【課題】スパッタリング中にターゲットからの粒子の落下を効果的に減少させることができる、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料のためのターゲットを提供する。
【解決手段】立方結晶構造を有するマグネシウム一酸化物ベースの（ＭｇＯベースの）複合物からなるターゲットであって、ＭｇＯベースの複合物が、ＭｇＯおよび単数または複数の酸化物を備える、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料のためのターゲット。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法によってＭｇＦ_２薄膜を形成するとともに、実用上問題のない反射率特性を維持しつつ、耐擦傷性の高い反射防止膜を提供する。
【解決手段】波長５００ｎｍにおける屈折率が１．３４〜１．４４のポーラスＳｉＯ_２層と、ポーラスＳｉＯ_２層の基板から遠い面に隣接するように形成された、膜厚５〜５０ｎｍのＭｇＦ_２層と、を有する。また、成膜圧力を０．５〜１０Ｐａに設定してＳｉＯ_２をスパッタリング成膜する第１工程と、第１工程で成膜したＳｉＯ_２上に、粒径０．１〜１０ｍｍの顆粒状ＭｇＦ_２をターゲットとし、Ｏ_２ガス雰囲気でＭｇＦ_２をスパッタリング成膜する第２工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】各種デバイスを積層するための基材とするためのポリイミドフィルムと支持体との積層体であって、デバイス作製時の高温プロセスにおいても剥がれることなく、しかもポリイミドフィルム上にデバイスを作製した後には容易に支持体からポリイミドフィルムを剥離することができる積層体を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルム６として、少なくとも支持体１に対向させる面にプラズマ処理が施されたフィルムを用い、支持体１とポリイミドフィルム６とが対向する面の少なくとも一方にカップリング剤を用いて、接着剥離強度は異なり表面粗さは略同一である良好接着部分と易剥離部分とを形成するパターン化処理を施した後、重ね合わせて加圧加熱処理することとし、ポリイミドフィルム６は、７０モル％以上がベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類を主成分とするジアミン類とテトラカルボン酸類との反応によって得られる。 （もっと読む）

【課題】積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上に（１００）優先配向のスピネルフェライト薄膜を製造する方法であって、前記製造方法は、スパッタリング法でスピネルフェライト薄膜もしくはその前駆体となる薄膜を基板上に形成するスパッタ成膜ステップと、その基板を真空中で加熱する真空加熱ステップとを有することを特徴とするスピネルフェライト薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】稀少な蒸着原料を浪費することなく、効率的な拡散処理を行える拡散処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の蒸着処理装置（１）は、被処理材を収容する処理室（１０）と、処理室内に配置された被処理材（Ｍ）を加熱する第一加熱手段（１３）と、処理室内の雰囲気を調整する第一雰囲気調整手段と、処理室に連通可能に設けられ蒸着源（Ｄ）を収容し得る蒸着源室（２０）と、処理室と蒸着源室との間で蒸着源を移動させ得ると共に被処理材へ近接させ得る近接移動手段（２１）と、処理室と蒸着源室との連通と遮断を蒸着源の移動に応じて切換える切換手段（３０）と、蒸着源を加熱する第二加熱手段（２２）と、蒸着源室内の雰囲気を調整する第二雰囲気調整手段と、を備える。これによれば被処理材と蒸着源とを、独立して加熱できると共に任意のタイミングで接近させることができる。従って蒸着自由度が非常に高くなり、効率的な蒸着処理等が可能となる。 （もっと読む）

ナノ粒子とポリマー材料との組み合わせをチャンバー内にある表面にイオン化又は活性化技術、特にプラズマ処理、を使って適用することを含む、基材上に撥液性表面を形成するための方法。 （もっと読む）

【課題】単一のスパッタリングチャンバを用いて基板に形成された開口部内へのＡｌ材料のコンタクト埋め込みを適切に行えるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１００は、Ａｌからなるターゲット３５Ｂおよび開口部が形成された基板３４Ｂを格納可能なスパッタリングチャンバ３０と、カソードユニット４１およびアノードＡ間の放電によりプラズマを形成可能なプラズマガン４０と、プラズマガン４０から放出されたプラズマを磁界の作用によりシート状に変形可能な磁界発生手段２４Ａ、２４Ｂと、を備える。シートプラズマ２７は、スパッタリングチャンバ３０内の基板３４Ｂとターゲット３５Ｂとの間を通過するように誘導され、シートプラズマ２７中の荷電粒子によってターゲット３５ＢからスパッタリングされたＡｌ材料が基板３４Ｂの開口部に堆積する際に、Ａｌ材料からなる堆積膜のカバレッジ性が、プラズマ放電電流ＩＤおよび基板バイアス電圧ＶＡに基づいて調整されている。 （もっと読む）

【課題】液中プラズマを用いて液体のみならず固体をも原料とした皮膜を基材の表面に成膜する方法において、成膜条件の大幅な変更を伴うことなく、所望の割合で固体の原料を含有する皮膜を成膜できる成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の液中プラズマを用いた成膜方法は、第一の原料を含む固体からなるターゲットＴ_１と基材Ｓ_１とを互いに対向させて、第二の原料を含むまたは含まない液体Ｌ_１中に配設する配設工程と、液体Ｌ_１中にスパッタガスＧ_１を供給して少なくともターゲットＴ_１と基材Ｓ_１との間に気相空間Ｖ_１を形成する気相空間形成工程と、気相空間Ｖ_１に少なくともスパッタガスＧ_１のプラズマを発生させるプラズマ発生工程と、を経て、プラズマによりターゲットＴ_１をスパッタリングさせて基材Ｓ_１の表面に少なくとも第一の原料を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの表面上に発生する磁場の強度を高めながら、ターゲットを適切に冷却することができ、なお且つ、ターゲットの小径化に対応可能なマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗが配置される反応容器と、反応容器内を減圧排気する減圧排気手段と、被処理基板Ｗを処理する処理手段１Ａとを備え、処理手段１Ａは、被処理基板Ｗに対向してターゲットＴを保持する保持手段８と、ターゲットＴの表面上に磁場Ｍを発生させる磁気発生手段１１と、ターゲットＴを冷却する冷却手段４０とを有し、ターゲットＴの被処理基板Ｗと対向する面とは反対側に、磁気発生手段１１が配置されると共に、この磁気発生手段１１の外側に冷却手段４０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 真空成膜装置によりコーティング膜上に無機膜を成膜する際に、無機膜の割れ／抜け等の欠陥を引き起こすコーティング膜の平滑性悪化を防止する機能性フィルムの製造方法、及び製造装置を提供する。
【解決手段】
コーティング膜成膜装置２０内で、フィルムロール４０から連続的に支持体Ｂを送り出し、支持体Ｂ上にコーティング膜を成膜し、支持体Ｂを大気圧より減圧下でフィルムロール４２に巻き取る。次いで、フィルムロール４２を真空成膜装置２２内に装填し、フィルムロール４２から連続的に支持体Ｂを送り出し、コーティング膜上に無機膜を成膜し、支持体Ｂをフィルムロール４８に巻き取る。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、簡単な制御で、逆スパッタの防止による膜の高品質化、組成ズレの制御および成膜の再現性向上を図り、膜質の変化のない高品質な圧電膜、絶縁膜や導電体膜などの薄膜を成膜することができるスパッタリング方法およびスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に、ターゲット材を保持するスパッタ電極およびスパッタ電極と対向離間配置され、基板を保持する基板ホルダを有し、さらに基板ホルダのインピーダンスを調整するための調整可能なインピーダンス回路を備えるインピーダンス調整回路とを有し、インピーダンス回路のインピーダンスが調整されることにより、基板ホルダのインピーダンスが調整され、基板の電位が調整されることにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】平坦で薄いＡｌＮ薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ薄膜２は、ＩＩＩ族元素、ＩＶ族元素およびＶ族元素から選ばれた１種以上の添加元素を０．００１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下含む。該ＡｌＮ薄膜２は、ＩＩＩ族元素、ＩＶ族元素およびＶ族元素から選ばれた１種以上の添加元素を０．００１ｗｔ以上１０ｗｔ％以下含むＡｌＮ焼結体を真空チャンバ内にセットし、基材１を真空チャンバ内にセットした状態で、ＡｌＮ焼結体にレーザを照射することで発生したプラズマを用いて基材１上に形成可能である。 （もっと読む）

【課題】配向した窒化タンタル膜が配された電子デバイス用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】被成膜面１ａが（１１１）配向したシリコンからなる基材１と、Ｔａからなるターゲットと、Ａｒ及びＮ２からなるプロセスガスとを用いて反応性スパッタリングを行うと、基材１の前記被成膜面１ａ上に、少なくとも（１００）配向した窒化タンタル膜が形成される。前記のことから（１００）配向した窒化タンタル膜から構成された電子デバイス用の（１１１）配向した基板１０を提案する。 （もっと読む）

【課題】大型基板であっても基板面内の特性が均一なＩＴＯ導電性薄膜の製造方法と、そのための装置と、それを用いたカラーフィルターの製造方法を提供する。
【解決手段】大型基板をキャリア上に載置して、ＩＴＯの透明導電性薄膜をこの大型基板上にスパッタリングにより形成する方法であって、Ｏ_２ガス流量を基板搬送方向に垂直な方向に独立に分割調整して透明導電性薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の非導電性の基板に対してバイアススパッタによる成膜を行う枚葉式の成膜装置において、生産性を維持したままで、良好にＤＣバイアスを印加することができるようにする。
【解決手段】非導電性の基板１を保持する基台６と、バイアス印加用端子１３を基板１上に成膜された導電性膜に接触させることによってこの導電性膜にバイアス電圧を印加するバイアス印加手段とを備える。バイアス印加用端子１３は、形状記憶合金等、温度に応じて形状が変化する部材によって形成されており、温度変化による変形によって、基台６上に保持された基板１に接離する。 （もっと読む）

例えば黒鉛状あるいはアモルファス炭素（すなわちａ−Ｃ）などの非ダイヤモンド状炭素とダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）との両方を含む様々な自己支持多層炭素フィルムが開示される。例えばアモルファス炭素の２つの層の間に挟まれた単一のＤＬＣ層を含む３層構造を含む最終製品において望まれる性質の特定の組み合わせに応じて、広範囲の多層構造が構成されてもよい。十分平坦な堆積面を含む適切な基板を用意する工程と、離型剤あるいは剥離剤を堆積面に塗布する工程と、複合炭素フィルムを形成するためにアモルファス炭素層とＤＬＣ炭素層との両方を含む複数の炭素層を堆積する工程と、複合炭素フィルムを基板から取り外す工程とを含む複合多層フィルムの製造方法の実施形態も開示される。
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【課題】熱応力の大きな変化に対し高い抵抗力を有し、とりわけ複数の層を備えるべき断熱層を有する部品、とりわけガスタービン翼の提供。
【解決手段】基部本体１、とりわけ少なくとも１つのニッケル基及び／又はコバルト基合金を含む金属基部本体、及び前記基部本体１上に直接配置される層構造体も含む部品、且つ関連する被覆装置及び方法にも関する。この層構造体は、接合促進層２、及び同様にＴＧＯ層３、とりわけ低成長アルミニウム酸化物層４及び／又はクロム酸化物層、並びにＴＧＯ層の上に直接配置される少なくとも１つの酸化物セラミック層及び酸化物セラミック層４の上に配置されるＡ_２Ｅ_２Ｏ_７パイロクロリンのカバー層５を含む、前記接合促進層上に配置される断熱層を含む。 （もっと読む）

本発明はエレメント、そのための製造方法および装置、およびそのエレメントの使用方法を開示し、そのエレメントは電流の助けによってフィルム状構造中に熱的効果を提供するための少なくとも一つのフィルム材料から形成される導電性フィルム状構造を有する。
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ナノ粒子などの粒子を製造するための方法が提供される。該方法は、イオン性液体を蒸着室中へ導入する工程、および物理的蒸着により１種類もしくは複数の材料を該イオン性液体に誘導するか、または１種類もしくは複数の材料を該イオン性液体上に蒸着して、該イオン性液体中にナノ粒子を形成する工程を包含する。ナノ粒子を製造するための方法は、イオン性液体を蒸着室中へ導入する工程、該蒸着室を排気し、１および７ミクロンＨｇの範囲内の真空を形成する工程、ならびに１種または複数の材料を該イオン性液体に誘導するために該蒸着室中の１つまたは複数のカソードをスパッタリングし、該イオン性液体中にナノ粒子を形成する工程を包含する。本発明の組成物は、イオン性液体および物理的蒸着により該イオン性液体中に形成されたナノ粒子を含む。
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【課題】均一かつ細密に充填したＳＡＭを大面積の基板に形成することを可能とする装置及び方法を提供する。
【解決手段】自己組織化分子を含有する液体原料を気化し、基板上に自己組織化単分子膜を形成する装置であって、前記基板を内部に保持する成膜室と、前記液体原料を前記成膜室内に直接噴射する噴射弁を備えるようにした。 （もっと読む）