【課題】ｍ面基板上で結晶成長させたＧａＮ系半導体素子のコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】本発明の窒化物系半導体素子は、表面１２がｍ面であるｐ型半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造２０と、ｐ型半導体領域上に設けられた電極３０とを備える。ｐ型半導体領域は、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ≧０， ｙ≧０， ｚ≧０）半導体層２６から形成されている。電極３０は、ｐ型半導体領域の表面１２に接触したＭｇ層３２と、Ｍｇ層３２の上に形成された金属層３４とを含み、金属層３４は、Ａｕと比較してＭｇと合金を形成し難い金属から形成されている。 （もっと読む）

【課題】高品質な窒化物単結晶を高効率に生産することが可能な窒化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ、ＺｎＯまたはサファイアからなり、負イオン極性面からのオフ角が５°以下である主表面を有する下地基板９を準備し、前記下地基板９の主表面上に、窒化物単結晶膜１を形成すると、窒化物単結晶膜１の単結晶主表面１ｃ上には欠陥として複数の凸部１ｐが形成される。窒化物単結晶膜１から、単結晶主表面１ｃに平行に単結晶基板を切り出す場合、欠陥部を含め、単結晶主表面１ｃから極僅かの厚み（深さ）分の領域については切り出して除去することが好ましいので、下地基板９の正イオン極性面を用いた場合に形成される凹部を有する窒化物単結晶膜に比較して、除去する量が少なく、歩留まりがよい。 （もっと読む）

【課題】
スパッタリング法を用い、大面積基材に対して、均質かつ高精度な、所定の膜厚分布の光学薄膜を得ることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】
スパッタリング法を用いて基材に薄膜を形成する成膜装置において、スパッタ粒子を放出するターゲットの中心を貫く法線と前記基材の表面とが直交するように前記ターゲットと前記基材とを配置し、前記ターゲットと前記基材の表面との距離を一定にしたまま、前記ターゲットと前記基材とを相対的に移動させて、前記基材に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】表面の清浄度及び平坦性に優れた酸化亜鉛基板を得るための酸化亜鉛基板の表面処理方法、及び該方法で処理された酸化亜鉛基板を使用する酸化亜鉛結晶の製造方法の提供。
【解決手段】真空チャンバ１３内で加熱された酸化亜鉛基板３の表面に、ガリウム蒸発源１１からのガリウム分子線ビームを照射して、前記酸化亜鉛基板３の表面をエッチングすることを特徴とする酸化亜鉛基板３の表面処理方法；かかる方法で酸化亜鉛基板３の表面を処理し、次いでその表面において、亜鉛源６、プラズマ励起酸素源５６により、酸化亜鉛結晶を成長させることを特徴とする酸化亜鉛結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】平均クラスターサイズが２ｎｍ以下の金クラスターの調製法を確立するとともに、高い選択性が要求される酸化反応や水素化反応等の触媒として利用可能な金ナノクラスターを提供する。
【解決手段】アークプラズマ蒸着法を用いることにより、チタニア、アルミナ、シリカ、ジルコニア、又はセリアからなる金属酸化物或いはこれらの複合酸化物表面上に担持された、平均クラスターサイズが２ｎｍ以下の金ナノクラスターを得ることができ、得られた金ナノクラスターと金属酸化物の複合体は、酸化反応や水素化反応等の触媒として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】一つの試料を作製するだけで、フェライトの組成変化に伴う磁気特性の変化を連続して測定することができるフェライトの特性評価方法を提供する。
【解決手段】透光性を有する単結晶基板上に、薄膜形成法を用いて、成分組成を水平方向に傾斜させて製膜した複数層の組成傾斜フェライト層からなる組成傾斜フェライト薄膜を形成し、該フェライト薄膜の組成傾斜方向に沿い連続して磁気光学効果を測定することにより、該フェライトの組成変化に伴う磁気特性の変化を連続して測定する。 （もっと読む）

【課題】高硬度材の高速切削加工で、すぐれた耐欠損性と仕上げ面精度を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】 立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料からなる工具基体の表面に、Ｔｉ化合物層からなる硬質被覆層を蒸着形成した被覆ｃＢＮ基焼結工具において、工具基体と上記硬質被覆層の間に、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料の構成成分であるバインダーの非晶質層、非晶質ほう化チタン層、非晶質窒化珪素層の何れかからなる非晶質密着層を形成する。 （もっと読む）

【課題】高速重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐ピッチング性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、（ａ）下部層として、組成式：（Ａｌ_１−αＣｒ_α）Ｎあるいは（Ａｌ_{１−α−β}Ｃｒ_αＳｉ_β）Ｎで表されるＡｌとＣｒ（とＳｉ）の複合窒化物層、（ｂ）中間層として、組成式：（Ａｌ_１−ＹＣｒ_Ｙ）_２Ｏ_３あるいは（Ａｌ_{１−Ｙ−Ｚ}Ｃｒ_ＹＳｉ_Ｚ）_２Ｏ_３で表されるＡｌとＣｒ（とＳｉ）の複合酸化物層、（ｃ）上部層として、組成式：（Ａｌ_１−ＹＣｒ_Ｙ）_１−ＸＯ_Ｘあるいは（Ａｌ_{１−Ｙ−Ｚ}Ｃｒ_ＹＳｉ_Ｚ）_１−ＸＯ_Ｘで表され、かつ、上部層のＯ（酸素）含有割合が、中間層側から上部層表面に向かって減少する組成傾斜型のＡｌとＣｒ（とＳｉ）の複合酸化物層、を蒸着形成する。ここで、０．２５≦α≦０．４５、０．０１≦β≦０．１０、０＜Ｘ≦０．２，０．２５≦Ｙ≦０．５５、０．０１≦Ｚ≦０．１０（α，β，Ｘ，Ｙ，Ｚはいずれも原子比）。 （もっと読む）

【課題】例えば５００℃程度以下の低温成長でも、ＺｎＯ層の表面平坦性の低下が抑制されたＺｎＯ系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体素子の製造方法は、基板を準備する工程と、無電極放電管にＯとＮを含むガスを導入し、放電して第１のビーム３ａを発生させる工程と、基板１１の上方に、少なくともＺｎを供給するとともに、無電極放電管から第１のビーム３ａを供給して、ｎ型ＺｎＯ系半導体層を成長させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】形成された付着膜を容易に除去することができる成膜装置用部品を提供する。また、成膜装置用部品に形成された付着膜を効率よく除去することができる付着膜の除去方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置用部品は、基材と、前記基材に形成されたプレコート層とを有する成膜装置用部品であって、前記プレコート層が、水性無機コーティング剤から形成されたものであり、前記基材の線熱膨張率（α₁）と前記プレコート層の線熱膨張率（α₂）との差（│α₁−α₂│）が１８×１０^-6／℃以下であることを特徴とする。
また、本発明の付着膜の除去方法は、付着膜形成後に、水および／または水蒸気によりプレコート層を処理した後、付着膜を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高硬度材の高速切削加工で、すぐれた耐欠損性と仕上げ面精度を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料からなる工具基体の表面に、（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層からなる硬質被覆層を蒸着形成した被覆ｃＢＮ基焼結工具において、工具基体と上記硬質被覆層の間に、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料の構成成分であるバインダーの非晶質層、非晶質ほう化チタン層、非晶質窒化珪素層の何れかからなる非晶質密着層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 結晶性が良好なＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓＳｂを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＧａＡｓ_ｘＳｂ_１−ｘ（０．３３≦ｘ≦０．６５）を成膜するとき、Ｖ族のヒ素（Ａｓ）およびアンチモン（Ｓｂ）の両方の分子の供給量の和を、ＩＩＩ族のガリウム（Ｇａ）の分子の供給量の１５倍以上とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐チッピング性、耐摩耗性に優れ、被削材の仕上げ面精度にも優れ、高硬度鋼切削用として好適な、長期の使用にわたって優れた切削性能を発揮する表面被覆切削工具を提供すること。
【解決手段】立方晶窒化ほう素粒子を４０〜７０体積％含有し、残部は硬質分散相と結合相とからなる立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製工具基体の表面に、０．５〜５．０μｍの平均膜厚で、柱状に成長した立方晶窒化ほう素の含有割合が３０〜６０面積％である窒化ほう素膜を蒸着してなる表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】高硬度材の高速重切削加工で、すぐれた耐摩耗性、耐欠損性を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】ｃＢＮ含有量が７０容量％以上であるｃＢＮ基超高圧焼結材料からなる工具基体の表面に、下部層、中間層および上部層からなる硬質被覆層を蒸着形成し、下部層はＴｉＢ_２層、中間層は、組成式：Ｔｉ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｂ_ＸＮ_Ｙで表した場合、０．１５≦Ｘ≦０．６０、０．０５≦Ｙ≦０．３５、０．５０≦Ｘ＋Ｙ≦０．６５（Ｘ、Ｙは原子比）を満足する平均組成を有し、さらに、下部層側から上部層側へ向うにしたがって、Ｘの値は次第に減少、Ｙの値は次第に増加する傾斜組織を有するＴｉＢ_２相とＴｉＮ相との２相混合層、上部層は、組成式：（Ｔｉ_１−ＹＡｌ_Ｙ）Ｎ層で表した場合、Ｙは０．３〜０．６５（原子比）であるＴｉとＡｌの複合窒化物層、で構成する。 （もっと読む）

【課題】電子デバイス製造装置の占有スペースの増大や基板を流動させる際のロスタイム
を発生させることなく、蒸着マスクをクリーニングすることのできる電子デバイス製造装
置および電子デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】電子デバイス製造装置１０では、有機膜蒸着室６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂでの
マスク蒸着に用いた蒸着マスクについては、蒸着マスク返却路７５を介して、最下流側の
有機膜蒸着室６６Ｂから最上流側の有機膜蒸着室６６Ｒに戻す。蒸着マスク返却路７５に
はプラズマ処理装置が設けられており、蒸着マスク返却路７５において蒸着マスク４０に
プラズマを照射することにより、蒸着マスク４０に付着した有機物を除去する。 （もっと読む）

本発明は、超硬、サーメット、セラミックス、高速度鋼（ＨＳＳ）、多結晶ダイヤモンド（ＰＣＤ）又は多結晶立方晶窒化ホウ素（ＰＣＢＮ）の本体を含み、硬質でかつ耐摩耗性のコーティングが適用されて、陰極アーク蒸発又はマグネトロンスパッタリングなどの物理気相成長（ＰＶＤ）によって成長される切削工具インサートに関する。このコーティングは、（Ｚｒ_xＡｌ_1-x）Ｎ_yの少なくとも１つの層を含み、０．４５＜ｘ＜０．８５及び０．９０＜ｙ＜１．３０であり、０．５〜１０μｍの厚さを有する。当該層は、単一立方晶相又は六方晶相と立方晶相の混合物からなるナノ結晶微細構造を有する。このインサートは、高温を生じる金属切削用途において特に有用であり、改善されたクレーター摩耗抵抗性を有する。
（もっと読む）

【課題】 従来の化合物半導体へテロ接合の製造方法では、微小な信号電流を扱う半導体装置において十分な雑音特性を得ることが困難である。
【解決手段】 基板の上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である第１の半導体を、第１の基板温度で成長させる。第１の半導体の成長を停止させ、第１の半導体の表面に、Ｖ族元素の原料を供給しながら、基板の温度を、第１の基板温度とは異なる第２の基板温度に変化させる。第１の半導体の上に、第１の半導体とは異なるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である第２の半導体を、第２の基板温度で成長させる。基板の温度を第１の基板温度から第２の基板温度に変化させる工程が、基板の温度を測定する工程と、Ｖ族元素の供給量が、測定された前記基板の温度における供給量の目標下限値と目標上限値との間に納まるように、供給量を制御する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】配向制御層や保護膜等の圧電素子として本来必要でない膜を必須とせず、複雑なプロセスを要することなく、圧電性能と耐電圧とがいずれも良好な圧電体膜を提供する。
【解決手段】圧電素子１は、基板１０上に、下部電極２０と圧電体膜３０と上部電極４０とが順次積層された素子であり、圧電体膜３０は、膜表面における最大高さ（ピーク値Ｐ）と最小高さ（バレー値Ｖ）との差で規定される表面粗さＰ−Ｖ値が１７０．０ｎｍ以下であり、圧電定数ｄ_３１＞１５０ｐｃ／Ｎであり、かつ、電流値が１μＡ以上となる印加電圧により定義される絶縁破壊電圧が８０Ｖ以上である。 （もっと読む）

【課題】強誘電特性及び圧電特性の劣化が抑制され、リーク特性が改善された強誘電体及び圧電体を提供する。
【解決手段】ＢｉＦｅＯ₃を主成分とする強誘電体及び圧電体１３は、ＢｉＦｅＯ₃の複数のＦｅサイトが、Ｔｉと、Ｍｎ、Ｎｉ及びＣｕのいずれかとに元素置換されている。ＢｉとＦｅとＴｉとＭｎ、Ｎｉ及びＣｕのいずれかとからなるターゲットにパルスレーザを照射することで、基板１１上に、ＢｉとＦｅとＴｉとＭｎ、Ｎｉ及びＣｕのいずれかとを堆積させることにより、ＢｉＦｅＯ3を主成分とする強誘電体又は圧電体１３の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れた酸化物超伝導薄膜を形成可能とするとともに、当該酸化物超伝導薄膜を含んで高い超伝導転移温度を有する超伝導薄膜積層体を形成可能で、製造工程中に有毒元素を含まない酸化物超伝導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板上にＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_ｘで構成されるバッファー薄膜を形成する第１の工程と、バッファー薄膜上に連続してＢａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超伝導薄膜を形成する第２の工程とを備え、第１の工程は、前記バッファー薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させるバッファー薄膜成長工程を含み、第２の工程は、バッファー薄膜上に酸化物超伝導薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させる超伝導薄膜成長工程と、超伝導薄膜成長工程に連続し、基板温度を徐冷させる徐冷工程と、徐冷工程に連続し、基板温度を急冷させる急冷工程とを含む。 （もっと読む）