【課題】蒸発材料の、蒸着対象物に対向する対向面内で、蒸発流密度の分布を均一にすることができる真空蒸着装置、これに用いられる電子銃及びその蒸着方法を提供すること。
【解決手段】真空蒸着装置１００では、メインコントローラ１４及び／または電子銃ドライバ５９により、電子ビームＢが、蒸発材料１０の上面１０ａの外形にしたがって揺動するように、揺動コイル６２が制御される。これにより、電子ビームが、その上面１０ａ全体に均一に入射される。したがって、蒸発材料１０の上面１０ａからの蒸発流分布（蒸発流密度）を均一にすることができる。その結果、成膜レートの安定化を図ることができ、基板Ｗに形成される蒸着膜の膜厚分布を均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】アーク放電状態を確実に評価できるアーク放電評価方法を提供する。
【解決手段】金属ターゲットの表面を複数回撮影して、アーク放電状態を複数の解析画像データとして取得する画像取得工程Ｓ３０と、画像取得工程Ｓ３０にて撮影した解析画像データの所定の位置を原点として、各解析画像データを座標データに変換する変換工程Ｓ５０と、座標データと所定の閾値とを比較することで、座標データよりアークスポットに対応する部分を、前記解析画像データ毎に抽出する抽出工程Ｓ６０と、抽出座標データを回帰して、抽出座標データの二次関数と二次関数の相関係数ｒとを算出し、二次関数の二次項ａと二次関数の相関係数ｒとをアーク放電状態の特徴量として取得する特徴量取得工程Ｓ８０と、を行う。 （もっと読む）

【課題】耐硫化性及び導電性に優れた耐硫化性電極材料及びこれを用いた耐硫化性電極を提供すること。
【解決手段】Ｍｏ−Ｘ合金からなる耐硫化性電極材料。但し、前記Ｘは、Ｍｏと合金を形成し、Ｍｏより室温での硫化物生成自由エネルギーが負に大きく、かつ、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、希土類金属元素、及び、Ｔｌより元素番号の大きな元素以外の金属元素。前記Ｘの含有量は、１ａｔ％以上２０ａｔ％以下が好ましい。少なくとも表面から５０ｎｍまでの領域が本発明に係るＭｏ−Ｘ合金からなる耐硫化性電極。元素Ｘは、Ａｌ及びＧａからなる群から選ばれるいずれか１以上の金属元素が好ましい。 （もっと読む）

【課題】複数の蒸着材料を被蒸着体に共蒸着するインライン型蒸着装置において、膜厚の蒸着膜を均一に製膜し、信頼性の高い被蒸着体を生産する。
【解決手段】蒸着装置１は、蒸着材料２０，３０を夫々蒸発させる蒸発源２，３と、蒸発源２，３から被蒸着体４へ向かう蒸着材料２０，３０の流路を囲うように配置されるホットウォール５と、を備える。蒸発源２，３は、蒸着材料２０，３０を被蒸着体４側へ放出する放出口２２，３１を有し、蒸発温度が高い蒸着材料３０を蒸発させる蒸発源３の放出口３２がホットウォール５の上端縁よりも上方に設けられている。この構成によれば、蒸発した蒸着材料３０がホットウォール５に付着することなく被蒸着体４に蒸着される。従って、蒸着材料３０がホットウォール５によって再蒸発しながら被蒸着体４に付着することがなく、膜厚の蒸着膜を均一に製膜でき、信頼性の高い被蒸着体４を生産することができる。 （もっと読む）

【課題】溶融した蒸着材料をリザーバ等に溜めておくことなく下方蒸着を行う蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着装置は、真空槽１０、真空槽内部に配置され基板１を載置する基板ステージ２４、真空槽内部で前記基板ステージよりも上方に配置され下面３１ａに加熱面を有する抵抗加熱ボード３１、及び真空槽内部に配置され抵抗加熱ボードの下面加熱面に線蒸着材３の先端を接触させる線蒸着材供給部４０を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡易な方法でペレットがインゴット上を転がることを防止できる蒸着装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る蒸着装置は、蒸着材料で形成されたインゴットと、該インゴットの上に供給され、該インゴットと同一材料で形成された複数のペレットと、該インゴットと同一材料で形成され、該複数のペレットが該インゴットの上を転がらないように該複数のペレットを囲う固定用ペレットと、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】長期間に亘って正常な動作を行える水晶振動式膜厚センサ装置を提供する。
【解決手段】加速した電子を照射し加熱して蒸発させた材料７を、形成した磁場により電子を遮蔽しつつ基板フィルム２の表面に付着させて薄膜を形成する際に薄膜の膜厚を求める水晶振動式膜厚センサ装置１０である。膜厚センサ１１と材料７間に、スリットを有する回転体１２を配置する。スリットの長手方向に対して交差する方向に磁場を発生させる磁石を設ける。
【効果】水晶振動子の振動に悪影響を与える電子の膜厚センサへの入射を効果的に遮蔽することができるので、長期間に亘って正常な動作が行えるようになる。 （もっと読む）

【課題】成膜マスク装置の各ガイドピン、ガイド孔に蒸着粒子が付着しないような手段を得る。
【解決手段】成膜マスク装置Ａは、表裏両面に被成膜基板１０を保持する複数の第２のガイドピン１３ｂ、及びマスク板２０の位置決め用の第１のガイドピン１３ａを有する保持基板１３と、各被成膜基板１０を間に挟んで保持基板１３の表裏両面に添設されるマスク板２０と、遮蔽カバー１１、１５と、を備えた成膜マスク装置である。蔽カバー１１、１５は、各第１、及び第２のガイドピン１３ａ、１３ｂに対して蒸着粒子の付着を防止する第１、及び第２の凹部１１ａ、１１ｂを備えている。 （もっと読む）

【課題】添加剤(着色剤や艶消し剤など)を添加しても金属との蒸着密着性に優れており、かつ耐アルコール性の良いアクリル系樹脂フィルムを提供する。
【解決手段】一方の表層は酸価が０．１ｍｍｏｌ／ｇ以下のアクリル系樹脂層であり、他方の表層は酸価が０．２ｍｍｏｌ／ｇ以上１．５ｍｍｏｌ／ｇ以下のアクリル系樹脂層である、積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】品質の低下が抑制された有機ＥＬデバイスを製造し得る有機ＥＬデバイスの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】帯状の基材を長手方向に移動させつつ蒸着により該基材に有機ＥＬ素子の構成層を形成する有機ＥＬデバイスの製造方法であって、前記基材を長手方向に移動させつつ、該基材の移動方向に沿って設けられた第１及び第２蒸着部にて、前記基材の一面に蒸着源から気化材料を吐出して順次蒸着を行う構成層形成工程を備え、該構成層形成工程は、複数の上向き蒸着工程と、方向変換工程とを備えている有機ＥＬデバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、蒸着用マグネシウムペレットの突沸を防止することができ、安定した蒸着レートを維持できるマグネシウムの蒸着方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、マグネシウム塊体と前記塊体の表面を覆う酸化マグネシウム被膜とを有する被包ペレットの、前記マグネシウム塊体の一部又は全部を露出させる露出工程と、前記露出工程を経て得られたペレットを加熱してマグネシウムを被着体に蒸着させる蒸着工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】アルミの這い上がりを防止して破損が起こりにくい安定な蒸発源を有する成膜装置を提供することである。さらには、基板を垂直にして横方向から蒸着する縦型蒸着に適した成膜装置を提供することである。
【解決手段】少なくとも、坩堝と、加熱部からなり、坩堝は蒸着材料に対する濡れ性の異なる材質からなる２種類の構造からなる坩堝であって、少なくとも開口部は濡れ性の小さい材料からなり、蒸着材料が供給される部分は濡れ性の大きい材料からなる蒸発源を有することを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】高い成膜速度を確保した上で、透明性及び高バリア性を付与し、蒸着材料から発生する突沸やスプラッシュなどによりフィルムがダメージを受けることを最小限に抑えることを可能とする真空成膜装置およびガスバリア性積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】真空成膜装置３０は、基材の一方の面に蒸着法によって薄膜を形成する真空成膜装置であって、蒸着材料を蒸発させる蒸発手段である電子ビーム銃２０と、蒸発した蒸着材料を活性化させるためのプラズマを発生させるプラズマ発生手段であるホローカソード放電を用いたホローカソードガン１８と、蒸着材料と基材との間に設置された異物捕捉手段である異物ガード２４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高輝度金属調外観と光透過性を両立し、尚且つ加飾工程時の環境負荷低減を可能とする成型用積層体の提供を目的とする。さらには、安価で簡易的に種種の色相を持った金属調外観の付与を可能とする成型用積層体の提供を目的とする。
【解決手段】熱可塑性基材（Ａ）と、厚さ２００〜８００Åの光透過性金属層（Ｂ）と、粘着剤層（Ｃ）とを含む成型用積層体であって、３８０〜７８０ｎｍの波長領域（可視光域）における該積層体の最大反射率が４０％以上、最大透過率が２〜３０％であることを特徴とする成型用積層体。 （もっと読む）

【課題】優れた成膜精度でカルシウム層を形成することができる成膜方法、優れた成膜精度で形成されたカルシウム層を備える試験片を製造することができる試験片の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、電子ビームを照射して、基材上にカルシウム層を成膜する方法であり、カルシウムを収納するための容器５３として、凹部を有する本体部５２と、凹部に蓋をする蓋部５１とを有し、蓋部５１の厚さ方向に貫通する貫通孔５１１を備えるものを用い、本体部５２の凹部にカルシウムを収納し、凹部を蓋部５１で蓋をした状態で、電子ビームを蓋部５１に照射することで、加熱されたカルシウムが昇華することにより、貫通孔５１１を通過し、その後、基板上に、飛来することでカルシウム層が成膜されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】蒸着装置及び薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】大型基板の場合にも、均一な薄膜を形成し、基板のサイズが変更される場合にも、装備の変更なしに容易に適用するためのものであって、直線動するように備えられた第１蒸着源と、第１蒸着源から離隔され、第１蒸着源と同時及び同一方向に直線動するように備えられた第２蒸着源と、第１蒸着源及び第２蒸着源と被蒸着体との間に位置し、第１蒸着源及び第２蒸着源と同時及び同一方向に直線動するように備えられた補正部材とを含み、補正部材は、第１蒸着源に対応する位置に備えられた第１補正板及び第２蒸着源に対応する位置に備えられた第２補正板を備える蒸着装置である。 （もっと読む）

【課題】摩擦接触面に、形状や高さが均一でエッジ部分が丸みを帯びたセグメントで構成される無機質膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】成膜面にマスク形成用の金属層４０を形成するステップと、金属層４０にエッチングを施して、セグメントを区画する溝位置に金属層４０の突起部を形成するステップと、突起部４０を形成した成膜面が露出するように陰極を構成する基板ホルダ上に載置し、プラズマＣＶＤ法を用いて突起部４０の間の成膜面に、突起部４０に対向するエッジ部分が丸みを帯びたセグメント７から成る無機質膜を成膜するステップと、突起部４０を除去するステップとを備える。セグメントのエッジ部分が丸みを帯びているため、予圧された接触部材と接触したときの接触圧力がセグメント全体で均一化し、エッジ部分の破損が生じない。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波発生器やテラヘルツ波検出器等のテラヘルツ帯デバイスにおいて優れた特性を発揮できるテラヘルツ帯デバイス用ＺｎＴｅ薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】テラヘルツ帯デバイス用ＺｎＴｅ薄膜において、気相成長法によって基板上に気相成長され、厚さが５〜１０μｍであり、厚さのばらつきの範囲が厚さの１０％以内である。
また、テラヘルツ帯デバイス用ＺｎＴｅ薄膜の製造方法において、基板上にＺｎＴｅ下地層を１０〜２００オングストロームの厚さで形成する工程と、前記ＺｎＴｅ下地層上にＺｎＴｅ層を５〜１０μｍの厚さで気相成長させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】防湿性、および耐ピンホール性に優れたバルーン用包材を提供する。
【解決手段】外側から基材層−バリア層−シーラント層、または基材層−バリア層−印刷層−シーラント層のいずれかからなるバルーン用包材において、基材層としてポリブチレンテレフタレート樹脂、またはポリブチレンテレフタレート樹脂に対してポリエチレンテレフタレート樹脂を３０重量％以下の範囲で配合したポリエステル系樹脂組成物のいずれかからなる二軸延伸ポリブチレンテレフタレート系フィルムを用いる。 （もっと読む）

【課題】多元系合金からなる接点材料の絶縁破壊電圧特性の組成依存性を短時間で測定する。
【解決手段】接点材料に用いられるＣｕ、Ｃｒ、Ａｇなどの複数の金属系物質を加熱して蒸気化し、それを基板５に蒸着させ、成分が順次変化した薄膜６を形成し、この薄膜６を平板電極として接地し、薄膜６と所定のギャップを持って針電極１１を対向配置し、薄膜６を針電極１１の軸方向と直交する方向に所定間隔で移動させながら、針電極１１と薄膜６間の絶縁破壊電圧を測定する。変化した成分量と絶縁破壊電圧の関係を求める評価方法である。 （もっと読む）