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Fターム[5E343BB38]の内容

プリント配線の製造 (50,760) | 導体パターンの形状、構造・材料 (16,522) | 導体材料(サーメット等) (10,751) | 金属単体 (9,947) | 6族 (707) | Cr (324)

Fターム[5E343BB38]に分類される特許

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【課題】電気的信頼性を改善した配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一形態にかかる配線基板3の製造方法は、一部が互いに接続した複数の第1無機絶縁粒子9aと、複数の第1無機絶縁粒子9aの間に形成された第1空隙V1とを有する多孔質体7を準備する工程と、インク粒子11およびインク溶剤17を含むインク18を所定のパターンで多孔質体7に塗布し、インク18からインク溶剤17を除去してインク粒子11を多孔質体7に残存させることによって、インク粒子11のパターンを用いて回路パターン6の少なくとも一部を形成する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】金属膜材料を構成する各種基材との密着性が良好で、エッチング耐性が高く、得られるパターン形状の精度を向上する金属膜材料の製造方法及びそれを用いた金属膜材料の提供。
【解決手段】第1のモノマー、第2のモノマーをそれぞれ含有するインク組成物1)及び2)をインクジェット法により基材2上に吐出するインク付与工程と、付与した前記インク組成物を硬化して硬化膜3を形成する硬化膜形成工程と、前記硬化膜への触媒付与工程と、前記めっき触媒、又はその前駆体に対してめっきを行うめっき処理工程とを含み、前記硬化膜が膜の厚み方向において前記基材に最も近い側Bから前記基材に最も遠い側Aに向かって下記第1のモノマーの硬化物の比率が大きくなり、かつ第2のモノマーの硬化物の比率が小さくなるように、第1のモノマーの硬化物及び第2のモノマーの硬化物の組成が連続的に変化する傾斜構造を有する、金属膜材料1の製造方法。 (もっと読む)


【課題】転写法により被転写物に金属配線を形成するための転写用基板であって、被転写物側の加熱温度を低くすることのできるもの、及び、金属配線の形成方法を提供する
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板上に形成された少なくとも一つの金属配線素材と、前記金属配線素材の表面上に形成された少なくとも1層の被覆層と、前記基板と前記金属配線素材との間に形成された下地金属膜と、からなり、前記金属配線素材を被転写物に転写させるための転写用基板であって、前記金属配線素材は、純度99.9重量%以上、平均粒径0.01μm〜1.0μmである金粉等の金属粉末を焼結してなる成形体であり、前記被覆層は、金等の所定の金属又は合金であって、前記金属配線素材と相違する組成の金属又は合金からなり、かつ、その合計厚さは1μm以下であり、前記下地金属膜は、金等の所定の金属又合金からなる転写用基板である。 (もっと読む)


【課題】基板と金属層との密着性に優れ、金属層の厚みが均一である、金属層を有する積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板10上に、ブタジエン由来の繰り返し単位を有するポリマーを含む被めっき層12を形成する被めっき層形成工程と、上記被めっき層12を熱処理する熱処理工程と、上記熱処理後の被めっき層12をアルカリ処理するアルカリ処理工程と、上記アルカリ処理後の被めっき層12にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、上記めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層12に対してめっきを行い、上記被めっき層12上に金属層14を形成するめっき工程と、を備え、上記熱処理前の被めっき層12中におけるブタジエン由来の繰り返し単位の濃度が、10.4mmol/cm3以上である、金属層を有する積層体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】樹脂基材に貼り付け後の銅箔の変色を生じない耐熱性に優れた粗化箔及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧延銅箔10に粗化めっき層11を形成し、樹脂基材と貼り合わせる粗化めっき層11と反対側の圧延銅箔10の表面に、ニッケルめっき層又はニッケルとコバルトの合金めっき層14を有する防錆処理層13を施した粗化箔において、防錆処理層13のS含有量が1ppm以上50ppm以下としたものである。 (もっと読む)


【課題】光感度に優れるとともに、光硬化後に得られるレジスト形状を良好に維持することが可能な感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】(A)バインダーポリマー、(B)分子内にエチレン性不飽和結合を有する光重合性化合物、(C)光重合開始剤、及び(D)重合禁止剤を含有し、(D)重合禁止剤の含有量が組成物中の固形分全量を基準として20〜100質量ppmである、感光性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板に形成された貫通孔内に金属を充填する際に、当該貫通孔の孔内の底
部形状の影響を排除して、当該貫通孔の孔内におけるボイド発生を防止する。
【解決手段】貫通孔3が形成されたガラス基板2の一面側に第1メッキ層4aを形成して
貫通孔3の開口部を閉塞する第1の工程と、第1メッキ層4aを用いて行う電解メッキに
よりガラス基板2の他面側から第2メッキ層4bを堆積する第2の工程とを備える基板製
造方法において、第2の工程は、貫通孔3の底部の凹状窪みを平坦に均す平坦化段階と、
平坦に均した後の孔内に第2メッキ層4bを堆積させて当該孔内を埋める充填段階とを有
する。そして、少なくとも平坦化段階では、電解メッキとして、正の極性のフォワード電
流と負の極性のリバース電流を交互に与えるパルスメッキを行う。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板上に存在する複数の貫通孔に金属を充填する場合に、工程煩雑化等に
よる生産性低下を招くことなく、各貫通孔の孔内への金属充填度合いのバラツキ発生を回
避する。
【解決手段】ガラス基板2の一面側に第1メッキ層4aを形成して貫通孔3の開口部を閉
塞する第1の工程と、電解メッキによりガラス基板2の他面側から第2メッキ層4bを堆
積する第2の工程とを備える基板製造方法において、ガラス基板2上にはイオン集中領域
9aとイオン分散領域9bとが混在して配されており、第2の工程では、イオン集中領域
9aおよびイオン分散領域9bの双方に対して、電解メッキとして正の極性のフォワード
電流と負の極性のリバース電流を交互に与えるパルスメッキを行う。 (もっと読む)


【課題】従来方法に比べて、電解メッキにより貫通孔に金属を充填し終えるまでの所要時間を短縮する。
【解決手段】貫通孔3が形成されたガラス基板2の下面側にメッキ下地層7を形成する工程Aと、ガラス基板2の上面側に電解メッキにより第1メッキ層4aを形成し貫通孔3の下開口部を閉塞する工程Bと、ガラス基板2の上面側からの電解メッキにより貫通孔3内に金属の第2メッキ層4bを堆積させて貫通孔3を金属で充填する工程Cとを含む。工程Aでは、貫通孔3の下開口部の縁から貫通孔3の側壁面の一部にかけてメッキ下地層7を形成しておく。工程Bでは、貫通孔3の内部でメッキ下地層7の表面から第1メッキ層4aを成長させ貫通孔3の下開口部を閉塞する。工程Cでは、貫通孔3の内部で第1メッキ層4aの表面から貫通孔3の上開口部に向かって第2メッキ層4bを成長させ貫通孔3をメッキ金属で充填する。 (もっと読む)


【課題】回路の損傷なしに、特定面にだけ凹凸を有する回路パターンを樹脂絶縁層内に転写して埋め込めるための回路転写用キャリア部材、これを用いたコアレスプリント基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】キャリア層の一面に、バリア層と、外側上端にだけ凹凸が形成されている回路パターンとを有するように構成された回路転写用キャリア部材を利用して回路パターンを樹脂絶縁層に転写して埋め込めることで、高密度、高信頼度のコアレスプリント基板を製作する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、絶縁層の密着性に優れたプリント配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基板と、絶縁基板上に配置される金属配線と、金属配線上に配置される絶縁層とを備えるプリント配線基板であって、金属配線と絶縁層との界面に式(1)で表される官能基を4つ以上有するチオール化合物の層が介在する、プリント配線基板。


(式(1)中、*は結合位置を表す。) (もっと読む)


【課題】絶縁樹脂層の初期密着性、および、絶縁樹脂層の密着性の経時安定性に優れたプリント配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の官能基を有するチオール化合物を用いて、金属配線付き絶縁基板10の絶縁基板12表面と金属配線14表面とを覆う第1の被覆工程と、溶剤を用いて、金属配線付き絶縁基板10を洗浄して、絶縁基板10表面上のチオール化合物16を除去する第1の洗浄工程と、所定の官能基を有するポリマー20を用いて、チオール化合物16で覆われた金属配線14表面と絶縁基板10表面とを覆う第2の被覆工程と、溶剤を用いて、金属配線付き絶縁基板10を洗浄して、絶縁基板12表面上のポリマー20を除去する第2の洗浄工程と、金属配線付き絶縁基板10の金属配線14側の表面上に、絶縁樹脂層24を形成する絶縁樹脂層形成工程とを有するプリント配線基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】デスミア処理を行っても被めっき層が残存し、その表面の平滑性が維持されると共に、被めっき層上に形成される金属層の密着性が優れる多層基板を製造することができる、多層基板の製造方法を提供する。
【解決手段】導電層付き基板の導電層側の表面に、熱、酸または輻射線により疎水性から親水性に変化する官能基を有する被めっき層を形成する工程(A)と、被めっき層を貫通し、導電層に達するようにビアホールを形成する工程(B)とデスミア処理液を用いたデスミア処理を行う工程(C)と、加熱、酸の供給または輻射線の照射を行い、官能基を疎水性から親水性に変換する工程(D)と、被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程(E)と、めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行う工程(F)と、を有する多層基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】十分な機械強度を有するとともに高い耐熱性を有する、セラミック体と金属体との接合体を提供する。
【解決手段】窒化珪素質セラミック体2と、Niを主成分とする金属体4と、前記窒化珪素質セラミック体と前記金属体との間に配置されて前記窒化珪素質セラミック体と前記金属体とを接合している接合部6とを備えるセラミック体と金属体との接合体であって、前記接合部は、前記窒化珪素質セラミック体に接している、主成分としてCrを含むとともにNを含む第1接合層12と、該第1接合層と前記金属体との間に配置されて前記第1接合層と接している、Cr、N、およびTiを含む第2接合層14とを有し、該第2接合層に比べて前記第1接合層の方が、Crの含有割合が高いことを特徴とするセラミック体と金属体との接合体。 (もっと読む)


【課題】並列する複数の微細配線部及び全面印刷面として形成される広域部が併存する導電配線を備え、微細配線部および広域部のいずれも、スクリーン印刷形成可能とする。
【解決手段】並列する微細配線部パターン23と、広域部パターン24を有し、上記広域部パターン24は広域部用開口部25と広域部用遮蔽部26とに区画されて構成されるスクリーン版21を用い、基材27に対しスクリーン印刷を施し、微細配線部を転写形成するとともに上記広域部用開口部25に対面する基材27上に転写領域31を形成し、且つ、上記広域部用遮蔽部26に対面する基材27上に非転写領域32を形成し、その後、非転写領域32の周囲に存在する転写領域31を形成するペーストのレベリング作用にて非転写領域32を埋め込み、広域部33を外縁内領域が実質的に全面印刷面として印刷基板を形成する。 (もっと読む)


【課題】無機基板に対する密着性に優れる金属層を有する積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の官能基を有するシランカップリング剤をpH1〜8の条件下で加水分解して得られる加水分解物および/またはその縮合物と、樹脂とを含有するプライマー層形成用組成物を用いて、無機基板10上にプライマー層12を形成する工程(1)と、プライマー層12上に被めっき層14を形成する工程(2)と、被めっき層14にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程(3)と、めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層14に対してめっき処理を行い、被めっき層14上に金属層16を形成する工程(4)と、を備える金属層16を有する積層体18の製造方法。 (もっと読む)


【課題】フォトリソグラフィでは形成が困難な超微細な導電体パターンを形成しうる導電体パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 基体上に、第1の比抵抗を有する金属酸化物膜を形成し、金属酸化物膜に電極を接触又は所定の距離まで近づけ、この状態で電極と金属酸化物膜との間に第1の電圧を印加することにより、金属酸化物膜の比抵抗を局所的に変化させ、金属酸化物膜の表面側に、第1の比抵抗よりも高い第2の比抵抗を有する高抵抗領域を形成し、金属酸化物膜に電極を接触又は所定の距離まで近づけ、この状態で電極と金属酸化物膜との間に第2の電圧を印加することにより、金属酸化物膜の比抵抗を局所的に変化させ、高抵抗領域の表面側に、第2の比抵抗よりも低い第3の比抵抗を有する導電体パターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】製造に真空設備を必要とせず、また有機物接着剤を使用することなく、且つ導電層(銅箔層)を十分に薄くすることを可能とするプリント配線板用基板、プリント配線板、及びプリント配線板用基板の製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】絶縁性の基材11と、該絶縁性の基材11の上に積層される第1導電層12と、該第1導電層12の上に積層される第2導電層13とを有し、前記第1導電層12が金属粒子を含む導電性インクの塗布層として構成され、前記第2導電層13がめっき層として構成されていることを特徴とするプリント配線板用基板である。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の接合強度の低下が抑制されたセラミックス配線基板を提供する。
【解決手段】セラミックス配線基板10は、セラミックス基板11とその上に形成された配線層12とを具備する。配線層12は、セラミックス基板11の表面に順に積層された下地金属層15、第1の拡散防止層16および第1のAu層17を有する配線部13と、配線部13上の所望の位置に順に積層された第2の拡散防止層19、空孔抑制層20および半田層18を有する接続部14とを備える。空孔抑制層20はAuやAuを85質量%以上含むAu−Sn合金により構成される。 (もっと読む)


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