【課題】回路パターン形成の際のエッチング性が良好でファインピッチ化に適し、磁性が良好に抑制されたプリント配線板用銅箔及びそれを用いた積層体を提供する。
【解決手段】プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、銅箔基材の表面の少なくとも一部を被覆し、且つ、白金、パラジウム、及び、金のいずれか１種以上を含む被覆層とを備え、被覆層における白金の付着量が１０５０μｇ／ｄｍ²以下、パラジウムの付着量が６００μｇ／ｄｍ²以下、金の付着量が１０００μｇ／ｄｍ²以下である。 （もっと読む）

【課題】基板自体の厚みを薄くできる利点を有する２層フレキシブル基板において、課題となっている耐熱環境や高温高湿環境における信頼性に関わる密着性を、従来の３層フレキシブル基板と同等以上とした２層フレキシブル基板の提供。
【解決手段】絶縁体フィルムの少なくとも片面に接着剤を介さずに下地金属層を形成し、次いで前記下地金属層上に銅被膜層が形成される２層フレキシブル基板において、前記下地金属層が接する側の前記絶縁体フィルムの表面に、層厚２〜１０ｎｍの改質層が設けられていることを特徴とする２層フレキシブル基板。 （もっと読む）

【課題】絶縁樹脂層と金属層との接着性が高く、さらに、スズめっきなどの薬液耐性の高い積層体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の積層体は、絶縁樹脂層１１と、絶縁樹脂層１１上に形成された金属層１２とを備える積層体であって、少なくとも金属層１２と絶縁樹脂層１１との接触界面に銅と異なる金属酸化物を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄くて耐熱性の優れたポリイミドフィルムの取り扱いを容易とする積層ポリイミドフィルムを提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルム、熱可塑性樹脂層、基材フィルムがこの順に積層されてなる積層ポリイミドフィルムにおいて、前記ポリイミドフィルム、熱可塑性樹脂層、および基材フィルムの５％重量減少温度がすべて４００℃以上であり、且つポリイミドフィルムと基材フィルム間の剥離強度が０．０１Ｎ／ｃｍ〜１．０Ｎ／ｃｍの構成。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ層形成材が備える誘電層の平均容量密度の向上及びリーク電流密度の低減を同時に実現させることができるキャパシタ層形成材を提供する。
【解決手段】上部電極形成に用いる第１導電層と下部電極形成に用いる第２導電層との間に誘電層を備えるキャパシタ層形成材において、当該第２導電層は、純度９９．９９ｗｔ％以上のニッケル層であり、且つ、当該誘電層は、（Ｂａ_ｘＳｒ_１−ｘ）ＴｉＯ_３（０≦ｘ≦１）の組成におけるバリウム、ストロンチウム、チタンの総量を１００ｍｏｌ％として、マンガンを０．２５ｍｏｌ％〜１．００ｍｏｌ％の範囲で含有するキャパシタ層形成材を採用する。 （もっと読む）

【課題】導体配線の形成時における高いエッチング性、具体的には塩化第２鉄水溶液又は塩酸酸性塩化第２銅水溶液でエッチングした際に導体配線間に残留する下地金属層成分のエッチング残渣が少なく、導体配線間に高電圧を印加した場合に高い絶縁信頼性及び耐食性を兼ね備えたプリント配線基板およびその製造方法の提供。
【解決手段】絶縁樹脂フィルムＡの少なくとも一方の表面に接着剤を介さずに順に積層される、ニッケル、又はニッケルを７０ｍａｓｓ％以上、クロムを１５ｍａｓｓ％未満含むニッケル−クロム合金からなる金属層Ｂ、ニッケルを含み、クロムを１５ｍａｓｓ％以上含有する合金からなる金属層Ｃ、膜厚１０ｎｍ〜３５μｍの銅被膜層Ｄからなる金属膜の不要部分を化学エッチング処理により選択的に除去して導体配線が形成されたプリント配線基板。 （もっと読む）

【課題】 プラスチックフィルムに金属膜又は金属酸化物膜を有し、１８０℃以上の高温での密着性に優れた配線基板用積層体、その積層体から作製するフレキシブル配線板を提供する。
【解決手段】 プラスチックフィルムと金属膜又は金属酸化物膜の配線基板用積層体であって、プラズマプラズマ電極５ａ、６ｂで、メタンなどの炭化水素系のガスと水素ガスのプラズマを発生させ、プラスチックフィルム１の両面又は片面に直接接して形成したダイヤモンドライクカーボン（ＣＬＤ）膜を有している。この積層体をサブトラクティブ法で配線加工することにより、フレキシブル配線基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】 抵抗層の表面抵抗、抵抗偏差、及び抵抗変化率などが最適化された印刷回路基板用抵抗積層導電体及びその製造方法、並びに印刷回路基板を提供する。
【解決手段】 本発明による印刷回路基板用抵抗積層導電体は、銅箔と、該銅箔の一面に備えられた抵抗層とを含み、前記抵抗層が、熱処理後の表面抵抗が２０〜２００Ω／ｓｑ、熱処理後の表面抵抗の偏差が５％以下、熱処理前後の抵抗変化率が３％以下であり、不純物として硫黄（Ｓ）、炭素（Ｃ）、酸素（Ｏ）、及び鉄（Ｆｅ）のうち選択されたいずれか１つまたは２つ以上が原子総量基準で５０００ｐｐｍ以下含まれ、前記不純物の偏差が２０％未満であり、厚さ偏差が５％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】経済性に優れ実用レベルの技術として適用可能なプリント基板用複合めっき材を提供する。シード層の除去を不要とすることで経済性に優れたファインパターン形成に対応できるプリント基板用複合めっき材を提供する。
【解決手段】樹脂フィルム１１上にプライマー層１２を形成するプライマー層形成工程と、前記プライマー層のゲル分率が０〜５０％になるように前記プライマー層を加熱する第１加熱工程と、前記プライマー層上にシード層１３を形成するシード層形成工程と、前記シード層上に導電層１４を形成する導電層形成工程と、を備え、前記シード層を形成した後に、前記プライマー層のゲル分率が６０〜１００％になるように前記プライマー層を加熱する第２加熱工程を有する。 （もっと読む）

【課題】基板内にそれぞれ設置された、キャパシタ・アパーチャおよび側方に離間されたバイア・アパーチャを含むチップ・キャリア基板を提供すること。
【解決手段】キャパシタ・アパーチャは、基板内でキャパシタ・アパーチャおよびバイア・アパーチャを同時にエッチングするために用いられるプラズマ・エッチ法におけるマイクロローディング効果に伴なってバイア・アパーチャよりも狭い線幅およびより浅い深さで形成される。その後、キャパシタ・アパーチャ内でキャパシタが形成および設置され、バイア・アパーチャ内でバイアが形成および設置される。第１のキャパシタ・プレート層、キャパシタ誘電体層および第２のキャパシタ・プレート層の様々な組み合わせは、キャパシタ・アパーチャおよびバイア・アパーチャに関しては連続し得る。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ層形成材を用いてキャパシタ回路を形成する際に、加工プロセスで誘電層の劣化の無いキャパシタ層形成材及び製造方法等を提供する。
【解決手段】上記課題を達成するため、誘電層の片面側に上部電極回路を備え、他面側に下部電極用導電層を備える上部電極回路付キャパシタ層形成材において、当該上部電極回路は、誘電層に接して配置される厚さ０．０２μｍ〜０．５μｍの第１金属層と当該第１金属層の上に配置される厚さ０．５μｍ〜５０μｍの第２金属層との２層構造を備え、且つ、誘電層が０．０２μｍ〜１μｍの厚さであることを特徴とした上部電極回路付キャパシタ層形成材を採用する。 （もっと読む）

【課題】高密度プリント配線に用いられても金属層が充分な密着強度を有する高分子−金属の２層フィルム、２層フィルムの製造方法、プリント基板の製造方法および２層フィルムの製造装置。
【解決手段】高分子フィルム１０と、高分子フィルム１０上に不活性ガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲気下で真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法により形成したニッケルを６０重量％以上１００重量％以下含む第１の金属膜１２と、第１の金属膜１２上に形成された銅を主成分とする第２の金属膜１４とを備える２層フィルム。不活性ガスと窒素ガスとの混合比をセットする工程と、高分子フィルム１０上に前記混合比のガス雰囲気下での真空蒸着法等によりニッケルを６０重量％以上１００重量％以下含む第１の金属膜を形成する工程と、第１の金属膜上に銅を主成分とする第２の金属膜を形成する工程とを備える２層フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】表面粗さが小さくピンホールが少ない２層フィルム、その製造方法、およびその製造方法を用いたプリント基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】高分子フィルム１０と、高分子フィルム上に形成された窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜１２と、第１の金属膜上に形成された銅を主成分とする第２の金属膜１４とを備え、第２の金属膜の表面粗さＲｚが１μｍ以下であり、ピンホールは直径３０μｍを超えず、２０〜３０μｍが２０個／ｍ^２以下、１０〜２０μｍが８０個／ｍ^２以下である２層フィルム。高分子フィルム上に窒素ガスを含む雰囲気下での真空蒸着法等により窒素と６０〜１００重量％のニッケルとを含む第１の金属膜を形成し、第１の金属膜上に０．００１〜０．１Ｐａの真空度において溶融温度を１３００〜２５００℃とした銅を用いた真空蒸着法により第２の金属膜を形成する２層フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】比較的容易な方法で、セラミックス基板への密着性が高く、１Ａ以上の電流を信頼性よく流すことが可能な配線基板及びその作製方法を提供する。
【解決手段】配線基板は、セラミックス基板１の表面に密着層２が形成され、その密着層２上に２層のＣｕ層３が形成されたものであって、密着層２が乾式めっきによって形成されたＴｉ、ＮｉあるいはＴｉを主成分とする材料からなる層厚２００ｎｍ以下の層であり、Ｃｕ層３が、密着層２上に乾式めっきによって作製された層厚５００ｎｍ以下の第１Ｃｕ層３ａと、その第１Ｃｕ層３ａ上に湿式めっきによって作製された層厚３μｍ以上の第２Ｃｕ層３ｂからなるものである。 （もっと読む）

【課題】
回路形成後のポリイミド層と導体層との間において充分な密着力が得られ、かつ熱負荷後の密着力低下を極力少なくすることを可能とした、フレキシブル回路用基板を提供する。
【解決手段】
高分子樹脂よりなる基材フィルムの表面に、少なくとも、金属層と、前記金属層の表面に銅導電層と、を順次積層してなるフレキシブル回路用基板において、前記基材フィルムの表面に対して、予め、前処理としてカーボンを含むプラズマ処理を施してなる、フレキシブル回路用基板とした。
なし （もっと読む）

【課題】 従来の抵抗付き基板にあっては、無電解メッキによって抵抗体を形成していたので、抵抗体の材料としてニッケルを使用しなければならなかった。この無電解メッキによってニッケル膜を形成した場合には、温度条件、メッキ時間、ニッケルの濃度によって析出したニッケルの粒径が変わったりして再現性が悪く常に同じ抵抗値の抵抗体を作製することが難しいという問題があった。
【解決手段】 銅等の導電材５の少なくとも一面に薄膜抵抗材料を蒸着もしくはスパッタ等の手段によって抵抗膜４を形成する工程と、該抵抗膜が形成された導電材に対して絶縁材料による基材１を積層する工程と、前記抵抗膜と導電膜をエッチング手段によって除去して回路パターンを形成する工程と、該回路パターン中の抵抗を必要とする回路部分の前記導電膜をエッチング手段によって除去して回路中に抵抗を形成する工程とからなる高周波用抵抗付き基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】セラミックス配線基板上に半導体素子等を半田層を介して接合搭載するにあたって、半田層中に大きなＳｎ合金粒の発生を抑制することによって、半導体素子の接合強度の低下等を防止する。
【解決手段】セラミック基板の上面に、下地金属層、第１拡散防止層、導体層、第２拡散防止層、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉの少なくとも１種を主成分とする層と、ＡｕまたはＡｕ−Ｓｎ合金層、ＳｎまたはＳｎ合金からなる半田層が順次積層された配線層を具備していることを特徴とするセラミックス配線基板。 （もっと読む）

【課題】 電子材料として有用であり、特に電気抵抗の小さいフレキシブル金属箔ポリイミド基板を提供する。
【解決手段】 ポリイミド層と金属箔層として銅層が積層されてなるフレキシブル金属箔ポリイミド基板であって、その銅層の体積電気抵抗が１．７０×１０^-6Ω・ｃｍ以下であることを特徴とするフレキシブル金属箔ポリイミド基板。 （もっと読む）

本発明は、金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたことを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板用材料、多層配線板用基板および多層配線板と、これらの製造方法に関する。本発明によると、高密度配線化に優れ、かつ経済性に優れたコンデンサ内蔵多層配線板を提供することができる。
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【課題】 折り曲げ、湾曲や振動等の外力が加えられた場合も、配線の断線によるデバイス機能の喪失を避けることができるフレキシブルデバイスを提供する。【解決手段】 フレキシブル基板を用いたフレキシブルデバイスおいて、前記フレキシブル基板１が金属又は炭素を含む第一の導電層３と、導電性有機材料からなる第二の導電層４を含む配線層９を有するフレキシブルデバイス。外力等を加えてフレキシブルデバイスを湾曲することで、前記第一の導電層３が断線部１１で破断する場合でも、第二の導電層４は破断しないので導通できる。 （もっと読む）