２層フィルム、２層フィルムの製造方法およびプリント基板の製造方法
【課題】表面粗さが小さくピンホールが少ない２層フィルム、その製造方法、およびその製造方法を用いたプリント基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】高分子フィルム１０と、高分子フィルム上に形成された窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜１２と、第１の金属膜上に形成された銅を主成分とする第２の金属膜１４とを備え、第２の金属膜の表面粗さＲｚが１μｍ以下であり、ピンホールは直径３０μｍを超えず、２０〜３０μｍが２０個／ｍ２以下、１０〜２０μｍが８０個／ｍ２以下である２層フィルム。高分子フィルム上に窒素ガスを含む雰囲気下での真空蒸着法等により窒素と６０〜１００重量％のニッケルとを含む第１の金属膜を形成し、第１の金属膜上に０．００１〜０．１Ｐａの真空度において溶融温度を１３００〜２５００℃とした銅を用いた真空蒸着法により第２の金属膜を形成する２層フィルムの製造方法。
【解決手段】高分子フィルム１０と、高分子フィルム上に形成された窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜１２と、第１の金属膜上に形成された銅を主成分とする第２の金属膜１４とを備え、第２の金属膜の表面粗さＲｚが１μｍ以下であり、ピンホールは直径３０μｍを超えず、２０〜３０μｍが２０個／ｍ２以下、１０〜２０μｍが８０個／ｍ２以下である２層フィルム。高分子フィルム上に窒素ガスを含む雰囲気下での真空蒸着法等により窒素と６０〜１００重量％のニッケルとを含む第１の金属膜を形成し、第１の金属膜上に０．００１〜０．１Ｐａの真空度において溶融温度を１３００〜２５００℃とした銅を用いた真空蒸着法により第２の金属膜を形成する２層フィルムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２層フィルム、２層フィルムの製造方法およびプリント基板の製造方法に関し、特に、金属層の表面粗さが小さくピンホールが少ない２層フィルムとその製造方法、およびその製造方法を用いたプリント基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気・電子製品の小型化に伴い、プリント配線基板の導体幅および導体間の狭小化、多層化、高密度化が進んでいる。これらの基板としては、従来、紙／フェノール樹脂含浸系、紙／エポキシ樹脂含浸系、ガラス布／エポキシ樹脂含浸系あるいはセラミックス材料などの絶縁材料が多く使用されてきた。これらの材料は可撓性に乏しく、使用の多様性に対応しにくいという問題があった。そのため、プラスチックフィルム上に銅薄膜を形成したフレキシブルプリント配線用基板が使用されている。プラスチックフィルムは可撓性に富み、絶縁性も高く、また、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルムなどの熱的に安定なプラスチックフィルムを用いれば熱的にも強く、その用途が広がっている。しかし、プラスチックフィルム上に形成した銅薄膜が、製造工程や使用時に剥離し易いという欠点もあった。そこで、銅薄膜の接着強度を増すために、窒素雰囲気下でのスパッタリングにより銅薄膜を形成するという提案などがなされている（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特許第２９８２８５１号公報（段落００１６、００１７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記の方法で形成された銅薄膜の表面粗さ、あるいは、銅薄膜に形成されたピンホールのために、導体幅および導体間をさらに狭小化することが難しくなっていた。すなわち、表面粗さが大きい場合には微細なマスクパターン（ファインパターンともいう）を形成できなくなり、また、ピンホールが形成されている場合には導線の断線の原因となりうるのである。そこで、本発明は、金属層の表面粗さが小さくピンホールが少ない２層フィルム、その製造方法、およびその製造方法を用いたプリント基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明に係る２層フィルムは、例えば図１に示すように、高分子フィルム１０と；高分子フィルム１０上に形成された、窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜１２と；第１の金属膜１２上に形成された、銅を主成分とする第２の金属膜１４とを備え；第２の金属膜１４の表面粗さがＲｚ＝１μｍ以下であり、かつ、直径３０μｍを超えるピンホールはなく、直径２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが２０個／ｍ２以下、直径１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが８０個／ｍ２以下である。
【０００６】
このように構成すると、第２の金属膜の表面粗さがＲｚ＝１μｍ以下であるので、ファインパターンの形成が容易となり、直径３０μｍを超えるピンホールはなく、直径２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが２０個／ｍ２以下、直径１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが８０個／ｍ２以下であるので、導体幅および導体間をさらに狭小化しても断線のほとんどない２層フィルムとなる。また、銅を主成分とする第２の金属膜と高分子フィルムとの間に窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜が形成されるので、第１の金属膜が接着層として作用し、密着強度の高い２層フィルムとなる。
【０００７】
また、請求項２に記載の発明に係る２層フィルムは、例えば図１に示すように、高分子フィルム１０と；高分子フィルム１０上に形成された、ニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜１２と；第１の金属膜１２上に形成された、銅を主成分とする第２の金属膜１４とを備え；第２の金属膜１４の表面粗さがＲｚ＝１μｍ以下であり、かつ、直径３０μｍを超えるピンホールはなく、直径２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが２０個／ｍ２以下、直径１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが８０個／ｍ２以下である。
【０００８】
このように構成すると、第２の金属膜の表面粗さがＲｚ＝１μｍ以下であるので、ファインパターンの形成が容易となり、直径３０μｍを超えるピンホールはなく、直径２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが２０個／ｍ２以下、直径１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが８０個／ｍ２以下であるので、導体幅および導体間をさらに狭小化しても断線のほとんどない２層フィルムとなる。また、銅を主成分とする第２の金属膜と高分子フィルムとの間にニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜が形成されるので、第１の金属膜が接着層として作用し、密着強度の高い２層フィルムとなる。
【０００９】
また、請求項３に記載の発明に係る２層フィルムは、例えば図１に示すように、高分子フィルム１０と；高分子フィルム１０上に形成された、窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜１２と；０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度における銅を蒸着金属とする真空蒸着法により、第１の金属膜１２上に形成された第２の金属膜１４とを備える。
【００１０】
このように構成すると、絶対圧が０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度における銅を蒸着金属とする真空蒸着法により、第１の金属膜上に第２の金属膜を形成するので、第２の金属膜の表面粗さは小さくなり、かつ、ピンホールも少なくなるので、ファインパターンの形成が容易となり、また、導体幅および導体間をさらに狭小化しても断線のほとんどない２層フィルムとなる。また、第２の金属膜と高分子フィルムとの間に窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜が形成されるので、第１の金属膜が接着層として作用し、密着強度の高い２層フィルムとなる。
【００１１】
上記の目的を達成するため、請求項４に記載の発明に係る２層フィルムは、例えば図１に示すように、高分子フィルム１０と；高分子フィルム１０上に形成された、ニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜１２と；０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度における銅を蒸着金属とする真空蒸着法により、第１の金属膜１２上に形成された第２の金属膜１４とを備える。
【００１２】
このように構成すると、０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度における銅を蒸着金属とする真空蒸着法により、第１の金属膜上に第２の金属膜を形成するので、第２の金属膜の表面粗さは小さくなり、かつ、ピンホールも少なくなるので、ファインパターンの形成が容易となり、また、導体幅および導体間をさらに狭小化しても断線のほとんどない２層フィルムとなる。また、第２の金属膜と高分子フィルムとの間にニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜が形成されるので、第１の金属膜が接着層として作用し、密着強度の高い２層フィルムとなる。
【００１３】
また、請求項５に記載の発明に係る２層フィルムでは、例えば図１に示すように、高分子フィルム１０と；高分子フィルム１０上に形成された、窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜１２と；溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により、第１の金属膜１２上に形成された第２の金属膜１４とを備える。
【００１４】
このように構成すると、溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により、第１の金属膜上に第２の金属膜を形成するので、第２の金属膜の表面粗さは小さくなり、かつ、ピンホールも少なくなるので、ファインパターンの形成が容易となり、また、導体幅および導体間をさらに狭小化しても断線のほとんどない２層フィルムとなる。また、第２の金属膜と高分子フィルムとの間に窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜が形成されるので、第１の金属膜が接着層として作用し、密着強度の高い２層フィルムとなる。
【００１５】
また、請求項６に記載の発明に係る２層フィルムでは、例えば図１に示すように、高分子フィルム１０と；高分子フィルム１０上に形成された、ニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜１２と；溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により、第１の金属膜１２上に形成された第２の金属膜１４とを備える。
【００１６】
このように構成すると、溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により、第１の金属膜上に第２の金属膜を形成するので、第２の金属膜の表面粗さは小さくなり、かつ、ピンホールも少なくなるので、ファインパターンの形成が容易となり、また、導体幅および導体間をさらに狭小化しても断線のほとんどない２層フィルムとなる。また、第２の金属膜と高分子フィルムとの間にニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜が形成されるので、第１の金属膜が接着層として作用し、密着強度の高い２層フィルムとなる。
【００１７】
また、請求項７に記載の発明に係る２層フィルムは、請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の２層フィルムにおいて、高分子フィルム１０が、窒素原子を含む高分子で形成されている。
【００１８】
このように構成すると、高分子フィルムが窒素原子を含むので、高分子フィルムのニッケルに対する密着性が上がり、２層フィルムの加工過程において、加工しやすい２層フィルムとなる。例えば、２層フィルムからプリント基板を製造するのに、製造し易くなる。
【００１９】
また、請求項８に記載の発明に係る２層フィルムは、請求項７に記載の２層フィルムにおいて、窒素原子を含む高分子が、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミドおよびアラミドからなる群のうちのいずれか１つを含む。
【００２０】
このように構成すると、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミドおよびアラミドは、いずれも高温に強いので、例えばプリント基板に加工するときにハンダ付けで高温に曝されても損傷を受けにくい２層フィルムとなる。
【００２１】
また、請求項９に記載の発明に係る２層フィルムは、例えば図１に示すように、請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の２層フィルムにおいて、第１の金属膜１２の厚さが、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、第２の金属膜１４の厚さが、２０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下である。
【００２２】
このように構成すると、第１の金属膜の厚さが、高い密着強度が得られる厚さとなり、また、第２の金属膜の厚さが、例えば、後段のめっき加工の生産性が上がり、かつ、エッチング加工が行い易い範囲の厚さとなるので、適切な厚さの２層フィルムとなる。
【００２３】
また、請求項１０に記載の発明に係る２層フィルムは、例えば図１（ｃ）に示すように、請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の２層フィルムにおいて、第２の金属膜１４の上に、銅を主成分とする第３の金属膜１６を電着法または無電解めっき法により形成している。
【００２４】
このように構成すると、ファインパターンの形成が容易で、かつ、導体幅および導体間をさらに狭小化しても断線のほとんどなく、さらに高分子フィルムとの密着強度の高い、銅膜の厚い２層フィルムとなる。
【００２５】
前記目的を達成するため、請求項１１に記載の発明に係る２層フィルムの製造方法は、例えば図１および図２に示すように、高分子フィルム１０上に、窒素ガスを含む雰囲気下での、真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法により窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜１２を形成する工程と；第１の金属膜１２上に、０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度において、溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により第２の金属膜１４を形成する工程とを備える。
【００２６】
このように構成すると、窒素ガスを含む雰囲気下での、真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法により窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜を形成するので、窒素を含む第１の金属膜が均質に形成され、密着強度が高く安定した２層フィルムの製造方法となる。また、０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度において、溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により第２の金属膜を形成するので、金属層の表面粗さが小さくピンホールの少ない２層フィルムの製造方法となる。さらに、真空蒸着法、イオンプレーティング法またはスパッタリング法により第１の金属膜が形成され、真空蒸着法により第２の金属膜が形成されるので、工業的な生産に適した２層フィルムの製造方法となる。
【００２７】
前記目的を達成するため、請求項１２に記載の発明に係る２層フィルムの製造方法は、例えば図１および図２に示すように、高分子フィルム１０上に、窒素ガスを含む雰囲気下での、真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法によりニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜１２を形成する工程と；第１の金属膜１２上に、０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度において、溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により第２の金属膜１４を形成する工程とを備える。
【００２８】
このように構成すると、窒素ガスを含む雰囲気下での、真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法によりニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜が均質に形成され、密着強度が高く安定した２層フィルムの製造方法となる。また、０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度において、溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により第２の金属膜を形成するので、金属層の表面粗さが小さくピンホールの少ない２層フィルムの製造方法となる。さらに、真空蒸着法、イオンプレーティング法またはスパッタリング法により第１の金属膜が形成され、真空蒸着法により第２の金属膜が形成されるので、工業的な生産に適した２層フィルムの製造方法となる。
【００２９】
また、請求項１３に記載の発明に係るプリント基板の製造方法は、例えば図３に示すように、請求項１１または請求項１２に記載の２層フィルムの製造方法により２層フィルムを製造する工程（Ｓｔ１１〜１６）と；２層フィルムの製造方法（Ｓｔ１１〜１６）により製造された２層フィルムにプリントパターンを形成する工程（Ｓｔ２１〜２５）と；プリントパターンが形成された２層フィルムに素子を配置する工程（Ｓｔ４１）とを備える。
【００３０】
このように構成すると、金属層の表面粗さが小さくファインパターンの形成が容易となり、ピンホールが少なく断線がほとんどなく、また密着強度の高い２層フィルムであって、銅を主成分とする金属膜と高分子フィルムとの密着強度の高い２層フィルムを用いて、配線し、その上に素子を配置するので、信頼性の高いプリント基板の製造方法となる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明に係る２層フィルムでは、高分子フィルムと、高分子フィルム上に形成された窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜と、第１の金属膜上に形成された銅を主成分とする第２の金属膜とを備え、第２の金属膜の表面粗さがＲｚ＝１μｍ以下でありかつ直径３０μｍを超えるピンホールはなく、直径２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが２０個／ｍ２以下、直径１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが８０個／ｍ２以下であるので、ファインパターンの形成が容易となり、導体幅および導体間をさらに狭小化しても断線のほとんどない、また、第１の金属膜が接着層として作用する密着強度の高い２層フィルムとなる。
また、本発明に係る２層フィルムでは、高分子フィルムと、高分子フィルム上に形成されたニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜と、第１の金属膜上に形成された銅を主成分とする第２の金属膜とを備え、第２の金属膜の表面粗さがＲｚ＝１μｍ以下でありかつ直径３０μｍを超えるピンホールはなく、直径２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが２０個／ｍ２以下、直径１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが８０個／ｍ２以下であるので、ファインパターンの形成が容易となり、導体幅および導体間をさらに狭小化しても断線のほとんどない、また、第１の金属膜が接着層として作用する密着強度の高い２層フィルムとなる。
【００３２】
また、本発明に係る２層フィルムの製造方法は、高分子フィルム上に窒素ガスを含む雰囲気下での真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法により窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜を形成する工程と、第１の金属膜上に０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度において溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により第２の金属膜を形成する工程とを備えるので、窒素を含む第１の金属膜が均質に形成され、密着強度が高く安定した２層フィルムの製造方法となり、また、金属層の表面粗さが小さくピンホールの少ない２層フィルムの製造方法となる。さらに、真空蒸着法、イオンプレーティング法またはスパッタリング法により第１の金属膜が形成され、真空蒸着法により第２の金属膜が形成されるので、工業的な生産に適した２層フィルムの製造方法となる。
また、本発明に係る２層フィルムの製造方法は、高分子フィルム上に窒素ガスを含む雰囲気下での真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法によりニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜を形成する工程と、第１の金属膜上に０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度において溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により第２の金属膜を形成する工程とを備えるので、窒素を含む第１の金属膜が均質に形成され、密着強度が高く安定した２層フィルムの製造方法となり、また、金属層の表面粗さが小さくピンホールの少ない２層フィルムの製造方法となる。さらに、真空蒸着法、イオンプレーティング法またはスパッタリング法により第１の金属膜が形成され、真空蒸着法により第２の金属膜が形成されるので、工業的な生産に適した２層フィルムの製造方法となる。
さらに、上記の製造方法で製造した２層フィルムを用いてプリント基板を製造することにより、金属層と高分子層の剥離しにくいプリント基板の製造方法となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。なお、各図において、互いに同一又は相当する装置には同一符号を付し、重複した説明は省略する。
【００３４】
図１（ａ）に、本発明の第１の実施の形態である、２層フィルム１〜３の断面図を示す。２層フィルム１〜３は、主にプリント基板を製造するためのプリント配線板用フィルムとして用いられる。図１（ａ）に示す２層フィルム１は、高分子フィルム１０と、高分子フィルム１０上に形成された第１の金属膜１２と、第１の金属膜１２上に形成された第２の金属膜１４とを備える。ここで、２層フィルム１は、高分子フィルム１０、第１の金属膜１２および第２の金属膜１４を備えるが、１層の高分子フィルム１０と、１層の金属膜（第１の金属膜１２と第２の金属膜１４）とを有するので、２層フィルムと呼ぶ。
【００３５】
高分子フィルム１０としては、その上に金属膜を形成する際に高温に曝される場合、あるいは、２層フィルム上に素子および導線をハンダ付けし、その際に高温に曝される場合などは、耐熱性を有する高分子製のフィルムが好適に用いられる。また、基板に加工する際のエッチング等の処理に対し耐食性を有している高分子であることが好ましい。窒素原子を含む高分子は、一般的に密着性に優れているので、適している。更に、耐熱性に優れているものも多く、窒素原子を含む高分子フィルムが好適に用いられることが多い。特に、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、アラミドなどは高い耐熱性を有するので好適に用いられる。なお、窒素原子は、高分子フィルムの主原料の分子構造に含まれておらず、添加剤に含まれていてもよい。また、高分子フィルムの厚さは、１μｍ以上、５００μｍ以下とし、好ましくは３μｍ以上であり、更に好ましくは１０μｍ以上であり、また、好ましくは３００μｍ以下であり、更に好ましくは１５０μｍ以下である。高分子フィルムの厚さが薄すぎると、回路基板用として取り扱いが困難になり、めっきも行いにくくなる。高分子フィルムの厚さが厚すぎると、剛直になり、柔軟性のない２層フィルムとなってしまう。
【００３６】
第１の金属膜１２は、高分子フィルム１０上に形成された膜であり、窒素原子を含有するニッケルを６０重量％以上１００重量％以下含んでいる。ここで、ニッケルは６０重量％以上１００重量％以下としており、残りは銅、チタンなどであるのが一般的であるが、これらには限られない。また、第１の金属膜１２を、例えば、高分解能ラザフォード・バックスキャッタリング・スペクトロメトリ法（Ｈｉｇｈ Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により検出すると、窒素濃度が１原子％以上５０原子％以下含まれており、好ましくは１原子％以上３０原子％以下、さらに好ましくは１原子％以上２０原子％以下の窒素原子が含まれている。なお、この程度の窒素原子を含有しても、ニッケルの重量％への影響は無視できる程度に小さい。
【００３７】
第１の金属膜１２は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの真空下における製膜法（以下、真空製膜法という。）により形成されることが、均質な膜が得られるので好ましい。これらの真空製膜法によると、真空中でイオン化された金属イオンが高分子フィルム上に析出して膜が形成されるので、金属イオンの元になる膜材料あるいはターゲットに窒素が不純物として含まれていても、イオン化されたときに取り除かれるので、一般的に、形成した金属膜には含有されない。しかし、窒素ガスを含む雰囲気下での真空製膜法により金属膜を形成することにより、窒素原子を含有した金属膜が形成される。ここで明らかなように、本書でいうスパッタリングとは、アルゴンなどの不活性ガスのイオンが金属等のターゲットに衝突し、それによりターゲットからはじき出された金属原子が被着体（スパッタリングにより膜を付着されるもの）の表面に付着するような現象を指すだけではなく、次のような現象をも含む広義のスパッタリングを指す。すなわち、不活性ガスの代わりに反応性ガスとしての窒素ガスを使用することにより、金属等のターゲットから金属原子をはじき出すとともに、金属原子と窒素ガスとの間で反応を生じさせ、被着体の表面に付着し薄膜を形成する。このような現象は、反応性スパッタリングと呼ばれている。また、このとき、窒素イオンが被着体表面に当たり、表面が窒素イオンで処理された状態になる。このような処理はイオンボンバードと呼ばれており、これらの現象を合わせて、プラズマ処理と呼ぶこともある。スパッタリングによれば、イオンの衝突ではじき出された金属原子や反応性ガスを伴った粒子が被着体に衝突するので、密着力が高くなり易い。なお、第１の金属膜１２は、真空製膜法以外の方法で製膜してもよい。
【００３８】
第１の金属膜１２は、高分子フィルム１０と第２の金属膜１４との接着層としての作用を有する。第１の金属膜１２の厚さは、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下とするのがよい。好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、好ましくは３０ｎｍ以下である。このような厚さにすることにより、高分子フィルム１０と第１の金属膜１２および第２の金属膜１４との密着強度が高くなる。詳細には、日本プリント回路工業会ＪＰＣＡ規格「フレキシブルプリント配線板用銅張積層板（接着剤及び無接着タイプ）」ＪＰＣＡ−ＢＭ０３−２００３に準拠した密着強度が、初期で４９０Ｎ／ｍ以上であることが好ましく、また、１２０℃で２４０時間乾熱した後にも２９４Ｎ／ｍ以上であることが好ましい。この密着強度を有することにより、２層フィルム１は、熱を受けて高温に曝されても、金属膜が剥離せず、高密度プリント配線に好適に用いられる２層フィルムとなる。
【００３９】
第２の金属膜１４は、銅を主成分として形成される。ここで、「銅を主成分とする」とは、銅を主体として形成されることをいい、成分中、銅が最も多く含まれていることをいう。好ましくは、銅の含有率は７０重量％以上であり、更に好ましくは９０重量％以上である。第２の金属膜も、真空製膜法により形成することが、膜が均質で緻密に形成されるので、好ましい。第２の金属膜１４は、プリント配線に加工されるもので、厚さは、３００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下とするのがよい。好ましくは、５００ｎｍ以上であり、また好ましくは３０００ｎｍ以下である。第２の金属膜１４は厚く形成すると、後述の第３の金属膜１６を形成し易くなり、あるいは、配線としての電気伝導度がよくなり安定するという効果があるが、厚くし過ぎると、製膜に時間がかかり、コストも余計にかかるので、好ましくない。さらに、製膜する際の熱により、そりやカール等の変形を生じたり、配線に加工する際のエッチングがしにくくなるというデメリットもある。そこで、上記の範囲の厚さとするのがよい。
【００４０】
第２の金属膜１４は、上記の厚さにするためには、真空製膜法の中でも、特に真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法では、金属の蒸発速度が大きいため高速で製膜でき、厚い製膜をし易い。また、スパッタリングに比べ、蒸発金属粒子の持っているエネルギが小さいため被着体に与えるダメージが小さい。真空蒸着を行うには、絶対圧で０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空とし、銅の溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とする。このような真空状態において銅を溶融することにより、銅が蒸発し、被蒸着物である高分子フィルム１０に形成された第１の金属膜１２上で凝固し、膜を形成する。特に、真空度が絶対圧で０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下であり、かつ、銅の溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とすることにより、形成される第２の金属膜１４の表面は平滑で表面粗さが小さくなり、また、形成されるピンホールが少なくなる。具体的には、表面粗さがＲｚ＝１μｍ以下であり、かつ、直径３０μｍを超えるピンホールはなく、直径２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが２０個／ｍ２以下、直径１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが８０個／ｍ２以下である。なお、真空度は、絶対圧で０．００１Ｐａ以上０．０８Ｐａ以下とするのが好ましく、さらに０．０１Ｐａ以上０．０５Ｐａ以下の真空とするのが好ましい。また、銅の溶融温度は、１５００℃以上とするのが好ましく、さらに１６００℃以上とするのが好ましい。
【００４１】
ここで、表面粗さＲｚは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４に準拠して求めた十点平均粗さを指す。また、直径が３０μｍを超えるような大きなピンホールは皆無であるが、小さなピンホールを全くなくすることは難しい。１０μｍを超えるのピンホールであれば、肉眼でも確認できる大きさである。直径２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが２０個／ｍ２以下、直径１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが８０個／ｍ２以下であれば、実際上、断線等が問題になることは殆どない。なお、真空蒸着法ではなく、スパッタリング法により第２の金属膜を形成すると、ピンホールが形成され易い。
【００４２】
図１（ｂ）の断面図に示すように、２層フィルム２は、第１の金属膜１２および第２の金属膜１４を、高分子フィルム１０の両面に有していてもよい。両面に第１の金属膜１２および第２の金属膜１４を有する２層フィルム２を用いることにより、両面にプリント配線を加工できるので、基板の小型化が可能となる。なお、この場合にも、１層の高分子フィルムと、金属膜とを有しているので、２層フィルムという。
【００４３】
また、図１（ｃ）の断面図に示すように、２層フィルム３は、第２の金属膜１４の上に、第３の金属膜１６を形成してもよい。第３の金属膜１６は、銅を主成分とする膜であり、第２の金属膜１４と材料的に類似しており、密着強度は高い。第３の金属膜１６は、厚く形成するので、電着（電気めっきあるいは電鋳）法あるいは無電解めっき（化学めっき）法により形成するのが好適である。第３の金属膜１６の厚さは、１μｍ以上１００μｍ以下とするのが好ましい。第３の金属膜１６も、配線板の配線として加工される。なお、後述するように第３の金属膜１６は第２の金属膜１４上にのみ形成されるので、第２の金属膜１４に断線がある場合には、第３の金属膜１６を形成しても断線の問題が解消されることはほとんどない。さらに、第３の金属膜１６の表面粗さは、第２の金属膜１４の表面粗さとほとんど変化しないので、第２の表面粗さが劣っている場合には、第３の金属膜１６の表面粗さも同様に劣ることになる。
【００４４】
続いて、図２を参照して、本発明の第１の実施の形態である、２層フィルム１の製造方法について説明する。なお、適宜図１をも参照するものとする。図２は、真空槽３３の中で高分子フィルム１０に第１の金属膜１２をスパッタリングにより形成し、第２の金属膜１４を蒸着により形成する、２層フィルム１の製造装置の模式断面図である。他の真空製膜法を組み合わせて２層フィルム１を形成する場合にも、同様の方法で製造することができる。また、ここで説明する方法を用いて、高分子フィルム１０の両面に第１の金属膜１２および第２の金属膜１４を形成することにより、２層フィルム２を製造することができる。また、ここで説明する方法を用いて製造した２層フィルムを用いて、電着によりあるいは無電極めっきにより、第３の金属膜１６を形成すれば、２層フィルム３が製造される。
【００４５】
真空槽３３は、内部を真空に保つための気密性の高い容器であり、例えば、縦３ｍ×横５ｍ×高さ３ｍの円筒形の容器である。真空槽３３には吸気管３４が接続され、その他端は真空ポンプ３５に接続している。真空槽３３内に、高分子フィルム１０がロール状に巻かれた原反４１が設置される。高分子フィルム１０は、原反４１からガイドローラ３２に導かれ、ローラ３１の下部に至る。ローラ３１は、円筒形をしており、高分子フィルム１０の送られる方向（図２中の矢印）と同一方向に、同一の速さで回転する。ローラ３１には、冷媒配管３６、３７が接続している。冷媒配管３６、３７は、真空槽３３の外部の冷媒冷却装置（不図示）に接続し、そこから、冷媒ｒをローラ３１内に供給し、また、戻している。ローラ３１は、冷媒ｒにより冷却され、低温に保たれている。ローラ３１の下部の表面に沿って接した高分子フィルム１０は、その先で、ガイドローラ３２’に導かれ、製品ローラ４２で巻き取られる。
【００４６】
ローラ３１の下には、蒸着材２４が溜められている容器２３が設置されている。容器２３は、電気により加熱されるように構成されている（不図示）。電気による加熱は、電気抵抗加熱でも、誘電加熱でも、高周波誘導加熱でも、他の加熱方法であっても、蒸着材２４の融点より充分に高い温度まで加熱し、温度を維持できる方法であればよい。蒸着材２４としては、銅が好適に用いられる。ローラ３１の下部と容器２３の上面との間隙は、銅材料の種類、温度条件等により変化し、１〜数１００ｍｍの範囲内とするが、上記の範囲内には限られない。
【００４７】
原反４１とローラ３１との間の高分子フィルム１０の走行路にスパッタリングのターゲットとしてのニッケル合金あるいはニッケル（以下、ターゲットという）２２が配置される。ターゲット２２には、陰極が接続され、ターゲット２２に対向する高分子フィルム１０には陽極が接続され、これらの電極間に電圧が掛けられる。ターゲット２２と高分子フィルム１０との間の近くには、窒素ガスＮ２を供給する反応ガス管４３の吐出口４４が設けられる。反応ガス管４３は、外部の窒素ガス供給源から窒素ガスをターゲット２２の近くに供給する。なお、窒素ガスの替わりに、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガスあるいはアンモニアガスを用いてもよい。また、これらのガスとアルゴンガスなどの希ガス（不活性ガス）あるいはその他のガスとの混合ガスであってもよい。
【００４８】
上述の装置を用いて、２層フィルム１を製造するには、先ず、原反４１を真空槽３１内に設置し、上記の通りに高分子フィルム１０を製品ローラ４２まで導く。続いて、真空槽３３内を気密にした上で、真空槽３１内に残留するガスを、真空ポンプ３５により、０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の絶対圧の真空度になるまで減圧する。
【００４９】
真空下で、ターゲット２２と高分子フィルム１０間の電極に電圧を印加することにより、真空槽３３内のガスが電離し、電離したイオンがターゲット２２に衝突することにより、ターゲットからニッケルおよび合金原子が飛び出す。飛び出したニッケルおよび合金原子は、雰囲気の窒素を伴って、高分子フィルムに付着する。これがスパッタリングである。反応ガス管４３から供給される窒素ガスは、窒素濃度が、３０体積％以上１００体積％以下とするのがよい。好ましくは、５０体積％以上とし、更に好ましくは、７０体積％以上であり、最も好ましくは８０体積％以上とする。このように窒素ガスを含む雰囲気においてスパッタリングを行うことにより、高分子フィルム１０上に形成される、ニッケルあるいはニッケル合金の膜に窒素が含有される。ニッケルあるいはニッケル合金が窒素を含有することにより、高分子フィルム１０との密着性が高まる。
【００５０】
また、蒸着材としての銅２４を溜めている容器２３を加熱し、銅２４をその融点（純銅で１０８３℃）より、１００〜１４００℃高い温度まで加熱して温度を維持する。なお、銅２４は、純銅でなく、他の金属成分が含まれていてもよい。真空中で、銅２４を融点より１００〜１４００℃高い温度にすることにより、銅２４の蒸気が発生する。銅合金を用いる場合であっても、好ましくは１３００℃以上２５００℃以下の溶融温度に加熱する。銅を１３００℃以上２５００℃以下の溶融温度にまで加熱し、真空蒸着法により第２の金属膜１４を形成することにより、ピンホールが少なく、かつ、表面粗さの優れた金属膜が形成される。さらに好ましくは、圧力を０．００１Ｐａ以上０．０８Ｐａ以下さらには０．０１Ｐａ以上０．０５Ｐａ以下とし、蒸着材２４としての銅を１５００℃以上、さらには１７００℃以上とすると、直径３０μｍ以上のピンホールはなく、２０〜１０μｍのピンホールが５個／ｍ２以下、２０〜１０μｍのピンホールが２０個／ｍ２以下と少なく、かつ、表面粗さＲｚが０．３μｍ以下の金属膜が形成される。
【００５１】
発生した蒸気は、容器２３の上方の高分子フィルム１０に付着する。これが、蒸着である。蒸気は高分子フィルム１０に付着するときにも高温であるので、高分子フィルム１０は熱による損傷を受ける可能性がある。そこで、ローラ３１を冷媒ｒにより冷却しておく。ローラ３１に沿って接している高分子フィルム１０は、ローラ３１との接触面から冷やされ、蒸着材の蒸気が付着しても高温にはならず、熱による損傷を防ぐことができる。
【００５２】
かかる状態で、高分子フィルム１０を原反４１から、製品ローラ４２に向けて走行させる。走行中、窒素ガスを含む雰囲気下でのスパッタリングによりターゲット２２より第１の金属膜１２としてニッケルあるいはニッケル合金の膜が形成される。その後、ローラ３１の下部において、高分子フィルム１０に、蒸着により第２の金属膜１４として銅２４が付着する。高分子フィルム１０上に第１の金属膜１２と第２の金属膜１４が形成された２層フィルム１は、製品ローラ４２に巻き取られる。高分子フィルム１０を走行させる速さは、１〜１００ｍ／分程度とするのが好適であるが、上記の範囲には限られない。
【００５３】
上記の方法で２層フィルム１を製造することができるので、大量の２層フィルム１を工業的に製造することができる。特にスパッタリングによる第１の金属膜１２の形成と、蒸着による第２の金属膜１４の形成を同時に行うので、製造効率が高くなる。なお、上記の説明では、スパッタリングによる第１の金属膜１２の形成と、蒸着による第２の金属膜１４の形成を同時に行うものとして説明したが、第１の金属膜１２の形成と第２の金属膜１４の形成を、別々に行ってもよい。この場合には、第１回目の高分子フィルム１０の走行で、第１の金属膜１２だけを形成し、製品ローラ４２に巻き取られた高分子フィルム１０を原反４１として、再度走行させ、第２の金属膜１４だけを形成する。このように構成すると、第１の金属膜１２の厚さと第２の金属膜１４の厚さとをそれぞれ任意に調整できる。また、第１の金属膜１２の形成は、スパッタリングに限られず、他の真空製膜法であってもよく、第２の金属膜１４の形成は、蒸着に限られず、他の真空製膜法あるいはその他の製膜法であってもよい。
【００５４】
次に、図１を再び参照して、本発明の第２の実施の形態である、２層フィルム１〜３について説明する。ここで、第２の実施の形態である２層フィルム１では、第１の金属膜１２だけが第１の実施の形態として説明した２層フィルムと異なり、他の構成は同じであるので、第１の金属膜１２についてのみ説明し、他の説明は省略する。
【００５５】
第１の金属膜１２は、高分子フィルム１０上に形成された膜であり、ニッケルを５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含んでいる。ここで、ニッケル原子および窒素原子以外の残りは銅、チタンなどであるのが一般的であるが、これらには限られない。ニッケルや窒素の含有率（原子％）は、例えば、第１の金属膜１２を形成したサンプルを用い、第１の金属膜１２側を例えば１分間ガス粒子等をスパッタリングすることによりエッチングして、第１の金属膜１２の表面を剥離した後に、Ｘ線光電子分光装置で成分分析を行うことにより、測定することが可能である。第１の金属膜１２がニッケル原子を５０原子％以上、窒素原子を１原子％以上含むことにより、高分子フィルム１０と第２の金属膜１４との接着力が強くなる。ただし、窒素原子を５０原子％を超えるほどに大量に含むと接着力が低下する。好ましくは第１の金属膜１２は、窒素原子を１原子％以上３０原子％以下、さらに好ましくは１原子％以上２０原子％以下含む。
【００５６】
第１の金属膜１２は、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの真空製膜法により形成されることが、均質で緻密な膜が得られるので好ましい。これらの真空製膜法によると、真空中でイオン化された金属イオンが高分子フィルム上に析出して膜が形成されるので、金属イオンの元になる膜材料に窒素が不純物として含まれていても、イオン化されたときに取り除かれるので、一般的に、形成した金属膜には含有されない。しかし、窒素ガスを含む雰囲気下での真空製膜法により金属膜を形成することにより、窒素原子を含有した金属膜が形成される。なお、第１の金属膜１２は、真空製膜法以外の方法で製膜してもよい。なお、膜材料とは、真空蒸着法では蒸着される膜の材料である蒸着材、スパッタリング法では、膜の材料となるターゲットなど、各製膜法において、膜を形成する基となる材料をいう。
【００５７】
第１の金属膜１２は、高分子フィルム１０と第２の金属膜１４との接着層としての作用を有する。第１の金属膜１２の厚さは、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下とするのがよい。好ましくは５ｎｍ以上、さらに好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、好ましくは３０ｎｍ以下である。このような厚さにすることにより、高分子フィルム１０と第１の金属膜１２および第２の金属膜１４との密着強度が高くなる。詳細には、日本プリント回路工業会ＪＰＣＡ規格「フレキシブルプリント配線板用銅張積層板（接着剤及び無接着タイプ）」ＪＰＣＡ−ＢＭ０３−２００３に準拠した密着強度が、初期で５９０Ｎ／ｍ以上であることが好ましく、また、１２０℃で２４０時間乾熱した後にも２９４Ｎ／ｍ以上であることが好ましい。この密着強度を有することにより、２層フィルム１は、熱を受けて高温に曝されても、金属膜が剥離せず、高密度プリント配線に用いられるために充分に大きな密着強度を有する２層フィルムとなる。
【００５８】
次に、図１および図２を参照して、第２の実施の形態である２層フィルムの製造方法について説明する。第２の実施の形態である２層フィルムの製造方法は、先に説明した第１の実施の形態である２層フィルムの製造方法と基本的に同じでよいが、第１の金属膜１２を形成するための膜材料の条件が異なる。図２において、原反４１とローラ３１との間の高分子フィルム１０の走行路に配置されるスパッタリングのターゲットとしてのニッケル（以下、ターゲットという）２２は、ニッケルを７５重量％以上含んでいる純度の高いニッケル材料である。好ましくは、ニッケルを９９重量％以上含むと、製膜されたときの膜に含まれるニッケル含有率が高くなり、高分子フィルム１０と第２の金属膜１４とを接着する力が強くなる。さらに、例えばニッケルを９９．９重量％以上含む、実質的なニッケル単体であると、製膜されたときの膜に含まれるニッケル含有率がさらに高くなり接着する力がより強くなるので、好適である。ターゲット２２には、陰極が接続され、ターゲット２２に対向する高分子フィルム１０には陽極が接続され、これらの電極間に電圧が印加される。ターゲット２２と高分子フィルム１０との間の近くには、窒素ガスＮ２を供給する反応ガス管４３の吐出口４４が設けられる。反応ガス管４３は、外部の窒素ガス供給源から窒素ガスをターゲット２２の近くに供給する。反応ガス管４３から供給される窒素ガスは、窒素濃度が、３０体積％以上１００体積％以下とするのがよい。好ましくは、５０体積％以上とし、更に好ましくは、７０体積％以上とすると、製膜される第１の金属膜に含まれるニッケルおよび窒素原子以外の原子の含有率が減少して好ましい。更に、８０体積％以上とすると、ほとんど他の原子が含まれなくなり、好適である。窒素ガスを含む雰囲気においてスパッタリングを行うことにより、高分子フィルム１０上に形成される、ニッケルの膜に窒素が含有される。ニッケルが窒素を含有することにより、高分子フィルム１０との密着性が高まると共に、高温での接着力の低下を防止することが可能となる。第２の実施の形態である２層フィルムの製造方法における他の工程は、第１の実施の形態である２層フィルムの製造方法で説明したことと同様であるので、重複する説明は省略する。
【００５９】
続いて、図３のフローチャートを参照して、第１の実施の形態である２層フィルムを用いた、プリント基板の製造方法例について、説明する。図３中、破線で示した経路（Ｓｔ１６、Ｓｔ２７〜２８およびＳｔ２９）は、必ずしも通らなくても（実施されなくても）よい経路であり、Ｓｔ１６とＳｔ２７〜２８との両方を通ることはない。
【００６０】
まず、真空にされた真空槽内に窒素ガスを供給し（Ｓｔ１１）、窒素ガスを供給しながらスパッタリングによりニッケル膜を形成する（Ｓｔ１２）。更に、真空槽内で、ニッケル膜に重ねて銅の膜を真空蒸着法で形成し、２層フィルムとする（Ｓｔ１３）。これまで説明したように、窒素ガスを供給しながらニッケル膜を形成することにより、窒素原子を有するニッケルの膜が形成され、ニッケル膜に重ねて銅の膜を形成することにより、高分子フィルムとの密着強度の高い２層フィルムが形成される。また、２層フィルムの製造方法は、これまで説明したような他の方法であってもよい。特に、０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度とし、銅を１３００℃以上２５００℃以下の溶融温度に加熱して第２の金属膜を形成することにより、ピンホールが少なく、かつ、表面粗さの優れた第２の金属膜となる。
【００６１】
例えば、ネガ型の場合、２層フィルムの銅膜の上に、後段の現像工程で溶出されない性質を有する物質を塗付してレジストを形成する（Ｓｔ２１）。レジスト上にマスクパターンを露光する（Ｓｔ２２）。レジストは露光されることにより硬化し、後段の現像工程でも、溶解されなくなる。そこで、現像することにより、硬化しなかったレジストを溶出し、マスクパターンに従ったレジストを銅膜の上に残す（Ｓｔ２３）。現像されたならば、エッチングを施す（ＳＴ２４）。エッチングにより、レジストが溶出した部分の下の銅膜を溶出する。すなわち、露光した部分にだけ、銅膜とレジストが残る。レジストを剥離することにより、残った銅膜が導電路となり、プリントパターンが形成された基板が製造される（Ｓｔ２５）。このプリントパターンを形成するときに、第２の金属膜の表面が平滑であると、ファインパターンを形成し易くなる。すなわち、表面粗さが粗いと、レジスト用いて、細かなマスクパターンを銅膜上に残しにくくなる。また、プリント基板の高密度化が進み、導電路が細かくなると、第２の金属膜である銅膜に存在する欠陥により導電路が断線する恐れがある。第２の金属膜に形成されたピンホールは、この欠陥の代表である。ピンホールが例えば１０μｍ以下の極微小な大きさであれば、ピンホールにより導電路が断線することはないが、１０μｍを超えると導電路の断線の原因となりうる。そこで、第２の金属膜を、１０μｍを超えるピンホールを少なく形成することが重要となる。
【００６２】
プリントパターンが形成された基板に導線をハンダ付けし（Ｓｔ３１）、所定の素子を装着することによりプリント基板が製造される（Ｓｔ４１）。このプリント基板の製造方法によれば、金属層と高分子層との密着強度が高く、配線が剥離しにくく、さらに、ファインパターンを形成し易く、また、断線の可能性が少ないので、導体幅および導体間を狭小にし、かつ、信頼性を高くすることができ、プリント基板の小型化が実現できる。なお、プリントパターンが形成された基板に、さらに電解法または無電解めっき法により、銅を主成分とするめっき膜を形成してもよい（Ｓｔ２９）。銅を主成分とするめっき層は、銅膜により形成された銅電路上には形成されるが、高分子の膜が露出した部分には形成されない、すなわち、プリントパターンが形成された基板にめっき膜を形成することにより、導電路を厚くすることができる。導電路が厚くなると、電導性が高くなり、好適である。
【００６３】
２層フィルムが形成された（Ｓｔ１３）後、更に、めっきあるいは他の方法により銅膜を重ねて形成してもよい（Ｓｔ１６）。銅膜を重ねて形成することにより、銅膜の厚さが厚くなり、すなわち、プリントされる導電路が太くなり、電気抵抗が減少する。このようにすると、プリントされる平面上での太さを変えることなく、導電路を太くすることができ、プリント基板の大きさを大きくすることがないので、好適である。なお、この場合においても、重ねられる導膜は、第２の金属膜としての銅膜上にだけ重ねられる。すなわち、第２の金属膜にピンホールが形成されていると、当該部分には銅膜が重ねられず、ピンホールとして残る。また、重ねられる銅膜の表面粗さは、第２の金属膜としての銅膜の表面粗さとほぼ等しくなり、第２の金属膜の平滑性を担保しておくことは、銅膜を重ねた後に、レジストを用いてプリントパターンを形成する場合にも、ファインパターンを形成し易くする。
【００６４】
あるいは、２層フィルムにマスクパターンが露光され、現像された（Ｓｔ２３）後、次のようにプリントパターンが形成された基板を製造してもよい。先ず、現像することにより、マスクパターンに従ったレジストだけを残した後に、銅をめっきする（Ｓｔ２７）。すると、レジスト上にはめっきされないので、現像により銅膜が露出した部分にだけ、銅がめっきされる。そこで、レジストとその下の銅膜とを取り除くことにより、プリントパターンが形成された基板が製造される（Ｓｔ２８）。この方法は、セミアディティブ法と呼ばれ、露光する部分は、導電路がプリントされる部分であり、これまで説明した方法とは逆になり、ポジ型と呼ばれる露光となる。なお、露光されなかった部分が導電路である露光が、ネガ型と呼ばれる。このセミアディティブ法を用いることにより、導電路の太さ（銅膜の厚さ）を容易に厚くすることができ、しかも、現像する前に銅膜をめっきする方法に比べ、溶出される銅の量を少なくすることができ、すなわち銅の消費量を減らすことができる。
【００６５】
プリント基板の製造方法は、上記に限られず、種々の方法をとることができるが、高分子フィルム上に、窒素ガスを含む雰囲気下での真空製膜法によりニッケルを６０重量％以上含む第１の金属膜を形成し、その上に、０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度において銅を１３００℃以上２５００℃以下の溶融温度に加熱して銅を主成分とする第２の金属膜を形成した２層フィルムを用いて、プリントパターンが形成された基板を作り、素子を配置してプリント基板を製造することにより、金属層と高分子層との密着強度が高く、かつ、ピンホールが少なく、表面の平滑性が担保され、ファインパターンの形成に適したプリント基板が製造される。
【００６６】
第２の実施の形態である２層フィルムを用いて、プリント基板を製造するには、上述のプリント基板の製造方法において、純度の高いニッケルを膜材料に用いるなどして、第１の金属膜がニッケル原子を５０原子％以上、窒素原子を１原子％以上含むように形成すればよい。このようにプリント基板を製造することより、金属層と高分子層との密着強度がより高く、配線がより剥離しにくいプリント基板が製造される。
【実施例１】
【００６７】
以下、実施例と比較例により、本願発明に係る２層フィルムの効果を確認する。先ず、第１の実施の形態である２層フィルムの実施例１〜５について説明する。
【００６８】
厚み２５μｍ、幅５００ｍｍ、長さ２００ｍのポリイミドフィルム（登録商標：カプトンＥＮ、東レ・デュポン社製）を真空槽内にセットする。０．０２Ｐａの真空度にする。ニッケルＮｉをターゲットとし、１００体積％の窒素ガス１００ｍｌ／分を真空槽内に供給しながら、スパッタリングを行ない第１の金属膜を製膜した。その厚みは、２０ｎｍであった。次に１７００℃で溶融した銅を用いて、第１の金属膜の表面に真空蒸着法で銅の膜を製膜し、厚み７００ｎｍの第２の金属膜を形成した。
【実施例２】
【００６９】
厚み２５μｍ、幅５００ｍｍ、長さ２００ｍのポリイミドフィルム（登録商標：カプトンＥＮ、東レ・デュポン社製）を真空槽内にセットする。０．０１Ｐａの真空度にする。ニッケルＮｉをターゲットとし、１００体積％の窒素ガス１００ｍｌ／分を真空槽内に供給しながら、スパッタリングを行ない第１の金属膜を製膜した。その厚みは、２０ｎｍであった。次に１９００℃で溶融した銅を用いて、第１の金属膜の表面に真空蒸着法で銅の膜を製膜し、厚み５００ｎｍの第２の金属膜を形成した。
【実施例３】
【００７０】
厚み２５μｍ、幅５００ｍｍ、長さ２００ｍのポリイミドフィルム（登録商標：カプトンＥＮ、東レ・デュポン社製）を真空槽内にセットする。０．０４Ｐａの真空度にする。ニッケルＮｉと銅Ｃｕの合金（Ｎｉ：Ｃｕ＝８０：２０重量％）をターゲットとし、１００体積％の窒素ガス１００ｍｌ／分を真空槽内に供給しながら、スパッタリングを行ない第１の金属膜を製膜した。その厚みは、２０ｎｍであった。次に２１００℃で溶融した銅を用いて、第１の金属膜の表面に真空蒸着法で銅の膜を製膜し、厚み２００ｎｍの第２の金属膜を形成した。
【実施例４】
【００７１】
厚み２５μｍ、幅５００ｍｍ、長さ２００ｍのポリイミドフィルム（登録商標：カプトンＥＮ、東レ・デュポン社製）を真空槽内にセットする。０．０１Ｐａの真空度にする。ニッケルＮｉをターゲットとし、１００体積％の窒素ガス１００ｍｌ／分を真空槽内に供給しながら、スパッタリングを行ない第１の金属膜を製膜した。その厚みは、２０ｎｍであった。次に１６００℃で溶融した銅を用いて、第１の金属膜の表面に真空蒸着法で銅の膜を製膜し、厚み１５００ｎｍの第２の金属膜を形成した。
【実施例５】
【００７２】
厚み２５μｍ、幅５００ｍｍ、長さ２００ｍのポリイミドフィルム（登録商標：カプトンＥＮ、東レ・デュポン社製）を真空槽内にセットする。０．０２Ｐａの真空度にする。ニッケルＮｉをターゲットとし、６０体積％の窒素ガスと４０体積％のアルゴンガスとの混合ガス１５０ｍｌ／分を真空槽内に供給しながら、スパッタリングを行ない第１の金属膜を製膜した。その厚みは、１３ｎｍであった。次に１５５０℃で溶融した銅を用いて、第１の金属膜の表面に真空蒸着法で銅の膜を製膜し、厚み１０００ｎｍの第２の金属膜を形成した。
【００７３】
実施例１〜５と比較するため、真空度を下げ（絶対圧を上げ）、銅の溶融温度を下げた真空蒸着法により、２層フィルムを製造した。
［比較例１］
厚み２５μｍ、幅５００ｍｍ、長さ２００ｍのポリイミドフィルム（登録商標：カプトンＥＮ、東レ・デュポン社製）を真空槽内にセットする。０．２Ｐａの真空度にする。ニッケルＮｉをターゲットとし、１００体積％の窒素ガス１００ｍｌ／分を真空槽内に供給しながら、スパッタリングを行ない第１の金属膜を製膜した。その厚みは、２０ｎｍであった。次に１２７０℃で溶融した銅を用いて、第１の金属膜の表面に真空蒸着法で銅の膜を製膜し、厚み２００ｎｍの第２の金属膜を形成した。
［比較例２］
厚み２５μｍ、幅５００ｍｍ、長さ２００ｍのポリイミドフィルム（登録商標：カプトンＥＮ、東レ・デュポン社製）を真空槽内にセットする。０．３Ｐａの真空度にする。ニッケルＮｉをターゲットとし、１００体積％の窒素ガス１００ｍｌ／分を真空槽内に供給しながら、スパッタリングを行ない第１の金属膜を製膜した。その厚みは、２０ｎｍであった。次に１２３０℃で溶融した銅を用いて、第１の金属膜の表面に真空蒸着法で銅の膜を製膜し、厚み２００ｎｍの第２の金属膜を形成した。
【００７４】
上記の実施例１〜５および比較例１、２の方法で製造した２層フィルムについて、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４に準拠して表面粗さＲｚを計測した。また、反射式顕微鏡を用いて、ピンホールを観察した。
【００７５】
図４に、実施例１〜５及び比較例１、２の２層フィルムの表面粗さＲｚ計測とピンホール観察の結果をまとめて示す。図４でも明らかなとおり、実施例１〜５の２層フィルムにおいては、何れのケースとも、表面粗さＲｚが０．３μｍ以下と表面が平滑である結果が示され、また、ピンホールも２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが５個以下、１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが１５個／ｍ２以下と形成されるピンホールが少ないという結果が示された。なお、ピンホールの形状は必ずしも円形ではないが、平均径を直径として測定した。一方、比較例においては、比較例１でＲｚが１．２μｍ、比較例２でＲｚが２．３μｍと、かなり平滑度が劣ることが示された。また、ピンホールについても、比較例１では２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが１６個／ｍ２、１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが６７個／ｍ２と多目となり、比較例２では２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが１７個／ｍ２、１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが６７個／ｍ２とさらに増加した。なお、ピンホールは、いずれの実施例、比較例においても、直径３０μｍ以上のものは観察されず、直径１０〜３０μｍの大きさであった。直径１０μｍ以下のものは観察の対象外とした。したがって、真空度を０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下とし、銅の溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした真空蒸着法で第２の金属膜である銅膜を形成すると、ピンホールが少なく、表面が平滑な２層フィルムが製造されることが示された。特に、銅の溶融温度を１５５０℃以上２１００℃以下の範囲で、真空度を０．０１Ｐａ以上０．０４以下として実施例の範囲では、表面粗さは０．２８μｍ以下で、かつ、２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが５個以下、１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが１５個／ｍ２以下であった。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の実施の形態である２層フィルムの断面図である。（ａ）は、高分子フィルムの片面に第１の金属膜と第２の金属膜を形成した２層フィルムである。（ｂ）は、高分子フィルムの両面に第１の金属膜と第２の金属膜を形成した２層フィルムである。（ｃ）は、高分子フィルムの片面に第１の金属膜と第２の金属膜を形成し、更に第３の金属膜を形成した２層フィルムである。
【図２】２層フィルムの製造装置の模式断面図である。
【図３】２層フィルムを用いたプリント基板の製造方法例を説明するフローチャートである。
【図４】本発明の第１の実施の形態による実施例と比較例との２層フィルムにおける、表面粗さの計測結果とピンホールの観察結果をまとめた図である。
【符号の説明】
【００７７】
１〜３ ２層フィルム
１０ 高分子フィルム
１２ 第１の金属膜
１４ 第２の金属膜
１６ 第３の金属膜
２２ ターゲット
２３ （蒸着材の）容器
２４ 蒸着材
３１ ローラ
３２、３２’ ガイドローラ
３３ 真空槽
３４ 吸気管
３５ 真空ポンプ
３６、３７ 冷媒配管
４１ 原反
４２ 製品ロール
４３ 反応ガス管
４４ 吐出口
ｒ 冷媒
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２層フィルム、２層フィルムの製造方法およびプリント基板の製造方法に関し、特に、金属層の表面粗さが小さくピンホールが少ない２層フィルムとその製造方法、およびその製造方法を用いたプリント基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気・電子製品の小型化に伴い、プリント配線基板の導体幅および導体間の狭小化、多層化、高密度化が進んでいる。これらの基板としては、従来、紙／フェノール樹脂含浸系、紙／エポキシ樹脂含浸系、ガラス布／エポキシ樹脂含浸系あるいはセラミックス材料などの絶縁材料が多く使用されてきた。これらの材料は可撓性に乏しく、使用の多様性に対応しにくいという問題があった。そのため、プラスチックフィルム上に銅薄膜を形成したフレキシブルプリント配線用基板が使用されている。プラスチックフィルムは可撓性に富み、絶縁性も高く、また、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルムなどの熱的に安定なプラスチックフィルムを用いれば熱的にも強く、その用途が広がっている。しかし、プラスチックフィルム上に形成した銅薄膜が、製造工程や使用時に剥離し易いという欠点もあった。そこで、銅薄膜の接着強度を増すために、窒素雰囲気下でのスパッタリングにより銅薄膜を形成するという提案などがなされている（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特許第２９８２８５１号公報（段落００１６、００１７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記の方法で形成された銅薄膜の表面粗さ、あるいは、銅薄膜に形成されたピンホールのために、導体幅および導体間をさらに狭小化することが難しくなっていた。すなわち、表面粗さが大きい場合には微細なマスクパターン（ファインパターンともいう）を形成できなくなり、また、ピンホールが形成されている場合には導線の断線の原因となりうるのである。そこで、本発明は、金属層の表面粗さが小さくピンホールが少ない２層フィルム、その製造方法、およびその製造方法を用いたプリント基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明に係る２層フィルムは、例えば図１に示すように、高分子フィルム１０と；高分子フィルム１０上に形成された、窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜１２と；第１の金属膜１２上に形成された、銅を主成分とする第２の金属膜１４とを備え；第２の金属膜１４の表面粗さがＲｚ＝１μｍ以下であり、かつ、直径３０μｍを超えるピンホールはなく、直径２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが２０個／ｍ２以下、直径１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが８０個／ｍ２以下である。
【０００６】
このように構成すると、第２の金属膜の表面粗さがＲｚ＝１μｍ以下であるので、ファインパターンの形成が容易となり、直径３０μｍを超えるピンホールはなく、直径２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが２０個／ｍ２以下、直径１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが８０個／ｍ２以下であるので、導体幅および導体間をさらに狭小化しても断線のほとんどない２層フィルムとなる。また、銅を主成分とする第２の金属膜と高分子フィルムとの間に窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜が形成されるので、第１の金属膜が接着層として作用し、密着強度の高い２層フィルムとなる。
【０００７】
また、請求項２に記載の発明に係る２層フィルムは、例えば図１に示すように、高分子フィルム１０と；高分子フィルム１０上に形成された、ニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜１２と；第１の金属膜１２上に形成された、銅を主成分とする第２の金属膜１４とを備え；第２の金属膜１４の表面粗さがＲｚ＝１μｍ以下であり、かつ、直径３０μｍを超えるピンホールはなく、直径２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが２０個／ｍ２以下、直径１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが８０個／ｍ２以下である。
【０００８】
このように構成すると、第２の金属膜の表面粗さがＲｚ＝１μｍ以下であるので、ファインパターンの形成が容易となり、直径３０μｍを超えるピンホールはなく、直径２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが２０個／ｍ２以下、直径１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが８０個／ｍ２以下であるので、導体幅および導体間をさらに狭小化しても断線のほとんどない２層フィルムとなる。また、銅を主成分とする第２の金属膜と高分子フィルムとの間にニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜が形成されるので、第１の金属膜が接着層として作用し、密着強度の高い２層フィルムとなる。
【０００９】
また、請求項３に記載の発明に係る２層フィルムは、例えば図１に示すように、高分子フィルム１０と；高分子フィルム１０上に形成された、窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜１２と；０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度における銅を蒸着金属とする真空蒸着法により、第１の金属膜１２上に形成された第２の金属膜１４とを備える。
【００１０】
このように構成すると、絶対圧が０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度における銅を蒸着金属とする真空蒸着法により、第１の金属膜上に第２の金属膜を形成するので、第２の金属膜の表面粗さは小さくなり、かつ、ピンホールも少なくなるので、ファインパターンの形成が容易となり、また、導体幅および導体間をさらに狭小化しても断線のほとんどない２層フィルムとなる。また、第２の金属膜と高分子フィルムとの間に窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜が形成されるので、第１の金属膜が接着層として作用し、密着強度の高い２層フィルムとなる。
【００１１】
上記の目的を達成するため、請求項４に記載の発明に係る２層フィルムは、例えば図１に示すように、高分子フィルム１０と；高分子フィルム１０上に形成された、ニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜１２と；０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度における銅を蒸着金属とする真空蒸着法により、第１の金属膜１２上に形成された第２の金属膜１４とを備える。
【００１２】
このように構成すると、０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度における銅を蒸着金属とする真空蒸着法により、第１の金属膜上に第２の金属膜を形成するので、第２の金属膜の表面粗さは小さくなり、かつ、ピンホールも少なくなるので、ファインパターンの形成が容易となり、また、導体幅および導体間をさらに狭小化しても断線のほとんどない２層フィルムとなる。また、第２の金属膜と高分子フィルムとの間にニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜が形成されるので、第１の金属膜が接着層として作用し、密着強度の高い２層フィルムとなる。
【００１３】
また、請求項５に記載の発明に係る２層フィルムでは、例えば図１に示すように、高分子フィルム１０と；高分子フィルム１０上に形成された、窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜１２と；溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により、第１の金属膜１２上に形成された第２の金属膜１４とを備える。
【００１４】
このように構成すると、溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により、第１の金属膜上に第２の金属膜を形成するので、第２の金属膜の表面粗さは小さくなり、かつ、ピンホールも少なくなるので、ファインパターンの形成が容易となり、また、導体幅および導体間をさらに狭小化しても断線のほとんどない２層フィルムとなる。また、第２の金属膜と高分子フィルムとの間に窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜が形成されるので、第１の金属膜が接着層として作用し、密着強度の高い２層フィルムとなる。
【００１５】
また、請求項６に記載の発明に係る２層フィルムでは、例えば図１に示すように、高分子フィルム１０と；高分子フィルム１０上に形成された、ニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜１２と；溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により、第１の金属膜１２上に形成された第２の金属膜１４とを備える。
【００１６】
このように構成すると、溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により、第１の金属膜上に第２の金属膜を形成するので、第２の金属膜の表面粗さは小さくなり、かつ、ピンホールも少なくなるので、ファインパターンの形成が容易となり、また、導体幅および導体間をさらに狭小化しても断線のほとんどない２層フィルムとなる。また、第２の金属膜と高分子フィルムとの間にニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜が形成されるので、第１の金属膜が接着層として作用し、密着強度の高い２層フィルムとなる。
【００１７】
また、請求項７に記載の発明に係る２層フィルムは、請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の２層フィルムにおいて、高分子フィルム１０が、窒素原子を含む高分子で形成されている。
【００１８】
このように構成すると、高分子フィルムが窒素原子を含むので、高分子フィルムのニッケルに対する密着性が上がり、２層フィルムの加工過程において、加工しやすい２層フィルムとなる。例えば、２層フィルムからプリント基板を製造するのに、製造し易くなる。
【００１９】
また、請求項８に記載の発明に係る２層フィルムは、請求項７に記載の２層フィルムにおいて、窒素原子を含む高分子が、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミドおよびアラミドからなる群のうちのいずれか１つを含む。
【００２０】
このように構成すると、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミドおよびアラミドは、いずれも高温に強いので、例えばプリント基板に加工するときにハンダ付けで高温に曝されても損傷を受けにくい２層フィルムとなる。
【００２１】
また、請求項９に記載の発明に係る２層フィルムは、例えば図１に示すように、請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の２層フィルムにおいて、第１の金属膜１２の厚さが、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、第２の金属膜１４の厚さが、２０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下である。
【００２２】
このように構成すると、第１の金属膜の厚さが、高い密着強度が得られる厚さとなり、また、第２の金属膜の厚さが、例えば、後段のめっき加工の生産性が上がり、かつ、エッチング加工が行い易い範囲の厚さとなるので、適切な厚さの２層フィルムとなる。
【００２３】
また、請求項１０に記載の発明に係る２層フィルムは、例えば図１（ｃ）に示すように、請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の２層フィルムにおいて、第２の金属膜１４の上に、銅を主成分とする第３の金属膜１６を電着法または無電解めっき法により形成している。
【００２４】
このように構成すると、ファインパターンの形成が容易で、かつ、導体幅および導体間をさらに狭小化しても断線のほとんどなく、さらに高分子フィルムとの密着強度の高い、銅膜の厚い２層フィルムとなる。
【００２５】
前記目的を達成するため、請求項１１に記載の発明に係る２層フィルムの製造方法は、例えば図１および図２に示すように、高分子フィルム１０上に、窒素ガスを含む雰囲気下での、真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法により窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜１２を形成する工程と；第１の金属膜１２上に、０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度において、溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により第２の金属膜１４を形成する工程とを備える。
【００２６】
このように構成すると、窒素ガスを含む雰囲気下での、真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法により窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜を形成するので、窒素を含む第１の金属膜が均質に形成され、密着強度が高く安定した２層フィルムの製造方法となる。また、０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度において、溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により第２の金属膜を形成するので、金属層の表面粗さが小さくピンホールの少ない２層フィルムの製造方法となる。さらに、真空蒸着法、イオンプレーティング法またはスパッタリング法により第１の金属膜が形成され、真空蒸着法により第２の金属膜が形成されるので、工業的な生産に適した２層フィルムの製造方法となる。
【００２７】
前記目的を達成するため、請求項１２に記載の発明に係る２層フィルムの製造方法は、例えば図１および図２に示すように、高分子フィルム１０上に、窒素ガスを含む雰囲気下での、真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法によりニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜１２を形成する工程と；第１の金属膜１２上に、０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度において、溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により第２の金属膜１４を形成する工程とを備える。
【００２８】
このように構成すると、窒素ガスを含む雰囲気下での、真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法によりニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜が均質に形成され、密着強度が高く安定した２層フィルムの製造方法となる。また、０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度において、溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により第２の金属膜を形成するので、金属層の表面粗さが小さくピンホールの少ない２層フィルムの製造方法となる。さらに、真空蒸着法、イオンプレーティング法またはスパッタリング法により第１の金属膜が形成され、真空蒸着法により第２の金属膜が形成されるので、工業的な生産に適した２層フィルムの製造方法となる。
【００２９】
また、請求項１３に記載の発明に係るプリント基板の製造方法は、例えば図３に示すように、請求項１１または請求項１２に記載の２層フィルムの製造方法により２層フィルムを製造する工程（Ｓｔ１１〜１６）と；２層フィルムの製造方法（Ｓｔ１１〜１６）により製造された２層フィルムにプリントパターンを形成する工程（Ｓｔ２１〜２５）と；プリントパターンが形成された２層フィルムに素子を配置する工程（Ｓｔ４１）とを備える。
【００３０】
このように構成すると、金属層の表面粗さが小さくファインパターンの形成が容易となり、ピンホールが少なく断線がほとんどなく、また密着強度の高い２層フィルムであって、銅を主成分とする金属膜と高分子フィルムとの密着強度の高い２層フィルムを用いて、配線し、その上に素子を配置するので、信頼性の高いプリント基板の製造方法となる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明に係る２層フィルムでは、高分子フィルムと、高分子フィルム上に形成された窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜と、第１の金属膜上に形成された銅を主成分とする第２の金属膜とを備え、第２の金属膜の表面粗さがＲｚ＝１μｍ以下でありかつ直径３０μｍを超えるピンホールはなく、直径２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが２０個／ｍ２以下、直径１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが８０個／ｍ２以下であるので、ファインパターンの形成が容易となり、導体幅および導体間をさらに狭小化しても断線のほとんどない、また、第１の金属膜が接着層として作用する密着強度の高い２層フィルムとなる。
また、本発明に係る２層フィルムでは、高分子フィルムと、高分子フィルム上に形成されたニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜と、第１の金属膜上に形成された銅を主成分とする第２の金属膜とを備え、第２の金属膜の表面粗さがＲｚ＝１μｍ以下でありかつ直径３０μｍを超えるピンホールはなく、直径２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが２０個／ｍ２以下、直径１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが８０個／ｍ２以下であるので、ファインパターンの形成が容易となり、導体幅および導体間をさらに狭小化しても断線のほとんどない、また、第１の金属膜が接着層として作用する密着強度の高い２層フィルムとなる。
【００３２】
また、本発明に係る２層フィルムの製造方法は、高分子フィルム上に窒素ガスを含む雰囲気下での真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法により窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜を形成する工程と、第１の金属膜上に０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度において溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により第２の金属膜を形成する工程とを備えるので、窒素を含む第１の金属膜が均質に形成され、密着強度が高く安定した２層フィルムの製造方法となり、また、金属層の表面粗さが小さくピンホールの少ない２層フィルムの製造方法となる。さらに、真空蒸着法、イオンプレーティング法またはスパッタリング法により第１の金属膜が形成され、真空蒸着法により第２の金属膜が形成されるので、工業的な生産に適した２層フィルムの製造方法となる。
また、本発明に係る２層フィルムの製造方法は、高分子フィルム上に窒素ガスを含む雰囲気下での真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法によりニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜を形成する工程と、第１の金属膜上に０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度において溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により第２の金属膜を形成する工程とを備えるので、窒素を含む第１の金属膜が均質に形成され、密着強度が高く安定した２層フィルムの製造方法となり、また、金属層の表面粗さが小さくピンホールの少ない２層フィルムの製造方法となる。さらに、真空蒸着法、イオンプレーティング法またはスパッタリング法により第１の金属膜が形成され、真空蒸着法により第２の金属膜が形成されるので、工業的な生産に適した２層フィルムの製造方法となる。
さらに、上記の製造方法で製造した２層フィルムを用いてプリント基板を製造することにより、金属層と高分子層の剥離しにくいプリント基板の製造方法となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。なお、各図において、互いに同一又は相当する装置には同一符号を付し、重複した説明は省略する。
【００３４】
図１（ａ）に、本発明の第１の実施の形態である、２層フィルム１〜３の断面図を示す。２層フィルム１〜３は、主にプリント基板を製造するためのプリント配線板用フィルムとして用いられる。図１（ａ）に示す２層フィルム１は、高分子フィルム１０と、高分子フィルム１０上に形成された第１の金属膜１２と、第１の金属膜１２上に形成された第２の金属膜１４とを備える。ここで、２層フィルム１は、高分子フィルム１０、第１の金属膜１２および第２の金属膜１４を備えるが、１層の高分子フィルム１０と、１層の金属膜（第１の金属膜１２と第２の金属膜１４）とを有するので、２層フィルムと呼ぶ。
【００３５】
高分子フィルム１０としては、その上に金属膜を形成する際に高温に曝される場合、あるいは、２層フィルム上に素子および導線をハンダ付けし、その際に高温に曝される場合などは、耐熱性を有する高分子製のフィルムが好適に用いられる。また、基板に加工する際のエッチング等の処理に対し耐食性を有している高分子であることが好ましい。窒素原子を含む高分子は、一般的に密着性に優れているので、適している。更に、耐熱性に優れているものも多く、窒素原子を含む高分子フィルムが好適に用いられることが多い。特に、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、アラミドなどは高い耐熱性を有するので好適に用いられる。なお、窒素原子は、高分子フィルムの主原料の分子構造に含まれておらず、添加剤に含まれていてもよい。また、高分子フィルムの厚さは、１μｍ以上、５００μｍ以下とし、好ましくは３μｍ以上であり、更に好ましくは１０μｍ以上であり、また、好ましくは３００μｍ以下であり、更に好ましくは１５０μｍ以下である。高分子フィルムの厚さが薄すぎると、回路基板用として取り扱いが困難になり、めっきも行いにくくなる。高分子フィルムの厚さが厚すぎると、剛直になり、柔軟性のない２層フィルムとなってしまう。
【００３６】
第１の金属膜１２は、高分子フィルム１０上に形成された膜であり、窒素原子を含有するニッケルを６０重量％以上１００重量％以下含んでいる。ここで、ニッケルは６０重量％以上１００重量％以下としており、残りは銅、チタンなどであるのが一般的であるが、これらには限られない。また、第１の金属膜１２を、例えば、高分解能ラザフォード・バックスキャッタリング・スペクトロメトリ法（Ｈｉｇｈ Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により検出すると、窒素濃度が１原子％以上５０原子％以下含まれており、好ましくは１原子％以上３０原子％以下、さらに好ましくは１原子％以上２０原子％以下の窒素原子が含まれている。なお、この程度の窒素原子を含有しても、ニッケルの重量％への影響は無視できる程度に小さい。
【００３７】
第１の金属膜１２は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの真空下における製膜法（以下、真空製膜法という。）により形成されることが、均質な膜が得られるので好ましい。これらの真空製膜法によると、真空中でイオン化された金属イオンが高分子フィルム上に析出して膜が形成されるので、金属イオンの元になる膜材料あるいはターゲットに窒素が不純物として含まれていても、イオン化されたときに取り除かれるので、一般的に、形成した金属膜には含有されない。しかし、窒素ガスを含む雰囲気下での真空製膜法により金属膜を形成することにより、窒素原子を含有した金属膜が形成される。ここで明らかなように、本書でいうスパッタリングとは、アルゴンなどの不活性ガスのイオンが金属等のターゲットに衝突し、それによりターゲットからはじき出された金属原子が被着体（スパッタリングにより膜を付着されるもの）の表面に付着するような現象を指すだけではなく、次のような現象をも含む広義のスパッタリングを指す。すなわち、不活性ガスの代わりに反応性ガスとしての窒素ガスを使用することにより、金属等のターゲットから金属原子をはじき出すとともに、金属原子と窒素ガスとの間で反応を生じさせ、被着体の表面に付着し薄膜を形成する。このような現象は、反応性スパッタリングと呼ばれている。また、このとき、窒素イオンが被着体表面に当たり、表面が窒素イオンで処理された状態になる。このような処理はイオンボンバードと呼ばれており、これらの現象を合わせて、プラズマ処理と呼ぶこともある。スパッタリングによれば、イオンの衝突ではじき出された金属原子や反応性ガスを伴った粒子が被着体に衝突するので、密着力が高くなり易い。なお、第１の金属膜１２は、真空製膜法以外の方法で製膜してもよい。
【００３８】
第１の金属膜１２は、高分子フィルム１０と第２の金属膜１４との接着層としての作用を有する。第１の金属膜１２の厚さは、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下とするのがよい。好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、好ましくは３０ｎｍ以下である。このような厚さにすることにより、高分子フィルム１０と第１の金属膜１２および第２の金属膜１４との密着強度が高くなる。詳細には、日本プリント回路工業会ＪＰＣＡ規格「フレキシブルプリント配線板用銅張積層板（接着剤及び無接着タイプ）」ＪＰＣＡ−ＢＭ０３−２００３に準拠した密着強度が、初期で４９０Ｎ／ｍ以上であることが好ましく、また、１２０℃で２４０時間乾熱した後にも２９４Ｎ／ｍ以上であることが好ましい。この密着強度を有することにより、２層フィルム１は、熱を受けて高温に曝されても、金属膜が剥離せず、高密度プリント配線に好適に用いられる２層フィルムとなる。
【００３９】
第２の金属膜１４は、銅を主成分として形成される。ここで、「銅を主成分とする」とは、銅を主体として形成されることをいい、成分中、銅が最も多く含まれていることをいう。好ましくは、銅の含有率は７０重量％以上であり、更に好ましくは９０重量％以上である。第２の金属膜も、真空製膜法により形成することが、膜が均質で緻密に形成されるので、好ましい。第２の金属膜１４は、プリント配線に加工されるもので、厚さは、３００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下とするのがよい。好ましくは、５００ｎｍ以上であり、また好ましくは３０００ｎｍ以下である。第２の金属膜１４は厚く形成すると、後述の第３の金属膜１６を形成し易くなり、あるいは、配線としての電気伝導度がよくなり安定するという効果があるが、厚くし過ぎると、製膜に時間がかかり、コストも余計にかかるので、好ましくない。さらに、製膜する際の熱により、そりやカール等の変形を生じたり、配線に加工する際のエッチングがしにくくなるというデメリットもある。そこで、上記の範囲の厚さとするのがよい。
【００４０】
第２の金属膜１４は、上記の厚さにするためには、真空製膜法の中でも、特に真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法では、金属の蒸発速度が大きいため高速で製膜でき、厚い製膜をし易い。また、スパッタリングに比べ、蒸発金属粒子の持っているエネルギが小さいため被着体に与えるダメージが小さい。真空蒸着を行うには、絶対圧で０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空とし、銅の溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とする。このような真空状態において銅を溶融することにより、銅が蒸発し、被蒸着物である高分子フィルム１０に形成された第１の金属膜１２上で凝固し、膜を形成する。特に、真空度が絶対圧で０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下であり、かつ、銅の溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とすることにより、形成される第２の金属膜１４の表面は平滑で表面粗さが小さくなり、また、形成されるピンホールが少なくなる。具体的には、表面粗さがＲｚ＝１μｍ以下であり、かつ、直径３０μｍを超えるピンホールはなく、直径２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが２０個／ｍ２以下、直径１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが８０個／ｍ２以下である。なお、真空度は、絶対圧で０．００１Ｐａ以上０．０８Ｐａ以下とするのが好ましく、さらに０．０１Ｐａ以上０．０５Ｐａ以下の真空とするのが好ましい。また、銅の溶融温度は、１５００℃以上とするのが好ましく、さらに１６００℃以上とするのが好ましい。
【００４１】
ここで、表面粗さＲｚは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４に準拠して求めた十点平均粗さを指す。また、直径が３０μｍを超えるような大きなピンホールは皆無であるが、小さなピンホールを全くなくすることは難しい。１０μｍを超えるのピンホールであれば、肉眼でも確認できる大きさである。直径２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが２０個／ｍ２以下、直径１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが８０個／ｍ２以下であれば、実際上、断線等が問題になることは殆どない。なお、真空蒸着法ではなく、スパッタリング法により第２の金属膜を形成すると、ピンホールが形成され易い。
【００４２】
図１（ｂ）の断面図に示すように、２層フィルム２は、第１の金属膜１２および第２の金属膜１４を、高分子フィルム１０の両面に有していてもよい。両面に第１の金属膜１２および第２の金属膜１４を有する２層フィルム２を用いることにより、両面にプリント配線を加工できるので、基板の小型化が可能となる。なお、この場合にも、１層の高分子フィルムと、金属膜とを有しているので、２層フィルムという。
【００４３】
また、図１（ｃ）の断面図に示すように、２層フィルム３は、第２の金属膜１４の上に、第３の金属膜１６を形成してもよい。第３の金属膜１６は、銅を主成分とする膜であり、第２の金属膜１４と材料的に類似しており、密着強度は高い。第３の金属膜１６は、厚く形成するので、電着（電気めっきあるいは電鋳）法あるいは無電解めっき（化学めっき）法により形成するのが好適である。第３の金属膜１６の厚さは、１μｍ以上１００μｍ以下とするのが好ましい。第３の金属膜１６も、配線板の配線として加工される。なお、後述するように第３の金属膜１６は第２の金属膜１４上にのみ形成されるので、第２の金属膜１４に断線がある場合には、第３の金属膜１６を形成しても断線の問題が解消されることはほとんどない。さらに、第３の金属膜１６の表面粗さは、第２の金属膜１４の表面粗さとほとんど変化しないので、第２の表面粗さが劣っている場合には、第３の金属膜１６の表面粗さも同様に劣ることになる。
【００４４】
続いて、図２を参照して、本発明の第１の実施の形態である、２層フィルム１の製造方法について説明する。なお、適宜図１をも参照するものとする。図２は、真空槽３３の中で高分子フィルム１０に第１の金属膜１２をスパッタリングにより形成し、第２の金属膜１４を蒸着により形成する、２層フィルム１の製造装置の模式断面図である。他の真空製膜法を組み合わせて２層フィルム１を形成する場合にも、同様の方法で製造することができる。また、ここで説明する方法を用いて、高分子フィルム１０の両面に第１の金属膜１２および第２の金属膜１４を形成することにより、２層フィルム２を製造することができる。また、ここで説明する方法を用いて製造した２層フィルムを用いて、電着によりあるいは無電極めっきにより、第３の金属膜１６を形成すれば、２層フィルム３が製造される。
【００４５】
真空槽３３は、内部を真空に保つための気密性の高い容器であり、例えば、縦３ｍ×横５ｍ×高さ３ｍの円筒形の容器である。真空槽３３には吸気管３４が接続され、その他端は真空ポンプ３５に接続している。真空槽３３内に、高分子フィルム１０がロール状に巻かれた原反４１が設置される。高分子フィルム１０は、原反４１からガイドローラ３２に導かれ、ローラ３１の下部に至る。ローラ３１は、円筒形をしており、高分子フィルム１０の送られる方向（図２中の矢印）と同一方向に、同一の速さで回転する。ローラ３１には、冷媒配管３６、３７が接続している。冷媒配管３６、３７は、真空槽３３の外部の冷媒冷却装置（不図示）に接続し、そこから、冷媒ｒをローラ３１内に供給し、また、戻している。ローラ３１は、冷媒ｒにより冷却され、低温に保たれている。ローラ３１の下部の表面に沿って接した高分子フィルム１０は、その先で、ガイドローラ３２’に導かれ、製品ローラ４２で巻き取られる。
【００４６】
ローラ３１の下には、蒸着材２４が溜められている容器２３が設置されている。容器２３は、電気により加熱されるように構成されている（不図示）。電気による加熱は、電気抵抗加熱でも、誘電加熱でも、高周波誘導加熱でも、他の加熱方法であっても、蒸着材２４の融点より充分に高い温度まで加熱し、温度を維持できる方法であればよい。蒸着材２４としては、銅が好適に用いられる。ローラ３１の下部と容器２３の上面との間隙は、銅材料の種類、温度条件等により変化し、１〜数１００ｍｍの範囲内とするが、上記の範囲内には限られない。
【００４７】
原反４１とローラ３１との間の高分子フィルム１０の走行路にスパッタリングのターゲットとしてのニッケル合金あるいはニッケル（以下、ターゲットという）２２が配置される。ターゲット２２には、陰極が接続され、ターゲット２２に対向する高分子フィルム１０には陽極が接続され、これらの電極間に電圧が掛けられる。ターゲット２２と高分子フィルム１０との間の近くには、窒素ガスＮ２を供給する反応ガス管４３の吐出口４４が設けられる。反応ガス管４３は、外部の窒素ガス供給源から窒素ガスをターゲット２２の近くに供給する。なお、窒素ガスの替わりに、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガスあるいはアンモニアガスを用いてもよい。また、これらのガスとアルゴンガスなどの希ガス（不活性ガス）あるいはその他のガスとの混合ガスであってもよい。
【００４８】
上述の装置を用いて、２層フィルム１を製造するには、先ず、原反４１を真空槽３１内に設置し、上記の通りに高分子フィルム１０を製品ローラ４２まで導く。続いて、真空槽３３内を気密にした上で、真空槽３１内に残留するガスを、真空ポンプ３５により、０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の絶対圧の真空度になるまで減圧する。
【００４９】
真空下で、ターゲット２２と高分子フィルム１０間の電極に電圧を印加することにより、真空槽３３内のガスが電離し、電離したイオンがターゲット２２に衝突することにより、ターゲットからニッケルおよび合金原子が飛び出す。飛び出したニッケルおよび合金原子は、雰囲気の窒素を伴って、高分子フィルムに付着する。これがスパッタリングである。反応ガス管４３から供給される窒素ガスは、窒素濃度が、３０体積％以上１００体積％以下とするのがよい。好ましくは、５０体積％以上とし、更に好ましくは、７０体積％以上であり、最も好ましくは８０体積％以上とする。このように窒素ガスを含む雰囲気においてスパッタリングを行うことにより、高分子フィルム１０上に形成される、ニッケルあるいはニッケル合金の膜に窒素が含有される。ニッケルあるいはニッケル合金が窒素を含有することにより、高分子フィルム１０との密着性が高まる。
【００５０】
また、蒸着材としての銅２４を溜めている容器２３を加熱し、銅２４をその融点（純銅で１０８３℃）より、１００〜１４００℃高い温度まで加熱して温度を維持する。なお、銅２４は、純銅でなく、他の金属成分が含まれていてもよい。真空中で、銅２４を融点より１００〜１４００℃高い温度にすることにより、銅２４の蒸気が発生する。銅合金を用いる場合であっても、好ましくは１３００℃以上２５００℃以下の溶融温度に加熱する。銅を１３００℃以上２５００℃以下の溶融温度にまで加熱し、真空蒸着法により第２の金属膜１４を形成することにより、ピンホールが少なく、かつ、表面粗さの優れた金属膜が形成される。さらに好ましくは、圧力を０．００１Ｐａ以上０．０８Ｐａ以下さらには０．０１Ｐａ以上０．０５Ｐａ以下とし、蒸着材２４としての銅を１５００℃以上、さらには１７００℃以上とすると、直径３０μｍ以上のピンホールはなく、２０〜１０μｍのピンホールが５個／ｍ２以下、２０〜１０μｍのピンホールが２０個／ｍ２以下と少なく、かつ、表面粗さＲｚが０．３μｍ以下の金属膜が形成される。
【００５１】
発生した蒸気は、容器２３の上方の高分子フィルム１０に付着する。これが、蒸着である。蒸気は高分子フィルム１０に付着するときにも高温であるので、高分子フィルム１０は熱による損傷を受ける可能性がある。そこで、ローラ３１を冷媒ｒにより冷却しておく。ローラ３１に沿って接している高分子フィルム１０は、ローラ３１との接触面から冷やされ、蒸着材の蒸気が付着しても高温にはならず、熱による損傷を防ぐことができる。
【００５２】
かかる状態で、高分子フィルム１０を原反４１から、製品ローラ４２に向けて走行させる。走行中、窒素ガスを含む雰囲気下でのスパッタリングによりターゲット２２より第１の金属膜１２としてニッケルあるいはニッケル合金の膜が形成される。その後、ローラ３１の下部において、高分子フィルム１０に、蒸着により第２の金属膜１４として銅２４が付着する。高分子フィルム１０上に第１の金属膜１２と第２の金属膜１４が形成された２層フィルム１は、製品ローラ４２に巻き取られる。高分子フィルム１０を走行させる速さは、１〜１００ｍ／分程度とするのが好適であるが、上記の範囲には限られない。
【００５３】
上記の方法で２層フィルム１を製造することができるので、大量の２層フィルム１を工業的に製造することができる。特にスパッタリングによる第１の金属膜１２の形成と、蒸着による第２の金属膜１４の形成を同時に行うので、製造効率が高くなる。なお、上記の説明では、スパッタリングによる第１の金属膜１２の形成と、蒸着による第２の金属膜１４の形成を同時に行うものとして説明したが、第１の金属膜１２の形成と第２の金属膜１４の形成を、別々に行ってもよい。この場合には、第１回目の高分子フィルム１０の走行で、第１の金属膜１２だけを形成し、製品ローラ４２に巻き取られた高分子フィルム１０を原反４１として、再度走行させ、第２の金属膜１４だけを形成する。このように構成すると、第１の金属膜１２の厚さと第２の金属膜１４の厚さとをそれぞれ任意に調整できる。また、第１の金属膜１２の形成は、スパッタリングに限られず、他の真空製膜法であってもよく、第２の金属膜１４の形成は、蒸着に限られず、他の真空製膜法あるいはその他の製膜法であってもよい。
【００５４】
次に、図１を再び参照して、本発明の第２の実施の形態である、２層フィルム１〜３について説明する。ここで、第２の実施の形態である２層フィルム１では、第１の金属膜１２だけが第１の実施の形態として説明した２層フィルムと異なり、他の構成は同じであるので、第１の金属膜１２についてのみ説明し、他の説明は省略する。
【００５５】
第１の金属膜１２は、高分子フィルム１０上に形成された膜であり、ニッケルを５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含んでいる。ここで、ニッケル原子および窒素原子以外の残りは銅、チタンなどであるのが一般的であるが、これらには限られない。ニッケルや窒素の含有率（原子％）は、例えば、第１の金属膜１２を形成したサンプルを用い、第１の金属膜１２側を例えば１分間ガス粒子等をスパッタリングすることによりエッチングして、第１の金属膜１２の表面を剥離した後に、Ｘ線光電子分光装置で成分分析を行うことにより、測定することが可能である。第１の金属膜１２がニッケル原子を５０原子％以上、窒素原子を１原子％以上含むことにより、高分子フィルム１０と第２の金属膜１４との接着力が強くなる。ただし、窒素原子を５０原子％を超えるほどに大量に含むと接着力が低下する。好ましくは第１の金属膜１２は、窒素原子を１原子％以上３０原子％以下、さらに好ましくは１原子％以上２０原子％以下含む。
【００５６】
第１の金属膜１２は、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの真空製膜法により形成されることが、均質で緻密な膜が得られるので好ましい。これらの真空製膜法によると、真空中でイオン化された金属イオンが高分子フィルム上に析出して膜が形成されるので、金属イオンの元になる膜材料に窒素が不純物として含まれていても、イオン化されたときに取り除かれるので、一般的に、形成した金属膜には含有されない。しかし、窒素ガスを含む雰囲気下での真空製膜法により金属膜を形成することにより、窒素原子を含有した金属膜が形成される。なお、第１の金属膜１２は、真空製膜法以外の方法で製膜してもよい。なお、膜材料とは、真空蒸着法では蒸着される膜の材料である蒸着材、スパッタリング法では、膜の材料となるターゲットなど、各製膜法において、膜を形成する基となる材料をいう。
【００５７】
第１の金属膜１２は、高分子フィルム１０と第２の金属膜１４との接着層としての作用を有する。第１の金属膜１２の厚さは、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下とするのがよい。好ましくは５ｎｍ以上、さらに好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、好ましくは３０ｎｍ以下である。このような厚さにすることにより、高分子フィルム１０と第１の金属膜１２および第２の金属膜１４との密着強度が高くなる。詳細には、日本プリント回路工業会ＪＰＣＡ規格「フレキシブルプリント配線板用銅張積層板（接着剤及び無接着タイプ）」ＪＰＣＡ−ＢＭ０３−２００３に準拠した密着強度が、初期で５９０Ｎ／ｍ以上であることが好ましく、また、１２０℃で２４０時間乾熱した後にも２９４Ｎ／ｍ以上であることが好ましい。この密着強度を有することにより、２層フィルム１は、熱を受けて高温に曝されても、金属膜が剥離せず、高密度プリント配線に用いられるために充分に大きな密着強度を有する２層フィルムとなる。
【００５８】
次に、図１および図２を参照して、第２の実施の形態である２層フィルムの製造方法について説明する。第２の実施の形態である２層フィルムの製造方法は、先に説明した第１の実施の形態である２層フィルムの製造方法と基本的に同じでよいが、第１の金属膜１２を形成するための膜材料の条件が異なる。図２において、原反４１とローラ３１との間の高分子フィルム１０の走行路に配置されるスパッタリングのターゲットとしてのニッケル（以下、ターゲットという）２２は、ニッケルを７５重量％以上含んでいる純度の高いニッケル材料である。好ましくは、ニッケルを９９重量％以上含むと、製膜されたときの膜に含まれるニッケル含有率が高くなり、高分子フィルム１０と第２の金属膜１４とを接着する力が強くなる。さらに、例えばニッケルを９９．９重量％以上含む、実質的なニッケル単体であると、製膜されたときの膜に含まれるニッケル含有率がさらに高くなり接着する力がより強くなるので、好適である。ターゲット２２には、陰極が接続され、ターゲット２２に対向する高分子フィルム１０には陽極が接続され、これらの電極間に電圧が印加される。ターゲット２２と高分子フィルム１０との間の近くには、窒素ガスＮ２を供給する反応ガス管４３の吐出口４４が設けられる。反応ガス管４３は、外部の窒素ガス供給源から窒素ガスをターゲット２２の近くに供給する。反応ガス管４３から供給される窒素ガスは、窒素濃度が、３０体積％以上１００体積％以下とするのがよい。好ましくは、５０体積％以上とし、更に好ましくは、７０体積％以上とすると、製膜される第１の金属膜に含まれるニッケルおよび窒素原子以外の原子の含有率が減少して好ましい。更に、８０体積％以上とすると、ほとんど他の原子が含まれなくなり、好適である。窒素ガスを含む雰囲気においてスパッタリングを行うことにより、高分子フィルム１０上に形成される、ニッケルの膜に窒素が含有される。ニッケルが窒素を含有することにより、高分子フィルム１０との密着性が高まると共に、高温での接着力の低下を防止することが可能となる。第２の実施の形態である２層フィルムの製造方法における他の工程は、第１の実施の形態である２層フィルムの製造方法で説明したことと同様であるので、重複する説明は省略する。
【００５９】
続いて、図３のフローチャートを参照して、第１の実施の形態である２層フィルムを用いた、プリント基板の製造方法例について、説明する。図３中、破線で示した経路（Ｓｔ１６、Ｓｔ２７〜２８およびＳｔ２９）は、必ずしも通らなくても（実施されなくても）よい経路であり、Ｓｔ１６とＳｔ２７〜２８との両方を通ることはない。
【００６０】
まず、真空にされた真空槽内に窒素ガスを供給し（Ｓｔ１１）、窒素ガスを供給しながらスパッタリングによりニッケル膜を形成する（Ｓｔ１２）。更に、真空槽内で、ニッケル膜に重ねて銅の膜を真空蒸着法で形成し、２層フィルムとする（Ｓｔ１３）。これまで説明したように、窒素ガスを供給しながらニッケル膜を形成することにより、窒素原子を有するニッケルの膜が形成され、ニッケル膜に重ねて銅の膜を形成することにより、高分子フィルムとの密着強度の高い２層フィルムが形成される。また、２層フィルムの製造方法は、これまで説明したような他の方法であってもよい。特に、０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度とし、銅を１３００℃以上２５００℃以下の溶融温度に加熱して第２の金属膜を形成することにより、ピンホールが少なく、かつ、表面粗さの優れた第２の金属膜となる。
【００６１】
例えば、ネガ型の場合、２層フィルムの銅膜の上に、後段の現像工程で溶出されない性質を有する物質を塗付してレジストを形成する（Ｓｔ２１）。レジスト上にマスクパターンを露光する（Ｓｔ２２）。レジストは露光されることにより硬化し、後段の現像工程でも、溶解されなくなる。そこで、現像することにより、硬化しなかったレジストを溶出し、マスクパターンに従ったレジストを銅膜の上に残す（Ｓｔ２３）。現像されたならば、エッチングを施す（ＳＴ２４）。エッチングにより、レジストが溶出した部分の下の銅膜を溶出する。すなわち、露光した部分にだけ、銅膜とレジストが残る。レジストを剥離することにより、残った銅膜が導電路となり、プリントパターンが形成された基板が製造される（Ｓｔ２５）。このプリントパターンを形成するときに、第２の金属膜の表面が平滑であると、ファインパターンを形成し易くなる。すなわち、表面粗さが粗いと、レジスト用いて、細かなマスクパターンを銅膜上に残しにくくなる。また、プリント基板の高密度化が進み、導電路が細かくなると、第２の金属膜である銅膜に存在する欠陥により導電路が断線する恐れがある。第２の金属膜に形成されたピンホールは、この欠陥の代表である。ピンホールが例えば１０μｍ以下の極微小な大きさであれば、ピンホールにより導電路が断線することはないが、１０μｍを超えると導電路の断線の原因となりうる。そこで、第２の金属膜を、１０μｍを超えるピンホールを少なく形成することが重要となる。
【００６２】
プリントパターンが形成された基板に導線をハンダ付けし（Ｓｔ３１）、所定の素子を装着することによりプリント基板が製造される（Ｓｔ４１）。このプリント基板の製造方法によれば、金属層と高分子層との密着強度が高く、配線が剥離しにくく、さらに、ファインパターンを形成し易く、また、断線の可能性が少ないので、導体幅および導体間を狭小にし、かつ、信頼性を高くすることができ、プリント基板の小型化が実現できる。なお、プリントパターンが形成された基板に、さらに電解法または無電解めっき法により、銅を主成分とするめっき膜を形成してもよい（Ｓｔ２９）。銅を主成分とするめっき層は、銅膜により形成された銅電路上には形成されるが、高分子の膜が露出した部分には形成されない、すなわち、プリントパターンが形成された基板にめっき膜を形成することにより、導電路を厚くすることができる。導電路が厚くなると、電導性が高くなり、好適である。
【００６３】
２層フィルムが形成された（Ｓｔ１３）後、更に、めっきあるいは他の方法により銅膜を重ねて形成してもよい（Ｓｔ１６）。銅膜を重ねて形成することにより、銅膜の厚さが厚くなり、すなわち、プリントされる導電路が太くなり、電気抵抗が減少する。このようにすると、プリントされる平面上での太さを変えることなく、導電路を太くすることができ、プリント基板の大きさを大きくすることがないので、好適である。なお、この場合においても、重ねられる導膜は、第２の金属膜としての銅膜上にだけ重ねられる。すなわち、第２の金属膜にピンホールが形成されていると、当該部分には銅膜が重ねられず、ピンホールとして残る。また、重ねられる銅膜の表面粗さは、第２の金属膜としての銅膜の表面粗さとほぼ等しくなり、第２の金属膜の平滑性を担保しておくことは、銅膜を重ねた後に、レジストを用いてプリントパターンを形成する場合にも、ファインパターンを形成し易くする。
【００６４】
あるいは、２層フィルムにマスクパターンが露光され、現像された（Ｓｔ２３）後、次のようにプリントパターンが形成された基板を製造してもよい。先ず、現像することにより、マスクパターンに従ったレジストだけを残した後に、銅をめっきする（Ｓｔ２７）。すると、レジスト上にはめっきされないので、現像により銅膜が露出した部分にだけ、銅がめっきされる。そこで、レジストとその下の銅膜とを取り除くことにより、プリントパターンが形成された基板が製造される（Ｓｔ２８）。この方法は、セミアディティブ法と呼ばれ、露光する部分は、導電路がプリントされる部分であり、これまで説明した方法とは逆になり、ポジ型と呼ばれる露光となる。なお、露光されなかった部分が導電路である露光が、ネガ型と呼ばれる。このセミアディティブ法を用いることにより、導電路の太さ（銅膜の厚さ）を容易に厚くすることができ、しかも、現像する前に銅膜をめっきする方法に比べ、溶出される銅の量を少なくすることができ、すなわち銅の消費量を減らすことができる。
【００６５】
プリント基板の製造方法は、上記に限られず、種々の方法をとることができるが、高分子フィルム上に、窒素ガスを含む雰囲気下での真空製膜法によりニッケルを６０重量％以上含む第１の金属膜を形成し、その上に、０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度において銅を１３００℃以上２５００℃以下の溶融温度に加熱して銅を主成分とする第２の金属膜を形成した２層フィルムを用いて、プリントパターンが形成された基板を作り、素子を配置してプリント基板を製造することにより、金属層と高分子層との密着強度が高く、かつ、ピンホールが少なく、表面の平滑性が担保され、ファインパターンの形成に適したプリント基板が製造される。
【００６６】
第２の実施の形態である２層フィルムを用いて、プリント基板を製造するには、上述のプリント基板の製造方法において、純度の高いニッケルを膜材料に用いるなどして、第１の金属膜がニッケル原子を５０原子％以上、窒素原子を１原子％以上含むように形成すればよい。このようにプリント基板を製造することより、金属層と高分子層との密着強度がより高く、配線がより剥離しにくいプリント基板が製造される。
【実施例１】
【００６７】
以下、実施例と比較例により、本願発明に係る２層フィルムの効果を確認する。先ず、第１の実施の形態である２層フィルムの実施例１〜５について説明する。
【００６８】
厚み２５μｍ、幅５００ｍｍ、長さ２００ｍのポリイミドフィルム（登録商標：カプトンＥＮ、東レ・デュポン社製）を真空槽内にセットする。０．０２Ｐａの真空度にする。ニッケルＮｉをターゲットとし、１００体積％の窒素ガス１００ｍｌ／分を真空槽内に供給しながら、スパッタリングを行ない第１の金属膜を製膜した。その厚みは、２０ｎｍであった。次に１７００℃で溶融した銅を用いて、第１の金属膜の表面に真空蒸着法で銅の膜を製膜し、厚み７００ｎｍの第２の金属膜を形成した。
【実施例２】
【００６９】
厚み２５μｍ、幅５００ｍｍ、長さ２００ｍのポリイミドフィルム（登録商標：カプトンＥＮ、東レ・デュポン社製）を真空槽内にセットする。０．０１Ｐａの真空度にする。ニッケルＮｉをターゲットとし、１００体積％の窒素ガス１００ｍｌ／分を真空槽内に供給しながら、スパッタリングを行ない第１の金属膜を製膜した。その厚みは、２０ｎｍであった。次に１９００℃で溶融した銅を用いて、第１の金属膜の表面に真空蒸着法で銅の膜を製膜し、厚み５００ｎｍの第２の金属膜を形成した。
【実施例３】
【００７０】
厚み２５μｍ、幅５００ｍｍ、長さ２００ｍのポリイミドフィルム（登録商標：カプトンＥＮ、東レ・デュポン社製）を真空槽内にセットする。０．０４Ｐａの真空度にする。ニッケルＮｉと銅Ｃｕの合金（Ｎｉ：Ｃｕ＝８０：２０重量％）をターゲットとし、１００体積％の窒素ガス１００ｍｌ／分を真空槽内に供給しながら、スパッタリングを行ない第１の金属膜を製膜した。その厚みは、２０ｎｍであった。次に２１００℃で溶融した銅を用いて、第１の金属膜の表面に真空蒸着法で銅の膜を製膜し、厚み２００ｎｍの第２の金属膜を形成した。
【実施例４】
【００７１】
厚み２５μｍ、幅５００ｍｍ、長さ２００ｍのポリイミドフィルム（登録商標：カプトンＥＮ、東レ・デュポン社製）を真空槽内にセットする。０．０１Ｐａの真空度にする。ニッケルＮｉをターゲットとし、１００体積％の窒素ガス１００ｍｌ／分を真空槽内に供給しながら、スパッタリングを行ない第１の金属膜を製膜した。その厚みは、２０ｎｍであった。次に１６００℃で溶融した銅を用いて、第１の金属膜の表面に真空蒸着法で銅の膜を製膜し、厚み１５００ｎｍの第２の金属膜を形成した。
【実施例５】
【００７２】
厚み２５μｍ、幅５００ｍｍ、長さ２００ｍのポリイミドフィルム（登録商標：カプトンＥＮ、東レ・デュポン社製）を真空槽内にセットする。０．０２Ｐａの真空度にする。ニッケルＮｉをターゲットとし、６０体積％の窒素ガスと４０体積％のアルゴンガスとの混合ガス１５０ｍｌ／分を真空槽内に供給しながら、スパッタリングを行ない第１の金属膜を製膜した。その厚みは、１３ｎｍであった。次に１５５０℃で溶融した銅を用いて、第１の金属膜の表面に真空蒸着法で銅の膜を製膜し、厚み１０００ｎｍの第２の金属膜を形成した。
【００７３】
実施例１〜５と比較するため、真空度を下げ（絶対圧を上げ）、銅の溶融温度を下げた真空蒸着法により、２層フィルムを製造した。
［比較例１］
厚み２５μｍ、幅５００ｍｍ、長さ２００ｍのポリイミドフィルム（登録商標：カプトンＥＮ、東レ・デュポン社製）を真空槽内にセットする。０．２Ｐａの真空度にする。ニッケルＮｉをターゲットとし、１００体積％の窒素ガス１００ｍｌ／分を真空槽内に供給しながら、スパッタリングを行ない第１の金属膜を製膜した。その厚みは、２０ｎｍであった。次に１２７０℃で溶融した銅を用いて、第１の金属膜の表面に真空蒸着法で銅の膜を製膜し、厚み２００ｎｍの第２の金属膜を形成した。
［比較例２］
厚み２５μｍ、幅５００ｍｍ、長さ２００ｍのポリイミドフィルム（登録商標：カプトンＥＮ、東レ・デュポン社製）を真空槽内にセットする。０．３Ｐａの真空度にする。ニッケルＮｉをターゲットとし、１００体積％の窒素ガス１００ｍｌ／分を真空槽内に供給しながら、スパッタリングを行ない第１の金属膜を製膜した。その厚みは、２０ｎｍであった。次に１２３０℃で溶融した銅を用いて、第１の金属膜の表面に真空蒸着法で銅の膜を製膜し、厚み２００ｎｍの第２の金属膜を形成した。
【００７４】
上記の実施例１〜５および比較例１、２の方法で製造した２層フィルムについて、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４に準拠して表面粗さＲｚを計測した。また、反射式顕微鏡を用いて、ピンホールを観察した。
【００７５】
図４に、実施例１〜５及び比較例１、２の２層フィルムの表面粗さＲｚ計測とピンホール観察の結果をまとめて示す。図４でも明らかなとおり、実施例１〜５の２層フィルムにおいては、何れのケースとも、表面粗さＲｚが０．３μｍ以下と表面が平滑である結果が示され、また、ピンホールも２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが５個以下、１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが１５個／ｍ２以下と形成されるピンホールが少ないという結果が示された。なお、ピンホールの形状は必ずしも円形ではないが、平均径を直径として測定した。一方、比較例においては、比較例１でＲｚが１．２μｍ、比較例２でＲｚが２．３μｍと、かなり平滑度が劣ることが示された。また、ピンホールについても、比較例１では２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが１６個／ｍ２、１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが６７個／ｍ２と多目となり、比較例２では２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが１７個／ｍ２、１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが６７個／ｍ２とさらに増加した。なお、ピンホールは、いずれの実施例、比較例においても、直径３０μｍ以上のものは観察されず、直径１０〜３０μｍの大きさであった。直径１０μｍ以下のものは観察の対象外とした。したがって、真空度を０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下とし、銅の溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした真空蒸着法で第２の金属膜である銅膜を形成すると、ピンホールが少なく、表面が平滑な２層フィルムが製造されることが示された。特に、銅の溶融温度を１５５０℃以上２１００℃以下の範囲で、真空度を０．０１Ｐａ以上０．０４以下として実施例の範囲では、表面粗さは０．２８μｍ以下で、かつ、２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが５個以下、１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが１５個／ｍ２以下であった。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の実施の形態である２層フィルムの断面図である。（ａ）は、高分子フィルムの片面に第１の金属膜と第２の金属膜を形成した２層フィルムである。（ｂ）は、高分子フィルムの両面に第１の金属膜と第２の金属膜を形成した２層フィルムである。（ｃ）は、高分子フィルムの片面に第１の金属膜と第２の金属膜を形成し、更に第３の金属膜を形成した２層フィルムである。
【図２】２層フィルムの製造装置の模式断面図である。
【図３】２層フィルムを用いたプリント基板の製造方法例を説明するフローチャートである。
【図４】本発明の第１の実施の形態による実施例と比較例との２層フィルムにおける、表面粗さの計測結果とピンホールの観察結果をまとめた図である。
【符号の説明】
【００７７】
１〜３ ２層フィルム
１０ 高分子フィルム
１２ 第１の金属膜
１４ 第２の金属膜
１６ 第３の金属膜
２２ ターゲット
２３ （蒸着材の）容器
２４ 蒸着材
３１ ローラ
３２、３２’ ガイドローラ
３３ 真空槽
３４ 吸気管
３５ 真空ポンプ
３６、３７ 冷媒配管
４１ 原反
４２ 製品ロール
４３ 反応ガス管
４４ 吐出口
ｒ 冷媒
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子フィルムと；
前記高分子フィルム上に形成された、窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜と；
前記第１の金属膜上に形成された、銅を主成分とする第２の金属膜とを備え；
前記第２の金属膜の表面粗さがＲｚ＝１μｍ以下であり、かつ、直径３０μｍを超えるピンホールはなく、直径２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが２０個／ｍ２以下、直径１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが８０個／ｍ２以下である；
２層フィルム。
【請求項２】
高分子フィルムと；
前記高分子フィルム上に形成された、ニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜と；
前記第１の金属膜上に形成された、銅を主成分とする第２の金属膜とを備え；
前記第２の金属膜の表面粗さがＲｚ＝１μｍ以下であり、かつ、直径３０μｍを超えるピンホールはなく、直径２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが２０個／ｍ２以下、直径１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが８０個／ｍ２以下である；
２層フィルム。
【請求項３】
高分子フィルムと；
前記高分子フィルム上に形成された、窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜と；
０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度における銅を蒸着金属とする真空蒸着法により、前記第１の金属膜上に形成された第２の金属膜とを備える；
２層フィルム。
【請求項４】
高分子フィルムと；
前記高分子フィルム上に形成された、ニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜と；
０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度における銅を蒸着金属とする真空蒸着法により、前記第１の金属膜上に形成された第２の金属膜とを備える；
２層フィルム。
【請求項５】
高分子フィルムと；
前記高分子フィルム上に形成された、窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜第１の金属膜と；
溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により、前記第１の金属膜上に形成された第２の金属膜とを備える；
２層フィルム。
【請求項６】
高分子フィルムと；
前記高分子フィルム上に形成された、ニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜と；
溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により、前記第１の金属膜上に形成された第２の金属膜とを備える；
２層フィルム。
【請求項７】
前記高分子フィルムが、窒素原子を含む高分子で形成された；
請求項１ないし請求項６のいずれか1項に記載の２層フィルム。
【請求項８】
前記窒素原子を含む高分子が、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミドおよびアラミドからなる群のうちのいずれか１つを含む；
請求項７に記載の２層フィルム。
【請求項９】
前記第１の金属膜の厚さが、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、
前記第２の金属膜の厚さが、３００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下である；
請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の２層フィルム。
【請求項１０】
前記第２の金属膜の上に、銅を主成分とする第３の金属膜を電着法または無電解めっき法により形成した；
請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の２層フィルム。
【請求項１１】
高分子フィルム上に、窒素ガスを含む雰囲気下での、真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法によりニッケルを６０重量％以上１００重量％以下含む第１の金属膜を形成する工程と；
前記第１の金属膜上に、０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度において、溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により第２の金属膜を形成する工程とを備える；
２層フィルムの製造方法。
【請求項１２】
高分子フィルム上に、窒素ガスを含む雰囲気下での、真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法によりニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜を形成する工程と；
前記第１の金属膜上に、０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度において、溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により第２の金属膜を形成する工程とを備える；
２層フィルムの製造方法。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２に記載の２層フィルムの製造方法により２層フィルムを製造する工程と；
前記２層フィルムの製造方法により製造された２層フィルムにプリントパターンを形成する工程と；
前記プリントパターンが形成された２層フィルムに素子を配置する工程とを備える；
プリント基板の製造方法。
【請求項１】
高分子フィルムと；
前記高分子フィルム上に形成された、窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜と；
前記第１の金属膜上に形成された、銅を主成分とする第２の金属膜とを備え；
前記第２の金属膜の表面粗さがＲｚ＝１μｍ以下であり、かつ、直径３０μｍを超えるピンホールはなく、直径２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが２０個／ｍ２以下、直径１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが８０個／ｍ２以下である；
２層フィルム。
【請求項２】
高分子フィルムと；
前記高分子フィルム上に形成された、ニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜と；
前記第１の金属膜上に形成された、銅を主成分とする第２の金属膜とを備え；
前記第２の金属膜の表面粗さがＲｚ＝１μｍ以下であり、かつ、直径３０μｍを超えるピンホールはなく、直径２０μｍを超え３０μｍ以下のピンホールが２０個／ｍ２以下、直径１０μｍを超え２０μｍ以下のピンホールが８０個／ｍ２以下である；
２層フィルム。
【請求項３】
高分子フィルムと；
前記高分子フィルム上に形成された、窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜と；
０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度における銅を蒸着金属とする真空蒸着法により、前記第１の金属膜上に形成された第２の金属膜とを備える；
２層フィルム。
【請求項４】
高分子フィルムと；
前記高分子フィルム上に形成された、ニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜と；
０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度における銅を蒸着金属とする真空蒸着法により、前記第１の金属膜上に形成された第２の金属膜とを備える；
２層フィルム。
【請求項５】
高分子フィルムと；
前記高分子フィルム上に形成された、窒素と６０重量％以上１００重量％以下のニッケルとを含む第１の金属膜第１の金属膜と；
溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により、前記第１の金属膜上に形成された第２の金属膜とを備える；
２層フィルム。
【請求項６】
高分子フィルムと；
前記高分子フィルム上に形成された、ニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜と；
溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により、前記第１の金属膜上に形成された第２の金属膜とを備える；
２層フィルム。
【請求項７】
前記高分子フィルムが、窒素原子を含む高分子で形成された；
請求項１ないし請求項６のいずれか1項に記載の２層フィルム。
【請求項８】
前記窒素原子を含む高分子が、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミドおよびアラミドからなる群のうちのいずれか１つを含む；
請求項７に記載の２層フィルム。
【請求項９】
前記第１の金属膜の厚さが、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、
前記第２の金属膜の厚さが、３００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下である；
請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の２層フィルム。
【請求項１０】
前記第２の金属膜の上に、銅を主成分とする第３の金属膜を電着法または無電解めっき法により形成した；
請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の２層フィルム。
【請求項１１】
高分子フィルム上に、窒素ガスを含む雰囲気下での、真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法によりニッケルを６０重量％以上１００重量％以下含む第１の金属膜を形成する工程と；
前記第１の金属膜上に、０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度において、溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により第２の金属膜を形成する工程とを備える；
２層フィルムの製造方法。
【請求項１２】
高分子フィルム上に、窒素ガスを含む雰囲気下での、真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法によりニッケル原子を５０原子％以上９９原子％以下、窒素原子を１原子％以上５０原子％以下含む第１の金属膜を形成する工程と；
前記第１の金属膜上に、０．００１Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の真空度において、溶融温度を１３００℃以上２５００℃以下とした銅を蒸着金属とする真空蒸着法により第２の金属膜を形成する工程とを備える；
２層フィルムの製造方法。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２に記載の２層フィルムの製造方法により２層フィルムを製造する工程と；
前記２層フィルムの製造方法により製造された２層フィルムにプリントパターンを形成する工程と；
前記プリントパターンが形成された２層フィルムに素子を配置する工程とを備える；
プリント基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００７−２４５６４６（Ｐ２００７−２４５６４６Ａ）
【公開日】平成１９年９月２７日（２００７．９．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−７５１８１（Ｐ２００６−７５１８１）
【出願日】平成１８年３月１７日（２００６．３．１７）
【出願人】（３９１０５７４２１）加古川プラスチックス株式会社 (5)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年９月２７日（２００７．９．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年３月１７日（２００６．３．１７）
【出願人】（３９１０５７４２１）加古川プラスチックス株式会社 (5)
【Ｆターム（参考）】
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