【課題】蒸着重合により均一に成膜することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】チャンバー内に設置された基板に、気化した複数の物質を化学反応させることにより、前記基板上に前記化学反応により生成された物質からなる膜を形成する成膜装置において、前記チャンバー内には、前記基板に対向して設けられた前記気化した複数の物質を供給するための供給口を有する材料供給器を有し、前記供給口は前記複数の物質の各々に対し、複数設けられていることを特徴とする成膜装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 切刃に断続的に衝撃がかかる切削条件においても被覆層のチッピングや剥離を抑制できる切削工具を提供する。
【解決手段】 基体の表面が被覆層で被覆され、すくい面と逃げ面との交差稜線部を切刃とする切削工具であって、前記逃げ面における前記基体の表面に深さ０．５μｍ以内の窒素、炭素、硼素、珪素およびチタンの群から選ばれる１種以上の元素が多い基体表面冨化領域１１が存在し、すくい面における前記基体の表面には前記基体表面冨化領域が存在しないとともに、前記逃げ面における前記被覆層の厚みが前記すくい面における前記被覆層の厚みよりも１．２〜３倍厚いスローアウェイチップ１である。 （もっと読む）

【課題】高速度加工、高送り加工、難削材の加工など加工条件が厳しい切削加工において、長寿命を実現する被覆工具の提供を目的とする。
【解決手段】
基材とその表面に被覆された被膜とからなり、Ｃｒ−Ｋα線を用いたＸ線応力測定により得られた基材の圧縮残留応力σ_bCrは、Ｃｏ−Ｋα線を用いたＸ線応力測定により得られた基材の圧縮残留応力σ_bCoよりも大きい被覆工具。 （もっと読む）

【課題】液中プラズマを用いて液体のみならず固体をも原料とした皮膜を基材の表面に成膜する方法において、成膜条件の大幅な変更を伴うことなく、所望の割合で固体の原料を含有する皮膜を成膜できる成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の液中プラズマを用いた成膜方法は、第一の原料を含む固体からなるターゲットＴ_１と基材Ｓ_１とを互いに対向させて、第二の原料を含むまたは含まない液体Ｌ_１中に配設する配設工程と、液体Ｌ_１中にスパッタガスＧ_１を供給して少なくともターゲットＴ_１と基材Ｓ_１との間に気相空間Ｖ_１を形成する気相空間形成工程と、気相空間Ｖ_１に少なくともスパッタガスＧ_１のプラズマを発生させるプラズマ発生工程と、を経て、プラズマによりターゲットＴ_１をスパッタリングさせて基材Ｓ_１の表面に少なくとも第一の原料を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体薄膜の酸素量を精度良く制御する。
【解決手段】大気と遮断された酸化物半導体薄膜形成室２０内で、基板３６上に、酸化物半導体の薄膜、すなわち活性層１０６を形成する薄膜形成工程と、前記薄膜形成工程の中で前記薄膜を加熱する加熱工程と、前記酸化物半導体薄膜形成室２０と接続され、前記大気と遮断された輸送室１４内で、前記基板３６上に形成した薄膜を、前記加熱工程により加熱された温度から急速冷却する冷却工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】焼入れ鋼等の高硬度鋼の高速断続切削加工で、すぐれた耐欠損性と耐摩耗性を長期の使用に亘って発揮する表面被覆切削工具を提供すること。
【解決手段】立方晶窒化ほう素粒子を７０ｖｏｌ％以上含有し、残部は硬質分散相と結合相とからなる立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製工具基体の表面に、Ｃｒ_{０．３３（１−Ｘ）}Ｂ_{０．６７（１−Ｘ）}Ｎ_Ｘ（但し、Ｘは原子比で、０．０５〜０．５）を満足するＣｒ、ＢおよびＮの複合化合物層からなる中間層と、（Ｃｒ_１−ＹＡｌ_Ｙ）Ｎ（但し、Ｙは原子比で、０．４〜０．７）を満足するＣｒとＡｌの複合窒化物層からなる上部層を順次形成して硬質被覆層を構成する。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマ放電処理の際の、電極表面の誘電体層の劣化や不均一放電、及び回路全体のインピーダンスが高くなることを防ぐことのできる放電用電極を提供すること。
【解決手段】本発明の放電用電極は、対向する二つの電極を備え、これら電極には、対向側表面に誘電体層が形成され、前記各誘電体層の一方が体積抵抗率１０¹¹Ωｃｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エアー溜まりの発生を良好に防止できるとともに、膜剥離の発生を抑制でき、耐久性に優れた金型の製造方法を提供する。
【解決手段】基材に、所定の形状を有する成形面を形成し、スパッタ法により成形面に被覆層を成膜した後、被覆層の表面をエッチングにより粗面化する。被覆層は、基材を基材保持部で保持し、所定の回転軸で基材保持部を回転させるとともに、スパッタターゲットの表面の法線と回転軸との間の角度が時間的に変化するようにスパッタターゲットと基材保持部の相対位置を変化させながら成膜する。 （もっと読む）

【課題】高硬度を維持しつつ残留圧縮応力の低減化を図り、２層構造を有する硬質皮膜層１、２の密着強度を改善して硬質皮膜被覆切削工具の長寿命化を図る。
【解決手段】
超硬合金を基材とする切削工具に硬質皮膜を被覆した硬質皮膜被覆切削工具において、表面側に硬質皮膜層１、基材側に硬質皮膜層２が被覆され、硬質皮膜層１は（Ａｌ_ａＣｒ_１−ａ）Ｎ_ｘ、但し、０．５≦ａ≦０．７５、０．９≦ｘ≦１．１であり、硬質皮膜層２は（Ｔｉ_ｂＡｌ_１−ｂ）Ｎ_ｙ、但し、０．４≦ｂ≦０．６、０．９≦ｙ≦１．１であり、Ｘ線回折における硬質皮膜層１の（１１１）面の格子定数をａ１（ｎｍ）、硬質皮膜層２の（１１１）面の格子定数をａ２（ｎｍ）としたとき、１．００５≦ａ２／ａ１≦１．０２５であることを特徴とする硬質皮膜被覆切削工具である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、その表面が摩耗した場合でも凹凸面を維持することのできる摺動用構造部材及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基材の表面に形成された不規則な凹凸上に、異種材料の膜が交互に積層された多層膜を設けてなることを特徴とする摺動用構造部材及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】厚膜化した硬質皮膜における圧縮応力の低減と密着性を確保しつつ、高硬度化による耐摩耗性に優れた硬質皮膜被覆工具を提供する。
【解決手段】
硬質皮膜被覆工具において、硬質皮膜は基体表面から第１硬質皮膜、第２硬質皮膜が被覆され、第１硬質皮膜は、（Ａｌ_ａＭｅ_{１００−ａ}）_ｅＮ_ｆで示され、第２硬質皮膜は、（Ｔｉ_{１００−ｈ}Ｂ_ｈ）_ｍＮ_ｐで示され、該第１硬質皮膜、該第２硬質皮膜の結晶構造は面心立方構造であり、該第１硬質皮膜と該第２硬質皮膜のＸ線回折において、最も強度の高い面における面間隔（ｎｍ）を夫々ｄ１、ｄ２としたときに、１．００≦ｄ２／ｄ１≦１．０３であり、該第２硬質皮膜は柱状組織を有し、該柱状組織の結晶粒はＢ成分に組成差を有する組成変調構造であることを特徴とする硬質皮膜被覆工具。 （もっと読む）

本発明は、処理領域（２）を取り囲む成長室（１）、この成長室（１）の側壁（３）の内面を覆う側部部分（１０）を少なくとも有する主低温パネル、サンプルホルダー（６）、材料を蒸発させる少なくとも１つのエフュージョンセル（８）、気体状プレカーサーを前記成長室（１）に注入することのできるガスインジェクター（９）、前記成長室（１）に連結され、高い真空能力を提供することのできる排気手段（１１）を備えている、半導体材料のウエハを製造する分子線エピタキシー装置に関する。本発明によれば、本分子線エピタキシー装置は、少なくとも成長室壁（３，４，５）の内面を覆う断熱材囲い（１４）を備え、この断熱材囲い（１４）は、気体状プレカーサーの融点より低いか、これと同一である温度Ｔ_ｍｉｎを有する低温部と、高温部を備え、この高温部は、該高温部上の気体状プレカーサーの離脱速度が、気体状プレカーサーの吸着速度の少なくとも１０００倍以上であるような温度より高いか、これと同一である温度Ｔ_ｍａｘを有している。
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【課題】強度に優れた成形体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】繊維径１μｍ以下の互いに結合した複数の繊維状炭素と、Ｇａとを含む成形体に関する。 （もっと読む）

【課題】配線表面の酸化膜を除去する際の低誘電率絶縁膜の変質を抑える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０上のＳｉＯＣ膜１１表面に配線１２を形成する工程と、配線１２が表面に形成されたＳｉＯＣ膜１１を希ガス、又は希ガスとＮ_２ガスの混合ガスを含むプラズマに曝してＳｉＯＣ膜１１表面に緻密層１４を形成する工程と、緻密層１４が形成された後に、配線１２の表面に形成された酸化膜１３を除去する工程と、酸化膜１３が除去された配線１２、及び緻密層１４上に絶縁膜としての拡散防止膜１５を形成する工程と、を含み、酸化膜１３を除去する工程から拡散防止膜１５を形成する工程までが、大気に暴露されることなく行われる。 （もっと読む）

本発明は、多結晶の立方晶窒化ホウ素（ＰＣＢＮ）の本体を固体のインサートとして又は支持体に取り付けられるものとして含む、その上に硬質かつ耐摩耗性のＰＶＤコーティングが堆積された、チップ除去による機械加工のための切削工具インサートに関する。前記コーティングは、Ａ層及びＢ層の互層の多結晶のナノ積層構造を含み、ここで、Ａ層は（Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｅ１）ＮでありＭｅ１は周期表の３、４、５又は６族からの金属元素の１種以上であり、Ｂ層は（Ｔｉ、Ｓｉ、Ｍｅ２）Ｎであり、Ｍｅ２は、Ａｌを含む周期表の３、４、５又は６族からの金属元素の１種以上であり、厚さは、０．５〜１０ｍである。本発明のインサートは、高温を発生する金属切削用途、例えば、鋼、鋳鉄、超合金及び硬化鋼の高速加工において特に有用である。
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【課題】少なくともＡｌ／Ｃｒ比に関して調節可能な均質または変更可能な層組成を有しかつ少なくとも特定の用途においては従来公知の層を設けた工作物よりも高い耐摩耗性を有する工作物を提供する。
【解決手段】工作物あるいは部品であって、組成（Ａｌ_yＣｒ_1-y）Ｘの少なくとも１層を含む層システムを有し、Ｘ＝Ｎ、Ｃ、Ｂ、ＣＮ、ＢＮ、ＣＢＮ、ＮＯ、ＣＯ、ＢＯ、ＣＮＯ、ＢＮＯまたはＣＢＮＯでありかつ０．２≦ｙ＜０．７であり、上記層中の層組成は、実質的に一定であるか、または層厚にわたって連続的あるいは段階的に変化する。 （もっと読む）

【課題】安定した特性を有するヘテロ界面の形成、ひいては高い選択性を持ったＩｎＰエッチストッパー層の形成を実現するエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシャル成長法によりＩＩＩ−Ｖ族系化合物半導体のヘテロ接合を有する半導体薄膜を形成するエピタキシャル成長方法であって、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第１のＶ族元素の分子線とを照射して第１の化合物半導体層を形成する第１の工程と、ＩＩＩ族元素の分子線と第１のＶ族元素の分子線の照射を停止し、第１のＶ族元素の供給量が第１の工程における供給量の１／１０以下となるまで成長を中断する第２の工程と、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第２のＶ族元素の分子線とを照射して第１の化合物半導体層上に第１の化合物半導体とは異なる第２の化合物半導体層を形成する第３の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】過度に複雑な、成長後の加工処理(post growth processing)が最小限に抑えられ、第２のいっそう厚い層と比べて非常に異なる特性を有する薄いダイヤモンド層を有する構造体を合成することが可能となる方法を提供する。
【解決手段】互いに接触している少なくとも２つの層（２０，２２）であって、各々の層は広いバンドギャップの材料でできており、各々の層は少なくとも１つの性質が他の層と相違している前記少なくとも２つの層（２０，２２）を有する生成物を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】均一で結晶性の高い単結晶ダイヤモンドを再現性良く、低コストで製造することができる単結晶ダイヤモンド層成長用基板及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド層を成長させるための基板１２は、材質が単結晶ダイヤモンドである基材１０と、基材１０の単結晶ダイヤモンド層を成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１１とからなり、基材１０の単結晶ダイヤモンド層を成長させる側の面の周端部が、曲率半径（ｒ）≧５０μｍで面取りされている。 （もっと読む）

【課題】基板上に金属と活性窒素種とを供給して反応させる窒化物半導体薄膜の製造方法において、金属と活性窒素種との供給比率を容易に制御可能とし、且つ、結晶品質や表面平坦性に優れた窒化物半導体薄膜を形成可能とする手段を提供する。
【解決手段】窒化物半導体薄膜の製造方法は、インジウムをストイキオメトリ条件Ｓを越えて過剰に供給する金属過剰供給工程と、該金属過剰供給工程で基板１０の上に析出したインジウムドロップレット１５を、活性窒素種１２をストイキオメトリ条件Ｓに達するまで供給することによってインジウムナイトライド層１６に転換するドロップレット転換工程と、を含む。 （もっと読む）