一方が他方の上に配置されたいくつかの層を含む、切削工具のための被覆材（１０）であって、金属アルミニウム又はアルミニウム合金の第１層（３）と、第１層の上に配置された酸化アルミニウム又はアルミニウムと少なくとも１種の他の金属とを含有している混合酸化物の第２層（２）とを有することを特徴とする被覆材（１０）。
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【課題】優れた結晶性を有する窒化物層をその上方に再現性良く形成することができるアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＤＣ−ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ方式により電圧を印加するＤＣマグネトロンスパッタ法によるアルミニウム含有窒化物中間層２の積層時に、（ｉ）ターゲットの表面の中心と基板の成長面との間の最短距離を１００ｍｍ以上２５０ｍｍ以下とすること、（ｉｉ）ＤＣマグネトロンスパッタ装置に供給されるガスに窒素ガスを用いること、（ｉｉｉ）基板の成長面に対してターゲットを傾けて配置することの少なくとも１つの条件を採用しているアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】効率的にぺロブスカイト構造酸化物薄膜の結晶方位制御ができ、容易に高品位の正方晶系ぺロブスカイト構造酸化物薄膜を提供し得る方法を提供する。
【解決手段】蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板の（１１１）面上または（１００）面上に、正方晶系の結晶構造を有し、かつ（００１）、（１０１）または（１１１）の単一結晶配向を有するぺロブスカイト構造酸化物薄膜を作製する（ただし、（１００）面上に、（００１）の単一結晶配向を有する場合を除く）。蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板は、金属サイトまたはＦサイトの一部を他の元素で置換して格子定数を制御されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】低コストで低抵抗化を実現可能な透明導電体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に設けられた透明導電体の製造方法であって、透明導電体は、アナターゼ型ＴｉＯ_２の酸素をフッ素に置換して得られるアナターゼ型結晶構造を有するＦ：ＴｉＯ_２であり、パルスレーザ堆積法を用い、制御された酸素分圧の雰囲気下において、ＴｉとＦとからなる化合物にパルスレーザを照射し、３００℃以上６５０℃以下加熱された基板１１上に反応生成物をエピタキシャル成長させることにより行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い半導体層を有する半導体基板、半導体基板の製造方法、半導体成長用基板、半導体成長用基板の製造方法、半導体素子、発光素子、表示パネル、電子素子、太陽電池素子及び電子機器を提供する。
【解決手段】芳香族系テトラカルボン酸と芳香族系テトラアミンを縮合して得られる複素環状高分子からなるグラファイト層２と、当該グラファイト層２の表面上に設けられ、当該グラファイト層２の表面を成長面とする半導体層４とを備えた半導体基板１。前記グラファイト層は結晶性に優れているため、グラファイト層の表面を成長面とする半導体層についても、結晶性に優れたものが得られる。これにより、結晶性に優れた半導体層を有する半導体基板１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に単結晶材料の層を成長させる方法を提供する。
【解決手段】第１単結晶材料から形成された露出領域を有する基板を、プロセスチャンバ中に配置する工程と、拡散制限ガスの存在下で、基板に向かって、第２材料の中性種のビームを供給し、プロセスチャンバ中の圧力を１×１０^−６ｔｏｒｒから１×１０^−４ｔｏｒｒの間にし、第２材料の中性種を露出領域上に吸着され、これにより第１単結晶材料の上にこれと接触して第２材料の単結晶層を成長させる工程とを含み、拡散制限ガスは、非反応性ガスからなる。 （もっと読む）

【課題】溶着性の高い被削材の高速切削加工で、硬質被覆層がすぐれた層間密着強度を有する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ超硬合金製工具基体の表面に、薄層Ａと薄層Ｂの二層積層構造、または、これらの三層以上の交互積層構造からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、薄層Ａは、チタンとアルミニウムの複合窒化物層、薄層Ｂは、層厚方向に沿って傾斜組成をなすアルミニウム酸化物層からなり、さらに、薄層Ａと薄層Ｂとの界面では、薄層Ｂの構成成分である酸素とアルミニウムは、１．２２≦（酸素含有量）／（アルミニウム含有量）≦１．４５（但し、原子比）の関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱力学的平衡条件下では合成出来ない単相のＴ^*構造をもつＬａ₂ＣｕＯ₄を、薄膜合成手法をベースとする方法により製造する方法、及び同一組成式（Ｌａ₂ＣｕＯ₄）を有し、３種類の異なる結晶構造（Ｔ構造、Ｔ^*構造、Ｔ’構造）を持つ物質を、別々の基板上に一度の成膜過程で合成する方法を提供する。
【解決手段】超高真空中で構成元素を別々に供給し、適切に加熱した単結晶基板上に薄膜成長を行う（ＭＢＥ法）際に、ＬａＳｒＡｌＯ₄単結晶基板と、格子定数の異なる第１のＲＥＳｃＯ₃単結晶基板と、更に格子定数の異なる第２のＲＥＳｃＯ₃単結晶基板とを同一のＭＢＥ装置に装着し、基板温度５７５℃〜６００℃で、Ｌａ及びＣｕの原子線を供給してＬａ₂ＣｕＯ₄薄膜を成膜することにより、同一組成式Ｌａ₂ＣｕＯ₄を有しＴ、Ｔ^*、Ｔ’の３つの異なる結晶構造を持つ単結晶薄膜を、一度に成長させる。 （もっと読む）

【課題】高硬度材の湿式断続切削加工で、すぐれた潤滑性、耐チッピング性、耐熱塑性変形性を示し、長期の使用に亘ってすぐれた仕上げ面精度を維持し得る表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ超硬合金、ＴｉＣＮ基サーメット、ｃＢＮ基超高圧焼結材料からなる工具基体の表面に、ＴｉＮ、ＴｉＣＮ、（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層の少なくとも一層からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、上記硬質被覆層の最表面に、必要に応じ、１００〜３００ｎｍの膜厚の結晶質窒化珪素膜からなる中間膜を介して、１００〜５００ｎｍの膜厚の非晶質窒化珪素膜からなる潤滑膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】成長させた酸化亜鉛系半導体の不純物濃度を低減できる酸化亜鉛系基板を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系基板２は、ＩＶ族元素であるＳｉ、Ｃ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＰｂの不純物濃度が、１×１０^１７ｃｍ^−３以下の条件を満たす。より好ましくは、酸化亜鉛系基板２は、Ｉ族元素であるＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＦｒの不純物濃度が、１×１０^１６ｃｍ^−３以下の条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】耐溶着性、耐摩耗性、および耐熱性の何れについても優れた性能が得られる硬質被膜を提供する。
【解決手段】ボールエンドミル１０の刃部１４の表面にコーティングされた硬質被膜２０は、（Ａｌ_a Ｃｒ_(1-a-b) Ｙ_b ) Ｃ_c Ｎ_(1-c) 〔但し、ａ、ｂ、ｃはそれぞれ原子比で、０．４≦ａ≦０．８、０．０１≦ｂ≦０．０５、０≦ｃ≦０．５の範囲内〕から成るＩ層２０ａと、ＣｒＣ_d Ｎ_(1-d) 〔但し、ｄは原子比で、０≦ｄ≦０．５の範囲内〕から成るII層２０ｂとが、１ｎｍ以上の積層周期Ｔp で交互に１周期以上積層され、総膜厚Ｔtotal が０．１μｍ〜１０μｍの範囲内とされている。ＡｌＣｒＮ系のＩ層２０ａは高硬度で優れた耐摩耗性が得られ、ＣｒＮ系のII層２０ｂは低摩擦係数で優れた耐溶着性が得られる一方、Ｉ層２０ａにＹ（イットリウム）が所定の原子比で添加されることにより、高温での耐酸化性が向上して優れた耐熱性が得られるようになる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスとして問題なく動作させるために、少なくとも機能的な働きを行うＺｎＯ系半導体層にアルカリ金属が達するのを防止することができるＺｎＯ系基板及びＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】
ＺｎＯ系基板中に存在するアルカリ金属の濃度が１×１０^１４ｃｍ^−３以下に形成されているので、このＺｎＯ系基板上に結晶成長されるＺｎＯ系半導体に対してアルカリ金属の偏析を防止することができる。また、基板中のリチウム濃度が１×１０^１４ｃｍ^−３を越えるＺｎＯ系基板であっても、その上に形成するＺｎＯ膜の膜厚を５０ｎｍ以上にすることで、このＺｎＯ膜よりも後に形成されるＺｎＯ系半導体層へのアルカリ金属の偏析を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金等の軟質被削材の切削加工において、すぐれた化学的安定性と潤滑性を発揮する表面被覆切削工具を提供すること。
【解決手段】 炭化タングステン基超硬合金製工具基体表面に、 下部層として、平均層厚０．５〜３μmを有するＣｒとＡｌの複合窒化物（組成式：（Ｃｒ_１−ＸＡｌ_Ｘ）Ｎで表した場合、好ましくは、０．４≦Ｘ（原子比）≦０．７）層、上部層として、平均層厚０．５〜２μmを有するＦｅとＴｉの複合酸化物（組成式：Ｆｅ_２Ｔｉ_ＹＯ_２＋２Ｙで表した場合、好ましくは、０．８≦Ｙ（原子比）≦１．２）層からなる硬質被覆層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】高速・高能率切削が可能な、ＴｉＡｌＳｉＮよりも耐摩耗性に優れた切削工具用硬質皮膜、およびこの様な硬質皮膜を得るための有用な製造方法を提供する。
【解決手段】（Ｔｉ_{１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ}，Ａｌ_ａ，Ｃｒ_ｂ，Ｓｉ_ｃ，Ｂ_ｄ）（Ｃ_１−ｅＮ_ｅ）からなる硬質皮膜であって、Ａｌ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｂのそれぞれの原子比ａ，ｂ，ｃ，ｄが、０．５≦ａ≦０．８、０．０６≦ｂ、０≦ｃ≦０．１、０≦ｄ≦０．１、０．０１≦ｃ＋ｄ≦０．１およびａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＜１を満たすようにし、かつＮの原子比ｅが０．５≦ｅ≦１を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】非鉛系の圧電性薄膜を用いて、高性能かつ高信頼の圧電性薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板１と、接着層２と、下部電極３と、配向制御層である下地層６と、スパッタリング法によって成膜された（Ｎａ_xＫ_yＬｉ_z）ＮｂＯ₃（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表されるペロブスカイト型酸化物を主相とする圧電性薄膜４と上部電極５を有し、圧電性薄膜４の内部応力の絶対値が１．６ＧＰａ以下である。 （もっと読む）

【課題】 単結晶シリコン膜のリフトオフが良好であり、かつ高純度の太陽電池用単結晶シリコン膜を得ることができる単結晶薄膜の製造方法及びその単結晶薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板７１を用意し、この単結晶シリコン基板７１上に同一の物質で結晶欠陥を含んだ単結晶シリコン犠牲層７２を形成し、この単結晶シリコン犠牲層７２上に同一の物質でこの単結晶シリコン犠牲層７２より結晶欠陥の少ない単結晶シリコン薄膜７３を形成し、前記単結晶シリコン犠牲層７２を溶解し、結晶欠陥の少ない単結晶シリコン薄膜７３を製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、クレーター摩耗を低減するとともに高度な耐摩耗性を付与することができる被膜を備えた表面被覆切削工具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、１以上の層を含み、該層のうち少なくとも１の層は、化学式Ｔｉ_1-XＺｒ_XＭ_αＺ_β（ただし、ＭはＹおよびＳｉの少なくとも一方、Ｘ、α、βはそれぞれ原子比を示し、Ｘは０．２≦Ｘ≦０．６であり、αは０．０２≦α≦０．２、βは０．１≦β≦２である。また、Ｚは酸素、炭素、および窒素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を示す。）で示される第１化合物を含むＹ／Ｓｉ添加チタンジルコニウム層であり、上記第１化合物は、Ｘ線回折における（１１１）面のピーク強度Ａと（２００）面のピーク強度Ｂとの比Ｂ／Ａが０≦Ｂ／Ａ≦１となる結晶構造を有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、構造化被覆部を基板上に形成する方法であって、被覆される表面を有する基板を準備するステップと、少なくとも１種類の蒸着被覆物質、具体的には、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、または、二酸化チタンを、熱蒸着法および加法的構造化法によって上記被覆される基板表面上に積層することによって、該表面上に構造化被覆部を形成するステップとを含む、方法に関する。本発明は、さらに、被覆済み基板および被覆済み基板を備えた半完成品にも関する。
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【課題】蒸着重合により均一に成膜することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】チャンバー内に設置された基板に、気化した複数の物質を化学反応させることにより、前記基板上に前記化学反応により生成された物質からなる膜を形成する成膜装置において、前記チャンバー内には、前記基板に対向して設けられた前記気化した複数の物質を供給するための供給口を有する材料供給器を有し、前記供給口は前記複数の物質の各々に対し、複数設けられていることを特徴とする成膜装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 切刃に断続的に衝撃がかかる切削条件においても被覆層のチッピングや剥離を抑制できる切削工具を提供する。
【解決手段】 基体の表面が被覆層で被覆され、すくい面と逃げ面との交差稜線部を切刃とする切削工具であって、前記逃げ面における前記基体の表面に深さ０．５μｍ以内の窒素、炭素、硼素、珪素およびチタンの群から選ばれる１種以上の元素が多い基体表面冨化領域１１が存在し、すくい面における前記基体の表面には前記基体表面冨化領域が存在しないとともに、前記逃げ面における前記被覆層の厚みが前記すくい面における前記被覆層の厚みよりも１．２〜３倍厚いスローアウェイチップ１である。 （もっと読む）