配線回路基板の製造方法
【課題】端子部の変色を防止できながら、得られた配線回路基板の静電気の帯電を効率的に除去することのできる、配線回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】金属支持基板２、ベース絶縁層３、導体パターン４およびカバー絶縁層５を備える回路付サスペンション基板１を用意し、次いで、端子部７の表面にめっき層８を形成した後、この回路付サスペンション基板１を、導体パターン４を形成する導体材料の標準電極電位よりも、低い酸化還元電位の導電性ポリマーの重合液に浸漬して、半導電性層１０を、ベース絶縁層３の表面およびカバー絶縁層５の表面に形成する。
【解決手段】金属支持基板２、ベース絶縁層３、導体パターン４およびカバー絶縁層５を備える回路付サスペンション基板１を用意し、次いで、端子部７の表面にめっき層８を形成した後、この回路付サスペンション基板１を、導体パターン４を形成する導体材料の標準電極電位よりも、低い酸化還元電位の導電性ポリマーの重合液に浸漬して、半導電性層１０を、ベース絶縁層３の表面およびカバー絶縁層５の表面に形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板の製造方法、詳しくは、回路付サスペンション基板などの配線回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ベース絶縁層と、配線および端子部を有する導体パターンと、カバー絶縁層とを順次積層した配線回路基板が知られている。このような配線回路基板は、各種の電気機器や電子機器の分野において、広く用いられている。
このような配線回路基板の製造方法として、実装される電子部品の静電破壊を防止するために、例えば、ベース層、導体回路およびカバー層からなる積層体（基板本体）を製造し、その後、該積層体の周囲に導電ポリマー層を形成する、フレキシブルプリント回路基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００４−１５８４８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかるに、特許文献１に記載のフレキシブルプリント回路基板の製造方法では、導電ポリマー層の形成において、積層体を、モノマーとしてのピロールと、酸化重合剤としてのペルオキソ二硫酸カリウムとを含む酸化性の処理液中に浸漬するので、このような処理液によって、導体回路におけるカバー層から露出する端子部において、導体回路を形成する導体材料が溶解する場合がある。そのため、端子部が腐食されて、端子部が変色するというおそれがある。
【０００４】
本発明の目的は、端子部の変色を防止できながら、得られた配線回路基板の静電気の帯電を効率的に除去することのできる、配線回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板の製造方法は、絶縁層と、前記絶縁層に被覆される配線および前記絶縁層から露出する端子部を有する導体パターンと、を備える配線回路基板を用意する工程と、前記配線回路基板を導電性ポリマーの重合液に浸漬して、半導電性層を前記絶縁層の表面に形成する工程とを備え、前記導電性ポリマーの前記重合液の酸化還元電位は、前記導体パターンを形成する導体材料の標準電極電位よりも低いことを特徴としている。
【０００６】
この配線回路基板の製造方法によれば、導電性ポリマーの重合液の酸化力が、導体パターンを形成する導体材料の酸化力よりも低くなるので、そのため、配線回路基板を導電性ポリマーの重合液に浸漬したときには、導体パターンを形成する導体材料は、たとえ、端子部において露出していても、その重合液に溶解しにくくなる。
そのため、端子部における腐食を防止できながら、半導電性層を絶縁層の表面に形成することができる。
【０００７】
その結果、端子部における変色を防止できながら、得られた配線回路基板の静電気の帯電を効率的に除去することができる。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記配線回路基板を用意する工程において、前記端子部の表面にめっき層を形成することが好適である。
一般に、配線回路基板の製造方法において、端子部を保護するために、その表面にめっき層を形成する場合があるところ、それでも、導電性ポリマーの重合液に浸漬した場合には、めっき層の周端部と絶縁層との界面に、導電性ポリマーの重合液が浸透して、これによって、端子部における導体材料が溶解して、端子部が腐食されるおそれがある。
【０００８】
しかし、この配線回路基板の製造方法では、導電性ポリマーの重合液の酸化力が、導体パターンを形成する導体材料の酸化力よりも低くなるので、端子部における導体材料は溶解しにくくなる。そのため、端子部の表面にめっき層を形成して、めっき層の周端部と絶縁層との界面に導電性ポリマーの重合液が浸透しても、かかる腐食のおそれが少なく、その結果、端子部における変色を有効に防止することができる。
【０００９】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記導体パターンの前記導体材料が、銅であり、前記重合液が、スルホン酸を含有することが好適である。
この方法では、導体パターンの導体材料が銅であるため、重合液がスルホン酸を含有すれば、重合液の酸化力を、導体パターンの酸化力よりも確実に低く調整することができる。そのため、端子部において、重合液に対する銅の溶解が確実に抑制される。
【００１０】
そのため、端子部における腐食を確実に防止することができる。その結果、端子部における変色を確実に防止することができる。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記導電性ポリマーが、ポリアニリンであることが好適である。
この配線回路基板の製造方法では、導電性ポリマーがポリアニリンであるので、得られた配線回路基板は、静電気の帯電をより一層効率的に除去することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の配線回路基板の製造方法によれば、端子部における腐食を防止できながら、半導電性層を絶縁層の表面に形成することができる。その結果、端子部における変色を防止できながら、得られた配線回路基板の静電気の帯電を効率的に除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は、本発明の配線回路基板の製造方法により製造される配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板の平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブに搭載され、磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ディスクとの間で相対的に走行させるときの空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小間隔を保持しながら支持するための金属支持基板２に、磁気ヘッドとリード・ライト基板（図示せず）とを接続するための導体パターン４が形成されている。
【００１３】
なお、図１では、導体パターン４の配置を明確にするために、後述するめっき層８および半導電性層１０を省略して示している。
導体パターン４は、磁気ヘッド側接続端子部７Ａと、外部側接続端子部７Ｂと、これら磁気ヘッド側接続端子部７Ａおよび外部側接続端子部７Ｂを接続するための配線６とを、一体的に連続して備えている。
【００１４】
配線６は、回路付サスペンション基板１の長手方向（以下、単に長手方向という。）に沿って設けられ、幅方向（長手方向に直交する方向、以下同じ。）において互いに間隔を隔てて複数（４本）並列配置されている。
磁気ヘッド側接続端子部７Ａは、金属支持基板２の先端部に配置され、幅方向に沿って互いに間隔を隔てて並列配置されており、長手方向に延びる平面視略矩形状の角ランドとして形成されている。また、磁気ヘッド側接続端子部７Ａは、各配線６の先端部がそれぞれ接続されるように、複数（４つ）設けられている。この磁気ヘッド側接続端子部７Ａには、磁気ヘッドの端子部（図示せず）が接続される。
【００１５】
外部側接続端子部７Ｂは、金属支持基板２の後端部に配置され、幅方向に沿って互いに間隔を隔てて並列配置されており、長手方向に延びる平面視略矩形状の角ランドとして形成されている。また、外部側接続端子部７Ｂは、各配線６の後端部がそれぞれ接続されるように、複数（４つ）設けられている。この外部側接続端子部７Ｂには、リード・ライト基板の端子部（図示せず）が接続される。
【００１６】
なお、以下、磁気ヘッド側接続端子部７Ａおよび外部側接続端子部７Ｂは、特に区別が必要でない場合には、単に端子部７として説明する。
そして、この回路付サスペンション基板１は、図２に示すように、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成されるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４と、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆するように形成されるカバー絶縁層５とを備えている。また、この回路付サスペンション基板１は、導体パターン４の端子部７の表面に形成されるめっき層８と、カバー絶縁層５の表面およびベース絶縁層３の表面に形成される半導電性層１０とを備えている。
【００１７】
金属支持基板２は、図１に示すように、長手方向に沿って延びる平面視略矩形シート状に形成されている。金属支持基板２は、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料から形成されている。金属支持基板２の厚みは、例えば、１５〜３０μｍ、好ましくは、２０〜２５μｍである。
ベース絶縁層３は、図１および図２に示すように、金属支持基板２の上に、金属支持基板２より長手方向および幅方向がやや短くなる平面視略矩形シート状に形成されている。ベース絶縁層３は、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂などの絶縁材料から形成されている。好ましくは、ポリイミドから形成されている。ベース絶縁層３の厚みは、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、８〜１５μｍである。また、ベース絶縁層３の長さ（長手方向長さ、以下同じ。）および幅（幅方向長さ、以下同じ。）は、金属支持基板２に対応して、適宜設定される。
【００１８】
導体パターン４は、ベース絶縁層３の上に、配線６および配線６に接続される端子部７から一体的に形成される配線回路パターンとして、形成されている。
配線６は、カバー絶縁層５に被覆されるように形成されている。
端子部７は、ベース絶縁層３の長手方向両端部において、カバー絶縁層５の両端部から露出するように形成されている。
【００１９】
導体パターン４は、標準電極電位（２５℃）が、例えば、０．１〜２．０Ｖ、好ましくは、０．１〜０．５Ｖの導体材料から形成され、より具体的には、例えば、銅（標準電極電位（２５℃）：０．３３７Ｖ）、金（標準電極電位（２５℃）：１．５０Ｖ）、またはこれらの合金などの導体材料から形成されている。好ましくは、銅から形成されている。
導体パターン４の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。また、各配線６の幅は、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍであり、各配線６間の間隔は、例えば、１０〜１０００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍである。また、各端子部７の長さは、例えば、５０〜２０００μｍ、好ましくは、１００〜１０００μｍであり、幅は、例えば、５０〜２０００μｍ、好ましくは、１００〜１０００μｍである。
【００２０】
カバー絶縁層５は、長手方向に沿って延びる平面視略矩形シート状に形成されている。より具体的には、カバー絶縁層５は、幅方向においては、その幅方向両端縁が、平面視においてベース絶縁層３の幅方向両端縁と同一位置に配置されている。また、カバー絶縁層５は、長手方向においては、その長手方向両端縁が、ベース絶縁層３の長手方向両端縁よりもやや短くなるように配置されている。これにより、カバー絶縁層５は、導体パターン４の配線６を被覆し、かつ、導体パターン４の端子部７を露出させている。カバー絶縁層５は、上記したベース絶縁層３と同様の絶縁材料から形成されている。
【００２１】
カバー絶縁層５の厚みは、例えば、１〜４０μｍ、好ましくは、１〜７μｍである。また、カバー絶縁層５の長さは、ベース絶縁層３および端子部７の大きさに応じて、適宜設定される。
めっき層８は、端子部７の上面、長手方向両側面および幅方向両側面（図２において図示せず）に形成されている。めっき層８の材料としては、例えば、金などの金属材料が用いられる。めっき層８の厚みは、例えば、０．２〜３μｍ、好ましくは、０．５〜２μｍである。
【００２２】
半導電性層１０は、カバー絶縁層５の上面、長手方向両側面および幅方向両側面（図２において図示せず）と、カバー絶縁層５および導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面、長手方向両側面および幅方向両側面（図２において図示せず）とに、形成されている。
半導電性層１０は、後述する導電性ポリマーの重合液への浸漬により、導電性ポリマーから形成されている。
【００２３】
導電性ポリマーとしては、例えば、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、またはこれらの誘導体などが挙げられる。好ましくは、ポリアニリンが挙げられる。これら導電性ポリマーは、単独使用または２種以上併用することができる。
半導電性層１０の厚みは、例えば、０．０１〜０．１μｍ、好ましくは、０．０２〜０．０５μｍである。
【００２４】
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図３および４を参照して、説明する。
まず、この方法では、図３（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。
次いで、この方法では、図３（ｂ）に示すように、金属支持基板２の上に、ベース絶縁層３を上記したパターンで形成する。
【００２５】
ベース絶縁層３を、上記したパターンで形成するには、例えば、金属支持基板２の上面に、感光性の、上記した絶縁材料のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させる。
次いで、この方法では、図３（ｃ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を上記した配線回路パターンで形成する。
【００２６】
導体パターン４は、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法により形成する。好ましくは、アディティブ法により形成する。
アディティブ法では、まず、ベース絶縁層３の上面、長手方向両側面および幅方向両側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面とに、仮想線で示す金属薄膜１８を形成する。金属薄膜１８は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを積層することにより、形成する。
【００２７】
次いで、この金属薄膜１８の上面に、上記したパターンと逆パターンで図示しないめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する金属薄膜１８の上面に、電解めっきにより、上記したパターンで、導体パターン４を形成する。その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の金属薄膜１８を除去する。
これにより、導体パターン４をベース絶縁層３の上に、上記した配線回路パターンで形成することができる。
【００２８】
次いで、この方法では、図３（ｄ）に示すように、カバー絶縁層５を、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４の配線６を被覆し、かつ、導体パターン４の端子部７を露出するパターンで形成する。
カバー絶縁層５を上記したパターンで形成するには、例えば、導体パターン４およびベース絶縁層３を含む金属支持基板２の上面に、感光性の、上記した絶縁材料のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させる。
【００２９】
次いで、この方法では、図４（ｅ）に示すように、めっき層８を、端子部７の表面に形成する。
めっき層８を形成するには、例えば、金属支持基板２を被覆するように図示しないめっきレジストを形成した後、例えば、電解めっきまたは無電解めっき、好ましくは、電解金めっきまたは無電解金めっきする。その後、めっきレジストを除去する。
【００３０】
これにより、ベース絶縁層３およびカバー絶縁層５と、導体パターン４とを備える、製造途中の回路付サスペンション基板１（半導電性層１０が形成される前の回路付サスペンション基板１）を用意する。
この製造途中の回路付サスペンション基板１では、導体パターン４は、カバー絶縁層５に被覆される配線６と、カバー絶縁層５から露出し、その表面にめっき層８が形成される端子部７とを一体的に備えている。
【００３１】
次いで、この方法では、図４（ｆ）に示すように、半導電性層１０を、カバー絶縁層５の表面およびベース絶縁層３の表面に形成する。
半導電性層１０を形成するには、まず、図４（ｅ）に示す製造途中の回路付サスペンション基板１を、導電性ポリマーの重合液に浸漬するとともに、その重合液に重合開始剤を配合する。
【００３２】
導電性ポリマーの重合液は、導体パターン４を形成する導体材料の標準電極電位よりも低い酸化還元電位となるように調製される。このような導電性ポリマーの重合液は、例えば、導電性ポリマーを重合するためのモノマーおよび溶媒を含有しており、これらを配合することにより調製される。
モノマーとしては、例えば、アニリン、ピロール、チオフェンなどが用いられ、好ましくは、アニリンが用いられる。これらモノマーは、単独使用または２種以上併用することができる。
【００３３】
溶媒としては、例えば、水、酸性水溶液などが用いられ、好ましくは、酸性水溶液が用いられる。
酸性水溶液を形成する酸性成分としては、例えば、スルホン酸などの有機酸などが用いられる。
スルホン酸としては、例えば、メタンスルホン酸、１，５−ナフタレンジスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、スルホコハク酸などが用いられ、好ましくは、メタンスルホン酸が用いられる。
【００３４】
重合開始剤としては、例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）二硫酸塩、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）二塩酸塩などのアゾ系開始剤、例えば、過硫酸カリウム（ペルオキソ二硫酸カリウム）、過硫酸アンモニウム（ペルオキソ二硫酸アンモニウム）などの過硫酸塩系開始剤、ヨウ素酸ナトリウム、ヨウ素酸カリウムなどのヨウ素酸塩系開始剤、例えば、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、過酸化水素などの過酸化物系開始剤、例えば、フェニル置換エタンなどの置換エタン系開始剤、例えば、芳香族カルボニル化合物などのカルボニル系開始剤、例えば、過硫酸塩と亜硫酸水素ナトリウムとの組合せ、過酸化物とアスコルビン酸ナトリウムとの組合せなどのレドックス系開始剤などが用いられる。好ましくは、過硫酸塩系開始剤が用いられる。これら重合開始剤は、単独使用または２種以上併用することができる。
【００３５】
また、重合開始剤をその重合液に配合するには、必要により、重合開始剤を溶媒に溶解させた重合開始剤溶液を調製し、この重合開始剤溶液を配合することもできる。なお、重合開始剤溶液の調製において用いられる溶媒は、重合液の調製に用いられる溶媒と同様のものが用いられる。
そして、重合開始剤（または重合開始剤溶液）が配合されたときにおける、導電性ポリマーの重合液の酸化還元電位（２５℃）は、導体パターン４を形成する導体材料の標準電極電位（２５℃）より、例えば、０．０３〜０．５Ｖ低く、好ましくは、０．２〜０．５Ｖ低くなるように調製される。より具体的には、重合開始剤（または重合開始剤溶液）が配合されたときにおける、導電性ポリマーの重合液の酸化還元電位（２５℃）は、例えば、０〜０．３Ｖ、好ましくは、０〜０．２Ｖとなるように調製される。
【００３６】
なお、このような導電性ポリマーの重合液の酸化還元電位（２５℃）は、ポテンショスタットにより測定することができる。
また、上記した導電性ポリマーの重合液の酸化還元電位（２５℃）を、導体パターン４を形成する導体材料の標準電極電位（２５℃）よりも低く調整するために、導電性ポリマーの重合液において、モノマーの濃度は、例えば、０．００５〜０．５ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌであり、溶媒が酸性水溶液である場合における酸性成分の濃度は、例えば、０．００４〜０．２ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌである。また、重合開始剤（または重合開始剤溶液）が配合されたときの、重合液における重合開始剤の濃度が、例えば、０．００２〜０．２ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．００５〜０．１ｍｏｌ／Ｌである。
【００３７】
そして、上記した回路付サスペンション基板１を導電性ポリマーの重合液に浸漬して、重合開始剤を配合した後、例えば、５〜１８０分間、好ましくは、１０〜１００分間そのまま浸漬する。
上記した浸漬において、導電性ポリマーの重合液は、その浸漬温度が、例えば、１〜４０℃、好ましくは、５〜２５℃に設定される。
【００３８】
これにより、導電性ポリマーからなる半導電性層１０が、絶縁層の表面、すなわち、カバー絶縁層５の表面およびベース絶縁層３の表面において析出するように重合され形成される。
その後、半導電性層１０が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１を水洗する。
【００３９】
次いで、この方法では、必要により、半導電性層１０の導電性ポリマーをドーピングする。
半導電性層１０の導電性ポリマーをドーピングするには、上記した半導電性層１０が形成された回路付サスペンション基板１を、ドーピング剤を溶解した溶液（ドーピング剤溶液）に浸漬する。
【００４０】
ドーピング剤は、導電性ポリマーに導電性を付与するものであって、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ノボラック樹脂、ｐ−フェノールスルホン酸ノボラック樹脂、β−ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物などが用いられる。これらドーピング剤は、単独使用または２種以上併用することができる。
【００４１】
ドーピング剤を溶解するための溶媒としては、例えば、水、メタノールなどが用いられる。
ドーピング剤溶液の調製においては、ドーピング剤の濃度が、例えば、５〜１００重量％、好ましくは、１０〜５０重量％となるように、溶媒を配合する。
半導電性層１０が形成された回路付サスペンション基板１のドーピング剤溶液への浸漬時間は、例えば、３０秒〜３０分、好ましくは、１〜１０分に設定される。
【００４２】
また、ドーピング剤溶液の浸漬（ドーピング）温度は、例えば、１０〜７０℃、好ましくは、２０〜６０℃に設定される。
上記した半導電性層１０の導電性ポリマーのドーピングにより、導電性ポリマーに導電性が付与される。
また、導電性ポリマーがドーピングされた、半導電性層１０の表面抵抗値は、例えば、１×１０５〜１×１０１２Ω／□、好ましくは、１×１０６〜１×１０１１Ω／□である。なお、半導電性層１０の表面抵抗値は、例えば、ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＰＥＴＲＯＣＨＥＭＩＣＡＬ社製のＨｉｒｅｓｔａ ＩＰ ＭＣＰ−ＨＴ２６０（プローブ：ＨＲＳ）を用いて測定することができる。
【００４３】
その後、この方法では、導電性ポリマーがドーピングされた半導電性層１０が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１をさらに水洗する。
そして、この回路付サスペンション基板１の製造方法では、導体パターン４の導体材料の標準電極電位が導電性ポリマーの重合液の酸化還元電位よりも低いので、導電性ポリマーの重合液の酸化力が、導体パターン４を形成する導体材料の酸化力よりも低くなる。そのため、半導電性層１０が形成される前の回路付サスペンション基板１を導電性ポリマーの重合液に浸漬したときに、導体パターン４の導体材料は、たとえ、端子部７において露出していても、その重合液に溶解しにくくなる。
【００４４】
そのため、端子部７における腐食を防止できながら、半導電性層１０をカバー絶縁層５の表面およびベース絶縁層３の表面に形成することができる。
その結果、端子部７における変色を防止できながら、得られた回路付サスペンション基板１の静電気の帯電を効率的に除去することができる。
また、この回路付サスペンション基板１の製造方法では、端子部７を保護するために、その表面にめっき層８を形成しているが、導電性ポリマーの重合液に浸漬すると、めっき層８の周端部とカバー絶縁層５およびベース絶縁層３との界面に、導電性ポリマーの重合液が浸透して、端子部７を腐食させるおそれがある。しかし、この方法では、導電性ポリマーの重合液の酸化力が、導体パターン４を形成する導体材料の酸化力よりも低くなるので、端子部７における導体材料は重合液に溶解しにくくなる。そのため、かかる腐食のおそれは少なく、その結果、端子部７における変色を有効に防止することができる。
【００４５】
また、この方法において、半導電性層１０が形成される前の回路付サスペンション基板１の導体パターン４の導体材料が銅であり、導電性ポリマーの重合液がスルホン酸を含有する場合には、重合液の酸化力を、導体パターン４の酸化力よりも確実に低く調整することができる。そのため、端子部７において、この重合液に対する銅の溶解が確実に抑制される。
【００４６】
そのため、端子部７における腐食を確実に防止することができる。その結果、端子部７における変色を確実に防止することができる。
また、この回路付サスペンション基板１の製造方法では、導電性ポリマーがポリアニリンである場合には、得られた回路付サスペンション基板１は、静電気の帯電をより一層効率的に除去することができる。
【００４７】
なお、上記した説明では、本発明の配線回路基板を、回路付サスペンション基板１を例示して説明したが、本発明の配線回路基板は、これに限定されず、片面フレキシブル配線回路基板、両面フレキシブル配線回路基板、または、多層フレキシブル配線回路基板、さらには、金属支持基板２が補強層として設けられた各種フレキシブル配線回路基板などの他の配線回路基板にも広く適用することができる。
【実施例】
【００４８】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。
（回路付サスペンション基板の製造）
実施例１
厚み２０μｍのステンレスからなる金属支持基板を用意した（図３（ａ）参照）。
【００４９】
次いで、その金属支持基板の上面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、スピンコーターを用いて均一に塗布し、次いで、塗布されたワニスを、９０℃で１５分間加熱することにより、ベース皮膜を形成した。その後、そのベース皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ２で露光させ、１９０℃で１０分間加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像した。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させることにより、ポリイミドからなるベース絶縁層を、金属支持基板の上に、上記したパターンで形成した（図３（ｂ）参照）。このベース絶縁層の厚みは１０μｍであった。
【００５０】
次いで、アディティブ法により、銅（標準電極電位（２５℃）：０．３３７Ｖ）からなる厚み１５μｍの導体パターンを上記したパターンで形成した（図３（ｃ）参照）。各配線間の間隔は３０μｍ、各配線の幅は３０μｍであり、各端子部の長さは２００μｍ、各端子部の幅は２００μｍであった。
次いで、上記した感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、導体パターンおよびベース絶縁層を含む金属支持基板の上面に、スピンコーターを用いて均一に塗布し、９０℃で１０分間加熱することにより、厚み１５μｍのカバー皮膜を形成した。その後、そのカバー皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ２で露光させ、１８０℃で１０分間加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、カバー皮膜をパターンニングした。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させた。これにより、ポリイミドからなるカバー絶縁層を、ベース絶縁層上に、配線を被覆しかつ端子部を露出するパターンとして形成した（図３（ｄ）参照）。このカバー絶縁層の厚みは５μｍであった。
【００５１】
次いで、金属支持基板にめっきレジストを形成した後、無電解金めっきすることにより、金めっき層を端子部の表面に形成し、その後、めっきレジストを除去した（図４（ｅ）参照）。この金めっき層の厚みは２．５μｍであった。
次いで、半導電性層を、カバー絶縁層の表面およびベース絶縁層の表面に形成した（図４（ｆ）参照）。
【００５２】
半導電性層の形成では、まず、メタンスルホン酸３．９ｇに、純水約３００ｇおよびアニリン２．５ｇを順次加え、攪拌しながら１０℃になるまで冷却することにより、ポリアニリンの重合液を調製した。次いで、別途、ペルオキソ二硫酸アンモニウム（過硫酸アンモニウム：ＡＰＳ）１０．７ｇに、純水２０ｇを加え、溶解するまで攪拌し、１０℃になるまで冷却することにより、重合開始剤水溶液を調製した。
【００５３】
その後、上記したポリアニリンの重合液に、上記した製造途中の回路付サスペンション基板を浸漬するとともに、その重合液に重合開始剤水溶液を添加して混合した。その後、さらに、１０℃で１２分間そのまま浸漬することにより、アニリンを重合させて、ベース絶縁層の表面およびカバー絶縁層の表面にポリアニリンを析出させた。
なお、重合開始剤が添加された重合液において、アニリンの濃度は０．０５ｍｏｌ／Ｌ、メタンスルホン酸の濃度は０．０８ｍｏｌ／Ｌ、ペルオキソ二硫酸アンモニウムの濃度は０．０９ｍｏｌ／Ｌであった。また、重合液の酸化還元電位（２５℃）は、０．３Ｖであった。
【００５４】
その後、製造途中の回路付サスペンション基板を重合液から引き上げ、これを水洗後、濃度２０重量％のｐ−フェノールスルホン酸ノボラック樹脂（ＰＰＳＡ）のドーピング剤水溶液に、６０℃で１０分間浸漬することにより、半導電性層のポリアニリンをドーピングした。その後、これを水洗した。なお、このドーピングされたポリアニリンからなる半導電性層の厚みは０．０３μｍであった。また、ドーピングされたポリアニリンからなる半導電性層の表面抵抗値は、１×１０７〜１×１０８Ω／□であった。
【００５５】
実施例２
実施例１において、ペルオキソ二硫酸アンモニウム１０．７ｇに代えて、ヨウ素酸ナトリウム９．３ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法により、回路付サスペンション基板を得た。
なお、重合開始剤が添加された重合液では、ヨウ素酸ナトリウムの濃度は０．０９ｍｏｌ／Ｌであり、酸化還元電位（２５℃）は、０．２Ｖであった。
【００５６】
比較例１
実施例１において、メタンスルホン酸３．９ｇに代えて、９８％濃硫酸２．０ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法により、回路付サスペンション基板を得た。
なお、重合開始剤が添加された重合液では、硫酸の濃度は０．０４ｍｏｌ／Ｌであり、酸化還元電位（２５℃）は、１．２Ｖであった。
【００５７】
（評価）
実施例１および２と比較例１とにより得られた回路付サスペンション基板の端子部を目視により観察した。
実施例１および２の回路付サスペンション基板では、端子部に変色は見られなかった。
しかし、比較例１の回路付サスペンション基板では、端子部に変色が見られた。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の配線回路基板の製造方法により製造される配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板の平面図である。
【図２】図１に示す回路付サスペンション基板のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】図２に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を、金属支持基板の上に形成する工程、（ｃ）は、導体パターンを、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｄ）は、カバー絶縁層を、ベース絶縁層を上に形成する工程を示す。
【図４】図３に続いて、図２に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、（ｅ）は、めっき層を、端子部の表面に形成する工程、（ｆ）は、半導電性層を、カバー絶縁層の表面およびベース絶縁層の表面に形成する工程を示す。
【符号の説明】
【００５９】
１ 回路付サスペンション基板
３ ベース絶縁層
４ 導体パターン
５ カバー絶縁層
６ 配線
７ 端子部
８ めっき層
１０ 半導電性層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板の製造方法、詳しくは、回路付サスペンション基板などの配線回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ベース絶縁層と、配線および端子部を有する導体パターンと、カバー絶縁層とを順次積層した配線回路基板が知られている。このような配線回路基板は、各種の電気機器や電子機器の分野において、広く用いられている。
このような配線回路基板の製造方法として、実装される電子部品の静電破壊を防止するために、例えば、ベース層、導体回路およびカバー層からなる積層体（基板本体）を製造し、その後、該積層体の周囲に導電ポリマー層を形成する、フレキシブルプリント回路基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００４−１５８４８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかるに、特許文献１に記載のフレキシブルプリント回路基板の製造方法では、導電ポリマー層の形成において、積層体を、モノマーとしてのピロールと、酸化重合剤としてのペルオキソ二硫酸カリウムとを含む酸化性の処理液中に浸漬するので、このような処理液によって、導体回路におけるカバー層から露出する端子部において、導体回路を形成する導体材料が溶解する場合がある。そのため、端子部が腐食されて、端子部が変色するというおそれがある。
【０００４】
本発明の目的は、端子部の変色を防止できながら、得られた配線回路基板の静電気の帯電を効率的に除去することのできる、配線回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板の製造方法は、絶縁層と、前記絶縁層に被覆される配線および前記絶縁層から露出する端子部を有する導体パターンと、を備える配線回路基板を用意する工程と、前記配線回路基板を導電性ポリマーの重合液に浸漬して、半導電性層を前記絶縁層の表面に形成する工程とを備え、前記導電性ポリマーの前記重合液の酸化還元電位は、前記導体パターンを形成する導体材料の標準電極電位よりも低いことを特徴としている。
【０００６】
この配線回路基板の製造方法によれば、導電性ポリマーの重合液の酸化力が、導体パターンを形成する導体材料の酸化力よりも低くなるので、そのため、配線回路基板を導電性ポリマーの重合液に浸漬したときには、導体パターンを形成する導体材料は、たとえ、端子部において露出していても、その重合液に溶解しにくくなる。
そのため、端子部における腐食を防止できながら、半導電性層を絶縁層の表面に形成することができる。
【０００７】
その結果、端子部における変色を防止できながら、得られた配線回路基板の静電気の帯電を効率的に除去することができる。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記配線回路基板を用意する工程において、前記端子部の表面にめっき層を形成することが好適である。
一般に、配線回路基板の製造方法において、端子部を保護するために、その表面にめっき層を形成する場合があるところ、それでも、導電性ポリマーの重合液に浸漬した場合には、めっき層の周端部と絶縁層との界面に、導電性ポリマーの重合液が浸透して、これによって、端子部における導体材料が溶解して、端子部が腐食されるおそれがある。
【０００８】
しかし、この配線回路基板の製造方法では、導電性ポリマーの重合液の酸化力が、導体パターンを形成する導体材料の酸化力よりも低くなるので、端子部における導体材料は溶解しにくくなる。そのため、端子部の表面にめっき層を形成して、めっき層の周端部と絶縁層との界面に導電性ポリマーの重合液が浸透しても、かかる腐食のおそれが少なく、その結果、端子部における変色を有効に防止することができる。
【０００９】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記導体パターンの前記導体材料が、銅であり、前記重合液が、スルホン酸を含有することが好適である。
この方法では、導体パターンの導体材料が銅であるため、重合液がスルホン酸を含有すれば、重合液の酸化力を、導体パターンの酸化力よりも確実に低く調整することができる。そのため、端子部において、重合液に対する銅の溶解が確実に抑制される。
【００１０】
そのため、端子部における腐食を確実に防止することができる。その結果、端子部における変色を確実に防止することができる。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記導電性ポリマーが、ポリアニリンであることが好適である。
この配線回路基板の製造方法では、導電性ポリマーがポリアニリンであるので、得られた配線回路基板は、静電気の帯電をより一層効率的に除去することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の配線回路基板の製造方法によれば、端子部における腐食を防止できながら、半導電性層を絶縁層の表面に形成することができる。その結果、端子部における変色を防止できながら、得られた配線回路基板の静電気の帯電を効率的に除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は、本発明の配線回路基板の製造方法により製造される配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板の平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブに搭載され、磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ディスクとの間で相対的に走行させるときの空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小間隔を保持しながら支持するための金属支持基板２に、磁気ヘッドとリード・ライト基板（図示せず）とを接続するための導体パターン４が形成されている。
【００１３】
なお、図１では、導体パターン４の配置を明確にするために、後述するめっき層８および半導電性層１０を省略して示している。
導体パターン４は、磁気ヘッド側接続端子部７Ａと、外部側接続端子部７Ｂと、これら磁気ヘッド側接続端子部７Ａおよび外部側接続端子部７Ｂを接続するための配線６とを、一体的に連続して備えている。
【００１４】
配線６は、回路付サスペンション基板１の長手方向（以下、単に長手方向という。）に沿って設けられ、幅方向（長手方向に直交する方向、以下同じ。）において互いに間隔を隔てて複数（４本）並列配置されている。
磁気ヘッド側接続端子部７Ａは、金属支持基板２の先端部に配置され、幅方向に沿って互いに間隔を隔てて並列配置されており、長手方向に延びる平面視略矩形状の角ランドとして形成されている。また、磁気ヘッド側接続端子部７Ａは、各配線６の先端部がそれぞれ接続されるように、複数（４つ）設けられている。この磁気ヘッド側接続端子部７Ａには、磁気ヘッドの端子部（図示せず）が接続される。
【００１５】
外部側接続端子部７Ｂは、金属支持基板２の後端部に配置され、幅方向に沿って互いに間隔を隔てて並列配置されており、長手方向に延びる平面視略矩形状の角ランドとして形成されている。また、外部側接続端子部７Ｂは、各配線６の後端部がそれぞれ接続されるように、複数（４つ）設けられている。この外部側接続端子部７Ｂには、リード・ライト基板の端子部（図示せず）が接続される。
【００１６】
なお、以下、磁気ヘッド側接続端子部７Ａおよび外部側接続端子部７Ｂは、特に区別が必要でない場合には、単に端子部７として説明する。
そして、この回路付サスペンション基板１は、図２に示すように、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成されるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４と、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆するように形成されるカバー絶縁層５とを備えている。また、この回路付サスペンション基板１は、導体パターン４の端子部７の表面に形成されるめっき層８と、カバー絶縁層５の表面およびベース絶縁層３の表面に形成される半導電性層１０とを備えている。
【００１７】
金属支持基板２は、図１に示すように、長手方向に沿って延びる平面視略矩形シート状に形成されている。金属支持基板２は、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料から形成されている。金属支持基板２の厚みは、例えば、１５〜３０μｍ、好ましくは、２０〜２５μｍである。
ベース絶縁層３は、図１および図２に示すように、金属支持基板２の上に、金属支持基板２より長手方向および幅方向がやや短くなる平面視略矩形シート状に形成されている。ベース絶縁層３は、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂などの絶縁材料から形成されている。好ましくは、ポリイミドから形成されている。ベース絶縁層３の厚みは、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、８〜１５μｍである。また、ベース絶縁層３の長さ（長手方向長さ、以下同じ。）および幅（幅方向長さ、以下同じ。）は、金属支持基板２に対応して、適宜設定される。
【００１８】
導体パターン４は、ベース絶縁層３の上に、配線６および配線６に接続される端子部７から一体的に形成される配線回路パターンとして、形成されている。
配線６は、カバー絶縁層５に被覆されるように形成されている。
端子部７は、ベース絶縁層３の長手方向両端部において、カバー絶縁層５の両端部から露出するように形成されている。
【００１９】
導体パターン４は、標準電極電位（２５℃）が、例えば、０．１〜２．０Ｖ、好ましくは、０．１〜０．５Ｖの導体材料から形成され、より具体的には、例えば、銅（標準電極電位（２５℃）：０．３３７Ｖ）、金（標準電極電位（２５℃）：１．５０Ｖ）、またはこれらの合金などの導体材料から形成されている。好ましくは、銅から形成されている。
導体パターン４の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。また、各配線６の幅は、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍであり、各配線６間の間隔は、例えば、１０〜１０００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍである。また、各端子部７の長さは、例えば、５０〜２０００μｍ、好ましくは、１００〜１０００μｍであり、幅は、例えば、５０〜２０００μｍ、好ましくは、１００〜１０００μｍである。
【００２０】
カバー絶縁層５は、長手方向に沿って延びる平面視略矩形シート状に形成されている。より具体的には、カバー絶縁層５は、幅方向においては、その幅方向両端縁が、平面視においてベース絶縁層３の幅方向両端縁と同一位置に配置されている。また、カバー絶縁層５は、長手方向においては、その長手方向両端縁が、ベース絶縁層３の長手方向両端縁よりもやや短くなるように配置されている。これにより、カバー絶縁層５は、導体パターン４の配線６を被覆し、かつ、導体パターン４の端子部７を露出させている。カバー絶縁層５は、上記したベース絶縁層３と同様の絶縁材料から形成されている。
【００２１】
カバー絶縁層５の厚みは、例えば、１〜４０μｍ、好ましくは、１〜７μｍである。また、カバー絶縁層５の長さは、ベース絶縁層３および端子部７の大きさに応じて、適宜設定される。
めっき層８は、端子部７の上面、長手方向両側面および幅方向両側面（図２において図示せず）に形成されている。めっき層８の材料としては、例えば、金などの金属材料が用いられる。めっき層８の厚みは、例えば、０．２〜３μｍ、好ましくは、０．５〜２μｍである。
【００２２】
半導電性層１０は、カバー絶縁層５の上面、長手方向両側面および幅方向両側面（図２において図示せず）と、カバー絶縁層５および導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面、長手方向両側面および幅方向両側面（図２において図示せず）とに、形成されている。
半導電性層１０は、後述する導電性ポリマーの重合液への浸漬により、導電性ポリマーから形成されている。
【００２３】
導電性ポリマーとしては、例えば、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、またはこれらの誘導体などが挙げられる。好ましくは、ポリアニリンが挙げられる。これら導電性ポリマーは、単独使用または２種以上併用することができる。
半導電性層１０の厚みは、例えば、０．０１〜０．１μｍ、好ましくは、０．０２〜０．０５μｍである。
【００２４】
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図３および４を参照して、説明する。
まず、この方法では、図３（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。
次いで、この方法では、図３（ｂ）に示すように、金属支持基板２の上に、ベース絶縁層３を上記したパターンで形成する。
【００２５】
ベース絶縁層３を、上記したパターンで形成するには、例えば、金属支持基板２の上面に、感光性の、上記した絶縁材料のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させる。
次いで、この方法では、図３（ｃ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を上記した配線回路パターンで形成する。
【００２６】
導体パターン４は、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法により形成する。好ましくは、アディティブ法により形成する。
アディティブ法では、まず、ベース絶縁層３の上面、長手方向両側面および幅方向両側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面とに、仮想線で示す金属薄膜１８を形成する。金属薄膜１８は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを積層することにより、形成する。
【００２７】
次いで、この金属薄膜１８の上面に、上記したパターンと逆パターンで図示しないめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する金属薄膜１８の上面に、電解めっきにより、上記したパターンで、導体パターン４を形成する。その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の金属薄膜１８を除去する。
これにより、導体パターン４をベース絶縁層３の上に、上記した配線回路パターンで形成することができる。
【００２８】
次いで、この方法では、図３（ｄ）に示すように、カバー絶縁層５を、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４の配線６を被覆し、かつ、導体パターン４の端子部７を露出するパターンで形成する。
カバー絶縁層５を上記したパターンで形成するには、例えば、導体パターン４およびベース絶縁層３を含む金属支持基板２の上面に、感光性の、上記した絶縁材料のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させる。
【００２９】
次いで、この方法では、図４（ｅ）に示すように、めっき層８を、端子部７の表面に形成する。
めっき層８を形成するには、例えば、金属支持基板２を被覆するように図示しないめっきレジストを形成した後、例えば、電解めっきまたは無電解めっき、好ましくは、電解金めっきまたは無電解金めっきする。その後、めっきレジストを除去する。
【００３０】
これにより、ベース絶縁層３およびカバー絶縁層５と、導体パターン４とを備える、製造途中の回路付サスペンション基板１（半導電性層１０が形成される前の回路付サスペンション基板１）を用意する。
この製造途中の回路付サスペンション基板１では、導体パターン４は、カバー絶縁層５に被覆される配線６と、カバー絶縁層５から露出し、その表面にめっき層８が形成される端子部７とを一体的に備えている。
【００３１】
次いで、この方法では、図４（ｆ）に示すように、半導電性層１０を、カバー絶縁層５の表面およびベース絶縁層３の表面に形成する。
半導電性層１０を形成するには、まず、図４（ｅ）に示す製造途中の回路付サスペンション基板１を、導電性ポリマーの重合液に浸漬するとともに、その重合液に重合開始剤を配合する。
【００３２】
導電性ポリマーの重合液は、導体パターン４を形成する導体材料の標準電極電位よりも低い酸化還元電位となるように調製される。このような導電性ポリマーの重合液は、例えば、導電性ポリマーを重合するためのモノマーおよび溶媒を含有しており、これらを配合することにより調製される。
モノマーとしては、例えば、アニリン、ピロール、チオフェンなどが用いられ、好ましくは、アニリンが用いられる。これらモノマーは、単独使用または２種以上併用することができる。
【００３３】
溶媒としては、例えば、水、酸性水溶液などが用いられ、好ましくは、酸性水溶液が用いられる。
酸性水溶液を形成する酸性成分としては、例えば、スルホン酸などの有機酸などが用いられる。
スルホン酸としては、例えば、メタンスルホン酸、１，５−ナフタレンジスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、スルホコハク酸などが用いられ、好ましくは、メタンスルホン酸が用いられる。
【００３４】
重合開始剤としては、例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）二硫酸塩、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）二塩酸塩などのアゾ系開始剤、例えば、過硫酸カリウム（ペルオキソ二硫酸カリウム）、過硫酸アンモニウム（ペルオキソ二硫酸アンモニウム）などの過硫酸塩系開始剤、ヨウ素酸ナトリウム、ヨウ素酸カリウムなどのヨウ素酸塩系開始剤、例えば、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、過酸化水素などの過酸化物系開始剤、例えば、フェニル置換エタンなどの置換エタン系開始剤、例えば、芳香族カルボニル化合物などのカルボニル系開始剤、例えば、過硫酸塩と亜硫酸水素ナトリウムとの組合せ、過酸化物とアスコルビン酸ナトリウムとの組合せなどのレドックス系開始剤などが用いられる。好ましくは、過硫酸塩系開始剤が用いられる。これら重合開始剤は、単独使用または２種以上併用することができる。
【００３５】
また、重合開始剤をその重合液に配合するには、必要により、重合開始剤を溶媒に溶解させた重合開始剤溶液を調製し、この重合開始剤溶液を配合することもできる。なお、重合開始剤溶液の調製において用いられる溶媒は、重合液の調製に用いられる溶媒と同様のものが用いられる。
そして、重合開始剤（または重合開始剤溶液）が配合されたときにおける、導電性ポリマーの重合液の酸化還元電位（２５℃）は、導体パターン４を形成する導体材料の標準電極電位（２５℃）より、例えば、０．０３〜０．５Ｖ低く、好ましくは、０．２〜０．５Ｖ低くなるように調製される。より具体的には、重合開始剤（または重合開始剤溶液）が配合されたときにおける、導電性ポリマーの重合液の酸化還元電位（２５℃）は、例えば、０〜０．３Ｖ、好ましくは、０〜０．２Ｖとなるように調製される。
【００３６】
なお、このような導電性ポリマーの重合液の酸化還元電位（２５℃）は、ポテンショスタットにより測定することができる。
また、上記した導電性ポリマーの重合液の酸化還元電位（２５℃）を、導体パターン４を形成する導体材料の標準電極電位（２５℃）よりも低く調整するために、導電性ポリマーの重合液において、モノマーの濃度は、例えば、０．００５〜０．５ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌであり、溶媒が酸性水溶液である場合における酸性成分の濃度は、例えば、０．００４〜０．２ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌである。また、重合開始剤（または重合開始剤溶液）が配合されたときの、重合液における重合開始剤の濃度が、例えば、０．００２〜０．２ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．００５〜０．１ｍｏｌ／Ｌである。
【００３７】
そして、上記した回路付サスペンション基板１を導電性ポリマーの重合液に浸漬して、重合開始剤を配合した後、例えば、５〜１８０分間、好ましくは、１０〜１００分間そのまま浸漬する。
上記した浸漬において、導電性ポリマーの重合液は、その浸漬温度が、例えば、１〜４０℃、好ましくは、５〜２５℃に設定される。
【００３８】
これにより、導電性ポリマーからなる半導電性層１０が、絶縁層の表面、すなわち、カバー絶縁層５の表面およびベース絶縁層３の表面において析出するように重合され形成される。
その後、半導電性層１０が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１を水洗する。
【００３９】
次いで、この方法では、必要により、半導電性層１０の導電性ポリマーをドーピングする。
半導電性層１０の導電性ポリマーをドーピングするには、上記した半導電性層１０が形成された回路付サスペンション基板１を、ドーピング剤を溶解した溶液（ドーピング剤溶液）に浸漬する。
【００４０】
ドーピング剤は、導電性ポリマーに導電性を付与するものであって、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ノボラック樹脂、ｐ−フェノールスルホン酸ノボラック樹脂、β−ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物などが用いられる。これらドーピング剤は、単独使用または２種以上併用することができる。
【００４１】
ドーピング剤を溶解するための溶媒としては、例えば、水、メタノールなどが用いられる。
ドーピング剤溶液の調製においては、ドーピング剤の濃度が、例えば、５〜１００重量％、好ましくは、１０〜５０重量％となるように、溶媒を配合する。
半導電性層１０が形成された回路付サスペンション基板１のドーピング剤溶液への浸漬時間は、例えば、３０秒〜３０分、好ましくは、１〜１０分に設定される。
【００４２】
また、ドーピング剤溶液の浸漬（ドーピング）温度は、例えば、１０〜７０℃、好ましくは、２０〜６０℃に設定される。
上記した半導電性層１０の導電性ポリマーのドーピングにより、導電性ポリマーに導電性が付与される。
また、導電性ポリマーがドーピングされた、半導電性層１０の表面抵抗値は、例えば、１×１０５〜１×１０１２Ω／□、好ましくは、１×１０６〜１×１０１１Ω／□である。なお、半導電性層１０の表面抵抗値は、例えば、ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＰＥＴＲＯＣＨＥＭＩＣＡＬ社製のＨｉｒｅｓｔａ ＩＰ ＭＣＰ−ＨＴ２６０（プローブ：ＨＲＳ）を用いて測定することができる。
【００４３】
その後、この方法では、導電性ポリマーがドーピングされた半導電性層１０が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１をさらに水洗する。
そして、この回路付サスペンション基板１の製造方法では、導体パターン４の導体材料の標準電極電位が導電性ポリマーの重合液の酸化還元電位よりも低いので、導電性ポリマーの重合液の酸化力が、導体パターン４を形成する導体材料の酸化力よりも低くなる。そのため、半導電性層１０が形成される前の回路付サスペンション基板１を導電性ポリマーの重合液に浸漬したときに、導体パターン４の導体材料は、たとえ、端子部７において露出していても、その重合液に溶解しにくくなる。
【００４４】
そのため、端子部７における腐食を防止できながら、半導電性層１０をカバー絶縁層５の表面およびベース絶縁層３の表面に形成することができる。
その結果、端子部７における変色を防止できながら、得られた回路付サスペンション基板１の静電気の帯電を効率的に除去することができる。
また、この回路付サスペンション基板１の製造方法では、端子部７を保護するために、その表面にめっき層８を形成しているが、導電性ポリマーの重合液に浸漬すると、めっき層８の周端部とカバー絶縁層５およびベース絶縁層３との界面に、導電性ポリマーの重合液が浸透して、端子部７を腐食させるおそれがある。しかし、この方法では、導電性ポリマーの重合液の酸化力が、導体パターン４を形成する導体材料の酸化力よりも低くなるので、端子部７における導体材料は重合液に溶解しにくくなる。そのため、かかる腐食のおそれは少なく、その結果、端子部７における変色を有効に防止することができる。
【００４５】
また、この方法において、半導電性層１０が形成される前の回路付サスペンション基板１の導体パターン４の導体材料が銅であり、導電性ポリマーの重合液がスルホン酸を含有する場合には、重合液の酸化力を、導体パターン４の酸化力よりも確実に低く調整することができる。そのため、端子部７において、この重合液に対する銅の溶解が確実に抑制される。
【００４６】
そのため、端子部７における腐食を確実に防止することができる。その結果、端子部７における変色を確実に防止することができる。
また、この回路付サスペンション基板１の製造方法では、導電性ポリマーがポリアニリンである場合には、得られた回路付サスペンション基板１は、静電気の帯電をより一層効率的に除去することができる。
【００４７】
なお、上記した説明では、本発明の配線回路基板を、回路付サスペンション基板１を例示して説明したが、本発明の配線回路基板は、これに限定されず、片面フレキシブル配線回路基板、両面フレキシブル配線回路基板、または、多層フレキシブル配線回路基板、さらには、金属支持基板２が補強層として設けられた各種フレキシブル配線回路基板などの他の配線回路基板にも広く適用することができる。
【実施例】
【００４８】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。
（回路付サスペンション基板の製造）
実施例１
厚み２０μｍのステンレスからなる金属支持基板を用意した（図３（ａ）参照）。
【００４９】
次いで、その金属支持基板の上面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、スピンコーターを用いて均一に塗布し、次いで、塗布されたワニスを、９０℃で１５分間加熱することにより、ベース皮膜を形成した。その後、そのベース皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ２で露光させ、１９０℃で１０分間加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像した。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させることにより、ポリイミドからなるベース絶縁層を、金属支持基板の上に、上記したパターンで形成した（図３（ｂ）参照）。このベース絶縁層の厚みは１０μｍであった。
【００５０】
次いで、アディティブ法により、銅（標準電極電位（２５℃）：０．３３７Ｖ）からなる厚み１５μｍの導体パターンを上記したパターンで形成した（図３（ｃ）参照）。各配線間の間隔は３０μｍ、各配線の幅は３０μｍであり、各端子部の長さは２００μｍ、各端子部の幅は２００μｍであった。
次いで、上記した感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、導体パターンおよびベース絶縁層を含む金属支持基板の上面に、スピンコーターを用いて均一に塗布し、９０℃で１０分間加熱することにより、厚み１５μｍのカバー皮膜を形成した。その後、そのカバー皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ２で露光させ、１８０℃で１０分間加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、カバー皮膜をパターンニングした。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させた。これにより、ポリイミドからなるカバー絶縁層を、ベース絶縁層上に、配線を被覆しかつ端子部を露出するパターンとして形成した（図３（ｄ）参照）。このカバー絶縁層の厚みは５μｍであった。
【００５１】
次いで、金属支持基板にめっきレジストを形成した後、無電解金めっきすることにより、金めっき層を端子部の表面に形成し、その後、めっきレジストを除去した（図４（ｅ）参照）。この金めっき層の厚みは２．５μｍであった。
次いで、半導電性層を、カバー絶縁層の表面およびベース絶縁層の表面に形成した（図４（ｆ）参照）。
【００５２】
半導電性層の形成では、まず、メタンスルホン酸３．９ｇに、純水約３００ｇおよびアニリン２．５ｇを順次加え、攪拌しながら１０℃になるまで冷却することにより、ポリアニリンの重合液を調製した。次いで、別途、ペルオキソ二硫酸アンモニウム（過硫酸アンモニウム：ＡＰＳ）１０．７ｇに、純水２０ｇを加え、溶解するまで攪拌し、１０℃になるまで冷却することにより、重合開始剤水溶液を調製した。
【００５３】
その後、上記したポリアニリンの重合液に、上記した製造途中の回路付サスペンション基板を浸漬するとともに、その重合液に重合開始剤水溶液を添加して混合した。その後、さらに、１０℃で１２分間そのまま浸漬することにより、アニリンを重合させて、ベース絶縁層の表面およびカバー絶縁層の表面にポリアニリンを析出させた。
なお、重合開始剤が添加された重合液において、アニリンの濃度は０．０５ｍｏｌ／Ｌ、メタンスルホン酸の濃度は０．０８ｍｏｌ／Ｌ、ペルオキソ二硫酸アンモニウムの濃度は０．０９ｍｏｌ／Ｌであった。また、重合液の酸化還元電位（２５℃）は、０．３Ｖであった。
【００５４】
その後、製造途中の回路付サスペンション基板を重合液から引き上げ、これを水洗後、濃度２０重量％のｐ−フェノールスルホン酸ノボラック樹脂（ＰＰＳＡ）のドーピング剤水溶液に、６０℃で１０分間浸漬することにより、半導電性層のポリアニリンをドーピングした。その後、これを水洗した。なお、このドーピングされたポリアニリンからなる半導電性層の厚みは０．０３μｍであった。また、ドーピングされたポリアニリンからなる半導電性層の表面抵抗値は、１×１０７〜１×１０８Ω／□であった。
【００５５】
実施例２
実施例１において、ペルオキソ二硫酸アンモニウム１０．７ｇに代えて、ヨウ素酸ナトリウム９．３ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法により、回路付サスペンション基板を得た。
なお、重合開始剤が添加された重合液では、ヨウ素酸ナトリウムの濃度は０．０９ｍｏｌ／Ｌであり、酸化還元電位（２５℃）は、０．２Ｖであった。
【００５６】
比較例１
実施例１において、メタンスルホン酸３．９ｇに代えて、９８％濃硫酸２．０ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法により、回路付サスペンション基板を得た。
なお、重合開始剤が添加された重合液では、硫酸の濃度は０．０４ｍｏｌ／Ｌであり、酸化還元電位（２５℃）は、１．２Ｖであった。
【００５７】
（評価）
実施例１および２と比較例１とにより得られた回路付サスペンション基板の端子部を目視により観察した。
実施例１および２の回路付サスペンション基板では、端子部に変色は見られなかった。
しかし、比較例１の回路付サスペンション基板では、端子部に変色が見られた。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の配線回路基板の製造方法により製造される配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板の平面図である。
【図２】図１に示す回路付サスペンション基板のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】図２に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を、金属支持基板の上に形成する工程、（ｃ）は、導体パターンを、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｄ）は、カバー絶縁層を、ベース絶縁層を上に形成する工程を示す。
【図４】図３に続いて、図２に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、（ｅ）は、めっき層を、端子部の表面に形成する工程、（ｆ）は、半導電性層を、カバー絶縁層の表面およびベース絶縁層の表面に形成する工程を示す。
【符号の説明】
【００５９】
１ 回路付サスペンション基板
３ ベース絶縁層
４ 導体パターン
５ カバー絶縁層
６ 配線
７ 端子部
８ めっき層
１０ 半導電性層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、前記絶縁層に被覆される配線および前記絶縁層から露出する端子部を有する導体パターンと、を備える配線回路基板を用意する工程と、
前記配線回路基板を導電性ポリマーの重合液に浸漬して、半導電性層を前記絶縁層の表面に形成する工程とを備え、
前記導電性ポリマーの前記重合液の酸化還元電位は、前記導体パターンを形成する導体材料の標準電極電位よりも低いことを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記配線回路基板を用意する工程において、
前記端子部の表面にめっき層を形成することを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記導体パターンの前記導体材料が、銅であり、
前記重合液が、スルホン酸を含有することを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記導電性ポリマーが、ポリアニリンであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項１】
絶縁層と、前記絶縁層に被覆される配線および前記絶縁層から露出する端子部を有する導体パターンと、を備える配線回路基板を用意する工程と、
前記配線回路基板を導電性ポリマーの重合液に浸漬して、半導電性層を前記絶縁層の表面に形成する工程とを備え、
前記導電性ポリマーの前記重合液の酸化還元電位は、前記導体パターンを形成する導体材料の標準電極電位よりも低いことを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記配線回路基板を用意する工程において、
前記端子部の表面にめっき層を形成することを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記導体パターンの前記導体材料が、銅であり、
前記重合液が、スルホン酸を含有することを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記導電性ポリマーが、ポリアニリンであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００８−１１２８５１（Ｐ２００８−１１２８５１Ａ）
【公開日】平成２０年５月１５日（２００８．５．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２９４６２１（Ｐ２００６−２９４６２１）
【出願日】平成１８年１０月３０日（２００６．１０．３０）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年５月１５日（２００８．５．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１０月３０日（２００６．１０．３０）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
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