【課題】常温常圧にて水素を吸収・貯蔵し、１５０℃以下の比較的低温で水素を放出する水素貯蔵複合材料を提供する。
【解決手段】水素貯蔵複合材料１は、水素を貯蔵する金属酸化物によって構成された水素貯蔵層２と、水素貯蔵層２上に積層された、水素を吸収する貴金属を含んで構成された水素吸収層と、を含む。水素貯蔵層２の水素吸収層が積層された一方の面と反対側の他方の面にも、水素を吸収する貴金属を含んで構成された水素吸収層を設けることが好ましい。具体的には、Ｌｉ_２ＺｒＯ_３層がＰｔ層で挟まれたＰｔ／Ｌｉ_２ＺｒＯ_３／Ｐｔの構成とする。 （もっと読む）

【課題】成膜速度を向上させることが可能な薄膜の製造方法および薄膜の製造装置を提供する。
【解決手段】薄膜の製造方法は、基材上に原料粉末を供給する工程（Ｓ１０）と、原料粉末に対してパルスレーザを照射して原料粉末を昇華させる工程（Ｓ３０）と、昇華した原料粉末を構成する材料を、基材に対向して配置された基板上に堆積させる工程（Ｓ４０）とを備えている。このとき、基材において原料粉末を載置する表面は、原料粉末と同一材料からなっていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】クレータ摩耗を低減するとともに高度な耐摩耗性を付与することができる被膜を備えた表面被覆切削工具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具はＡ層とＢ層とを含む被膜を備え、Ａ層は、化学式Ti_1-a(M1)_aN_b（M1はCr、Hf、Ta、NbまたはSiの少なくとも１種の元素、0＜a≦0.3、0.9＜b≦1.1）で示される組成を有するa1層と、化学式Ti_1-c(M2)_cN_d（M2はCr、Hf、Ta、NbまたはSiの少なくとも１種の元素、M1とM2とは少なくとも１種が相異なり、0＜c≦0.3、0.9＜d≦1.1）、または化学式Ti_1-eAl_eN_f（0.4＜e≦0.8、0.9＜f≦1.1）で示される組成を有するa2層とを含み、Ｂ層は、化学式Ti_1-α(M3)_αC_βN_γ（M3はCr、Hf、Ta、NbまたはSiの少なくとも１種の元素、0≦α≦0.3、0.9＜β＋γ≦1.1、0.1＜β≦1.1）で示される組成を有するb1層を含み、Ａ層におけるa1層とa2層とは交互に積層され、Ｂ層がＡ層よりも基材の表面層側に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高度な耐摩耗性を付与することができ、かつ熱亀裂による影響を低減する被膜を備えた表面被覆切削工具を提供することにある。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材上の少なくとも一部に形成された被膜が、Ａ層とＢ層とを含み、Ａ層は、化学式Ｔｉ_1-X（Ｍ１）_XＮ_Y（Ｍ１はＡｌ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、ＶおよびＳｉからなる群より選択されるいずれか１の元素であり、ＸおよびＹは原子比であり、０≦Ｘ≦０．８、０．９＜Ｙ≦１．１）で表わされる化合物により構成されるａ１層を含み、Ｂ層は、化学式Ｔｉ_1-p（Ｍ３）_pＣ_rＮ_s（Ｍ３はＡｌ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、ＶおよびＳｉからなる群より選択されるいずれか１の元素であり、ｐ、ｒおよびｓは原子比であり、０≦ｐ≦０．３、０．９＜ｒ+ｓ≦１．１、０．１＜ｒ≦１．１）で表わされる化合物により構成されるｂ１層を含み、Ａ層とＢ層との積層数の合計は３層以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板に帯電する負電荷が中和される様にする。
【解決手段】 真空チャンバー１内に、絶縁部材を介して取り付けられた基板ホルダー４、蒸発材料の加熱用電子銃９を有する蒸発源、真空チャンバー側壁及び底壁に沿って碍子２１を介して真空チャンバー側壁に取り付けられた防着板２０、真空チャンバー内に蒸発源から蒸発した蒸発粒子をイオン化するための電子ビームを発生するプラズマ発生源１１を備え、プラズマ発生源１１は、熱陰極１５と電子放出電極１７が配置されたケース１２と、熱陰極１５と電子引出電極１７との間に放電電圧を印加する放電電源を備え、ケース１２内で形成されたプラズマＰ１中の電子を放電電圧に基づいて真空チャンバー１内に引き出す様に成しているイオンプレーティング装置において、基板ホルダー４と真空チャンバー１壁間の電位を測定する直流電圧計２２と、この電位が基準値になる様に放電電圧をコントロールする制御装置２３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】チップやドリル、エンドミルなどの切削工具や鍛造金型や打ち抜きパンチなどの冶工具などに形成する硬度と潤滑性に優れた硬質皮膜およびその関連技術を提供する。
【解決手段】（Ａｌ_1-a-d-ｅＶ_aＭｏ_dＷ_ｅ）（Ｃ_1-XＮ_X）からなる硬質皮膜であって、０．２≦ａ≦０．７５、０＜ｄ＋ｅ≦０．３、０．３≦Ｘ≦１（式中、ａ、ｄ、ｅおよびＸは互いに独立して原子比を示す：なおｄおよびｅは、一方が０であってもよいが、両方が０になることはない）である組成を特徴とする硬質皮膜を、例えば、チャンバー１、アーク式蒸発源２、支持台３、バイアス電源４、ターゲット６、アーク電源７、磁界形成手段８、排気口１１、ガス供給口１２、被処理体ＷからなるＡＩＰ装置を用いて成膜する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板として良好な品質を持ち、且つその表面が高抵抗化されたＧａＮ系化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１は、半導体結晶をエピタキシャル成長させるための主面１０ａを有する基板であって、主面１０ａの少なくとも一部の領域１２にＨやＨｅ、Ａｒといった所定のイオンが注入されており、該少なくとも一部の領域１２は主面１０ａ全域の７０％以上を占めており、該領域１２の表面におけるシート抵抗値の平均は１×１０^４Ω／□以上である。 （もっと読む）

【課題】 被覆層のすくい面および逃げ面における特性の微調整が可能であり、強い衝撃がかかるような切削加工においても耐欠損性が高い切削工具を提供する。
【解決手段】 基体２の表面に２層以上の被覆層３が形成され、複数の被覆層３のうちの厚みが厚い２層について、基体２側に形成された被覆層３を下層３Ｌ、基体２から遠ざかる側に形成された被覆層３を上層３Ｕと特定し、下層３Ｌのすくい面５における厚みをｔ_ｒＬ、逃げ面６における厚みをｔ_ｆＬ、上層３Ｕのすくい面５における厚みをｔ_ｒＵ、逃げ面６における厚みをｔ_ｆＵとしたとき、ｔ_ｒＬ＞ｔ_ｆＬ、かつｔ_ｒＵ＜ｔ_ｆＵであるスローアウェイチップ１等の切削工具である。 （もっと読む）

【課題】 従来の硬質皮膜であるＴｉＮ皮膜やＴｉＡｌＮ皮膜よりも耐摩耗性に優れた硬質皮膜およびその形成用スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】［１］（Ｚｒ_1-a-b ，Ｈｆ_a ，Ｍ_b ）（Ｃ_1-x Ｎ_x ）からなる硬質皮膜（但し、ＭはＷ，Ｍｏの１種以上）であって、０≦１−ａ−ｂ、０≦ａ、０．０３≦ｂ≦０．３５、０≦ｘ≦１を満たすことを特徴とする硬質皮膜、［２］（Ｚｒ_1-a-b-c ，Ｈｆ_a ，Ｍ_b ，Ｄ_c ）（Ｃ_1-x Ｎ_x ）からなる硬質皮膜（但し、ＤはＳｉ，Ｂの１種以上）であって、０≦１−ａ−ｂ、０≦ａ、０．０３≦ｂ≦０．３５、０．０３≦ｃ≦０．３、０≦ｘ≦１を満たすことを特徴とする硬質皮膜等。なお、上記式において、ａはＨｆの原子比、ｂはＭの原子比、ｃはＤの原子比、ｘはＮの原子比を示すものである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、微細パターンへのＣｕの埋め込みを良好にし、且つＣｕの層間絶縁膜中への拡散を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板上の層間絶縁膜１０１に形成されたトレンチ１０２と、トレンチ１０２の底部及び側壁を覆うように形成され、白金族元素、高融点金属及び窒素を含有する導電体からなる第１のバリアメタル膜１０３と、トレンチ１０２において、第１のバリアメタル膜１０３上に形成された金属膜１０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、硬度と耐酸化性に優れた硬質皮膜およびその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の硬質皮膜は、［（Ｎｂ_1-d ，Ｔａ_d）_a ，Ａｌ_1-a-b-c ，Ｓｉ_b ，Ｂ_c］（Ｃ_1-XＮ_X）からなる硬質皮膜であって、０．４≦ａ≦０．６、０＜ｂ＋ｃ≦０．１５、０≦ｄ≦１、０．４≦Ｘ≦１（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびＸは互いに独立して、原子比を示す：なおｂおよびｃは、一方が０であってもよいが、両方が０になることはない）であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】強誘電性を示し、圧電特性の良好な酸窒化物圧電材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される正方晶ペロブスカイト型酸窒化物からなり、窒素原子がｃ軸方向に配向している酸窒化物圧電材料。
【化１】


（式中、Ａは２価の元素、ＢおよびＢ’は４価の元素を表す。ｘは０．３５以上０．６以下、ｙは０．３５以上０．６以下、ｚは０．３５以上０．６以下、δ１およびδ２は−０．２以上０．２以下の数値を表す。）前記ＡはＢａ，Ｓｒ，Ｃａから選ばれた少なくとも１種であり、ＢおよびＢ’はＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎから選ばれた少なくとも１種である。 （もっと読む）

【課題】厳しい熱環境での使用を意図した、超合金基板上の遮熱コーティングとして有用な組成物を提供する。
【解決手段】このコーティングは、主に正方晶相の状態において安定化したジルコニアを含む。組成物は、基本的にジルコニア（ＺｒＯ₂）又はジルコニアとハフニア（ＨｆＯ₂）との組合せから成るセラミック成分と、ＹｂＯ_1.5、ＨｏＯ_1.5、ＥｒＯ_1.5、ＴｍＯ_1.5、ＬｕＯ_1.5、及びそれらの組合せより選択される第１の補助安定剤、並びにＴｉＯ₂、ＰｄＯ₂、ＶＯ₂、ＧｅＯ₂、及びそれらの組合せより選択される第２の補助安定剤を組み合わせて含む安定剤成分とを含む。任意で、この安定剤成分はＹ₂Ｏ₃を含む。この安定剤成分は、コーティング中で主に正方晶相の状態を実現するのに有効な量だけ存在する。
（もっと読む）

【課題】本発明は、ＭｏＮの特性とＴｉＡｌＮの特性とを兼備し、特に耐摩耗性に優れた被覆膜を備えた表面被覆切削工具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、ＭｏＮ_y（ただし式中ｙは０．０１≦ｙ≦０．２）で表されるＭｏとＮとの固溶体、Ｍｏ₂Ｎ、ＭｏＮまたはこれらの混合体からなるＡ層と、Ｔｉ_1-xＡｌ_xＮ（ただし式中ｘは０．３≦ｘ≦０．７）からなるＢ層とが交互に各々２層以上積層されてなり、該Ａ層の層厚λａと該Ｂ層の層厚λｂとは、それぞれ２ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、その層厚比λａ／λｂは、基材側から被覆膜の最表面側にかけて増大し、かつ基材に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは０．１以上０．７以下であり、最表面側に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは１．５以上１０以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

厳しい熱環境で使用することが意図された超合金基材上の耐衝撃性コーティングなど、コーティングとして使用するのに適した組成物を提供する。このコーティング材料は、ＹＯ_1.5、ＹｂＯ_1.5、ＨｏＯ_1.5、ＥｒＯ_1.5、ＴｍＯ_1.5、ＬｕＯ_1.5、ＮｄＯ_1.5、ＳｍＯ_1.5、ＥｕＯ_1.5、ＧｄＯ_1.5、ＤｙＯ_1.5、およびそれらの組み合わせから選択される、約３ｍｏｌ％から約６ｍｏｌ％の第１の補助安定化剤と、ＴｉＯ₂、ＰｄＯ₂、ＶＯ₂、ＧｅＯ₂、およびそれらの組み合わせから選択される、１０ｍｏｌ％から約２０ｍｏｌ％の第２の補助安定化剤とを含むことによって、主に正方相に安定化されたジルコンを含む。このコーティングは、任意でハフニア（ＨｆＯ₂）を含む。第１および第２の補助安定化剤の量は、正方相を維持する、すなわち熱サイクル中に単斜相を避けるように調整され、かつ耐衝撃性を改善するための高い正方晶性をもたらすように調整される。 （もっと読む）

【課題】厳しい熱環境での使用を意図した、超合金基板上の遮熱コーティングとして有用な組成物を提供する。
【解決手段】このコーティングは、主に正方晶相の状態において安定化したジルコニアを含む。組成物は、基本的にジルコニア（ＺｒＯ₂）又はジルコニアとハフニア（ＨｆＯ₂）との組合せから成るセラミック成分と、ＹｂＯ_1.5、ＨｏＯ_1.5、ＥｒＯ_1.5、ＴｍＯ_1.5、ＬｕＯ_1.5、それらの組合せ、及び任意でＹＯ_1.5より選択される第１の補助安定剤、並びにＴｉＯ₂、ＰｄＯ₂、ＶＯ₂、ＧｅＯ₂、及びそれらの組合せより選択される第２の補助安定剤、並びにＴａＯ_2.5から成る第３の補助安定剤を組み合わせて含む安定剤成分とを含む。この安定剤成分は、コーティング中で主に正方晶相の状態を実現するのに有効な量だけ存在する。
（もっと読む）

【課題】ペロブスカイト型の酸素イオン伝導体から構成されて酸素イオン伝導性がより一層向上し得るセラミック膜材を提供すること。
【解決手段】本発明により提供される酸素イオン伝導性セラミック膜材の製造方法は、所定の結晶面に配向した基板を用意する工程と、一般式：Ａ_１−ｘＡｅ_ｘＢＯ_３−δ（ただし、Ａは、Ｌｎ（ランタノイド）から選択される少なくとも１種の元素であり、Ａｅは、Ｓｒ、ＢａおよびＣａからなる群から選択される１種または２種以上の元素であり、Ｂは、ペロブスカイト型構造を構成し得る１種または２種以上の金属元素であり、０≦ｘ≦１であり、δは電荷中性条件を満たすように定まる値である。）で表わされるペロブスカイト型のセラミック膜を構成するための原料を用意する工程と、蒸着法により上記基板の結晶面上にセラミック膜を結晶配向させた状態で形成する工程とを包含する。 （もっと読む）

本発明は、硬い構成要素を形成している粉末とバインダー相を製粉して混合し、粉末混合物から所望の形状の物体を形成し、該形成された物体を焼結し、該焼結された物体を高精度で研磨して、所望の形状及び寸法を有するインサートを形成し、所望により、刃先に丸みを付け、そして対摩耗性非ダイアモンド又は非ダイアモンドに類似するコーティングを該研磨されたインサートに提供することにより、高い寸法精度が必要とされている切削工具インサートを製造する方法に関する。本方法によれば、該コーティング操作前に、該研磨されたインサートは、表面領域のミクロ構造が有意な寸法変化を起こすことなく再構成されるような時間に亘って、不活性雰囲気又は真空又は他の保護的な雰囲気において、バインダー相の固相線を下回って熱処理される。このようにして、工具寿命及び寸法精度が予想外に向上したインサート類が得られた。 （もっと読む）

この発明のある種の実施具体例は、熱処理されたガラス基板によって支持される透明導電性インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）膜を有する被覆品の製造技術に関する。実質的に亜酸化のＩＴＯまたは金属インジウムスズ（ＩｎＳｎ）膜をガラス基板上に室温でスパッタリング蒸着する。上に蒸着された状態の膜を有するガラス基板を昇温する。熱による焼き戻し、または熱強化は、蒸着された状態の膜を結晶透明導電性ＩＴＯ膜に変換する。有利なことに、このことは、例えば、金属モードにおけるＩＴＯ蒸着の一層高い速度のため、タッチパネル組立品のコストが減少する可能性がある。フロートガラスの使用によってタッチパネル組立品のコストが一層減少する可能性がある。
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【課題】本発明は、ＶＮの特性とＴｉＡｌＮの特性とを兼備し、特に耐摩耗性に優れた被覆膜を備えた表面被覆切削工具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、ＶＮからなるＡ層と、Ｔｉ_1-xＡｌ_xＮ（ただし式中ｘは０．３≦ｘ≦０．７）からなるＢ層とが交互に各々２層以上積層されてなり、該Ａ層の層厚λａと該Ｂ層の層厚λｂとは、それぞれ２ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、その層厚比λａ／λｂは、基材側から被覆膜の最表面側にかけて増大し、かつ基材に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは０．１以上０．７以下であり、最表面側に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは１．５以上１０以下であることを特徴としている。 （もっと読む）