【課題】処理容器内の脱気処理を十分に行って高真空にできると共に、高温に耐え得る載置台構造を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して金属を含む薄膜を形成するために被処理体を載置する載置台構造３２において、内部にチャック用電極３４と加熱ヒータ３６とが埋め込まれたセラミック製の載置台３８と、載置台の周辺部の下面に接続された金属製のフランジ部１００と、フランジ部とネジ１２６により接合されると共に内部に冷媒を流すための冷媒通路４０が形成された金属製の基台部４２と、フランジ部と基台部との間に介在された金属シール部材１３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】反応容器内で第１及び第２の原料ガスを反応させ、基板表面に薄膜を成膜する場合において、第１及び第２の原料ガスを、インジェクタの近傍で均一に混合してから基板に到達させることができ、成膜する薄膜の膜質、膜厚を基板間及び面内で均一に揃えることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】反応容器内に第１及び第２の原料ガスを吐出する第１及び第２のインジェクタ１１、１２を備え、第１及び第２のインジェクタ１１、１２は、第１及び第２の原料ガスを基板に向けて吐出する複数の第１の吐出口Ｎ１、Ｎ２が設けられ、第１の吐出口Ｎ１から吐出された第１の原料ガスの流路ＦＬ１が、対応する第２の吐出口Ｎ２から吐出された第２の原料ガスの流路ＦＬ２と略同一であり、第１の原料ガスは、第１の吐出口Ｎ１から吐出された後、基板に到達する前に、第２の原料ガスと混合されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ基合金、Ｃｏ基合金などの耐熱合金の高速切削条件下で、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、下部層と上部層からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、下部層は薄層Ａと薄層Ｂの交互積層からなり、また、上部層は薄層Ａと薄層Ｃの交互積層からなり、さらに、上記薄層Ａは、（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層あるいは（Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ）Ｎ層のいずれか、上記薄層Ｂは、（Ｃｒ，Ａｌ）Ｎ層あるいは（Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ）Ｎ層のいずれか、また、上記薄層Ｃは、（Ｔｉ，Ｓｉ）Ｎ層からなる。 （もっと読む）

【課題】溶着性の高い被削材の重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐ピッチング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットからなる工具基体の表面に、（ａ）下部層として、組成式：（Ａｌ_αＴｉ_{１−（α＋β）}Ｓｉ_β）Ｎで表される（但し、原子比で、０．５０≦α≦０．６５，０．０１≦β≦０．１０）ＡｌとＴｉとＳｉの複合窒化物層、（ｂ）中間層として、組成式：（Ａｌ_１−ＹＳｉ_Ｙ）_２Ｏ_３で表される（但し、原子比で、０．０１≦Ｙ≦０．３）ＡｌとＳｉの複合酸化物層、（ｃ）上部層として、組成式：（Ａｌ_１−ＹＳｉ_Ｙ）_１−ＸＯ_Ｘで表され（但し、原子比で、０≦Ｘ≦０．１，０．０１≦Ｙ≦０．３比）、かつ、上部層のＯ（酸素）含有割合が、中間層側から上部層表面に向かって減少する組成傾斜型のＡｌとＳｉの複合酸化物層、を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】ナノサイズの表面平滑性を備え、すぐれた切屑排出性を示す表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる切削工具基体表面に、幅１０〜１００ｎｍ、高さ０．２〜２μｍの柱状晶を有し、さらに、原子間力顕微鏡により表面形状を測定した場合、幅１０〜１００ｎｍ、高さ２０ｎｍ以下の均一な凹凸を有し、かつ、１μｍ×１μｍの領域における平均面粗さを測定した場合、５ｎｍ以下の平均面粗さを有する（Ｃｒ_１−Ｘ Ａｌ_Ｘ ）Ｎ層（但し、Ｘは原子比で０．３〜０．７）からなる硬質被覆層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】ナノサイズの表面平滑性を備え、すぐれた切屑排出性を示す表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる切削工具基体表面に、幅１０〜１００ｎｍ、高さ０．２〜２μｍの柱状晶を有し、さらに、原子間力顕微鏡により表面形状を測定した場合、幅１０〜１００ｎｍ、高さ２０ｎｍ以下の均一な凹凸を有し、かつ、１μｍ×１μｍの領域における平均面粗さを測定した場合、５ｎｍ以下の平均面粗さを有するＴｉＮ層からなる硬質被覆層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ基合金、Ｃｏ基合金などの耐熱合金の高速切削条件下で、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、薄層Ａと薄層Ｂと薄層Ｃの積層構造からなり、かつ、薄層Ｂと薄層Ｃが薄層Ａを介して交互に積層されてなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、薄層Ａは、（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層あるいは（Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ）Ｎ層のいずれか、薄層Ｂは、（Ｃｒ，Ａｌ）Ｎ層あるいは（Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ）Ｎ層のいずれか、また、上記薄層Ｃは、（Ｔｉ，Ｓｉ）Ｎ層からなる。 （もっと読む）

【課題】電気化学セルを構成する固体電解質の低抵抗化（高イオン導電性）を図ることにより、低抵抗化された前記電気化学セルを提供する。
【解決手段】電子ビーム物理蒸着法あるいは放電プラズマ焼結法などを用いて作製された、酸化物イオン導電性あるいはプロトン導電性を有し、結晶配向を制御された柱状結晶を含む固体電解質１１と、固体電解質１１の相対向する一対の主面上に形成された一対の電極１２，１３と、を具えるようにして形成された電気化学セル１０。 （もっと読む）

【課題】溶着性の高い被削材の重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐ピッチング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットからなる工具基体の表面に、（ａ）下部層として、平均層厚２〜１０μｍのＡｌとＴｉとＳｉの複合窒化物層、（ｂ）上部層として、１〜３μｍの平均層厚を有し、上部層全体における平均組成を、組成式：（Ａｌ_１−ＸＳｉ_Ｘ）_２Ｏ_３で表した場合、０．０１≦Ｘ≦０．３（但し、Ｘ値は原子比）を満足し、かつ、上部層におけるＳｉ含有割合は、下部層側から上部層表面に向かって減少する傾斜組成を有し、しかも、上部層表面におけるＳｉ含有割合を示すＸsurf値が、０≦Ｘsurf≦０．０５（但し、Ｘsurf値は原子比）を満足する組成傾斜型のＡｌとＳｉの複合酸化物層、を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】高硬度材の高速切削加工で、すぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】ｃＢＮ含有量が７０容量％以上であるｃＢＮ基超高圧焼結材料からなる工具基体の表面に、下部層、中間層および上部層からなる硬質被覆層を蒸着形成し、下部層は、組成式：Ｂ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｃ_ＸＮ_Ｙで表した場合、Ｘ＝０．０５〜０．３、Ｙ＝０．１〜０．４（Ｘ、Ｙは原子比）を満足するＢ、ＣおよびＮの複合化合物層、中間層はＢ_４Ｃ層、上部層は、組成式：（Ｔｉ_１−ＺＡｌ_Ｚ）Ｎ層で表した場合、Ｚ＝０．３〜０．６５（Ｚは原子比）であるＴｉとＡｌの複合窒化物層、で構成する。 （もっと読む）

【課題】ナノサイズの表面平滑性を備え、すぐれた切屑排出性を示す表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる切削工具基体表面に、幅１０〜１００ｎｍ、高さ０．２〜２μｍの柱状晶を有し、さらに、原子間力顕微鏡により表面形状を測定した場合、幅１０〜１００ｎｍ、高さ２０ｎｍ以下の均一な凹凸を有し、かつ、１μｍ×１μｍの領域における平均面粗さを測定した場合、５ｎｍ以下の平均面粗さを有する（Ｔｉ_１−Ｘ Ａｌ_Ｘ ）Ｎ層（但し、Ｘは原子比で０．３〜０．６５）からなる硬質被覆層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ基合金、Ｃｏ基合金などの耐熱合金の高速切削条件下で、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、下部層と上部層からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、下部層は薄層Ａと薄層Ｂの交互積層からなり、また、上部層は薄層Ａと薄層Ｃの交互積層からなり、さらに、上記薄層Ａは、（Ｃｒ，Ａｌ）Ｎ層あるいは（Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ）Ｎ層のいずれか、上記薄層Ｂは、（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層あるいは（Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ）Ｎ層のいずれか、また、上記薄層Ｃは、（Ｔｉ，Ｓｉ）Ｎ層からなる。 （もっと読む）

【課題】分子配向方向が制御された電荷輸送性非晶質薄膜を得る方法を提供する。
【解決手段】明確な融点を示さず、６０℃以上のガラス転移点（Tg）を有し、分子量４００〜２５００の範囲にあり、電荷輸送性のアミン系π共役化合物であって、該π共役化合物が内接する最小直径の円筒の長さ(L)と直径(D)の比(L/D)が２．５以上であるπ共役化合物を、基板に蒸着製膜する際に、基板温度を制御することにより、π共役化合物の配向方向を制御して電荷輸送性非晶質膜の配向方向を制御する方法、及び蒸着する基板の温度を０℃〜Tg-３０℃の範囲に制御してπ共役化合物の分子配向が基板に対して水平方向に配向した電荷輸送性非晶質薄膜を製造する方法。 （もっと読む）

本発明は、基板本体とそれに付着された単層または多層コーティングを有する切削工具に関する。コーティングの少なくとも１つの層はＰＶＤ法またはＣＶＤ法において作製された金属酸化物層であり、その金属酸化物層は粒子構造を有し、多数の存在する粒子構造の無秩序内に存在し、その粒子構造の無秩序は、点形状反射が最大格子面間隔ｄ_Grenzまで粒子の電子線回折画像において生じ、そしてｄ_Grenzより大きい格子面間隔では点形状反射は生じないが、アモルファス構造の代表的な強度分布を生じることを特徴とする。
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【課題】密着性が充分な非晶質炭素被膜を被覆した非常に高い面圧下で使用される機械部品や、切削工具、金型を提供する。
【解決手段】非晶質炭素被覆部材の構造を、基材１上に周期律表第ＩＶａ 、Ｖａ、ＶＩａ 、ＩＩＩｂおよびＣ以外のＩＶｂ 族元素のなかから選ばれた少なくとも１つの元素、またはこれらのなかから選ばれた少なくとも１つの元素の炭化物からなる中間層２が形成され、この中間層２上に非晶質炭素膜３が形成された構造とし、中間層２の厚さを０．５ｎｍ 以上１０ｎｍ未満とする。 （もっと読む）

【課題】重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる工具基体表面に硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具において、下部層として、組成式：（Ｃｒ_１−ＸＡｌ_Ｘ ）Ｎで表した場合、Ｘは０．４〜０．７（Ｘは原子比）を満足するＣｒとＡｌの複合窒化物層、上部層として、組成式：（Ｃｒ_{１−Ｙ―Ｚ} Ｓｉ_ＹＭｏ_Ｚ） Ｎで表した場合、Ｙは０．０５〜０．３、Ｚは０．２〜０．５（Ｙ、Ｚは原子比）を満足するＣｒとＳｉとＭｏの複合窒化物層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる工具基体表面に硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具において、下部層として、組成式：（Ｔｉ_１−ＸＡｌ_Ｘ ）Ｎで表した場合、Ｘは０．３〜０．６（Ｘは原子比）を満足するＴｉとＡｌの複合窒化物層、上部層として、組成式：（Ｃｒ_{１−Ｙ―Ｚ} Ｓｉ_ＹＭｏ_Ｚ） Ｎで表した場合、Ｙは０．０５〜０．３、Ｚは０．２〜０．５（Ｙ、Ｚは原子比）を満足するＣｒとＳｉとＭｏの複合窒化物層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる工具基体表面に硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具において、下部層として、組成式：（Ｔｉ_１−ＸＡｌ_Ｘ ）Ｎで表した場合、Ｘは０．３〜０．６（Ｘは原子比）を満足するＴｉとＡｌの複合窒化物層、上部層として、組成式：（Ｃｒ_{１−Ｙ―Ｚ} Ｓｉ_ＹＷ_Ｚ） Ｎで表した場合、Ｙは０．０５〜０．３、Ｚは０．２〜０．５（Ｙ、Ｚは原子比）を満足するＣｒとＳｉとＷの複合窒化物層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】短時間化、低コスト化が可能な一次元ナノ構造体の製造方法、一次元ナノ構造体の製造装置及び電子デバイスの製造方法並びにこの方法によって製造された電子デバイスを提供すること。
【解決手段】厚さが５００ｎｍ以下のアモルファス酸化バナジウム薄膜を基板上に形成し、酸素、窒素、希ガスの単独又は混合ガスを用い、減圧又は常圧の雰囲気において、室温で薄膜にエネルギー密度が１Ｊ／ｃｍ²以下のパルスレーザを照射して二酸化バナジウムを母材とし単斜晶型又はルチル型の結晶構造を有する一次元ナノ構造体としてナノワイヤを形成し、基板をエッチング処理して基板にナノワイヤを残存させる。一次元ナノ構造体の製造方法は、二酸化バナジウムの金属−絶縁体相転移を利用した各種の電子デバイスの製造に適用される。 （もっと読む）

【課題】常温常圧にて水素を吸収・貯蔵し、１５０℃以下の比較的低温で水素を放出する水素貯蔵複合材料を提供する。
【解決手段】水素貯蔵複合材料１は、水素を貯蔵する金属酸化物によって構成された水素貯蔵層２と、水素貯蔵層２上に積層された、水素を吸収する貴金属を含んで構成された水素吸収層と、を含む。水素貯蔵層２の水素吸収層が積層された一方の面と反対側の他方の面にも、水素を吸収する貴金属を含んで構成された水素吸収層を設けることが好ましい。具体的には、Ｌｉ_２ＺｒＯ_３層がＰｔ層で挟まれたＰｔ／Ｌｉ_２ＺｒＯ_３／Ｐｔの構成とする。 （もっと読む）