【課題】ダクタイル鋳鉄などのフェライト相が多く析出した被削材の高速連続切削加工および断続切削加工で、すぐれた耐摩耗性、耐欠損性、耐溶着性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ｃＢＮ基超高圧焼結材料製工具基体の表面に、平均層厚０．１〜０．３μｍの非晶質ＢＮからなる下部層、平均層厚０．１〜０．３μｍのＴｉＢＮからなる中間層、平均層厚１．０〜２．０μｍのＴｉＡｌＮからなる上部層を順次蒸着形成し、すくい面とホーニング面の上部層を除去することによって、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】膜表面における不純物としてのフッ素化合物の発生を抑制しながら、簡易な方法で、希土類元素、フッ素、鉄、ヒ素、及び酸素からなる超伝導体を含む超伝導薄膜を形成することができる超伝導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基体上に、分子線エピタキシー法により、少なくとも希土類元素の固体原料及び希土類三フッ化物の固体原料を用い、希土類元素、フッ素、鉄、ヒ素、及び酸素からなる超伝導体を含む超伝導薄膜を形成する工程を有する超伝導薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】安定した膜質で薄膜を形成し得るバイアススパッタリング方法及びそれを利用した弾性波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】供給された電力の総和である積算電力の異なる複数種類のターゲット１２ａ〜１２ｃを用いてバイアススパッタリングすることにより薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】物理蒸着法による酸化物の上層と窒酸化物の下層との密着性及び上層の耐焼き付き性及び耐かじり性に優れた硬質被膜被覆金型を提供することである。
【解決手段】金型基体直上に、金属元素としてＡｌとＣｒを必須構成元素とする窒酸化物の下層と、金属元素としてＡｌとＣｒを必須構成元素とする酸化物の上層とを、物理蒸着法により被覆した硬質被膜被覆金型において、該酸化物の上層はα型結晶構造を有し、Ｘ線回折強度比ＴＣ（１１０）が１．３以上であることを特徴とする硬質被膜被覆金型。 （もっと読む）

【課題】潤滑油環境下での摺動において、従来以上に摩擦係数が低減された摺動部材を提供することができるＤＬＣ被膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】摺動部材の摺動側表面にコーティングされた、少なくとも１種類の金属が含有されたＤＬＣ被膜であって、炭素同士の結合の割合および金属と炭素の結合の割合の合計に対して、金属と炭素の結合の割合が２０％以下であるＤＬＣ被膜。プラズマＣＶＤ装置を用いて、ＤＬＣ被膜を製造するＤＬＣ被膜の製造方法であって、炭化水素と不活性ガスの導入雰囲気中で、金属ターゲットをスパッタリングしつつ炭化水素を解離させて、基材上に、前記金属を含有するＤＬＣ被膜を成膜するＤＬＣ被膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐熱性及び耐溶着性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具において、該硬質被覆層は、組成式：（Ｔｉ_1−αＡｌ_α）Ｎで表されるＴｉとＡｌの複合窒化物層、あるいは、組成式：（Ｔｉ_1−α−βＡｌ_αＭ_β）Ｎで表されるＴｉとＡｌとＭの複合窒化物層からなるＡ層（但し、Ｍは、Ｔｉを除く周期律表４ａ，５ａ，６ａ族の元素、Ｓｉ、Ｂ、Ｙのうちから選ばれた１種又は２種以上の添加成分を示し、原子比で、０．４５≦α≦０．７５、０．０１≦β≦０．２５）と組成式：（Ｃｒ_{１−ｘ―γ}Ｗ_ｘＡｇ_γ）Ｎ（但し、原子比で、０．０１≦Ｘ≦０．３０、０．０１≦Ｙ≦０．２０）を満足するＣｒとＷとＡｇの複合窒化物層からなるＢ層との２層構造または、Ａ層とＢ層との交互積層として構成する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素の半導体層の表面に発生するステップバンチングを抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、炭化珪素のエピタキシャル層１４にドーパントを導入するドーパント導入工程と、ＰＬＤ、ＦＣＶＡ法又はＥＣＲスパッタ法を利用してエピタキシャル層１４の表面にカーボン膜２４を形成するカーボン膜形成工程と、カーボン膜２４が残存した状態でエピタキシャル層１４をアニール処理するアニール処理工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】軟質難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐剥離性とすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットからなる工具基体の最表面に、少なくとも、０．５〜５μｍの平均層厚を有するＴｉ硼化物層を被覆してなる切削工具であって、前記Ｔｉ硼化物層は、複数の平均粒径を有する結晶粒組織の複合組織として構成され、該複合組織は、１０〜１５ｎｍの平均粒径を有する一次結晶粒の集合体からなる平均粒径４０〜７０ｎｍの二次結晶粒と、該二次結晶粒の集合体からなる平均粒径３００〜６００ｎｍの三次結晶粒とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、各種イオンをイオン注入した後に活性化させるための熱処理を行う場合に、炭化珪素表面が荒れてしまうことを防ぐ炭化珪素半導体デバイスの作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 炭化珪素単結晶基板又は炭化珪素単結晶エピタキシャル膜が成膜された基板にイオン注入する工程と、該基板上に窒素を含有した炭素膜を形成する工程と、注入イオンの活性化熱処理を行う工程とを含む炭化珪素半導体デバイスの作製方法である。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体層の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板上方に、（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を成長させる工程と、（ｂ）前記の（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を、４００℃以下で、活性酸素により酸化して、Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を形成する工程と、（ｃ）工程（ａ）及び（ｂ）を繰り返して、Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を積層する工程とを有するＺｎＯ系半導体層の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】高硬度難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐熱性および耐溶着性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）組成式：（Ａｌ_1−α−βＣｒ_αＭ_β）Ｎ（但し、Ｍは、Ａｌを除く周期律表４ａ，５ａ，６ａ族の元素、Ｓｉ、Ｂ、Ｙのうちから選ばれた１種又は２種以上の添加成分を示し、原子比で、０．４５≦α≦０．７５、０．０１≦β≦０．２５）を満足するＡｌとＣｒ（とＭ）の複合窒化物層からなるＡ層、（ｂ）組成式：（Ｚｒ_１−γＹ_γ）Ｎ（但し、原子比で、０．０１≦γ≦０．１５）を満足するＺｒとＹの複合窒化物層からなるＢ層、前記Ａ層を下部層とし、Ｂ層を上部層とする２層もしくは、前記Ａ層およびＢ層の交互積層で構成された硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼、耐熱鋼等の難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐熱性及び耐溶着性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具において、該硬質被覆層は、０．５〜５μｍの平均層厚を有するとともに、組成式：（Ｚｒ_１−γＹ_γ）Ｎ（但し、原子比で、０．０１≦γ≦０．１５）を満足するＺｒとＹの複合窒化物層の単層から構成する。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼、耐熱鋼等の難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐熱性及び耐溶着性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具において、該硬質被覆層は、組成式：（Ｔｉ_1−αＡｌ_α）Ｎで表されるＴｉとＡｌの複合窒化物層、あるいは、組成式：（Ｔｉ_1−α−βＡｌ_αＭ_β）Ｎで表されるＴｉとＡｌとＭの複合窒化物層からなるＡ層（但し、Ｍは、Ｔｉを除く周期律表４ａ，５ａ，６ａ族の元素、Ｓｉ、Ｂ、Ｙのうちから選ばれた１種又は２種以上の添加成分を示し、原子比で、０．４５≦α≦０．７５、０．０１≦β≦０．２５）と組成式：（Ｚｒ_１−γＹ_γ）Ｎ（但し、原子比で、０．０１≦γ≦０．１５）を満足するＺｒとＹの複合窒化物層からなるＢ層との２層構造または、Ａ層とＢ層との交互積層として構成する。 （もっと読む）

【課題】マグネシウム以外の金属についても、固相反応させることにより、色中心含有金属酸化物を得て、色中心発光特性を有する発光媒体を提供する。
【解決手段】カチオンが電子を受け取って金属原子となる際の標準電極電位が−２．８７〜−２．２（Ｖ）で、かつ、アルカリ金属，マグネシウムを含むアルカリ土類金属、もしくは、スカンジウムを除く希土類元素のいずれかに属する金属と、酸化物を構成する金属の標準電極電位が−１．７〜＋０．４（Ｖ）である酸化物とを、所定の雰囲気下で、所定の温度で加熱する固相反応工程と、固相反応工程で得られる金属の昇華物を回収する工程とから成る。得られる昇華物は、酸素空孔を多量に導入させた金属酸化物であり、色中心由来の発光特性を有する。金属と固相反応させる酸化物のバリエーションを増やして、工業的生産の利便性を図る。 （もっと読む）

【課題】膜を形成する基板の温度制御を安定して行なう真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空蒸着装置１００は、基板２０の上に膜を形成する真空蒸着装置であって、基板ホルダ１０３と、ホルダ加熱部１０５と、基板２０上に形成する膜の原料をその内部に収容する原料保持部と、第１遮断部１１１と、第２遮断部１１２と、を備えている。第１遮断部１１１は、前記原料保持部側から見て、基板ホルダ１０３よりも外周が外側に位置することが可能である。第２遮断部１１２は、第１遮断部１１１と選択的に、前記原料保持部側から見て、基板ホルダ１０３よりも外周が外側に位置することが可能であり、開口部１１２ａを有する。第２遮断部１１２の開口部１１２ａの内接円の半径は、基板２０の外接円の半径の１．５倍以下である。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速切削加工でＲａが０．５〜１．３μｍの優れた仕上げ面精度を長期にわたって発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】窒化チタン１３〜３０％、アルミニウムおよび／または酸化アルミニウム６．５〜１８％、残部窒化ほう素（以上、いずれも質量％）からなる圧粉体の超高圧焼結材料で構成され、分散相を形成する立方晶窒化ほう素相と連続相を形成する窒化チタン相との界面に超高圧焼結反応生成物が介在した組織を有する切削チップ本体の表面に硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具において、（ａ）硬質被覆層は、１．５〜３μｍの平均層厚を有する下部層と０．３〜３μｍの平均層厚を有する上部層とからなり、（ｂ）下部層は、組成式：［Ｔｉ_１−ＸＡｌ_Ｘ］Ｎ（ただし、原子比で、Ｘは０．４０〜０．６０）を満足するＴｉとＡｌの複合窒化物層からなり、（ｃ）上部層は、一層平均層厚がそれぞれ０．０５〜０．３μｍの薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、薄層Ａは、組成式：［Ｔｉ_１−ＸＡｌ_Ｘ］Ｎ（ただし、原子比で、Ｘは０．４０〜０．６０）を満足するＴｉとＡｌの複合窒化物層、薄層Ｂは、Ｔｉ窒化物（ＴｉＮ）層からなる。 （もっと読む）

【課題】高速・高能率切削が可能な、ＴｉＡｌＳｉＮよりも耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】本発明の硬質皮膜は、（Ｔｉ_{１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ}，Ａｌ_ａ，Ｃｒ_ｂ，Ｓｉ_ｃ，Ｂ_ｄ）（Ｃ_１−ｅＮｅ）からなる硬質皮膜であって、Ａｌ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｂのそれぞれの原子比ａ，ｂ，ｃ，ｄが、０．５≦ａ≦０．８、０．０６≦ｂ≦０．３、０＜ｃ≦０．１、０≦ｄ≦０．１、０．０１≦ｃ＋ｄ≦０．１およびａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＜１を満たすようにし、かつＮの原子比ｅが０．５≦ｅ≦１を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、耐摩耗性に優れた硬質皮膜形成部材および硬質皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基材１上に硬質皮膜４を備えた硬質皮膜形成部材１０であって、硬質皮膜４は、組成がＴｉ_ａＣｒ_ｂＡｌ_ｃＳｉ_ｄＹ_ｅ（Ｂ_ｕＣ_ｖＮ_ｗ）（ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｕ、ｖ、ｗは所定量の原子比）を満足するＡ層２と、組成がＴｉ_ｆＣｒ_ｇＡｌ_ｈ（Ｂ_ｘＣ_ｙＮ_ｚ）（ただし、ｆ、ｇ、ｈ、ｘ、ｙ、ｚは所定量の原子比）を満足するＢ層３とを備え、Ａ層２とＢ層３が交互に積層され、前記Ａ層と前記Ｂ層の１組の積層構造を１単位としたときに、この１単位の厚さが、１０〜５０ｎｍであり、かつ硬質皮膜４の膜厚が１〜５μｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速切削加工で優れた耐剥離性を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】立方晶窒化ほう素の含有量が５０〜８５容量％のｃＢＮ基超高圧焼結体の表面に硬質被覆層を形成してなる切削工具において、（ａ）硬質被覆層は、１．５〜３μｍの平均層厚を有する下部層と上部層とからなり、（ｂ）下部層は、組成式：［Ｔｉ_１−ＸＡｌ_Ｘ］Ｎ（Ｘは原子比で０．３０〜０．６０）を満足するＴｉとＡｌの複合窒化物層からなり、（ｃ）上部層は、一層平均層厚がそれぞれ０．０３〜０．３μｍの薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、薄層Ａは、組成式：［Ｔｉ_１−ＸＡｌ_Ｘ］Ｎを満足するＴｉとＡｌの複合窒化物層、薄層Ｂは、Ｔｉ窒化物（ＴｉＮ）層からなり、（ｄ）皮膜表面の表面粗さ、残留応力、ナノインデンテーション硬さを所定の値とする。 （もっと読む）

【課題】本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、耐摩耗性に優れた硬質皮膜形成部材および硬質皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基材１上に硬質皮膜４を備えた硬質皮膜形成部材１０（１０ａ）であって、硬質皮膜４は、組成がＴｉ_ａＣｒ_ｂＡｌ_ｃＳｉ_ｄＹ_ｅ（Ｂ_ｕＣ_ｖＮ_ｗ）（ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｕ、ｖ、ｗは所定量の原子比）を満足するＡ層２と、組成がＴｉ_ｆＣｒ_ｇＡｌ_ｈ（Ｂ_ｘＣ_ｙＮ_ｚ）（ただし、ｆ、ｇ、ｈ、ｘ、ｙ、ｚは所定量の原子比）を満足するＢ層３とを備え、厚さが０．５μｍ以下の中間層５を介してまたは中間層５を介さずにＢ層３の上にＡ層２が積層され、Ａ層２の厚さが０．５〜５．０μｍであり、Ｂ層３の厚さが０．０５〜３．０μｍであることを特徴とする。 （もっと読む）