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Fターム[4E351GG13]の内容

プリント基板への印刷部品(厚膜薄膜部品) (19,111) | 目的、効果 (2,377) | 物理的又は化学的なもの (536) | 耐湿性、耐食性、耐酸化性 (92)

Fターム[4E351GG13]に分類される特許

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【課題】端子部の変色を防止できながら、得られた配線回路基板の静電気の帯電を効率的に除去することのできる、配線回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】金属支持基板2、ベース絶縁層3、導体パターン4およびカバー絶縁層5を備える回路付サスペンション基板1を用意し、次いで、導体パターン4を形成する銅の標準電極電位よりも標準電極電位の低い鉛および/または錫から形成される保護層9を、カバー絶縁層5の開口部12から露出する露出部11に積層する。その後、この保護層9が積層された回路付サスペンション基板1を、ポリアニリンの重合液に浸漬して、半導電性層10を、ベース絶縁層3の表面およびカバー絶縁層5の表面に形成する。 (もっと読む)


本発明は、組成物、および特に電子デバイスの保護コーティングのためのかかる組成物の使用に関する。本発明は、複合封入剤で被覆され、かつプリント配線板に埋め込まれた箔上焼成セラミックコンデンサに関する。
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【課題】端子部の変色を防止できながら、得られた配線回路基板の静電気の帯電を効率的に除去することのできる、配線回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】金属支持基板2、ベース絶縁層3、導体パターン4およびカバー絶縁層5を備える回路付サスペンション基板1を用意し、次いで、端子部7の表面にめっき層8を形成した後、この回路付サスペンション基板1を、導体パターン4を形成する導体材料の標準電極電位よりも、低い酸化還元電位の導電性ポリマーの重合液に浸漬して、半導電性層10を、ベース絶縁層3の表面およびカバー絶縁層5の表面に形成する。 (もっと読む)


【課題】電解銅箔の防錆処理層にクロムを用いることなく、プリント配線板に加工して以降の回路の引き剥がし強さ、当該引き剥がし強さの耐薬品性劣化率等の良好な表面処理銅箔の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するため、絶縁樹脂基材に対する電解銅箔の張り合わせ面に防錆処理層とシランカップリング剤層とを備える表面処理銅箔において、当該防錆処理層3は、重量厚さ5mg/m〜50mg/mのニッケル合金層と、重量厚さ5mg/m〜40mg/mのスズ層とを順次積層したものであり、当該防錆処理層3の表面にシランカップリング剤層4を備えることを特徴とする表面処理銅箔5を採用する。また、本件発明に係る表面処理銅箔5(粗化処理を備えないものに限る)の絶縁樹脂基材に対する張り合わせ面上に、換算厚さが1μm〜5μmの極薄プライマ樹脂層6を備えたことを特徴とする極薄プライマ樹脂層付表面処理銅箔1等を採用する。 (もっと読む)


【課題】ホール充填用に適した粘度を有し、ポットライフの長い導電性ペーストであって、これを用いて多層基板を形成した際に、耐湿性、ヒートサイクル性、熱衝撃性が高く、良好な導電性が長期間維持される導電性ペースト、及びこれを用いた長期信頼性に優れた多層基板を提供する。
【解決手段】(A)エポキシ当量が200〜600の範囲内であり、かつ加水分解性塩素濃度が200ppm未満であるエポキシ樹脂20重量部以上とこのエポキシ樹脂以外の樹脂80重量部未満とからなり、全加水分解性塩素濃度が1000ppm未満である樹脂成分100重量部に対し、(B)融点180℃以下の低融点金属少なくとも1種と融点800℃以上の高融点金属少なくとも1種とを含む、2種以上の金属からなる金属粉200〜1800重量部、(C)硬化剤3〜20重量部、及び(D)フラックス3〜15重量部を含有してなるものとする。 (もっと読む)


【課題】絶縁抵抗値が変動しにくい2層構成の金属被覆ポリイミドよりなるプリント配線基板の提供すること。
【解決手段】絶縁フィルムの少なくとも一方の表面に、スパッタリング金属層を介して積層された導電性金属を形成し、該スパッタリング金属層および導電性金属層を、エッチング法により選択的に除去して配線パターンを形成した後、該積層フィルムを、スパッタリング金属層に含有されるNiを溶解可能な第1液で処理し、次いでスパッタリング金属層に含有されるCrを溶解しかつ絶縁フィルムのスパッタリング金属層を除去し得る第2処理液で処理して、該配線パターンが形成されていない絶縁フィルムの表層面に残存するスパッタリング金属を絶縁フィルム表層面と共に除去する。さらに、本発明のプリント配線基板は、配線パターンが形成されていない部分の絶縁フィルムの厚さが、該配線パターンが形成されている絶縁フィルムの厚さよりも1〜100nm薄く形成されている。 (もっと読む)


【課題】Sn基ハンダ合金の接合界面又は押圧界面における金属間化合物の成長速度が極端に遅く、耐経年劣化特性が格段に優れた導電性被覆材料を提供する。
【解決手段】Sn又はSn基合金が接合又は押圧された接合界面又は押圧界面に、Ir−Sn系金属間化合物を含む界面薄層が形成されていることを特徴とする耐経年劣化特性に優れたIr基導電性被覆材料。 (もっと読む)


【課題】反りが小さく、しかも高温高湿負荷試験において不良の発生しない高信頼の多層セラミック基板を提供する。
【解決手段】ビア導体がAgを主体とし、Pdを含有する金属導電体であり、焼結後、前記金属導電体中の酸素含有量が100ppm以上となるビア導体として、そのビア導体部分が、焼結工程における最高温度保持中に収縮から膨張に変化する挙動をとる。それにより、セラミック材料とビア導体との間に水蒸気の侵入を妨げることが可能となり、高温高湿負荷試験において不良の発生しない高品質の基板が作製できる。 (もっと読む)


【課題】抵抗体のスクリーン印刷による抵抗値の作り込み精度に優れ、積層前表面粗化処理においても電気化学反応による断線が発生せず、さらに、高温高湿試験においても抵抗値変動が小さい抵抗素子内蔵プリント配線板を提供する。
【解決手段】銀めっき32により被覆された電極部34と、この電極部34との間に抵抗ペーストにより形成された抵抗体31を配置し、銀めっきと銅配線との境界部を抵抗体より独立した保護層35により被覆した。そして、保護層35に抵抗体と同一の抵抗ペーストを使用する。また、抵抗体には、導電性フィラーを分散させた抵抗ペーストを用いる。また、銅配線層の銅厚を10μm以上、35μm以下となるように調整した基板を用いる。あるいは、保護層には導電性ペーストを使用する。 (もっと読む)


【課題】 スパッタリング法により優れた剥離強さを付与すると共に、ピンホールを減少させた軟性回路基板を提供する。
【解決手段】 軟性回路基板は、ベース1と、ベース1上に形成されるクロム被覆層2と、クロム被覆層2上に形成される第一被覆ユニット3と、第一被覆ユニット3上に形成される第一銅被覆層4と、第一銅被覆層4と接合される第二銅被覆層6とを含み、また、軟性回路基板の製造方法はベース1上にクロム被覆層2を形成するステップと、クロム被覆層2上に第一被覆ユニット3を形成するステップと、第一被覆ユニット3上に第一銅被覆層4を形成するステップと、第一銅被覆層4の第二側面42にプラズマ表面処理を行うステップと、第一銅被覆層4上に第二銅被覆層6を形成するステップとを有する。 (もっと読む)


【課題】キャパシタ誘電体膜が水素や水分により還元されるのをより確実に防止し得る薄膜キャパシタ及びその製造方法、並びに、その薄膜キャパシタを用いた電子装置及び回路基板を提供する。
【解決手段】支持基板10上に形成され、第1のキャパシタ電極14と;第1のキャパシタ電極上に形成されたキャパシタ誘電体膜16と;キャパシタ誘電体膜上に形成された第2のキャパシタ電極18とを有するキャパシタ部20と、第1のキャパシタ電極又は第2のキャパシタ電極から引き出され、水素又は水分の拡散を防止する導電性バリア膜より成る引き出し電極26a、26bと、引き出し電極に接続された外部接続用電極34a、34bとを有している。 (もっと読む)


【課題】 特に、耐硫化性に優れた導電膜及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 導電膜は、銀粒子及び/又は銅粒子を有する導電性粒子と、トリアジンチオール誘導体とを含んでいる。
前記トリアジンチオール誘導体は、銀粒子及び/又は銅粒子を有する導電性粒子と錯体を形成しているものと考えられる。図に示すように、銀粒子の表面にトリアジンチオール誘導体が強固に結合されていると考えられ、これにより、前記導電膜の耐硫化性を効果的に、向上させることが可能になる。 (もっと読む)


【課題】配線導体に対する電子部品の電気的および機械的な接続の長期信頼性に優れる配線基板を提供する。
【解決手段】本発明に係る配線基板Xは、配線層20を有する絶縁基体10と、金属材料を含み、配線層20上に被着されている第1めっき層30と、第1めっき層30の金属材料よりも標準電極電位の高い金属材料を含み、第1めっき層30上に被着されている第2めっき層40と、第1めっき層30の金属材料の腐食速度を低減するための腐食抑制剤を含み、少なくとも第2めっき層40の外縁部に被着されている腐食抑制層50とを備える。 (もっと読む)


【課題】 回路基板の配線間隔の増大を抑制しつつ、配線層を厚膜化できるようにする。
【解決手段】 基材1上には下層導電膜2および上層導電膜3が順次積層され、下層導電膜2のエッチングレートは上層導電膜3のエッチングレートよりも大きくなるように設定し、レジストパターン4をマスクとして上層導電膜3をエッチングすることにより上層配線層3aを形成し、さらにレジストパターン4をマスクとして下層導電膜2をエッチングすることにより下層配線層2aを形成し、下層配線層2a上に上層配線層3aが積層された配線パターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】 特に、配線部内や配線部と基板との間で生じる拡散を適切に抑制することが可能な配線基板を提供することを目的としている。
【解決手段】 Au配線部15とAg配線部16との間に、Au及びAgに比べて高融点の第1高融点金属部18が設けられている。第1高融点金属部18は融点が高いことで拡散係数が低く、すなわち拡散しにくい材料である。また前記Ag配線部17からAgが拡散するのを適切に抑制するバリア材としても機能している。このように前記Au配線部15とAg配線部16との間に第1高融点金属部18を設けることで、従来のようにAg配線部とAu配線部とが接して形成されている形態に比べて、Agの拡散を効果的に抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】水分やめっき液に対し、より優れた耐性を有する新規な導電性ペースト、及び該導電性ペーストを使用した積層セラミック電子部品の製造方法、並びに該製造方法により製造された積層セラミック電子部品を実現する。
【解決手段】導電性ペーストが、導電性粉末とガラス成分と有機ビヒクルとを含有し、前記ガラス成分がSiO−TO−MO−XO系材料(ただし、TはTi及びZrの中から選択された少なくとも1種を示し、MはMn及びNiの中から選択された少なくとも1種を示し、XはCa、Ba、Sr及びMgの中から選択された少なくとも1種を示す。)で形成されている。この導電性ペーストを使用して積層セラミックコンデンサ等の積層セラミック電子部品の内部導体2を形成する。 (もっと読む)


【課題】 高い耐食性と絶縁信頼性を有する銅皮膜層を形成したフレキシブル基板および配線部パターン形成時の優れたエッチング方法を提供する。
【解決手段】フレキシブル基板の絶縁体フィルム上に、乾式めっき法により膜厚3〜40nmに形成され、かつクロムの割合が23〜70重量%のニッケル−クロム合金を主として含有する下地金属層と、該下地金属層上に形成した膜厚10nm〜35μmの銅皮膜層とを有するフレキシブル基板を用いて、塩化第二鉄、塩化第二銅、過硫酸アンモニウム、硫酸と過酸化水素水から選択された1種を含むエッチング液で1段目のエッチングを行い、その後水洗を行い、塩酸と硫酸を含有するエッチング液で2段目のエッチングを行い、配線部パターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】 銅或いは銅合金の配線上に、純錫或いは鉛を含まない錫合金のめっき層を有するFPC端子部並びにFFC端子部に於ける、銅配線等の腐食を防止することによって、銅配線等の耐食性(外観並びに電気的特性)に優れ、またウイスカーの発生のないFPC端子部或いはFFC端子部を提供することにある。
【解決手段】 FPC或いはFFCのコネクタ嵌合される端子部であって、銅或いは銅合金配線上に純錫又は鉛を含まない錫合金のめっき層が形成され、熱処理されることにより銅および錫を含む金属間化合物拡散層が形成される端子部に於いて、熱処理された後の前記純錫又は鉛を含まない錫合金の残存めっき層の厚さが0.20μm未満であって、熱処理後の端子部には腐食防止剤層が形成されているFPC端子部或いはFFC端子部とすることによって、解決される。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、芳香族ポリアミドフィルムを用いた2層型フレキシプルプリント回路用基板において、エッチングが容易で微細パターンの形成を可能とする方法を提供することにある。
【解決手段】芳香族ポリアミドからなるシート状基材上に結晶性の銅の薄膜層を有するフレキシブルプリント回路用基板であって、銅結晶の(200)面と(111)面のX線回折強度比が0.3≦I(200)/I(111)≦1.0の範囲であることを特徴とするフレキシブルプリント回路用基板。 (もっと読む)


【課題】 何ら不具合が発生することなく、バンプが設けられたファインピッチの配線層を備えたフレキシブル回路基板(COFパッケージ)を製造すること。
【解決手段】 リールから引き出されて搬送される金属薄板10に凹部10aを形成し、凹部10aを含む部分に開口部12aが設けられたレジスト膜12を金属薄板10の上に形成する。その後に、金属薄板10をめっき給電経路に利用する電解めっきで、レジスト膜12の開口部12a内に金属層を形成することにより、凹部12aに充填されたバンプ18cとそれに繋がる配線層18を得る。さらに、レジスト膜12を除去し、配線層18を覆う絶縁層20を形成した後に、金属薄板10を除去することによりバンプ18c及び配線層18を露出させる。 (もっと読む)


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