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Fターム[3K092VV04]の内容

抵抗加熱 (19,927) | 目的又は効果 (3,076) | 小型化又は軽量化 (126)

Fターム[3K092VV04]に分類される特許

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【課題】入力に対する応答速度が速く且つ熱応力による断熱層の破壊が起こりにくい赤外線放射素子を提供する。
【解決手段】シリコン基板からなる半導体基板(支持基板)1の一表面側に層状の発熱体層3が形成され、発熱体層3と半導体基板1との間に断熱層2が形成されている。断熱層2は、厚み方向に沿った多数の微細孔23を有する多孔質構造体であり、多孔質構造体の露出部位が酸化シリコンからなる絶縁体部22となっている。断熱層2は、半導体基板の一部を多孔質化することにより形成した多孔質シリコンに対して酸化処理を施すことにより形成してあり、多孔質シリコンの結晶の部分として多数のシリコン微結晶21が残存し、各シリコン微結晶21の表面を覆うように絶縁体部22が形成されている。なお、絶縁体部22は酸化シリコンに限らず、窒化シリコンや酸窒化シリコンでもよい。 (もっと読む)


【課題】小型で入力電力に対する応答速度が速く且つ赤外線の放射特性の安定性に優れ、しかも、赤外線発光ダイオードに比べて赤外線の放射量を増大させることができる赤外線放射素子を提供する。
【解決手段】赤外線放射素子は、支持基板1の一表面側に発熱体層3が形成され、発熱体層3と支持基板1との間に断熱層2が形成され、支持基板1の上記一表面側に発熱体層3の両端部それぞれと接する形で一対のパッド4,4が形成されている。支持基板1として単結晶のシリコン基板を用いており、断熱層2を多孔度が略70%の多孔質シリコン層により構成している。また、発熱体層3は、シリコンよりも高融点の金属(例えば、タングステン)により形成してある。また、パッド4,4は、少なくとも発熱体層3と接する部位がシリコンよりも高融点の金属(例えば、クロム)により形成してある。 (もっと読む)


本発明は、小型で効率が高く、各種用途において容易に適応することができる汎用性の高い赤外線電球及びその赤外線電球を用いた加熱装置を提供するものであり、本発明の赤外線電球は、放射率が高く輻射エネルギー量の多い炭素系抵抗体である複数の発熱体を所望の位置及び所望の角度に正確に配置して、ガラス管内に封止して構成されており、この赤外線電を熱源として加熱装置が構成されている。
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従来の管状発熱体に比べて、体積に対する放射表面積の比が大きいストリップの形態の炭化珪素炉発熱体が提供される。

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【課題】設置スペースを要することなく、壁に掛けて用いることができ、装飾と兼用して使用できる面状発熱装置を提供する。
【解決手段】周縁部に枠体11が取付けられた金属板から成る放熱パネル10の背面側に両面が絶縁フィルム21、22によって絶縁されたグラファイトシート16から成る面状発熱体15を取付け、電極19、20を通してグラファイトシート16に通電することによって発熱させ、放熱パネル10によって熱を放熱する。 (もっと読む)


【課題】給電用コネクタと温度検出用コネクタの2つ以上のコネクタ装置を別個独立に使用しているため、これ等のコネクタ装置を装着する面状ヒータはスペースを小さく出来ないという課題があった。
【解決手段】ヒータの電力供給用端子に接触する給電用コネクタと、前記ヒータの温度検出用端子に接触する温度検出用コネクタとを、同一のコネクタハウジング内に設けたものである。 (もっと読む)


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