電極４，５、可変容量電極７Ａ，８Ａ、および可変容量電極７Ｂ，８Ｂ、を備える。可動板３は支持板２と平行に支持される。駆動電極４，５、可変容量電極７Ａ，８Ａ、および可変容量電極７Ｂ，８Ｂはそれぞれ可動板３と支持板２との間に設けられる。駆動電極４，５は駆動電圧が印加されて可動板３と支持板２との間隔を変化させる静電引力を形成する。可変容量電極７Ａ，８Ａ、および可変容量電極７Ｂ，８Ｂは、可動板３と支持板２との間隔に応じて変化する可変容量を形成する。駆動電圧に対して可変容量が線形性を持って変化する容量可変域では、駆動電圧の変化に対する駆動電極４，５の電極間隔の変化と可変容量電極７Ａ，８Ａ、および可変容量電極７Ｂ，８Ｂの電極間隔の変化とが互いに逆になることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】静電アクチュエータの信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置１０は、下部電極４３，４４と、下部電極４３，４４の上方にアンカーによって支持されかつ下に駆動する上部電極４５と、下部電極４３，４４と上部電極４５との間に設けられた絶縁膜４６とを有し、下部電極４３及び上部電極４５から構成される第１の可変容量素子と、下部電極４４及び上部電極４５から構成される第２の可変容量素子とを有する静電アクチュエータ１１と、下部電極４３に接続された第１の固定容量素子と、下部電極４４に接続された第２の固定容量素子と、上部電極４５に接続され、絶縁膜４６に蓄積された電荷量を検知する検知回路１５とを含む。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電気部品を提供する。
【解決手段】電気部品は、基板１００と、前記基板上に形成された機能素子１２０と、前記基板上において前記機能素子を収納するキャビティ１３０を形成し、複数の貫通孔１０９ｃを有する第１層１０９と、前記第１層上に形成され、複数の前記貫通孔を塞ぐ第２層１１０と、を具備し、前記第１層は、下部側に形成された第１膜１０９ａと、前記第１膜上に形成され、前記第１膜より熱膨張係数が小さい第２膜１０９ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】可動梁の自己駆動による影響を受けにくく、ＲＦ容量が緩やかに変化するバイアス電圧の電圧範囲を広げることができる、可変容量装置を提供する。
【解決手段】可変容量装置１は、支持板２と可動梁３とＲＦ容量部Ｃ１Ａ，Ｃ１Ｂと駆動容量部Ｃ２Ａ，Ｃ２Ｂとを備える。可動梁３は片持ち梁構造であり、可動端周辺に矩形薄肉部３Ｅを設けて、曲げ剛性を局所的に低減した構成である。駆動容量部Ｃ２Ａ，Ｃ２Ｂは、バイアス電圧が印加されて生じる駆動容量によって可動梁３を曲げ変形させる。ＲＦ容量部Ｃ１Ａ，Ｃ１Ｂは、支持板２と可動梁３との間が近接状態となる領域面積に応じて容量値が変化するＲＦ容量を生じる。 （もっと読む）

【課題】挿入損失やサイズ、コストを低減でき、全体としてのインダクタンスを大きくすることが容易な可変インダクタ装置を提供する。
【解決手段】可変インダクタ装置１は、下基板２Ａと、巻線コイル３Ａ，３Ｂと、可動板４と、上駆動電極６Ａとを備える。巻線コイル３Ａ，３Ｂは、下基板２Ａ上に形成された導体薄膜から形成され互いに直列に接続される。可動板４は前記導体薄膜から形成され、下基板２Ａに対して近接または離間する配置に変位可能である。上駆動電極６Ａは、可動板４に対向するように支持され。可動板４と上駆動電極６Ａとは巻線コイル３Ａに対して並列に接続されるスイッチングキャパシタを形成する。 （もっと読む）