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Fターム[3K107FF08]の内容

エレクトロルミネッセンス光源 (181,921) | パラメータ (13,035) | 表面物性 (345) | 粗度 (206)

Fターム[3K107FF08]に分類される特許

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本発明は、基板10、第1電極層、及び該基板と該第1電極層の間に位置する薄いコロイド層20を有するLEDに関する。当該LEDはさらに、第1電極層に面するコロイド層の外面がRa≦30nm且つRa≧1nm、好ましくは、Ra≦10nm且つRa≧3nm、より好ましくは、Ra≦5nm且つRa≧3nmの粗度を持つようにコロイド層内及び/又はコロイド層と第1電極層の間に位置するスムージング手段を有する。
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本発明は、上部放射型の有機発光ダイオード(OLED)用の層配置に、および該層配置を含んでなる表示装置および照明装置に関する。層配置は、下側電極(A)、上側透明電極(K)、および電極(A、K)間に、下側および上側電極(A、K)と接触するように配置された有機層区域(O)を含んでなる。光は、該有機層中で、電子および空孔の再結合により発生させることができ、上側電極(K)を通し放出される。下側電極(A)は、層構造を有し、下側電極層は金属層である。本発明は、保護および変性層が、下側電極(A)の層構造中で金属層の上に配置され、有機層区域(O)と接触することを特徴とする。
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本発明は、少なくとも1つの透明導電酸化物層、活性ポリマー層、背後電極層および基板層を備え、透明導電酸化物(TCO)層は、10nm〜500nmの範囲のX値および15nm〜1000nmの範囲のY値を有することにより特徴づけられる制御された表面構造を有し、X値およびY値の間の比率(X/Y)は多くとも1であり、X値は表面上のピーク高さの平均値として規定され、Y値は表面上の平均ピーク間距離として規定され、XおよびYの値はどちらも、SEM(走査電子顕微鏡)または原子間力顕微鏡(AFM)により測定される、ポリマー光電子デバイスに関する。 (もっと読む)


積層構成で少なくとも一つの透明OLEDと組み合わされ、液晶ディスプレイ(LCD)などの半透過型ディスプレイ装置(180)におけるバックライトとして機能する、一つの反射電極を有する従来型有機発光ダイオード(OLED)(156)が開示されている。少なくとも二つの透明OLED(154,152)が一つの従来型OLED(156)と積層構成で配置され、三つのOLEDのそれぞれが異なる帯域幅の光(161N,161G,161B)を発するのが好ましい。バックライトの後ろに置かれた反射電極(117)は、ディスプレイのための反射板としての役目もする。この配置は、反射率を高め、透過モードにおけるカラー順次配列を可能にし、フルカラー表示のすべての構成要素(即ち、赤、緑、青)が、カラーフィルタを必要とすることなく、同じピクセルを通って発するのを可能にする。
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本発明は、回転炉または舟形炉(boat furnace)中で還元剤として水素を使用することにより、モリブデン酸アンモニウムまたは三酸化モリブデンを還元することによる高純度なMoO粉末に関する。加圧/焼結、ホットプレスおよび/またはHIPによる粉末の圧密は、スパッタリングターゲットとして使用されるディスク、スラブまたは板を製造するために使用される。MoOのディスク、スラブまたは板の形状物は、適当なスパッタリング方法または他の物理的手段を用いて支持体上にスパッタリングされ、望ましい膜厚を有する薄膜を提供する。薄膜は、透明度、導電率、仕事関数、均一性および表面粗さに関連してインジウム−酸化錫(ITO)および亜鉛がドープされたITOの性質と比較可能かまたは前記性質よりも優れている性質、例えば電気的性質、光学的性質、表面粗さおよび均一性を有する。MoOおよびMoOを含有する薄膜は、有機発光ダイオード(OLED)、液晶ディスプレイ(LCD)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、電界放出ディスプレイ(FED)、薄膜ソーラーセル、低抵抗オーミック接触ならびに他の電子デバイスおよび半導体デバイスに使用されてよい。 (もっと読む)


基材(2)および、薄膜技術によって基材上に設けられた少なくとも1つの電子薄膜構成要素(8)、を有する、薄膜アセンブリ(1)であって、ここでベース電極(4)が基材上に提供されており、その上に、薄膜構成要素の一部を形成する、ベース電極薄膜層(21)が、上部トップ電極(9)と併せて配置されており;
この基材(2)は、絶縁材ベース体(3)と、導体層(5)としての金属コーティングと、を有する、従来知られているプリント回路基板(2)から構成され、
この導体層(5)は、ベース電極(4)を形成し、そしてこの目的のために、少なくとも薄膜構成要素(8)の位置上はスムージングされており、および
接触層(18)が、スムージングされ、必要に応じて補強された導体層(5)と、薄膜構成要素(8)の積層薄膜層(21)と、の間に、薄膜技術によって提供されており、ここで接触層が、ベース電極(4)の表面に、物理的または化学的に吸着されている、薄膜アセンブリ。

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