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Fターム[4K029AA04]の内容

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 (1)
Si (1,129)
Al2O3 (296)
SiO2、シリカ (228)
ガラス (2,160)

Fターム[4K029AA04]に分類される特許

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【課題】コア・シェル構造のクラスターを高速で効率良く製造するクラスター製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】クラスター製造装置は、一列に並べられかつ同一方向に向けられたアブレーション面31〜33をそれぞれ有する複数のターゲット材料21〜23と、該アブレーション面31〜33に一定の繰り返し周波数のレーザ51〜53を同時に照射するレーザ手段と、該アブレーション面31〜33にそってこれと平行にキャリヤガス15を流すガス手段とを備えている。該キャリアガス15の流れ方向に隣り合うターゲット材料21、22において、上流側ターゲット材料21にレーザ51が照射されプルームP1が発生し、キャリヤガス15によって、下流側ターゲット材料22上まで搬送される間に、プルームP1中にコアが形成され、その周囲に下流側のターゲット22で生成したプルームP2によるシェルが形成される。 (もっと読む)


【課題】単結晶基板上において、圧電薄膜を良好な単結晶の状態で確実にエピタキシャル成長させて成膜し、圧電特性を確実に向上させる圧電素子と、その製造方法を提供する。
【解決手段】圧電素子10は、以下の工程によって製造される。単結晶基板1を、振動する振動部1Aと、振動部1Aと連結されて振動が生じない非振動部1Bとに分けたときに、単結晶基板1上で、非振動部1B上を含む領域であって、振動部1A上の圧電薄膜3の成膜領域を除く領域に、圧電薄膜3の単結晶での成長を阻害する阻害膜2を成膜する。次に、上記成膜領域となる振動部1A上の少なくとも一部に、圧電薄膜3を単結晶でエピタキシャル成長させて成膜するとともに、阻害膜2上に、圧電薄膜3を非晶質または多結晶で成膜する。その後、阻害膜2上に成膜された圧電薄膜3を除去する。 (もっと読む)


【課題】細い荷電粒子ビームを安定して発生させること。
【解決手段】イオンビーム生成装置1は、ガス流を発生させるガス源7と、基端部21がガス源7に接続され、先端部25がテーパー状に形成されたキャピラリーチューブ9と、キャピラリーチューブ9の側面35を外側から囲むように設けられた板状電極19と、板状電極19にパルス電圧を印加するパルス電圧源11と、イオンビームの照射対象のターゲットTに負の直流バイアスを印加するバイアス電圧源13とを備え、キャピラリーチューブ9の側面36には複数の側孔37a,37bが形成されている。 (もっと読む)


【課題】支持体上に超電導物質をコーティングした超電導膜に、イオン照射によってピン止め中心を導入することにより、磁場中での臨界電流密度特性が高められた超電導材料膜の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に作製された超電導膜に、低エネルギー・軽イオンを照射することによって、超電導膜の中に有効なピン止め点が導入されるため、磁場中でのJc及びJcの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。また、塗布熱分解法の仮焼成工程の後に低エネルギー・軽イオンを照射して、さらに本焼成することによっても、磁場中でのJc及びJcの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。 (もっと読む)


【課題】金属またはセラミック材料の基材(ワークピース)上に少なくとも実質的に水素フリーのta−C層を製造する装置が提供される。
【解決手段】装置10は、a)不活性ガス供給源および真空ポンプに接続可能な真空チャンバ14と、b)真空チャンバ内へ挿入されるまたは挿入可能な、複数の基材(ワークピース)12のための支持装置と、c)炭素材料の供給源として機能し、マグネトロンを形成するための関連する磁石配置を有する黒鉛陰極16と、d)支持装置上の基材に負のバイアス電圧を印加するバイアス電源32と、e)黒鉛陰極および関連する陽極に接続可能な、陰極のための陰極電源18と、を備えており、陰極電源18は、(好ましくはプログラム可能な)時間間隔で離間された高電力パルス列を伝達するように設計され、各高電力パルス列は、自由選択では増大位相の後に、黒鉛陰極に供給されるように適合された高周波数のDCパルスの列から成る。 (もっと読む)


【課題】切削開始初期段階においてすぐれた耐ピッチング性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 WC基超硬合金からなる工具基体の表面に、AlとCrの複合窒化物層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、硬質被覆層は柱状結晶組織を有し、刃先の柱状結晶組織の成長軸線方向は、工具基体表面の垂直方向に対して傾斜しており、刃先の逃げ面における柱状結晶組織の成長軸線方向の傾斜角度は、工具基体表面の垂直方向から、逃げ面延長線とすくい面延長線上の交点に向かって18±5°であり、また、刃先のすくい面における柱状結晶組織の成長軸線方向の傾斜角度は、工具基体表面の垂直方向から、逃げ面延長線とすくい面延長線上の交点に向かって30±5°である表面被覆切削工具。 (もっと読む)


【課題】イオン電流量の低下を抑えつつ、原料ガスの使用量を低減させることが可能なイオン注入装置及びイオン注入方法を提供する。
【解決手段】イオン注入装置10は、イオンビ−ムを引き出すイオン源12と、半導体基板30(ターゲット)にイオン注入を行う注入室20と、注入室20へガスを導入するガス導入部11を備えている。そして、注入室20へ導入されるガスは、原料ガスと不活性ガスとの混合ガスであり、原料ガスのみを注入室20へ導入したときのイオン電流量が最大となる流量をXaとしたときに、混合ガスの総流量が0.7Xa以上、且つ、原料ガスの流量が0.4Xa以上(原料ガスがBFを主体として構成される場合は、原料ガスの流量が0.3Xa以上)となるように設定されている。 (もっと読む)


【課題】苛酷な使用環境下で使用される切削工具や金型等において、SiC皮膜の耐剥離性を大幅に改善することにより、工具の耐久性が改善することができる被覆工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】工具の基材表面に中間皮膜を介して硬質皮膜を被覆した被覆工具であって、該硬質皮膜は、原子比でSiよりもCが多く、組織に立方晶の結晶構造相を含むSiC皮膜であり、
前記中間皮膜は、AlxMyからなる窒化物または炭窒化物(但し、x、yは原子比を示し、x+y=100、かつ、x>0、かつ、y≧0、Mは周期律表の4a族元素、5a族元素、6a族元素、B、Si、Yから選択される1種または2種以上)であり、
前記中間皮膜の硬質皮膜側は、六方晶が主体の結晶構造である耐剥離性に優れる被覆工具である。 (もっと読む)


【課題】加工時間が短く、工具としての寿命が長く、像形成品質が高いパターン形成型及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るパターン成形型は、被加工材の表面に、凹凸を有するパターンを転写するパターン成形型であって、基材1と、基材1に中間層2、3を介して接合されたDLCパターン層4bとで構成され、基材1が、剛性を有する金属、セラミックス、又はガラスであり、中間層2、3が、基材1及びDLCパターン層4bとの接合性を提供し、かつ、DLCパターン層4bに比べ、エッチングレートが小さい層であり、DLCパターン層4bに、被加工材の表面に転写するパターンが形成されている。 (もっと読む)


【課題】硬質炭素膜、特に潤滑油中で使用された場合に低摩擦や耐摩耗性等が優れた摺動特性を有する硬質炭素膜とその形成方法を提供する。
【解決手段】基材1表面上に中間層2を介して形成されている硬質炭素膜3であって、前記中間層2は金属層あるいは金属窒化物層、金属炭化物層のいずれか1層または2層以上からなり、かつ前記硬質炭素膜3は1層または2層以上からなり、前記中間層表面が粒平均直径0.1μm〜0.5μmの粒状の凹凸からなり、かつ平均凹凸高さ2nm〜5nmの微細な凹凸を有する硬質炭素膜。 (もっと読む)


【課題】p型ZnO系半導体層を形成するための新規な技術を提供する。
【解決手段】ZnO系半導体層の製造方法は、(a)下地層上方に、Zn、必要に応じてMg、O、N、及びTeを供給して、NとTeが共ドープされたMgZn1−xO(0≦x≦0.6)単結晶膜を形成する工程と(b)MgZn1−xO(0≦x≦0.6)単結晶膜上に、Zn及びMgの少なくとも一方、Te、及びNを供給して、NがドープされたMgZn1−yTe(0≦y≦1)単結晶膜を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】耐欠損性、耐摩耗性にすぐれた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、物理蒸着法によって硬質被覆層を被覆形成し、硬質被覆層は組成式:(Ti1−x−yAl)(N1−z)で表される平均層厚0.5〜8.0μmの複合炭窒化物層(または、複合窒化物層)を含み、複合炭窒化物層は、構成元素のうち90原子%以上が金属元素である平均断面長径0.05〜0.5μmの金属粒子を含有し、金属粒子は複合炭窒化物層中に3〜18%の縦断面面積比率で分散分布し、金属粒子のうち構成元素に50原子%以上のAlを含み、かつ縦断面形状のアスペクト比が2.0以上かつ長径が工具基体表面となす鋭角が45°以下である粒子の縦断面面積比率をA%、それ以外の粒子の縦断面面積比率をB%としたとき、0.3≦A/(A+B)である表面被覆切削工具によって、前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】耐欠損性、耐摩耗性にすぐれた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、物理蒸着法によって硬質被覆層を被覆形成した表面被覆切削工具において、硬質被覆層は、組成式:(Ti1−x−yAlZr)(N1−z)で表される平均層厚0.5〜8.0μmの複合炭窒化物層あるいは複合窒化物層を少なくとも含み、複合炭窒化物層または複合窒化物層は、構成元素のうち90原子%以上が金属元素である平均断面長径0.05〜0.5μmの金属粒子を含有し、金属粒子は硬質被覆層中に3〜18%の縦断面面積比率で分散分布し、金属粒子のうち構成元素に50原子%以上のAlを含み、かつ縦断面形状のアスペクト比が2.0以上かつ長径が工具基体表面となす鋭角が45°以下である粒子の縦断面面積比率をA%、それ以外の粒子の縦断面面積比率をB%としたとき、0.3≦A/(A+B)であることによって、前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】高い耐摩耗性を有するとともに、耐剥離性に優れ、長期にわたり剥離を防止できる硬質膜、および、該硬質膜が形成された硬質膜形成体を提供する。
【解決手段】基材2の表面2a上に直接成膜されるCrとWCとを主体とする第1混合層1aと、第1混合層1aの上に成膜されるWCとDLCとを主体とする第2混合層1bと、第2混合層1bの上に成膜されるDLCを主体とする表面層1cとからなる構造の硬質膜1であり、第1混合層1aは、基材側から第2混合層側へ向けて連続的または段階的に、Crの含有率が小さくなり、WCの含有率が高くなる層であり、第2混合層1bは、第1混合層側から表面層側へ向けて連続的または段階的に、WCの含有率が小さくなり、DLCの含有率が高くなる層であり、第2混合層1bにおける水素含有量が10〜45原子%である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、所定の超硬合金を基材とした光学素子用成形型について、より寿命の長い離型膜をその成形面に形成可能とした光学素子用成形型及びその製造方法を提供する。
【解決手段】タングステンカーバイドを主成分とする超硬合金(バインダレス超硬合金を除く)からなる基材2の成形面に、ダイヤモンドライクカーボンからなる離型膜4を形成した光学素子用成形型であって、基材2と離型膜4との間に、立方晶からなる結晶構造を有し、その表面粗さRaが0.5nm以下であるタングステンカーバイド膜3を介在させた光学素子成形用成形型1。 (もっと読む)


【課題】DLC膜の形成方法を検討することで、研磨実施後もプレス加工金型用工具の加工面にDLC膜が存在することが可能であり、且つ、プレス加工金型用工具の側面と加工面に同等の特性を有するDLC膜を形成することが可能なプレス加工金型用工具の補修方法を提供する。
【解決手段】被加工材をプレスにより成型加工又は打ち抜き加工を行うためのプレス加工金型用工具の補修方法であって、摩耗したプレス加工金型用工具43の加工面43bを研磨する工程と、プレス加工金型用工具43の側面43aをマスキング材10で保護する工程と、研磨した加工面43bにDLC膜41を形成する工程と、を有するものである。 (もっと読む)


【課題】微細な溝部の内部に隙間無く導電材料を埋め込み、導電性に優れた配線を得ることが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】バリア層(バリアメタル)13を覆うようにライナー層14が形成されている。ライナー層14は、Ni(ニッケル)から構成される。ライナー層14は、このライナー層14の内側に形成されるCu(銅)からなる導電体15に対する濡れ性を高め、かつ、溝部12の内側の平滑性を高める。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、保護膜と、を有し、該保護膜は金属酸化膜を有し、該金属酸化膜は、膜密度が3.2g/cm以上である。 (もっと読む)


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