【課題】作製コストが低減され、かつ歩留まりが向上された半導体装置、および消費電力が低減された半導体装置を提供することである。
【解決手段】第１のトランジスタおよび第２のトランジスタと、第１のトランジスタ群および第２のトランジスタ群を具備し、第１のトランジスタ群は、第３のトランジスタ、第４のトランジスタおよび４の端子を有しており、第２のトランジスタ群は、第５乃至第８のトランジスタおよび４の端子を有しており、第１のトランジスタ、第３のトランジスタ、第６のトランジスタ、第８のトランジスタはｎチャネル型トランジスタが用いられ、第２のトランジスタ、第４のトランジスタ、第５のトランジスタ、第７のトランジスタはｐチャネル型トランジスタが用いられる半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】種結晶の側面や表面外周部からの原子の脱離を抑えることができ、高品質な単結晶の作製が可能な単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶の製造方法は、種結晶９が固定された坩堝蓋８で密閉される坩堝７内に原料６を配置して、原料６を昇華させて単結晶を製造する単結晶の製造方法であって、坩堝蓋８に固定された種結晶９の露出面を覆うように、予め、種結晶９が昇華しない温度領域で結晶薄膜１５を形成する成膜工程と、結晶薄膜１５が形成された坩堝蓋８で坩堝７を密閉して、原料６を昇華させて単結晶を成長させる成長工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来よりも抵抗値の低いＩｎ_２Ｏ_３系酸化物導電膜を形成することができる酸化物を提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）及びガリウム元素（Ｇａ）を含有し、Ｘ線回折において、２θ＝１２〜１８度、２１〜２４度及び４３〜４５度に回折ピークを有する酸化物。 （もっと読む）

【課題】圧電特性に優れ且つ信頼性の高い圧電膜素子及び圧電膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板１上に、少なくとも下部電極層２と、非鉛のアルカリニオブ酸化物系の圧電膜４とを配した圧電膜素子１０において、前記下部電極層２は、立方晶、正方晶、斜方晶、六方晶、単斜晶、三斜晶、三方晶のいずれかの結晶構造、またはこれら結晶構造のうちの二以上の結晶構造が共存した状態を有し、前記結晶構造の結晶軸のうちの２軸以下のある特定の結晶軸に優先的に配向しており、前記基板１上における少なくとも一つの前記結晶軸を法線とした結晶面のＸ線回折強度分布において、前記結晶面のＸ線回折強度の相対標準偏差が５７％以下である。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉ合金、ステンレス鋼等の難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐熱性および耐溶着性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具において、硬質被覆層が、（ａ）０．０１〜１μｍの平均層厚を有し、かつ、組成式：（Ａｌ_ａTｉ_１−ａ）N（ａはＡｌの含有割合を示し、原子比で０．４≦ａ≦０．７５）を満足するＡｌとＴｉの複合窒化物からなるＡ層、（ｂ）０．０１〜１μｍの平均層厚を有し、かつ、組成式：（Ａｌ_ｂCｒ_１−ｂ）N（ｂはＡｌの含有割合を示し、原子比で０．４≦ｂ≦０．７５）を満足するＡｌとＣｒの複合窒化物からなるＢ層、（ｃ）０．０１〜１μｍの平均層厚を有する窒化クロムからなるＣ層、前記Ａ層、Ｂ層、Ｃ層からなる単位被覆ユニットを２回以上積層した全体膜厚０．５〜６μｍを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】構造が簡素でかつ低コストの白色発光素子を提供する。
【解決手段】基板はＳｉ（１００）もしくはＧａＡｓ（１００）面を使用し、その上に水素化窒化炭素薄膜をスパッタ装置およびプラズマＣＶＤ装置によって２層もしくは多層成長し、膜厚増加方向に窒素含有量が増加するように成長させる。窒素含有量が増加するとバンドギャップが広がるので、バンドギャップの狭い下部の水素化窒化炭素からも吸収することなく白色発光を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高温特性がより一層優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】硬質皮膜は、下記式（１ａ）で示されかつ厚さが１〜８０ｎｍである第１の層と、下記式（２ａ）で示されかつ厚さが１〜８０ｎｍである第２の層とが、交互に複数積層されたものである。
（Ｃｒ_(1-a)Ａｌ_a）（Ｃ_(1-x)Ｎ_x） …（１ａ）
（Ｚｒ_(1-k)Ｈｆ_k）（Ｃ_(1-y)Ｎ_y） …（２ａ）
［式中の添字は、原子比を示す；これら添字は、以下の関係を満足する；
０．２≦ａ≦０．８
０．７≦ｘ≦１
０≦ｋ≦１
０．５≦ｙ≦１ ］ （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速切削加工ですぐれた耐剥離性を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】立方晶窒化ほう素の含有量が５０〜８５容量％のｃＢＮ基超高圧焼結体の表面に硬質被覆層を形成してなる切削工具において、（ａ）硬質被覆層は、０．５〜５μｍの平均層厚を有する下部層と上部層とからなり、（ｂ）下部層は、ＴｉＮ膜からなり、上部層は、組成式：［Ｔｉ_１−ＸＡｌ_Ｘ］Ｎ（Ｘは原子比で０．１５〜０．６５）を満足するＴｉとＡｌの複合窒化物層からなり、（ｃ）逃げ面、すくい面、ホーニング部のナノインデンテーション硬さ、残留応力、表面粗さを所定の値とする。 （もっと読む）

【課題】従来の硬質皮膜であるＴｉＡｌＮや酸化物皮膜よりも耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】基材の表面に形成される硬質皮膜であって、（Ｔｉ_ａＡｌ_ｂＳｉ_ｃ）Ｏ_ｘからなり、０．３≦ａ≦０．７、０．３≦ｂ≦０．７、０≦ｃ≦０．２、ａ＋ｂ＋ｃ＝１、０．８≦［ｘ／（２ａ＋１．５ｂ＋２ｃ）］≦１．２を満たすことを特徴とする硬質皮膜、または、（Ｔｉ_ａＣｒ_ｄＡｌ_ｂＳｉ_ｃ）Ｏ_ｘからなり、０．０５≦ａ≦０．４、０．１≦ｄ≦０．８５、０≦ｂ≦０．７、０≦ｃ≦０．２、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１、０．８≦［ｘ／（２ａ＋１．５ｄ＋１．５ｂ＋２ｃ）］≦１．２満たすことを特徴とする硬質皮膜（ａ，ｄ，ｂ，ｃはＴｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉの原子比を示し、ｘはＯの原子比を示す）。 （もっと読む）

【課題】バイポーラ型のＰＢＩＩ装置用電源を用いて低真空下での良好な非晶質炭素膜の成膜を可能とする成膜方法、および、該成膜方法で得られる非晶質炭素膜を提供する。
【解決手段】バイポーラ型のＰＢＩＩ装置用電源を用いた低真空下（１０００〜３００００Ｐａ程度）での非晶質炭素膜の成膜方法であって、チャンバー１内に、ＰＢＩＩ装置用電源６に接続される電源側電極３と、電極３と対向するアース側電極４とを設け、電源側電極３およびアース側電極４のいずれか一方に基材２を配置し、基材２と、基材２を配置しない電極との間において、希ガスと炭化水素系ガスのプラズマを発生させて、基材２の表面に非晶質炭素膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】外部電極の電気的特性及び部品本体への密着力の双方が良好であり且つ小型化に適したチップ状電子部品を提供する。
【解決手段】内部電極１１が埋設された部品本体１０と該部品本体１０の外面に形成された外部電極２０とを備えたチップ状電子部品１において、外部電極２０は、少なくとも部品本体１０に接する部位において物理的蒸着法で形成されてなり且つ第１の電極材料２３と第２の電極材料２４とが混合された混合層２１を含み、該混合層２１は部品本体から離れるにしたがって第１の電極材料２３に対する第２の電極材料２４の混合率が漸小している。 （もっと読む）

【課題】電流量の減少や断線などの問題を抑制した状態で、電界効果トランジスタをより微細化できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に形成されたグラフェンからなるフィン状のチャンネル領域１０２と、ゲート電極１０４およびゲート電極１０４を挟んでチャンネル領域１０２に接続されたソース電極１０５およびドレイン電極１０６とを備える。例えば、チャンネル領域１０２は、グラフェンが１層から４層程度積層されたものである。図１に示す例では、ゲート電極１０４は、チャンネル領域１０２にゲート絶縁層１０３を介して形成されている。 （もっと読む）

【課題】開角の大きな複数の光学素子成形用型に対して、成形用型の周辺部において、離型不良、融着不良、成膜剥れ不良が発生のない、ガラスプレス用テトラヘドラルアモルファスカーボン膜成膜方法を提供する。
【解決手段】成形面が凸状の型母材３の内部に磁石４を配置し、前記各型母材３の外側にはリング状磁石５を配置し、複数の型母材３を同心円状に配置した状態で、前記磁石４とリング状磁石５により形成される磁場が、前記型母材３の頂点部の法線方向の磁束密度が最も高くし、前記各型母材３に電圧を印加しながら、フィルタードカソ−ディックバキュームアーク法によって、前記型母材３の成形面にテトラヘドラルアモルファスカーボン膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性に優れ、また焼き付きなどが生じにくく、長期間使用しても摺動性に優れる硬質皮膜と、その摺動性に優れた硬質皮膜を短時間で形成することができる硬質皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】化学式Ｍ_ｘＢ_ａＣ_ｂＮ_ｃで示される硬質皮膜であって、Ｍは、４Ａ族、５Ａ族、６Ａ族の元素、及びＳｉ、Ａｌから選択される少なくとも１種の金属元素であり、０≦ａ≦０．２、０≦ｃ≦０．２、０＜ｘ−ａ−ｃ、ｘ−ａ−ｃ＜ｂ≦０．９、０．０５≦ｘ＜０．５、ｘ＋ａ＋ｂ＋ｃ＝１の各式を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性と密着性に優れる硬質膜を表面に有し、長寿命で交換回数を大幅に削減し得る寸法測定治具を提供する。
【解決手段】基材２の表面に硬質膜１が成膜されてなる寸法測定治具であり、硬質膜１は、基材２の表面上に直接成膜されるクロムを主体とする下地層１ａと、下地層１ａの上に成膜されるタングステンカーバイトとダイヤモンドライクカーボンとを主体とする混合層１ｂと、該混合層１ｂの上に成膜されるダイヤモンドライクカーボンを主体とする表面層１ｃとからなる構造の膜であり、混合層１ｂは、下地層１ａ側から表面層１ｃ側へ向けて連続的または段階的に、該混合層１ｂ中のタングステンカーバイトの含有率が小さくなり、該混合層１ｂ中のダイヤモンドライクカーボンの含有率が高くなる層である。 （もっと読む）

【課題】ナノダイヤモンドに水素イオンやヘリウムイオンをイオン注入したナノダイヤモンドに比べて所定波長範囲内の波長の励起光に対して所定波長範囲内の波長の蛍光の光強度を大きくする。
【解決手段】ナノダイヤモンドに所定の元素がイオン注入されて形成され、波長範囲７００〜９００ｎｍ内の波長の励起光により励起されたときに、波長範囲７００〜１４００ｎｍ内の波長の蛍光を発することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】切削性能、耐熱亀裂性、および寸法精度に優れた刃先交換型切削チップを提供する。
【解決手段】本発明の刃先交換型切削チップは、少なくとも基材を含むものであって、該基材は、８．５〜１２．５質量％の鉄系金属と、０．２８〜１．１３質量％のＴａと、不可避不純物とを含み、かつ残部がＷＣである超硬合金からなり、該超硬合金の組織中のＷＣ粒子は、０．８〜２μｍの平均粒子径であり、基材の抗磁力をＨＣ（ｋＡ／ｍ）とし、基材に含まれるＣｏの質量％をＭ_Ｃｏ（質量％）とすると、下記式（Ｉ）を満たし、かつ超硬合金の組織中にＴａを主成分とする相が析出していないことを特徴とする。
−１．２×Ｍ_Ｃｏ＋３１．７≧ＨＣ≧−１．２×Ｍ_Ｃｏ＋２７．２ ・・・（Ｉ） （もっと読む）

【課題】トレンチおよび／またはホールの間口のオーバーハングを抑制することができる成膜方法およびリスパッタリング方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内にプラズマ生成ガスを導入しつつ誘導結合プラズマ生成機構により処理容器内に誘導結合プラズマを生成し、直流電源から金属ターゲットに直流電力を供給し、バイアス電源により載置台に高周波バイアスを印加して、載置台上の被処理基板に金属薄膜を堆積させる工程と、誘導結合プラズマ生成機構によるプラズマの生成と直流電源への給電を停止し、処理容器内にプラズマ生成ガスを導入しつつ載置台に高周波バイアスを印加して、処理容器内に容量結合プラズマを形成するとともにプラズマ生成ガスのイオンを被処理基板に引き込んで堆積された金属薄膜をリスパッタリングする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】簡便な工程でありながら、１バッチで粉体に対してクラスタを均一に堆積させることが可能な粉体に対するクラスタ堆積方法を提供すること。
【解決手段】ターゲット材料からクラスタＣを生成する工程と、
クラスタＣの中から質量フィルタによりクラスタサイズを基準として堆積用のクラスタを選別する工程と、
担体粒子Ｐからなる粉体と液体との混合物を真空中に噴出させる工程と、
真空中に噴出された前記混合物中の担体粒子Ｐに、前記堆積用のクラスタを接触させることにより、担体粒子Ｐの表面上にクラスタＣを堆積させる工程と、
を含むことを特徴とする粉体に対するクラスタ堆積方法。 （もっと読む）