【課題】常に高い蒸着レートにより蒸着を行うことができ、しかも蒸着を行う半導体基板に損傷を与えたり、フォトレジストの硬化を引き起こすことのない、真空蒸着装置及びこの装置の電子ビーム照射方法を提供する。
【解決手段】この真空蒸着装置１０は、半導体基板２４を保持する基板ホルダーと、電子ビーム１７を蒸発材料に照射し蒸発させる電子ビーム発生手段と、前記蒸発材料に前記電子ビーム１７が照射されるように、前記電子ビーム１７の軌道を制御するビーム軌道制御手段と、前記半導体基板２４に蒸着される薄膜の蒸着レートを検知する蒸着レート検知手段と、前記蒸着レートが低下したとき、前記蒸着レートより高い蒸着レートが得られる前記蒸着材料の高蒸着レート位置を算出する高蒸着レート位置算出手段と、前記蒸着材料の前記高蒸着レート位置に前記電子ビーム１７が照射されるよう前記電子ビーム１７の軌道を修正するビーム軌道修正手段とを有する。 （もっと読む）

（a）カソーディック真空アーク（CVA）蒸着工程を実施することによって基板上に材料を蒸着する工程;および（b）CVA蒸着以外の、化学蒸着（CVD）工程および物理蒸着（PVD）工程の少なくとも1つを実施することによって基板上に材料を蒸着する工程を含む、基板上にコーティングを蒸着する方法を開示する。本方法においては、工程（b）において蒸着された材料の厚さが、工程（a）において蒸着された材料の厚さよりも大きい。

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【課題】ＰＺＴ系のペロブスカイト型酸化物において、Ａサイトに１モル％超の置換イオン及びＢサイトに１０モル％以上の置換イオンを添加され、且つＡサイト欠陥が少ないものとする。
【解決手段】本発明のペロブスカイト型酸化物は、下記式（Ｐ）で表されることを特徴とするものである。
（Ｐｂ_{１−ｘ＋δ}Ａ_ｘ）（Ｚｒ_ｙＴｉ_１−ｙ）_１−ｚＭ_ｚＯ_ｗ・・・（Ｐ）
（式中、Ｐｂ及びＡはＡサイト元素であり、ＡはＰｂ以外の少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ及びＭはＢサイト元素であり、ＭはＮｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｓｂ，Ｍｏ及びＷからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０．０１＜ｘ≦０．４、０＜ｙ≦０．７、０．１≦ｚ≦０．４。δ＝０及びｗ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】良好なｐ型特性を持つ窒化物半導体層を得ることが可能な窒化物半導体層の成長方法を提供する。
【解決手段】ｐ型ドーパントとしてＢｅを用いる場合、Ｍｇを用いる場合に比べてｐ−ＧａＮ層２３のｐ型特性は、基板５の表面の転位密度に顕著に依存する。したがって、転位密度５×１０^８ｃｍ^−２以下の基板５を用いることにより、転位によるＢｅのキャリア補償を抑制でき、良好なｐ型特性を持つｐ−ＧａＮ層２３が得られる。また、ＭＢＥ法を用いることにより、ｐ−ＧａＮ層２３の成長方向や組成分布を精度良く制御できる。 （もっと読む）

【課題】結晶質でクラックを有さず、高い硬さと優れた耐摩耗性とを兼ね備えた硬質皮膜層及びその形成方法を提供する。
【解決手段】基材２を被覆する結晶質の硬質皮膜層３は、ＰＶＤ法により形成され，ＳｉとＣとを必須成分とし、元素Ｍ［３Ａ族元素，４Ａ族元素，５Ａ族元素，６Ａ族元素，Ｂ，Ａｌ及びＲｕの中から選ばれた１種以上の元素］とＮとを選択成分とし、Ｓｉ_ｘＣ_{１−ｘ−ｙ−ｚ}Ｎ_ｙＭ_ｚ（０．４≦ｘ≦０．６、０≦ｙ≦０．１、０≦ｚ≦０．２）の組成を有する。 （もっと読む）

【課題】通常ペロブスカイト型構造をとりにくい、または結晶性が悪化するＢｉ系ペロブスカイト型酸化物を含み、強誘電性能（圧電性能）に優れたペロブスカイト型酸化物膜を提供する。
【解決手段】本発明のペロブスカイト型酸化物膜は、下記一般式（Ｐ１）で表されるペロブスカイト型酸化物を含むことを特徴とするものである。
（Ａ_１−ｘ，Ｂ_ｘ）（Ｃ_ｙ，Ｄ_１−ｙ）Ｏ_３ ・・・（Ｐ１）
（式中、０＜ｘ＜１−ｙ、０＜ｙ＜１．０、ＡはＢｉを主成分とするＡサイト元素、ＢはＤとペロブスカイト構造を取る、Ａとは異なる少なくとも１種のＡサイト元素、ＣはＡとペロブスカイト構造をとる元素を主成分とするＢサイト元素、ＤはＡとペロブスカイト構造を取り得ない、又は取りにくい少なくとも１種のＢサイト元素。Ｂ〜Ｄは各々平均イオン価数３価の金属元素であるが，ペロブスカイト構造を取り得る範囲内でずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】放電電圧を低下させることなく基板表面のチャージアップを抑制することができる触媒材料の製造方法及び真空アーク蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明の一形態では、円筒状の絶縁部材２３と、上記絶縁部材の外周部に配置された触媒活性を有する金属でなる蒸着材料２１と、上記絶縁部材の外周部に配置されたトリガ電極２２と、上記トリガ電極の周囲に同心的に配置された筒状のアノード電極２４とを有するアーク蒸着源が用いられる。そして、表面にカーボン系材料層Ｃが形成された基板Ｗが準備される。上記蒸着材料の微粒子は、減圧雰囲気下で、上記アーク蒸着源における上記蒸着材料と上記筒状電極との間の放電制御によって生成されて、上記カーボン系材料層の表面に付着させられる。上記アーク蒸着源における上記放電制御に同期して、電子供給源４０から上記減圧雰囲気に電子が供給される。 （もっと読む）

【課題】高硬度材の高速高送り切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）組成式：（Ｔｉ_1−αＡｌ_α）Ｎあるいは組成式：（Ｔｉ_1−α−βＡｌ_αＭ_β）Ｎ（但し、Ｍは、Ｔｉを除く周期律表４ａ，５ａ，６ａ族の元素、Ｓｉ、Ｂ、Ｙのうちから選ばれた１種又は２種以上の添加成分を示し、原子比で、０．４５≦α≦０．７５、０．０１≦β≦０．２５）を満足するＴｉとＡｌ（とＭ）の複合窒化物層からなるＴｉＡｌ（Ｍ）Ｎ薄層、（ｂ）組成式：（Ｃｒ_１−γＹ_γ）Ｎ（但し、原子比で、０．０１≦γ≦０．１）を満足するＣｒとＹの複合窒化物層からなるＣｒＹＮ薄層、上記（ａ）、（ｂ）の交互積層からなる硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具。 （もっと読む）

本発明は単にファンデルワールス力ではなく、４ｅＶ≦の結合エネルギーによって化学的に結合された気密接着被覆を表面に有する単結晶アルカリ土類金属フッ化物光学素子に関するものである。光学素子に被覆を施す材料はＳｉＯ_２、Ｆ−ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｆ−Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯＮ、ＨｆＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、及びこれ等のうちの（任意の）混合物、例えば、ＳｉＯ_２ＪＨｆＯ_２及びＦ−ＳｉＯ_２/ＺｒＯ_２から成る群より選択される。光学素子に使用される好ましいアルカリ土類金属フッ化物はＣａＦ_２であり、好ましい被覆はＳｉＯ_２、Ｆ−ＳｉＯ_２、ＳｉＯ_２/ＺｒＯ_２及びＦ−ＳｉＯ_２/ＺｒＯ_２である。
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より高い不純物濃度のアルカリ金属を保有する六方晶系ウルツ鉱基板を使用することによって、低い不純物濃度のアルカリ金属を伴う六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層を得る方法であって、エピタキシャル層がその上に成長させられる基板の表面は、ｃ面とは異なる結晶面を有する方法。本発明の１つ以上の実施形態による、六方晶系ウルツ鉱基板上に成長させられる六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層は、六方晶系ウルツ鉱基板中のアルカリ金属の不純物濃度よりも低い、六方晶系ウルツ鉱型層中のアルカリ金属の不純物濃度を有し、六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層は、ｃ面とは異なる結晶面を有する六方晶系ウルツ鉱基板の表面上に成長させられる。
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【課題】発光強度が、粒径によらず、ほぼ均一で高い発光が得られる半導体ナノ粒子含有膜及び半導体ナノ粒子を提供する。また、当該半導体ナノ粒子を用いた生体物質標識剤を提供する。
【解決手段】スパッタ法により形成された半導体ナノ粒子含有膜であって、膜厚が０．５〜１０μｍであり、当該膜内に、結晶化した半導体ナノ粒子が、５．０×１０^６〜１．０×１０^８個／μｍ^３含有されていることを特徴とする半導体ナノ粒子含有膜及びそれから分取り出された半導体ナノ粒子。 （もっと読む）

本発明は、ベース体およびそこに塗布された多層コーティングを含む切削工具に関し、それは互いに交互かつ直接に塗布された複数の主層Ａおよび中間層Ｂを含み、随意的にさらなる層を含み、ここで、主層Ａおよび中間層ＢはそれぞれＰＶＤプロセスによって製造された金属酸化物層であり、主層Ａの厚さは4nmから1 μmの範囲であり、中間層Ｂの厚さは2nmから50nmの範囲であり、ここで、中間層Ｂの厚さ対主層Ａの厚さの比率が1:2 から 1:100の範囲である。 （もっと読む）

【課題】カソード電極とトリガ電極との間の短絡を効果的に抑止でき、メンテナンスフリーの状態における使用期間をより長期間とする（または使用回数をより多くする）ことのできるアーク蒸着装置を提供する。
【解決手段】カソード電極１と、これを包囲する絶縁ガイシ４と、この外周に設けられたＣリング３と、この外周に設けられたトリガ電極２と、が一つのユニット体を形成して筒状のアノード電極６内に収容され、これが減圧容器８内に収容されてできるアーク蒸着源１０を具備するアーク蒸着装置１００であり、カソード電極１を構成する蒸着材料の消耗に応じて該カソード電極１を絶縁ガイシ４に対して相対的に移動させる第１の送り出し手段９Ａと、少なくとも絶縁ガイシ４をＣリング３の端部から突出させる第２の送り出し手段９Ｂとを備え、Ｃリング３の切欠き３１はトリガ電極２側からカソード電極１側に向ってその切欠き幅が広くなっている。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて厚い被膜をＰＶＤ法で形成することにより優れた耐摩耗性を有するとともに、形成時や切削加工時に被膜が破壊されることを低減した表面被覆切削工具を提供することにある。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と、該基材上に形成された被膜とを含む表面被覆切削工具であって、上記被膜は、１５μｍ以上５０μｍ以下の厚みを有する物理蒸着層であって、Ｘ線回折において（２００）面配向を示し、その（２００）面におけるピークの半価幅２θが０．１°＜２θ＜０．９°を満たす柱状組織を含み、この柱状組織は、複数の柱状晶を含み、基材表面から垂直方向２μｍの位置であって基材表面に対して平行な所定の長さの線分上において、基板表面に対して垂直方向の長さが２．５μｍ以上４μｍ以下である柱状晶が上記線分の５０％以上８０％以下を占めることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】タービン動翼などに設けられる遮熱用などの保護皮膜において、接着性の良い保護皮膜、及びその設層方法を提供する。
【解決手段】保護皮膜を有する物品は、第１表面２２を有する基材１８と、第１表面２２から延在する複数の要素２０ａと、複数の要素２０ａの少なくとも一部の間、又は複数の要素２０ａの少なくとも一部の上、又はその両方に配置された保護皮膜２４ａとを備える。複数の要素２０ａは基材１８と一体である。 （もっと読む）

テンプレート化基板は、ベース層と、ベース層上に配置されており、単結晶ＩＩＩ族窒化物を含む組成物を有している、テンプレート層とを含む。テンプレート層は、ベース層上にある連続副層と、第１の副層上のナノ円柱状副層とを含み、ナノ円柱状副層は、複数のナノスケール円柱を含む。上記ベース層は、サファイア、ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ、４Ｈ−ＳｉＣ、Ｓｉ、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４、およびＬｉＧａＯ_２から成る群より選択される材料を含み得る。
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【課題】結晶性の高いＲＰ相を有する層状のチタン酸ストロンチウム薄膜を得る方法を提供する。
【解決手段】所定の第１温度において、チャンバー内に配置されたターゲットにレーザー光をパルス状に照射し、前記ターゲットと対向する位置に配置した基板上にＳｒＯ層を形成する工程と、所定の第２温度において、チャンバー内に配置されたターゲットにレーザー光をパルス状に照射し、前記ターゲットと対向する位置に配置した基板上に形成されたＳｒＯ層上にＳｒＴｉＯ₃層を形成する工程と、を含み、前記第１温度がＳｒＯ層のみで結晶成長可能な上限温度よりも低く、前記第２温度がＳｒＴｉＯ₃層の結晶化に必要な下限温度よりも高く、前記第１温度が前記第２温度よりも低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】線膨張係数の異なる光学部材同士を接合することができるとともに波面収差のバラツキのない光学物品を提供する。
【解決手段】それぞれ水晶からなり線膨張係数の異なる第一光学部材１１及び第二光学部材１２と、これらの第一光学部材１１と第二光学部材１２とを分子接合する接合層１３とを備え、接合層１３をプラズマ重合膜１３１から構成した。そのため、第一光学部材１１と第二光学部材１２とが分子接合されることで接着剤が不要となり、その結果、第一光学部材１１と第二光学部材１２との接合部分に厚さのバラツキがなくなって波面収差がなくなる。しかも、接着剤を使用しないことで、耐光性が向上する。そして、プラズマ重合膜１３１が第一光学部材１１，２１，３１，４１と第二光学部材１２，２２，３２，４２との接合面の微小な凹凸面や熱膨張の差を追従することができる。 （もっと読む）

本発明は、層状構造を備える傾斜バリア膜であって、前記層状構造は、金属酸化物から構成される第１層と、該第１層上に配置される金属窒化物又は金属酸窒化物から構成される第２層と、該第２層上に配置される金属酸化物から構成される第３層と、を備える傾斜バリア膜に関する。本発明は、更に、この傾斜バリア膜を製造するスパッタリング方法、並びにこの傾斜バリア膜でカプセル化された装置に関する。 （もっと読む）

【課題】ウェットプロセスとドライプロセスを併用することにより、触媒金属の有効面積を大きくでき、しかも触媒金属の高担持を実現することのできる電極触媒の製造方法を提供する。
【解決手段】溶媒Ｙ中に、カーボン等の担体Ｃと、触媒物質もしくは触媒物質前駆体Ｓ１’と、を分散させ、攪拌して、担体Ｃ表面に触媒物質Ｓ１が付着してなる電極触媒の中間体Ｔ１を生成する第１の工程（ウェットプロセス）と、この中間体Ｔ１の表面に、ドライ条件下にて触媒物質Ｓ２をさらに付着させて触媒担持担体粒子Ｔ２を生成する第２の工程（ドライプロセス）と、からなる電極触媒の製造方法である。 （もっと読む）