本発明は、金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたことを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板用材料、多層配線板用基板および多層配線板と、これらの製造方法に関する。本発明によると、高密度配線化に優れ、かつ経済性に優れたコンデンサ内蔵多層配線板を提供することができる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
本発明は、コンデンサを内蔵した多層配線板用材料、多層配線板用基板および多層配線板と、これらの製造方法に関する。
【背景技術】
近年、電子機器は小型化・高機能化の要求が益々高まっている。機器の高機能化に伴い、搭載する半導体チップやコンデンサをはじめとする受動素子などの電子部品点数は増加し、従来の高密度化技術では小型化への対応が非常に困難となってきている。そこで、より効率的な実装を行うため搭載部品の一部を配線板内部に内蔵化する必要性が出てきた。
多層配線板に内蔵されるコンデンサの容量は数百ｐＦ〜数μＦレベルであり、５００ｐＦ／ｍｍ^２以上の容量密度が必要となる。コンデンサの誘電体としては、樹脂と高誘電率無機フィラーのコンポジット材料を用いる方法と無機薄膜材料を用いる方法とがある。高い容量密度のコンデンサを形成するためには、１）比誘電率の高い誘電体を用いること、２）厚みの薄い誘電体を用いることが効果的である。前者のコンポジット材料では、１）樹脂自体は比較的誘電率が低いために高誘電率化に限界があること、２）リーク電流がなく、かつ膜厚が数μｍレベルの絶縁膜を形成することは技術的に難しいことから、５００ｐＦ／ｍｍ^２以上の容量密度を有するコンデンサを得ることは難しかった。したがって、５００ｐＦ／ｍｍ^２以上の容量密度を有するコンデンサを得るためには、膜厚を数μｍ以下で形成可能な無機薄膜を利用することが必要である。
樹脂を用いた多層配線板の中に薄膜コンデンサを内蔵化する手法としては、ＣＶＤ法を用いた方法（特開平５−１９１０５３号公報の第４頁、第１図；特開平５−２２６８４４号公報の第４頁、第１図）や、スパッタリング法を用いた方法（特開２００２−２５２２９７号公報の第６頁、第１図）、あるいはゾルゲル法を用いる方法（特開平８−２１３７５４号公報の第１２頁、第２１図；特開平８−２１３７５８号公報の第１４頁、第２１図）などが提案されている。これらの手法により、樹脂を用いた多層配線板の中に膜厚が薄い誘電体薄膜を形成することができる。
しかし、特開平５−１９１０５３号公報および特開平５−２２６８４４号公報に開示された手法ではコンデンサ電極に対して任意の位置に引き出しパターンを形成できないために高密度配線化に限界があった。また、回路パターン上に薄膜を形成するために薄膜厚みの制御が難しかった。また、特開２００２−２５２２９７号公報に開示された手法では、任意の位置に引き出しパターンを形成しようとすると工程が複雑になり、経済性が悪かった。さらに、特開平８−２１３７５４号公報および特開平８−２１３７５８号公報に開示された手法では同一平面上に独立した電源パターンを形成することが困難だった。
【発明の開示】
本発明は、金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたことを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板用材料、コンデンサ内蔵多層配線板用基板およびコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法に関する。
本発明の実施形態によると、膜厚が均一で容量のばらつきが小さいコンデンサ内蔵多層配線板を提供することができる。
Ａ．本発明は、以下の実施形態に関する。
（１） 金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたことを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板用材料。
（２） 誘電体薄膜がチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、二酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ニオブ酸マグネシウム酸鉛−チタン酸鉛のいずれか、あるいはこれらのいずれか２種以上を含む固溶体、あるいはこれらのいずれか２種以上を含む積層体からなる膜であることを特徴とする（１）のコンデンサ内蔵多層配線板用材料。
（３） 金属箔が銅からなり、かつ誘電体薄膜が形成される面に銅の酸化保護皮膜となる金属として、白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、イリジウムからなる群から選ばれた１種以上の金属膜を設けたことを特徴とする（１）および（２）のコンデンサ内蔵多層配線板用材料。
（４） 金属箔が銅からなり、かつその表面に安定した自己酸化皮膜を形成する金属として、クロム、モリブデン、チタン、ニッケルからなる群から選ばれた１種以上の金属膜を設けたことを特徴とする（１）および（２）に記載のコンデンサ内蔵多層配線板用材料。
（５） 金属箔の表面粗さが０．０１〜０．５μｍであることを特徴とする（１）〜（４）のコンデンサ内蔵多層配線板用材料。
（６） 金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜を真空蒸着法により形成することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板用材料の製造方法。
（７） 金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜をイオンプレーティング法により形成することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板用材料の製造方法。
（８） 金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板用材料の製造方法。
（９） 金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜をスパッタリング法により形成することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板用材料の製造方法。
（１０） 金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜をゾルゲル法により形成することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板用材料の製造方法。
（１１） ロール状の金属箔を用い、かつ温度が一定に管理された加熱炉内を連続的に金属箔を移動させながら誘電体薄膜を形成することを特徴とする（６）〜（１０）のコンデンサ内蔵多層配線板材料の製造方法。
（１２） 誘電体薄膜がチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、二酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ニオブ酸マグネシウム酸鉛−チタン酸鉛のいずれか、あるいはこれらのいずれか２種以上を含む固溶体、あるいはこれらのいずれか２種以上を含む積層体からなる膜であることを特徴とする（６）〜（１１）のコンデンサ内蔵多層配線板用材料の製造方法。
（１３） 金属箔が銅からなり、かつ誘電体薄膜が形成される面に銅の酸化保護皮膜となる金属として、白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、イリジウムからなる群から選ばれた１種以上の金属膜を設けたことを特徴とする（６）〜（１２）に記載のコンデンサ内蔵多層配線板用材料の製造方法。
（１４） 金属箔が銅からなり、かつその表面に安定した自己酸化皮膜を形成する金属として、クロム、モリブデン、チタン、ニッケルからなる群から選ばれた１種以上の金属膜を設けたことを特徴とする（６）〜（１２）に記載のコンデンサ内蔵多層配線板用材料の製造方法。
（１５） 金属箔の表面粗さが０．０１〜０．５μｍであることを特徴とする（６）〜（１４）記載のコンデンサ内蔵多層配線板用材料の製造方法。
（１６） 金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して導体回路を有する基板に積層する工程と、２）誘電体薄膜の表面に１０〜５０μｍの金属層を形成する工程と、３）その金属層の任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ電極１を形成する工程と、４）誘電体薄膜の少なくともコンデンサ電極１を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、５）誘電体薄膜を除去して現れた金属層の少なくともコンデンサ誘電体を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ電極２を含む導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（１７） 誘電体薄膜の表面に形成する金属層がクロム、モリブデン、チタン、ニッケルからなる群から選ばれた１種以上の金属層を少なくとも含むことを特徴とする（１６）のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（１８） 金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して導体回路を有する基板に積層する工程と、２）誘電体薄膜の表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、３）コンデンサ電極１を含む任意の部分を残して金属めっきレジストを形成する工程と、４）金属めっきにより１０〜５０μｍのコンデンサ電極１を形成する工程と、５）金属めっきレジストを除去する工程と、６）誘電体薄膜の表面に形成した０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、７）誘電体薄膜の少なくともコンデンサ電極１を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、８）誘電体薄膜を除去して現れた金属層の少なくともコンデンサ誘電体を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ電極２を含む導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（１９） 誘電体薄膜の表面に形成する金属層がクロム、モリブデン、チタン、ニッケルからなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属層を含むことを特徴とする（１８）記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２０） 金属めっきが銅、銀、錫、ニッケル、亜鉛からなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属を含むことを特徴とする（１８）、（１９）記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２１） 金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して導体回路を有する基板に積層する工程と、２）誘電体薄膜の表面の任意の部分に化学的な反応により金属化される導電性ペーストを用いて１０〜５０μｍの金属層を形成して所望のコンデンサ電極１を形成する工程と、３）誘電体薄膜の少なくともコンデンサ電極１を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、４）誘電体薄膜を除去して現れた金属層の少なくともコンデンサ誘電体を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ電極２を含む導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２２） 化学的な反応により金属化される導電性ペーストの金属粒子が金、白金、銀、銅、パラジウム、ルテニウムからなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属を含み、かつその平均粒径が０．１〜１０ｎｍであることを特徴とする（２１）のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２３） 金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して導体回路を有する基板に積層する工程と、２）誘電体薄膜の任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、３）コンデンサ誘電体を形成した基板表面に１０〜５０μｍの金属層を形成する工程と、４）その金属層の任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ電極１、コンデンサ電極２およびコンデンサ電極と電気的に絶縁された任意の導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２４） 金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面と導体回路を有する基板とを介して積層するプリプレグにおいて、任意の箇所に絶縁材料の貫通穴が設けられ、かつその貫通穴が熱硬化性樹脂と金属フィラーを含む導電性ペーストで充填されていることを特徴とする（１６）〜（２３）記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２５） 金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面と導体回路を有する基板とを介して積層するプリプレグにおいて、任意の箇所に絶縁材料の貫通穴が設けられ、かつその貫通穴が化学的な反応により金属化される導電性ペーストで充填されていることを特徴とする（１６）〜（２３）記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２６） 金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して導体回路を有する基板に積層する工程と、２）誘電体薄膜の表面に１０〜５０μｍの金属層を形成する工程と、３）その金属層の任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ電極１を形成する工程と、４）誘電体薄膜の少なくともコンデンサ電極１を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、５）誘電体薄膜を除去して現れた金属層の任意の箇所をエッチング除去して硬化したプリプレグの絶縁層を露出させる工程と、６）レーザ照射により露出された絶縁層を除去して穴を形成し、内層となっている導体回路を露出させる工程と、７）その基板表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、８）穴を含む任意の箇所を除いてめっきレジストを形成する工程と、９）めっきレジストを形成した箇所以外の基板表面に１０〜５０μｍの金属層を形成して層間の回路パターンを電気的に接続させる工程と、１０）基板表面に形成した０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、１１）少なくともコンデンサ誘電体と導体化された穴を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ電極２を含む導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２７） 誘電体薄膜の表面に形成する金属層がクロム、モリブデン、チタン、ニッケルからなる群から選ばれた１種以上の金属層を少なくとも含むことを特徴とする（２６）のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２８） 金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して導体回路を有する基板に積層する工程と、２）誘電体薄膜の表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、３）コンデンサ電極１を含む任意の部分を残して金属めっきレジストを形成する工程と、４）金属めっきにより１０〜５０μｍのコンデンサ電極１を形成する工程と、５）金属めっきレジストを除去する工程と、６）誘電体薄膜の表面に形成した０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、７）誘電体薄膜の少なくともコンデンサ電極１を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、８）誘電体薄膜を除去して現れた金属層の任意の箇所をエッチング除去して硬化したプリプレグの絶縁層を露出させる工程と、９）レーザ照射により露出された絶縁層を除去して穴を形成し、内層となっている導体回路を露出させる工程と、１０）その基板表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、１１）穴を含む任意の箇所を除いてめっきレジストを形成する工程と、１２）めっきレジストを形成した箇所以外の基板表面に１０〜５０μｍの金属層を形成して層間の回路パターンを電気的に接続させる工程と、１３）基板表面に形成した０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、１４）少なくともコンデンサ誘電体と導体化された穴を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ電極２を含む導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２９） 誘電体薄膜の表面に形成する金属層がクロム、モリブデン、チタン、ニッケルからなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属層を含むことを特徴とする（２８）のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（３０） 金属めっきが銅、銀、錫、ニッケル、亜鉛からなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属を含むことを特徴とする（２８）、（２９）記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（３１） 金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して導体回路を有する基板に積層する工程と、２）誘電体薄膜の表面の任意の部分に化学的な反応により金属化される導電性ペーストを用いて１０〜５０μｍの金属層を形成して所望のコンデンサ電極１を形成する工程と、３）誘電体薄膜の少なくともコンデンサ電極１を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、４）誘電体薄膜を除去して現れた金属層の任意の箇所をエッチング除去して硬化したプリプレグの絶縁層を露出させる工程と、５）レーザ照射により露出された絶縁層を除去して穴を形成し、内層となっている導体回路を露出させる工程と、６）その基板表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、７）穴を含む任意の箇所を除いてめっきレジストを形成する工程と、８）めっきレジストを形成した箇所以外の基板表面に１０〜５０μｍの金属層を形成して層間の回路パターンを電気的に接続させる工程と、９）基板表面に形成した０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、１０）少なくともコンデンサ誘電体と導体化された穴を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ電極２を含む導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（３２） 化学的な反応により金属化される導電性ペーストの金属粒子が金、白金、銀、銅、パラジウム、ルテニウムからなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属を含み、かつその平均粒径が０．１〜１０ｎｍであることを特徴とする（３１）のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（３３） 金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して導体回路を有する基板に積層する工程と、２）誘電体薄膜任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、３）誘電体薄膜を除去して現れた金属層の任意の箇所をエッチング除去して硬化したプリプレグの絶縁層を露出させる工程と、４）レーザ照射により露出された絶縁層を除去して穴を形成し、内層となっている導体回路を露出させる工程と、５）コンデンサ誘電体を形成した基板表面と穴内の表面に１０〜５０μｍの金属層を形成する工程と、６）少なくともコンデンサ誘電体と導体化された穴を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ電極２を含む導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（３４） 金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して積層する導体回路を有する基板において、基板の導体層が２層以上あり、かつその隣接する導体層の回路パターンが任意の箇所で導体化された穴により接続された基板であることを特徴とする（１６）〜（３３）記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（３５）誘電体薄膜をエッチング除去する方法がイオンビームエッチング法、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法または溶液エッチング法のいずれかであることを特徴とする（１６）〜（３４）記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（３６） コンデンサ電極２が多層配線板のグランド層または電源層であることを特徴とする（１６）〜（３５）記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（３７） 基板の絶縁材料が樹脂とガラス織布またはガラス不織布からなることを特徴とする（１６）〜（３６）記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（３８） 基板の絶縁材料に用いられている樹脂が熱硬化性樹脂であり、そのガラス転移点温度が１７０℃以上であることを特徴とする（１６）〜（３７）記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
Ｂ．さらに、本発明は、以下の実施形態に関する。
（１）基板内部に導体層間を接続するバイアホールを有し，かつ、表面に平滑な金属層を有する基板の表面に比誘電率が１０〜２０００で、かつ、膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜を形成したことを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板用基板。
（２） 基板内部に導体層間を接続するバイアホールが金属めっきにより電気的に接続されていることを特徴とする（１）のコンデンサ内蔵多層配線板用基板。
（３） 基板内部に導体層間を接続するバイアホールが金属粉と樹脂とからなる導電性ペーストにより電気的に接続されていることを特徴とする（１）のコンデンサ内蔵多層配線板用基板。
（４） 基板内部に導体層間を接続するバイアホールが化学的な反応により金属化される導電性ペーストにより電気的に接続されていることを特徴とする（１）または（３）のコンデンサ内蔵多層配線板用基板。
（５） 誘電体薄膜がチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、二酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛のいずれか、あるいはこれらのいずれかを含む２種以上の固溶体、あるいはこれらのいずれかを含む２種以上の積層体からなる膜であることを特徴とする（１）ないし（４）のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板。
（６） 誘電体薄膜の形成方法が真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタリング法、ゾルゲル法のいずれかであることを特徴とする（１）ないし（５）のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板。
（７） 誘電体薄膜の形成時の基板温度が２５℃〜３５０℃であることを特徴とする（１）ないし（６）のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板。
（８） 基板の絶縁材料が樹脂とガラス織布またはガラス不織布からなることを特徴とする（１）ないし（７）のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板。
（９） 基板の絶縁材料に用いられている樹脂が熱硬化性樹脂であり，そのガラス転移点温度が１７０℃以上であることを特徴とする（１）ないし（８）のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板。
（１０） 基板表面の金属層が銅からなり，かつその表面に銅の酸化保護皮膜となる金属として、白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、イリジウムからなる群から選ばれた１種以上の金属膜を設けることを特徴とする（１）ないし（９）のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板。
（１１） 基板表面の金属層が銅からなり，かつその表面に安定した自己酸化皮膜を形成する金属として、クロム、モリブデン、チタン、ニッケルからなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属膜を設けることを特徴とする（１）ないし（９）のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板。
（１２） 基板表面の金属層の表面粗さが０．０１〜０．５μｍであることを特徴とする（１）ないし（１１）のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板。
（１３） （１）ないし（１２）のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板を内層板として用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）誘電体薄膜の表面に１０〜５０μｍの金属層を形成する工程と、２）その金属層の任意の部分を残してエッチング除去して所望の第１のコンデンサ電極を形成する工程と、３）誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、４）誘電体薄膜を除去して現れた金属層の少なくともコンデンサ誘電体を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望の第２のコンデンサ電極を含む導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（１４） 誘電体薄膜の表面に形成する金属層がクロム、モリブデン、チタン、ニッケルからなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属層を含むことを特徴とする（１３）のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（１５） （１）ないし（１２）のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板を内層板として用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）誘電体薄膜の表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、２）第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残して金属めっきレジストを形成する工程と、３）金属めっきにより１０〜５０μｍの第１のコンデンサ電極を形成する工程と、４）金属めっきレジストを除去する工程と、５）誘電体薄膜の表面に形成した０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、６）誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、７）誘電体薄膜を除去して現れた金属層の少なくともコンデンサ誘電体を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望の第２のコンデンサ電極を含む導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（１６） 誘電体薄膜の表面に形成する金属層がクロム、モリブデン、チタン、ニッケルからなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属層を含むことを特徴とする（１５）のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（１７） 金属めっきが銅、銀、錫、ニッケル、亜鉛からなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属を含むことを特徴とする（１５）または（１６）に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（１８） （１）ないし（１２）のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板を内層板として用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）誘電体薄膜の表面の任意の部分に化学的な反応により金属化される導電性ペーストを用いて１０〜５０μｍの金属層を形成して所望の第１のコンデンサ電極を形成する工程と、２）誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、３）誘電体薄膜を除去して現れた金属層の少なくともコンデンサ誘電体を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望の第２のコンデンサ電極を含む導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（１９） 化学的な反応により金属化される導電性ペーストの金属粒子が金，白金，銀，銅，パラジウム、ルテニウムからなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属を含み、かつ、その平均粒径が０．１〜１０ｎｍであることを特徴とする（１８）のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２０） （１）ないし（１２）のいずれかに記載のコデンサ内蔵多層配線板用基板を内層板として用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）誘電体薄膜の任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、２）コンデンサ誘電体を形成した基板表面に１０〜５０μｍの金属層を形成する工程と、３）その金属層の任意の部分を残してエッチング除去して所望の第１のコンデンサ電極、第２のコンデンサ電極およびコンデンサ電極と電気的に絶縁された任意の導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２１） 誘電体薄膜をエッチング除去する方法がイオンビームエッチング法、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法または溶液エッチング法のいずれかであることを特徴とする（１３）ないし（２０）いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２２） 第２のコンデンサ電極が多層配線板のグランド層または電源層であることを特徴とする（１３）ないし（２１）のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２３） 複数の絶縁層と複数の導体層と前記導体層を電気的に接続する導体化されたバイアホールを有する多層配線板であり、かつ、少なくとも１層の絶縁層の比誘電率が２０〜２０００、かつ、膜厚が０．１〜１μｍの誘電体薄膜であり、その絶縁層に対向した電極を備えたコンデンサ内蔵多層配線板であって、１）第１のコンデンサ電極を形成する導体層のパターンは全てコンデンサの電極を形成し、２）誘電体薄膜の投影面は第１のコンデンサ電極の投影面を含み、３）第２のコンデンサ電極を形成する導体層には第２のコンデンサ電極とこの電極と電気的に絶縁された少なくとも１つのパターンを有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板。
（２４） 複数の絶縁層と複数の導体層と前記導体層を電気的に接続する導体化されたバイアホールを有する多層配線板であり、かつ、少なくとも１層の絶縁層の比誘電率が２０〜２０００、かつ、膜厚が０．１〜１μｍの誘電体薄膜であり、その絶縁層に対向した電極を備えたコンデンサ内蔵多層配線板であって、１）コンデンサの誘電体を形成する誘電体薄膜の投影面に含まれる第１のコンデンサ電極を有し、２）誘電体薄膜の端部は全て第１のコンデンサ電極を形成する導体層が第２のコンデンサ電極に電気的に接続されたことを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板。
（２５） 第２のコンデンサ電極が多層配線板のグランド層または電源層であることを特徴とする（２３）または（２４）に記載のコンデンサ内蔵多層配線板。
（２６） 誘電体薄膜がチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、二酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛のいずれか、あるいはこれらのいずれかを含む２種以上の固溶体、あるいはこれらのいずれかを含む２種以上の積層体からなる膜であることを特徴とする（２３）ないし（２５）のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板。
（２７） 基板の絶縁材料が樹脂とガラス織布またはガラス不織布からなることを特徴とする（２３）ないし（２６）のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板。
（２８） 基板の絶縁材料に用いられている樹脂が熱硬化性樹脂であり，そのガラス転移点温度が１７０℃以上であることを特徴とする（２３）ないし（２７）のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板。
（２９） 第２のコンデンサ電極が銅からなり，かつ、その表面に、白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、イリジウム、クロム、モリブデン、チタン、ニッケルからなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属層を含むことを特徴とする（２３）ないし（２８）いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板。
（３０） 第２のコンデンサ電極の表面粗さが０．０１〜０．５μｍであることを特徴とする（２３）ないし（２９）のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板。
（３１） 第１のコンデンサ電極が銅、銀、錫、ニッケル、亜鉛、クロム、モリブデン、チタン、ニッケルからなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属層を含むことを特徴とする（２３）ないし（３０）のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板。
（３２） 第１のコンデンサ電極が化学的な反応により金属化された導電性ペーストからなり、その金属が白金，金，銀，銅，錫，パラジウム、ルテニウムからなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属を含むことを特徴とする（２３）ないし（３０）のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板。
（３３） （２３）ないし（３２）のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板に半導体チップを搭載させたことを特徴とする半導体装置。
Ｃ．さらに、本発明は次の実施形態に関する。
（１） 金属箔の片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を、金属箔が絶縁材料と接するように絶縁材料の少なくとも片面に設けた基板を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）基板表面の誘電体薄膜上の所定の位置にコンデンサ電極となる金属層を形成する工程と、２）少なくとも基板表面の前記金属層上にエッチングレジストを形成する工程と、３）キレート剤と過酸化水素を含むエッチャントによって、誘電体薄膜をウェットエッチングする工程と、４）ウェットエッチング後にエッチングレジストを除去する工程とを有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２） エッチャントのキレート剤濃度が０．００１〜０．５ｍｏｌ／ｌであり、かつ、過酸化水素濃度が１〜５０ｗｔ％であり、かつ、エッチャントのｐＨが２〜７の範囲であることを特徴とする（１）のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（３） キレート剤が、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸（ＨＩＤＡ）、イミノ二酢酸（ＩＤＡ）、ジヒドロキシエチルグリシン（ＤＨＥＧ）及びこれらのアルカリ塩からなる群から選ばれる少なくとも１つであることを特徴とする（１）又は（２）に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（４） 金属箔の片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を、金属箔が絶縁材料と接するように絶縁材料の少なくとも片面に設けた基板を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）基板表面の誘電体薄膜上の所定の位置にコンデンサ電極となる金属層を形成する工程と、２）少なくとも基板表面の前記金属層上にエッチングレジストを形成する工程と、３）硫酸、塩酸、りん酸、硝酸及び酢酸からなる群から選ばれる少なくとも１つの酸と過酸化水素を含むエッチャントによって、誘電体薄膜をウェットエッチングする工程と、４）ウェットエッチング後にエッチングレジストを除去する工程とを有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（５） エッチャントの酸の濃度が１〜３０ｗｔ％であり、かつ、過酸化水素濃度が１〜５０ｗｔ％であることを特徴とする（４）のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（６） エッチングレジストとして感光性ドライフィルムを用いることを特徴とする（１）〜（５）いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（７） 感光性ドライフィルムの膜厚が、感光性ドライフィルムによって形成されたエッチングレジストによりウェットエッチングから保護されるコンデンサ電極となる金属層の厚みの１〜３倍であることを特徴とする（６）のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（８） 誘電体薄膜のウェットエッチングが、液温２０〜４５℃のエッチャントで行われることを特徴とする（１）〜（７）いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（９） 誘電体薄膜が、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、二酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム及びジルコン酸鉛のいずれか、あるいはこれらのいずれか２種以上を含む固溶体、あるいはこれらのいずれか２種以上を含む積層体からなる膜であることを特徴とする（１）〜（８）いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
Ｄ．さらに、本発明は以下の実施形態に関する。
（１） 金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）金属箔Ｂの任意の箇所をエッチング除去して、上記絶縁材料から形成された絶縁層を露出させる工程と、３）レーザ照射により、露出された絶縁層を除去して穴を形成し、金属箔Ａを露出させる工程と、４）穴内を含む基板表面の両面に金属層を形成する工程と、５）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の誘電体薄膜上の金属層から任意の形状のコンデンサ電極Ａパターンをエッチングで形成する工程と、６）露出された誘電体薄膜からコンデンサ電極Ａパターンを含む任意の形状のコンデンサ誘電体をエッチングで形成する工程と、７）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａからコンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状のコンデンサ電極Ｂをエッチングで形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２） （１）のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、５）又は７）のエッチング工程において、基板の金属箔Ｂを積層した面に任意の形状の回路を形成することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（３） 金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）金属箔Ｂの任意の箇所にレーザ照射することにより、金属箔Ｂと上記絶縁材料から形成された絶縁層とを同時に除去して穴を形成し、金属箔Ａを露出させる工程と、３）穴内を含む基板表面の両面に金属層を形成する工程と、４）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の誘電体薄膜上の金属層から任意の形状のコンデンサ電極Ａパターンをエッチングで形成する工程と、５）露出された誘電体薄膜からコンデンサ電極Ａパターンを含む任意の形状のコンデンサ誘電体をエッチングで形成する工程と、６）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａからコンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状のコンデンサ電極Ｂをエッチングで形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（４） （３）のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、４）又は６）のエッチング工程において、基板の金属箔Ｂを積層した面に任意の形状の回路を形成することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（５） 金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、任意の箇所に貫通穴が設けられかつその貫通穴が熱硬化性樹脂と金属フィラーを含む導電性ペーストで充填されている絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）基板表面の少なくとも誘電体薄膜側に金属層を形成する工程と、３）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の誘電体薄膜上の金属層から任意の形状のコンデンサ電極Ａパターンをエッチングで形成する工程と、４）露出された誘電体薄膜からコンデンサ電極Ａパターンを含む任意の形状のコンデンサ誘電体をエッチングで形成する工程と、５）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａにコンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状のコンデンサ電極Ｂをエッチングで形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（６） 金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、任意の箇所に貫通穴が設けられかつその貫通穴が化学的な反応により金属化される導電性ペーストで充填されている絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）基板表面の少なくとも誘電体薄膜側に金属層を形成する工程と、３）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の誘電体薄膜上の金属層から任意の形状のコンデンサ電極Ａパターンをエッチングで形成する工程と、４）露出された誘電体薄膜からコンデンサ電極Ａパターンを含む任意の形状のコンデンサ誘電体をエッチングで形成する工程と、５）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａからコンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状のコンデンサ電極Ｂをエッチングで形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（７） （５）又は（６）のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、３）又は５）のエッチング工程において、基板の金属箔Ｂを積層した面に任意の形状の回路を形成することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（８） 上記誘電体薄膜と上記金属層との間に、クロム、モリブデン、チタン及びニッケルからなる群から選ばれた少なくとも１種の他の金属層を形成する工程を含むことを特徴とする（１）〜（７）いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（９） 金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）金属箔Ｂの任意の箇所をエッチング除去して、上記絶縁材料から形成された絶縁層を露出させる工程と、３）レーザ照射により露出された絶縁層を除去して穴を形成し、金属箔Ａを露出させる工程と、４）穴内を含む基板の両面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、５）コンデンサ電極Ａとなる部分と穴部を含む任意の部分を残して基板表面に金属めっきレジストを形成する工程と、６）金属めっきにより、上記のコンデンサ電極Ａとなる部分と穴部を含む部分に導体パターンを形成する工程と、７）金属めっきレジストを除去する工程と、８）基板表面に露出された０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、９）露出された誘電体薄膜からコンデンサ電極Ａパターンを含む任意の形状のコンデンサ誘電体をエッチングで形成する工程と、１０）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａから、エッチングにより、コンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状のコンデンサ電極Ｂを形成する工程と、１１）露出された金属箔Ｂをエッチングにより回路形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（１０） 金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）金属箔Ｂの任意の箇所にレーザ照射することにより、金属箔Ｂと上記の絶縁材料から形成された絶縁層とを同時に除去して穴を形成し、金属箔Ａを露出させる工程と、３）穴内を含む基板の両面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、４）コンデンサ電極Ａとなる部分と穴部を含む任意の部分を残して基板表面に金属めっきレジストを形成する工程と、５）金属めっきにより、上記のコンデンサ電極Ａとなる部分と穴部を含む部分に導体パターンを形成する工程と、６）金属めっきレジストを除去する工程と、７）基板表面に露出された０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、８）露出された誘電体薄膜から、コンデンサ電極Ａパターンを含む任意の形状のコンデンサ誘電体をエッチングで形成する工程と、９）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａから、コンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状のコンデンサ電極Ｂを形成する工程と、１０）露出された金属箔Ｂをエッチングにより回路形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（１１） 金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、任意の箇所に貫通穴が設けられかつその貫通穴が熱硬化性樹脂と金属フィラーを含む導電性ペーストで充填されているプリプレグを介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）基板の少なくとも誘電体薄膜側の表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、３）コンデンサ電極Ａとなる部分を含む任意の部分を残して基板表面に金属めっきレジストを形成する工程と、４）金属めっきによりコンデンサ電極Ａとなる部分を含む部分に導体パターンを形成する工程と、５）金属めっきレジストを除去する工程と、６）基板表面に露出された０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、７）露出された誘電体薄膜から、コンデンサ電極Ａパターンを含む任意の形状のコンデンサ誘電体をエッチングで形成する工程と、８）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａから、エッチングにより、コンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状のコンデンサ電極Ｂを形成し、露出された金属箔Ｂをエッチングにより回路形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（１２） 金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、任意の箇所に貫通穴が設けられかつその貫通穴が化学的な反応により金属化される導電性ペーストで充填されているプリプレグを介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）基板の少なくとも誘電体薄膜側の表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、３）コンデンサ電極Ａとなる部分を含む任意の部分を残して基板表面に金属めっきレジストを形成する工程と、４）金属めっきによりコンデンサ電極Ａとなる部分を含む部分に導体パターンを形成する工程と、５）金属めっきレジストを除去する工程と、６）基板表面に露出された０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、７）露出された誘電体薄膜から、コンデンサ電極Ａパターンを含む任意の形状のコンデンサ誘電体をエッチングで形成する工程と、８）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａから、エッチングにより、コンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状のコンデンサ電極Ｂを形成し、露出された金属箔Ｂをエッチングにより回路形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（１３） 少なくとも誘電体薄膜の表面に形成する０．１〜５μｍの金属層が：クロム、モリブデン、チタン及びニッケルからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属層であるか；銅、銀、錫、ニッケル及び亜鉛からなる群から選ばれた少なくとも１種の金属層であるか；又は、クロム、モリブデン、チタン及びニッケルからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属層と銅、銀、錫、ニッケル及び亜鉛からなる群から選ばれた少なくとも１種の金属層とを含むものであることを特徴とする（９）〜（１２）のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（１４） 金属めっきにより形成される導体パターンが、銅、銀、錫、ニッケル及び亜鉛からなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属を含むことを特徴とする（９）〜（１３）いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（１５） 金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、任意の箇所に貫通穴が設けられかつその貫通穴が熱硬化性樹脂と金属フィラーを含む導電性ペーストで充填されている絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）誘電体薄膜の表面の任意の部分に化学的な反応により金属化される導電性ペーストを用いて金属層を形成して所望のコンデンサ電極Ａを形成する工程と、３）誘電体薄膜の少なくともコンデンサ電極Ａを含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、４）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａから、エッチングにより、コンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状のコンデンサ電極Ｂを形成し、露出された金属箔Ｂをエッチングにより回路形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（１６） 金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、任意の箇所に貫通穴が設けられかつその貫通穴が化学的な反応により金属化される導電性ペーストで充填されている絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）誘電体薄膜の表面の任意の部分に化学的な反応により金属化される導電性ペーストを用いて金属層を形成して所望のコンデンサ電極Ａを形成する工程と、３）誘電体薄膜の少なくともコンデンサ電極Ａを含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、４）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａから、エッチングにより、コンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状のコンデンサ電極Ｂを形成し、露出された金属箔Ｂをエッチングにより回路形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（１７） 金属箔Ａの表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）誘電体薄膜の任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、３）金属箔Ｂの任意の箇所をエッチング除去して、上記絶縁材料から形成された絶縁層を露出させる工程と、４）レーザ照射により露出された絶縁層を除去して穴を形成し、金属箔Ａを露出させる工程と、５）穴内を含む基板表面の両面に金属層を形成する工程と、６）その金属層及び金属箔Ａの任意の部分を残してエッチング除去して、所望のコンデンサ電極Ａ及びコンデンサ電極Ｂを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（１８） 金属箔Ａの表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）誘電体薄膜の任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、３）金属箔Ｂの任意の箇所にレーザ照射することにより、金属箔Ｂと上記絶縁材料から形成された絶縁層を同時に除去して穴を形成して金属箔Ａを露出させる工程と、４）穴内を含む基板表面の両面に金属層を形成する工程と、５）その金属層及び金属箔Ａの任意の部分を残してエッチング除去して、所望のコンデンサ電極Ａ及びコンデンサ電極Ｂを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（１９） 金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、任意の箇所に貫通穴が設けられかつその貫通穴が熱硬化性樹脂と金属フィラーを含む導電性ペーストで充填されている絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）誘電体薄膜の任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、３）基板の少なくともコンデンサ誘電体を有する表面に金属層を形成する工程と、４）その金属層及び金属箔Ａの任意の部分を残してエッチング除去して、所望のコンデンサ電極Ａ及びコンデンサ電極Ｂを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２０） 金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、任意の箇所に貫通穴が設けられかつその貫通穴が化学的な反応により金属化される導電性ペーストで充填されている絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）誘電体薄膜の任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、３）基板の少なくともコンデンサ誘電体を有する表面に金属層を形成する工程と、４）その金属層及び金属箔Ａの任意の部分を残してエッチング除去して、所望のコンデンサ電極Ａ及びコンデンサ電極Ｂを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２１） 化学的な反応により金属化される導電性ペーストが、金、白金、銀、銅、パラジウム及びルテニウムからなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属粒子を含み、かつその金属粒子の平均粒径が０．１〜１０ｎｍであることを特徴とする（６）、（１２）、（１５）、（１６）又は（２０）に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２２） 誘電体薄膜をエッチング除去する方法が、イオンビームエッチング法、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法又は溶液エッチング法のいずれかであることを特徴とする（１）〜（２１）いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２３） コンデンサ電極Ｂが多層配線板のグランド層又は電源層であることを特徴とする（１）〜（２２）いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２４） 基板の絶縁層の形成に用いられる絶縁材料が樹脂とガラス織布又はガラス不織布からなるプリプレグであることを特徴とする（１）〜（２３）いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２５） 基板の絶縁層の形成に用いられる絶縁材料が、樹脂として熱硬化性樹脂を含有するプリプレグであって、その熱硬化性樹脂のガラス転移点温度が１７０℃以上であることを特徴とする（１）〜（２４）いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２６） 誘電体薄膜がチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、二酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ジルコン酸鉛及びニオブ酸マグネシウム酸鉛−チタン酸鉛のいずれか、あるいはこれらのいずれか２種以上を含む固溶体、あるいはこれらのいずれか２種以上を含む積層体からなる膜であるコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いたことを特徴とする（１）〜（２５）いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２７） 金属箔Ａが銅からなり、かつ誘電体薄膜が形成される面に銅の酸化保護皮膜となる金属として、白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム及びイリジウムからなる群から選ばれた１種以上の金属膜を設けたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いたことを特徴とする（１）〜（２６）いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２８） 金属箔Ａが銅からなり、かつ誘電体薄膜が形成される面に安定した自己酸化皮膜を形成する金属として、クロム、モリブデン、チタン及びニッケルからなる群から選ばれた１種以上の金属膜を設けたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いたことを特徴とする（１）〜（２６）いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（２９） 金属箔Ａの誘電体薄膜が形成される面の表面粗さが０．０１〜０．５μｍであるコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いたことを特徴とする（１）〜（２８）いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
本明細書において開示の内容は、日本国特許出願 ２００３−０７７６９５（出願日２００３年３月２０日）、２００３−０７８３２４（出願日２００３年３月２０日）、２００３−３６８８５７（出願日２００３年１０月２９日）および２００３−３７６６０４（出願日２００３年１１月６日）に含まれる主題に関するものであって、これらを、全体を本明細書の一部として組み込む。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の実施例におけるコンデンサ内蔵多層配線板用材料を示す断面図である。第２図は、実施例Ａ−１と実施例Ａ−２及び実施例Ａ−５のプロセスを示す断面図である。第３図は、実施例Ａ−３のプロセスを示す断面図である。第４図は、実施例Ａ−４のプロセスを示す断面図である。第５図は、実施例Ａ−６のプロセスを示す断面図である。第６図は、実施例Ａ−７のプロセスを示す断面図である。第７図は、実施例Ａ−８のプロセスを示す断面図である。第８図は、比較例Ａ−１のプロセスを示す断面図である。
また、第９図から第１１図は、本発明の実施例Ｂに用いた内層基板を示す断面図である。第１２図は、実施例Ｂ−１のプロセス及び実施例Ｂ−４とＢ−５のプロセスの一部を示す断面図である。第１３図は、実施例Ｂ−６のプロセスを示す断面図である。第１４図は、実施例Ｂ−７のプロセスを示す断面図である。第１５図は、実施例Ｂ−８のプロセスを示す断面図である。第１６図は、比較例Ｂ−１のプロセスを示す断面図である。
さらに、第１７〜１９図は、実験例Ｃ−１〜Ｃ−９の製造工程を示す断面図である。
さらに、第２０図は、実施例Ｄ−１のプロセスを示す断面図である。第２１図は、実施例Ｄ−２のプロセスを示す断面図である。第２２図は、実施例Ｄ−３のプロセスを示す断面図である。第２３図は、実施例Ｄ−４および実施例Ｄ−５のプロセスを示す断面図である。第２４図は、実施例Ｄ−６のプロセスを示す断面図である。第２５図は、実施例Ｄ−７のプロセスを示す断面図である。第２６図は、実施例Ｄ−８および実施例Ｄ−９のプロセスを示す断面図である。第２７図は、実施例Ｄ−１０および実施例Ｄ−１１のプロセスを示す断面図である。第２８図は、実施例Ｄ−１２のプロセスを示す断面図である。第２９図は、実施例Ｄ−１３のプロセスを示す断面図である。第３０図は、実施例Ｄ−１４および実施例Ｄ−１５のプロセスを示す断面図である。第３１図は、比較例Ｄ−１のプロセスを示す断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
（コンデンサ内蔵多層配線板用材料）
本発明の一実施態様は、金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたことを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板用材料に関する。この多層配線板用材料では、金属箔表面に誘電体薄膜を形成するために、均一な膜厚の誘電体薄膜を得ることが容易であり、コンデンサ容量のばらつきが小さい。
誘電体薄膜の膜厚は、絶縁性を確保してリーク電流を抑えるためには０．０５μｍ以上が好ましく、０．１μｍ以上がさらに好ましい。また、経済性を考慮すると２μｍ以下の膜厚が好ましく、１μｍ以下がさらに好ましい。したがって、膜厚としては０．０５〜２μｍが好ましく、０．１〜１μｍがさらに好ましいものである。５００ｐＦ／ｍｍ^２以上の容量密度を得るために必要な比誘電率は、膜厚が０．０５μｍの場合に２．９以上、０．１μｍの場合に５．７以上、１μｍの場合に５７以上、２μｍの場合に１１３以上である。したがって、比誘電率として２．９〜１１３の薄膜誘電体を用いれば、０．０５〜２μｍの膜厚で５００ｐＦ／ｍｍ^２の薄膜キャパシタを形成可能である。しかし、薄膜誘電体の比誘電率が高いほど内蔵キャパシタの小型化に優位性があり、１０〜２０００が好ましく、２０〜２０００がさらに好ましい。ここで、比誘電率とは、２５℃に温度管理された環境の下でＩＰＣ−６５０ ２．５．５．２に準じて１ＭＨｚの周波数で測定した値を指し示す。また、膜厚の値は、電極を形成したコンデンサの断面を走査型電子顕微鏡に挙げられるような０．０５μｍ未満の厚みを観察可能な装置を用いて得ることが可能である。
誘電体薄膜としては、比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜を形成できれば限定するものではないが、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、二酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ニオブ酸マグネシウム酸鉛−チタン酸鉛などの誘電体からなる膜を用いることが好ましい。この時に２種類以上の固溶体や積層体も用いることができる。一般的にペロブスカイト結晶構造を持つ金属酸化物は高い比誘電率を示すことが知られており、好ましく用いることができる。
金属箔としては、例えば、銅箔、銀箔、錫箔、ニッケル箔、亜鉛箔が挙げられる。これらの中でも、電気的な特性と経済性考慮すると銅箔が好ましい。金属箔の厚さは、１０〜５０μｍが好ましい。銅箔を用いる場合には、銅箔の表面に、銅の酸化保護皮膜となる金属の層および／または安定した自己酸化皮膜を形成する金属の層を設けることが好ましい。これらの皮膜は、０．１〜３μｍであることが好ましい。
銅の酸化保護皮膜となる金属の層として、白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、イリジウムなどの金属膜が好ましい。金属箔として銅箔を用いた場合、銅の表面に金属酸化物の誘電体薄膜を直接形成すると、金属酸化物から銅に酸素が供給されて界面に酸化銅が発生し、密着性を低減させる。したがって、金属酸化物から供給される酸素を遮断し、かつ銅との密着性を確保する酸化保護皮膜を形成することが好ましい。
自己酸化皮膜を形成する金属の層として、クロム、モリブデン、チタン、ニッケルなどの金属膜が好ましい。金属箔に銅箔を用いた場合、酸化銅の発生により密着性が低減する可能性があるため、金属酸化物の誘電体薄膜から供給される酸素を遮断し、かつ銅との密着性を確保する自己酸化皮膜を形成することが好ましい。
金属箔の表面粗さは０．０１〜０．５μｍであることが好ましい。誘電体薄膜の厚みは、前記の通り、好ましくは０．０５〜２μｍ、さらに好ましくは０．１〜１μｍである。誘電体薄膜を形成する基板の表面粗さは、少なくとも誘電体薄膜の厚みよりも低いことが必要であり、リーク電流等の絶縁膜としての信頼性を確保するためには、誘電体薄膜の厚みの５０％未満であることが好ましい。したがって０．０２５〜０．５μｍの表面粗さが好ましいが、信頼性を確固とするためには表面粗さを０．０１〜０．５μｍとすることが最も好ましい。ここで、表面粗さとは、表面を走査型顕微鏡を用いて観察し、任意の十点における凹凸の差の平均値を指し示す。
誘電体薄膜の金属箔への形成方法は、例えば、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタリング法またはゾルゲル法により形成してもよい。
真空蒸着法は、１．３×１０^−４Ｐａ以下の高真空中で薄膜材料を加熱蒸着させ、この蒸発粒子を基板上に付着させて誘電体薄膜を形成する技術である。イオンプレーティング法は、真空蒸着膜の基板への付着強度を高めるために、蒸発粒子をイオン化し電界により加速してから基板に付着させて誘電体薄膜を形成する技術である。ＣＶＤ法は、薄膜を形成する元素を含むハロゲン化物、硫化物、水素化物、有機金属化合物などを高温中あるいはプラズマ中で熱分解・酸化・還元・重合あるいは気相化学反応などさせたのちに、薄膜組成を基板上に付着させて誘電体薄膜を形成する技術である。スパッタリング法は、イオンをターゲットに照射し、スパッタ蒸発したターゲット物質を基板上に付着させて誘電体薄膜を形成する技術である。ゾルゲル法は、薄膜を形成する元素を含むゾル溶液を基板上にコーティングし、縮合反応によりゲル化させたのちに高温アニールして誘電体薄膜を形成する技術である。
誘電体薄膜を金属箔表面に形成する際には、ロール状の金属箔を用い、かつ温度が一定に管理された加熱炉内を連続的に金属箔を移動させながら誘電体薄膜を形成することが好ましい。連続処理を行うことにより、均一の品質の誘電体薄膜を形成することが可能となり、経済的にも優れる。
（コンデンサ内蔵多層配線板用基板）
さらに、本発明の一実施形態は、基板内部に導体層間を接続するバイアホールを有し，かつ、表面に平滑な金属層を有する基板の表面に、比誘電率が１０〜２０００で、かつ、膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜を形成したコンデンサ内蔵多層配線板用基板に関する。
この実施形態によると、基板内部にバイアホールを有する基板を用いることにより、コンデンサ電極と接続する配線パターンを任意に設計することが可能となる。また、表面が平滑な金属層表面に誘電体薄膜を形成するために均一な膜厚の誘電体薄膜を得ることが容易であり、コンデンサ容量のばらつきも小さい。
金属層としては、銅が好ましく、銅箔の表面に酸化保護皮膜および／または自己酸化皮膜を設けて銅の酸化を防ぐことが好ましい。誘電体薄膜については、コンデンサ内蔵多層配線板用材料に用いる誘電体薄膜と同様のものを用いることができ、前記と同様に形成できる。
バイアホールによる導体層間の接続は、金属めっきまたは導電性ペーストにより行うことができる。
金属めっきとしては、銅、銀、ニッケル、亜鉛、錫などの金属やそれらの合金を用いることができる。金属めっきによる層間の接続方法は、１）金属張り積層板にドリル穴明けやレーザ穴明けにより貫通穴を形成、２）めっき触媒付与、３）薄付け無電解めっき、４）厚付け電気めっき、５）熱硬化性穴埋め樹脂を貫通穴へ充填、６）熱硬化性穴埋め樹脂を硬化、７）基板表面の平滑化を目的とした研磨、８）めっき触媒付与、９）薄付け無電解めっき、１０）厚付け電気めっきする方法により、行ってもよい。厚付け電気めっきを厚付け無電解めっきとしてもよい。
導電性ペーストとしては、金属フィラーと樹脂とからなる導電性ペースト、または化学的な反応により金属化される導電性ペーストが挙げられる。
金属フィラー（金属粉）と樹脂とからなる導電性ペーストとしては、金属フィラーと熱硬化性樹脂からものが好ましい。金属フィラーとしては、例えば、銀、銅、錫、亜鉛又はその合金等が挙げられる。その粒径は、０．５〜１０μｍである。熱硬化性樹脂としては、例えばフェノール樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂等が挙げられる。導電性ペースト中の金属フィラーの含有量は、６０〜８０体積％であることが好ましい。熱硬化性樹脂と金属フィラーとからなる導電性ペーストとしては、市販品として、ＤＤペースト（タツタシステム・エレクトロニクス株式会社製、商品名）、ドータイト（藤倉化成株式会社製、商品名）、ユニメック導電性ペースト（ナミックス株式会社製、商品名）等を用いることができる。
化学的な反応により金属化される導電性ペーストは、熱硬化性樹脂と金属フィラーとからなる導電性ペーストに対して体積抵抗率が低く、電気特性的に有利である。このような導電性ペーストとしては、例えば、微細な金属粒子、分散剤、溶剤からなるペーストが挙げられる。この導電性ペースト中の金属粒子の含有量は、６０〜８０重量％が好ましい。化学的な反応により金属化される導電性ペーストの金属粒子としては、例えば、金、白金、銀、銅、パラジウム、ルテニウムなどが挙げられる。その平均粒径が０．１〜１０ｎｍであることが好ましい。この導電性ペーストは、ガス中蒸発法で形成された非常に微細な金属粒子が、分散剤で保護されているため、室温では、液体とほとんど同じ挙動を示し、印刷、塗布、含浸等で回路形成などが可能である。また、一定温度（１５０〜２００℃）まで加熱すると、補足物質が活性化し、分散剤を除去するなどの化学的な反応により、微細な金属粒子間を接触させ、融合と融着を加速し、金属化された電気伝導体を形成する性質を有する。積層のための加熱加圧時の温度、すなわち金属の融点に達しない温度で金属化させるためには、０．１〜１０ｎｍの金属粒子を用いて反応活性を上げることが好ましい。また、酸素との反応を抑制するために、酸化しにくい金属である金、白金、銀、銅、パラジウム、ルテニウムなどの金属粒子を用いることが好ましい。このような化学的な反応により金属化される導電性ペーストとして、ナノペースト（ハリマ化成株式会社製、商品名）などの市販品を用いることができるが、これに限定したものではない。
導電性ペーストを用いた層間の接続方法は、１）絶縁層となるプリプレグにドリル穴明けやレーザ穴明けにより貫通穴を形成する工程、２）導電性ペーストを貫通穴へ充填する工程、３）金属箔で挟み、加圧加熱し硬化させる工程を含んでいてもよい。加熱する温度は、２５℃〜３５０℃であることが好ましい。３５０℃を超えると一般的な樹脂においては、熱分解が起こるためである。
金属めっきおよび導電性ペーストのいずれによる層間の接続においても、２層基板に限定するものではなく、３層以上の基板においても基板内部に導体層間を接続するバイアホールが金属により電気的に接続されていてもよい。
基板に用いる絶縁材料は、樹脂とガラス織布またはガラス不織布からなることが好ましい。基板の加熱処理を行うためには高温においても基板の剛性を確保することが必要である。したがって、樹脂と無機フィラーのみからなる絶縁材料や樹脂とセルロースや合成樹脂などの紙からなる絶縁材料等を用いるよりも、樹脂とガラス織布またはガラス不織布からなる絶縁材料を用いることが好ましいものである。また、耐熱性の高いフッ素樹脂やポリエーテルエーテルケトンなどの熱可塑性樹脂やポリイミドやポリアミドイミドなどの熱硬化性樹脂のシートを用いることも可能であるが、経済性に劣る。織布や不織布の材質は、高温における剛性の高い、すなわち弾性率の高いものであれば限定するものではなく、Ｄガラス，ＥガラスやＳガラスなどが使用可能である。
基板の絶縁材料に用いられている樹脂は、熱硬化性樹脂であり，そのガラス転移点温度が１７０℃以上であることが好ましい。熱硬化性樹脂とガラス織布またはガラス不織布からなる絶縁材料を用いた基板は加工性や経済性に優れている。また、ガラス転移点温度が１７０℃以上であることにより、誘電体薄膜の形成時の熱による劣化を抑えることが可能となる。ガラス転移点温度が１７０℃以上である熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、変性ポリイミド樹脂、変性トリアジン樹脂、変性ポリフェニレンオキサイド樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、変性シアネートエステル樹脂などを用いることができるが、限定するものではない。エポキシ樹脂を用いた基板材料としては、市販のものとして、ＭＣＬ−Ｅ−６７９、ＭＣＬ−Ｅ−６７９Ｆ（以上、日立化成工業株式会社製、商品名）、Ｒ−１７５５、Ｒ−１５１５（以上、松下電工株式会社製、商品名）、ＥＬＣ−４７８１（住友ベークライト株式会社製、商品名）、ＣＳ−３６６５、ＣＳ−３３６５Ｓ、ＣＳ−３２８７（以上、利昌工業株式会社製、商品名）などを使用できる。また、変性ポリイミド樹脂を用いた銅張積層板としては、市販のものとして、ＭＣＬ−Ｉ−６７１（日立化成工業株式会社製、商品名）、Ｒ−４７０５（松下電工株式会社製、商品名）などを使用できる。また、変性トリアジン樹脂を用いた銅張積層板としては、市販のものとして、ＣＣＬ−８３０、ＣＣＬ−８３２、ＣＣＬ−８３２ＨＳ（以上、三菱ガス化学株式会社製、商品名）などを使用できる。また、変性ポリフェニレンエーテル樹脂を用いた銅張積層板としては、ＣＳ−３３７６Ｂ（利昌工業株式会社製、商品名）、ＴＬＣ−Ｗ−５９６（京セラケミカル株式会社製、商品名）などを使用できる。上記の各々の銅張り積層板に対応する多層化絶縁材料（プリプレグ）も、各メーカから市販されており、用いることが可能である。
（コンデンサ内蔵多層配線板）
コンデンサ内蔵多層配線板は、上記のコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いて、この銅箔面に絶縁層を介して導体回路を有する基板を積層し、コンデンサの形成および銅箔と導体パターンとの導通を行うことにより製造してもよい。また、コンデンサ内蔵多層配線板は、上記のコンデンサ内蔵多層配線板用基板を用いて、コンデンサの形成を行うことにより製造してもよい。さらに、上記のコンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔（以下、金属箔Ａとする。）に絶縁層を介して金属箔（以下、金属箔Ｂとする。）を積層し、コンデンサの形成および金属箔Ａおよび金属箔Ｂの導通を行うことにより製造してもよい。以下これらについて説明する。
（第１のコンデンサ電極の形成）
基板表面の誘電体薄膜上にコンデンサ電極（以下、第１のコンデンサ電極とする。）を形成する。
第１のコンデンサ電極の厚みは１０〜５０μｍが好ましい。１０μｍ未満の場合には、電極１の外層にさらに絶縁層を形成したときに電極の引き出しパターンとして非貫通穴を設ける際、レーザ加工をすると誘電体薄膜の下の金属層がダメージを受け、破損しやすいという問題が発生し易い。また、５０μｍを超えると、エッチングで電極パターンを形成する際の加工精度が劣る場合がある。
誘電体薄膜上の所定の位置に第１のコンデンサ電極を形成する方法としては、誘電体薄膜上の全面に金属層を形成した後、エッチングにより形成する方法（第１の方法）、めっきレジスト形成後、金属めっきを行う方法（第２の方法）、および導電性ペーストにより印刷する方法（第３の方法）などがある。
第１の方法は、金属めっきまたはスパッタリングにより１０〜５０μｍの金属層を形成する工程と、任意の箇所をエッチング除去する工程とを含んでいてもよい。第１のコンデンサ電極となる金属層としては、種々の金属が挙げられるが、電気的特性および経済性を考慮すると銅が好ましい。金属層として銅を用いる場合は、誘電体薄膜からの酸素の移動による銅の酸化を防ぐため、金属層にクロム、モリブデン、チタンまたはニッケルなどをさらに含めるか、あるいは、金属層と誘電体薄膜の間にクロム、モリブデン、チタンまたはニッケルなど自己酸化被膜となる金属層を設けることが好ましい。
第２の方法は、誘電体薄膜の表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残して金属めっきレジストを形成する工程と、金属めっきにより１０〜５０μｍの第１のコンデンサ電極を形成する工程と、金属めっきレジストをエッチング除去する工程と、誘電体薄膜の表面に形成した０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程とを含む。０．１〜５μｍの金属層としては、種々の金属が挙げられるが、電気的特性と経済性を考慮すると銅が好ましい。銅を用いる場合には、銅の酸化を防止するために、０．１〜５μｍの金属層との間に自己酸化性被膜を形成する金属層を設けることが好ましい。自己酸化性皮膜を形成する金属層は、クロム、モリブデン、チタン、ニッケルなどの金属層が好ましい。金属めっきにより形成された１０〜５０μｍの金属層としては、電気的特性および経済性を考慮すると、銅、銀、錫、ニッケルまたは亜鉛を含むことが好ましい。めっきレジストとしては、例えば、フォテックＨ−９３３０（商品名、日立化成工業株式会社製）を使用することができる。めっきレジストのエッチング液および０．１〜５μｍの金属層のエッチング液としては、公知のものを使用できる。
第３の方法は、誘電体薄膜上の第１のコンデンサ電極を形成する任意の箇所に化学的な反応により金属化される導電性ペーストを印刷し、硬化させる工程を含んでいてもよい。また、第１のコンデンサ電極となる箇所を含む部分に導電性ペーストを印刷し、不要な箇所をエッチングして第１のコンデンサ電極を形成してもよい。化学的な反応により金属化される導電性ペーストとしては、コンデンサ内蔵多層配線板用基板に使用できる前記の導電性ペーストが使用できるが、特に金属粒子の平均粒径が０．１〜１０ｎｍのものが好ましい。化学的な反応により金属化される導電性ペーストを用いることにより、処理工程数の多いめっきプロセスを用いることなく第１のコンデンサ電極が形成でき、コンデンサ内蔵多層配線板の製造日数を低減することができる。
（コンデンサ誘電体の形成）
前記のコンデンサ内蔵多層配線板用材料または基板の誘電体薄膜を、コンデンサ誘電体となる箇所を残してエッチング除去することにより、コンデンサ誘導体を形成する。
エッチング除去する方法としては、例えば、イオンビームエッチング法、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法やウェットエッチング法が挙げられる。
イオンビームエッチング法は、アルゴン等の不活性ガスのイオンを電界により加速してから基板に照射し誘電体薄膜を除去する技術である。
ＲＩＥ法は、減圧強電界下で、フロン系ガスなどの反応性のガスプラズマを発生させ、それにより誘電体薄膜を除去する技術である。
ウェットエッチング法は、エッチング溶液（エッチャント）などの誘電体を溶解せしめることが可能なエッチング溶液（エッチャント）を用いて誘電体薄膜を除去する技術である。エッチャントとしては、公知のものを用いることができ、例えば、フッ酸を含んだ溶液、アンモニアおよび過酸化水素含む水溶液、およびＥＤＴＡ、アンモニアおよび過酸化水素を含む水溶液などが挙げられる。しかし、フッ酸は反応性が高いことから危険性がある。アンモニアおよび過酸化水素含む水溶液、およびＥＤＴＡ、アンモニアおよび過酸化水素を含む水溶液は、アルカリ性である。そのため、エッチングによってパターニングを行う場合、エッチングレジストには耐アルカリ性のレジスト、すなわちゴム系レジストなどを用いる必要がある。このようなレジストでは現像液や剥離液に特殊な薬品や溶剤を用いていることから専用の設備を設ける必要がある。そこで、次の２つの方法によるエッチャントを用いる方法により誘電体薄膜のエッチングを行ってもよい。
２つの方法とは、キレート剤と過酸化水素を含むエッチャントを用いる方法（第１の方法）、および硫酸、塩酸、りん酸、硝酸及び酢酸からなる群から選ばれる少なくとも１つの酸と過酸化水素を含むエッチャントを用いる方法（第２の方法）である。第１と第２の方法において行う誘電体薄膜のエッチングはウェットエッチングであり、ドライプロセスによるエッチングに比べ生産性に優れている。また、大型基板にも対応できるため経済的である。さらには、通常のフォトリソプロセスで使用するアルカリ現像型のエッチングレジストを使用するため、専用の設備を設ける必要がなく、特殊な薬液も使用しないため安価であり、かつ効率良く薄膜パターニングを行うことが可能である。
第１の方法では、誘電体薄膜のエッチャントとして、キレート剤と過酸化水素を含むものを用い、通常、エッチャントは水溶液である。フッ酸を用いずにキレート剤と過酸化水素を含む水溶液により誘電体薄膜をエッチングすることができるため、薬液の取り扱いが容易であり危険性を低減することができる。また、キレート剤や過酸化水素は通常のプリント配線板製造プロセスで使用されているものであり、使用に際して新たに大きな負荷がかかることがない。エッチャントのキレート剤濃度は、０．００１〜０．５ｍｏｌ／ｌとするのが望ましい。誘電体薄膜のエッチングには、最低０．００１ｍｏｌ／ｌが必要であり、限界濃度である０．５ｍｏｌ／ｌまでの範囲で任意に設定することができる。さらに望ましくは、０．１〜０．３ｍｏｌ／ｌとすることにより、安定性の良いエッチングレートを得ることができる。また、過酸化水素濃度は１〜５０ｗｔ％とするのが望ましい。この範囲内で過酸化水素濃度を任意に設定することでエッチングレートの調整が可能である。使用上最低限許容されるエッチングレートを得るためには、少なくとも１ｗｔ％の過酸化水素が必要であり、薬液の取扱い性に問題のない５０ｗｔ％までの範囲で任意に設定することができる。さらに望ましくは、２０〜３０ｗｔ％とすることで適正なエッチングレートを得ることができ、かつ液濃度の管理も容易に行うことが可能となる。上述した濃度に管理されたエッチャントは、酸性エッチャントであり、エッチャントのｐＨは２〜７の範囲で管理されることが望ましい。なお、緩衝液によりｐＨをアルカリ側に調整することも可能であるが、その場合、耐アルカリ性のエッチングレジストを用いる必要があり、耐アルカリ性を有するレジストは一般に専用の設備や薬液が必要である。従って、前記の理由からも、エッチャントのｐＨは２〜７の範囲で管理されることが望ましい。
本発明に用いるキレート剤は、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸（ＨＩＤＡ）、イミノ二酢酸（ＩＤＡ）、ジヒドロキシエチルグリシン（ＤＨＥＧ）及びこれらのアルカリ塩の群から選ばれる少なくとも１つのキレート剤であることが、好ましい。前記のキレート剤は水溶性であることから、ＮＨ_４ＯＨ、ＮａＯＨなどのアルカリ溶液を用いる必要がない。これは前述した酸性エッチャントを得るために有効であり、レジストの選択が容易であることに加え、薬液コストの低減にも寄与するものである。
第２の方法において用いられる誘電体薄膜のエッチャントは、硫酸、塩酸、りん酸、硝酸及び酢酸からなる群から選ばれる酸と過酸化水素を含み、通常、水溶液である。前記の酸は、通常の配線板製造にも使用されるものであり、フッ酸に比べ取り扱いが容易である。これらの酸と過酸化水素の水溶液により、容易に誘電体薄膜をエッチングすることが可能となるものである。
エッチャントの硫酸、塩酸、りん酸、硝酸及び酢酸からなる群から少なくとも１つ選ばれる酸の濃度を１〜３０ｗｔ％とするのが好ましい。より高濃度にするほどエッチングレートを高くすることが可能であるが、薬液の取り扱いが難しくなる。したがって、濃度は３０ｗｔ％を上限とするのが好ましい。また、使用上最低限許容されるエッチングレートを得るためには１ｗｔ％以上とするのが好ましい。さらに好ましくは、５〜３０ｗｔ％とすることで取扱い性に優れ、かつ適正なエッチングレートを得ることが可能である。また、薬液の取り扱いも容易で優れたエッチングレートを得ることが可能となるものである。
第１と第２の方法において、少なくとも基板表面の所定の位置に形成されたコンデンサ電極となる金属層上にエッチングレジストが形成されていればよい。エッチングレジストとしては、市販の感光性ドライフィルムやアルカリ現像型レジストインクなどが、使用できるが、感光性ドライフィルムを用いることが好ましい。感光性ドライフィルムは、プリント配線板製造プロセスで最も汎用なレジスト材である。低コストなレジスト形成が可能なばかりでなく、作業性にも非常に優れている。使用するエッチングレジストは特に限定されるものではないが、例えばＦＸ１４０（デュポンＭＲＣドライフィルム株式会社製、商品名）、ＮＩＴ２４０（ニチゴー・モートン株式会社製、商品名）、Ｈ−９０４０（日立化成工業株式会社製、商品名）などを用いることができる。なお、市販のアルカリ現像型レジストインクとしては、ＰＥＲ−２０（太陽インキ製造株式会社製、商品名）などが挙げられる。エッチングレジストを、基板表面のコンデンサ電極となる金属層上と誘電体薄膜上に形成し、回路パターンを焼き付け、さらに現像を行う。なお、現像には炭酸ナトリウム水溶液、エッチングレジストの剥離には水酸化ナトリウム水溶液を用いることができ、環境に対する負荷が小さいことも特長である。また、スクリーン印刷などで、インク状エッチングレジストを用い、コンデンサ電極となる金属層上のみに、エッチングレジストを形成してもかまわない。
感光性ドライフィルムを用いる場合、その膜厚は、コンデンサ電極となる金属層の１〜３倍の厚みであることが望ましい。保護される金属層の厚みより薄い場合では、金属層と被エッチング層表面の段差の埋込み性が悪くボイドが発生し、エッチング不良を招きやすい。また、３倍を超えると、エッチング性が低下するためパターンの微細化が困難となる。さらに望ましくは金属層の２〜３倍とすることである。２〜３倍とすることで、段差に対して良好な追従性を有し、かつエッチング性にも優れるからである。
第１と第２の方法において、誘電体薄膜のエッチングが２０〜４５℃で行われるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法である。２０℃を下回るとエッチングレートが著しく低下するためエッチングに多大な時間を要し不経済である。また、４５℃を超えるとレジストの密着性が低下し、エッチング不良を招きやすくなる。したがって、エッチング温度は２０〜４５℃とするのが好ましい。より好ましくは２０〜３０℃とすることにより良好なエッチングレートとレジスト密着性を両立でき、作業性と歩留りの向上が図れるものである。
誘電体薄膜と第１のコンデンサ電極との間に、前記の酸化保護皮膜または自己酸化皮膜として金属層を設けることが好ましい。コンデンサ内蔵多層配線板用材料に用いたものと同様のものを用いることができる。
（第２のコンデンサ電極の形成）
前記のコンデンサ内蔵多層配線板用材料またはコンデンサ内蔵多層配線板用基板に含まれる金属箔または金属層を、任意の部分を残してエッチングすることにより、コンデンサ電極（第２のコンデンサ電極）を得ることができる。エッチングは公知の方法により行うことができる。
第２のコンデンサ電極の形成は、第１のコンデンサ電極の形成と同時または第１のコンデンサ電極の形成後に行ってもよい。特に、第２のコンデンサ電極の形成を第１のコンデンサ電極の形成と同時に行うと、製造プロセス工程が簡略化され、製造日数が低減し、経済性に優れる。この場合には、コンデンサ誘電体を形成して、その上に第１のコンデンサ電極となる金属層を形成した後、第１および第２のコンデンサ電極を同時にエッチングする。
第２のコンデンサ電極が多層配線板のグランド層または電源層と共通である場合には、第２のコンデンサ電極をグランド層または電源層の層に用いることが好ましい。一般的にグランド層または電源層のパターンは配線パターンよりも大きな面積を有する。本発明において作製されるコンデンサ電極の面積は、誘電体薄膜上に形成される第１のコンデンサ電極よりも誘電体薄膜を形成するときに基板表面を被覆していた金属層をパターニングして形成した第２のコンデンサ電極の方が大きくなるために、第２のコンデンサ電極をグランド層または電源層に用いることが好ましいとするものである。
（第２のコンデンサ電極と導体回路を有する基板の導体との接続）
本発明の一実施形態である、コンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いてコンデンサ内層多層配線板を製造する場合は、コンデンサ内蔵多層層配線板用材料の銅箔面に、絶縁層を介して導体回路を有する基板を積層してもよい。このコンデンサ内層多層配線板においては、第２のコンデンサ電極と導体回路との接続は：絶縁層を除去して電解めっきによって接続してもよいし（第１の方法）；予め導電性ペーストが貫通穴に充填された絶縁層を用いることにより接続させてもよい（第２の方法）。
第１の方法は、第１および第２のコンデンサ電極およびコンデンサ誘電体を形成後、レーザ照射により露出された絶縁層を除去して穴を形成し、内層となっている導体回路を露出させる工程と；その基板表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と；穴を含む任意の箇所を除いてめっきレジストを形成する工程と；めっきレジストを形成した箇所以外の基板表面に１０〜５０μｍの金属層を形成して層間の回路パターンを電気的に接続させる工程；基板表面に形成した０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と；少なくともコンデンサ誘電体と導体化された穴を含む任意の部分を残してエッチング除去する工程を含んでいてもよい。金属層、めっきレジスト等については、第１のコンデンサ電極に用いたものと同様のものを用いることができる。
第２の方法は、絶縁層となるプリプレグ等の絶縁材料にドリルやレーザにより貫通穴を形成する工程と、化学的な反応により金属化される導電性ペーストを、スクリーン印刷等を用いて貫通穴へ充填する工程とを備えていてもよい。導電性ペーストは、前記のコンデンサ内蔵多層配列用基板に用いる導電性ペーストと同様のものを用いることができる。
本発明の一実施形態である、コンデンサ内蔵多層配線板用基板を用いてコンデンサ内蔵多層配線板を製造する場合は、基板内部に導体層間を接続するバイアホールが備えられているので、特に導通は行わなくてよい。
本発明の一実施形態である、コンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いてコンデンサ内層多層配線板を製造する場合には、コンデンサ内蔵多層層配線板用材料の銅箔面に、絶縁層を介して金属箔Ｂを積層することができる。このコンデンサ内層多層配線板においては、絶縁層および金属箔Ｂを除去して穴形成後、穴内に金属層を形成することにより接続してもよいし（第１の方法）；予め導電性ペーストが貫通穴に充填された絶縁層を用いることにより接続してもよい（第２の方法）。
第１の方法においては、絶縁層の除去はレーザにより行うことができ、金属箔Ｂの除去はレーザまたはエッチングより行うことができる。レーザを用いて金属箔Ｂと絶縁層を同時に除去して穴を形成すると、製造プロセス工程が簡略化され、製造日数を低減し、経済性に優れる。このような製造方法を可能とする金属箔Ｂとしては、レーザ光のエネルギーを吸収しやすい処理を施されていることが好ましい。銅箔の場合、このような処理としては、酸化銅処理、マイクロエッチング処理、粗化めっき処理などの表面粗化処理が有効であり、その表面粗さとしては０．１〜３μｍが好ましい。０．１μｍ未満の場合には、レーザ光の吸収が十分でなく加工性に劣り、３μｍを超えると加工精度に劣る。また銅箔の厚みとしては、１〜１８μｍが好ましい。１μｍ未満の銅箔は取り扱い性に劣り、１８μｍを超える銅箔は加工性に劣る。また、銅表面の粗化処理の他にニッケルなどのレーザ光を吸収しやすい金属層を表面に設けても良い。このような金属層や基板表面の金属層を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法、無電解めっき法、電解めっき法及びこれらの組み合わせた方法が挙げられる。
次に、形成した穴に金属層を形成することにより、金属箔Ｂと金属箔Ａ（コンデンサ電極）とを電気的に接続することができる。この電気的な接続は、例えば、電解めっきにより、または導電性ペーストの形成により行うことができる。第１の方法は、穴内を含む基板の両面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、穴部を含む任意の部分を残して基板表面に金属めっきレジストを形成する工程と、金属めっきにより、穴部を含む部分に導体パターンを形成する工程と、不要な金属めっきレジストを除去する工程と、不要な部分に形成された０．１〜５μｍの金属層を除去する工程とを含んでいてもよい。金属層、めっきレジスト等については、第１のコンデンサ電極に用いたものと同様のものを用いることができる。
なお、コンデンサ内蔵多層配線板用材料の誘電体薄膜上に金属層２を形成する前に、穴を含む基板表面の両面に金属層を形成すると、穴内の金属層形成と、第１のコンデンサ電極となる金属層の形成が同時に行われるので好ましい。金属層の形成は、穴内を含む基板の両面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、穴部を含む任意の部分を残して基板表面に金属めっきレジストを形成する工程と、金属めっきにより穴部を含む部分に導体パターンを形成する工程と、金属めっきレジストを除去する工程と、基板表面に露出された０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程とを備えていてもよい。また、金属箔Ｂと金属箔Ａ（コンデンサ電極）との電気的な接続は、前に説明した導電性ペーストによって行ってもよい。
第２の方法において、絶縁層となるプリプレグ等の絶縁材料にドリル穴明けやレーザ穴明けにより貫通穴を形成する工程と、化学的な反応により金属化される導電性ペーストを、スクリーン印刷等を用いて貫通穴へ充填する工程とを備えていてもよい。導電性ペーストは、前記のコンデンサ内蔵多層配列用基板に用いる導電性ペーストと同様である。
本発明においては、必要に応じて、基板の両面または片面に、さらに絶縁層を介して回路層を１層以上形成することにより、３層以上のコンデンサ内蔵多層配線板を得ることができる。
本発明の一実施態様において、コンデンサ内蔵多層配線板は、第１のコンデンサ電極を形成する導体層のパターンは全てコンデンサの電極を形成し、誘電体薄膜の投影面は第１のコンデンサ電極の投影面を含み、第２のコンデンサ電極を形成する導体層には第２のコンデンサ電極とこの電極と電気的に絶縁された少なくとも１つのパターンを有することができる。
本発明の一実施態様において、これらの製造方法により作製したコンデンサ内蔵多層配線板においては、第１のコンデンサ電極を形成する金属層のパターンの下部には第２のコンデンサ電極を形成する金属のパターンが存在する。そのために、第１のコンデンサ電極を形成する金属層に配線パターンを形成すると、第２のコンデンサ電極を形成する金属層との間に寄生容量が発生し、電気信号の伝送特性が劣化するという問題が発生し、好ましくない。したがって、配線パターンは第２のコンデンサ電極の金属層に設置することが好ましい。
また、本発明の一実施態様において、これらの製造方法により作製したコンデンサ内蔵多層配線板においては、１）コンデンサの誘電体を形成する誘電体薄膜の投影面に含まれる第１のコンデンサ電極を有し、２）誘電体薄膜の端部は全て第１のコンデンサ電極を形成する導体層が第２のコンデンサ電極に電気的に接続されていてもよい。これによると、製造プロセス工程が簡略化され、製造日数低減や経済性に優れたコンデンサ内蔵多層配線板である。
本発明の一実施態様においては、これらの製造方法により作成したコンデンサ内蔵が多層配線板は、半導体チップを搭載してもよい。コンデンサを基板に内蔵しているため、搭載部品の低減が可能であり、小型の半導体装置を提供できる。
コンデンサ内蔵多層配線板の製造方法を具体的に挙げる。
次の製造方法は、金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法の具体例である。
（ａ−１） １）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して導体回路を有する基板に積層する工程と、２）誘電体薄膜の表面に１０〜５０μｍの金属層を形成する工程と、３）その金属層の任意の部分を残してエッチング除去して所望の第１のコンデンサ電極を形成する工程と、４）誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、５）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔の少なくともコンデンサ誘電体を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望の第２のコンデンサ電極を含む導体パターンを形成する工程を有する。
（ａ−２）１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して導体回路を有する基板に積層する工程と、２）誘電体薄膜の表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、３）第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残して金属めっきレジストを形成する工程と、４）金属めっきにより１０〜５０μｍの第１のコンデンサ電極を形成する工程と、５）金属めっきレジストを除去する工程と、６）誘電体薄膜の表面に形成した０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、７）誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、８）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔の少なくともコンデンサ誘電体を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望の第２のコンデンサ電極を含む導体パターンを形成する工程を有する。
（ａ−３）１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して導体回路を有する基板に積層する工程と、２）誘電体薄膜の表面の任意の部分に化学的な反応により金属化される導電性ペーストを用いて１０〜５０μｍの金属層を形成して所望の第１のコンデンサ電極を形成する工程と、３）誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、４）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔の少なくともコンデンサ誘電体を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望の第２のコンデンサ電極を含む導体パターンを形成する工程を有する。
（ａ−４）１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して導体回路を有する基板に積層する工程と、２）誘電体薄膜の任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、３）コンデンサ誘電体を形成した基板表面に１０〜５０μｍの金属層を形成する工程と、４）その金属層の任意の部分を残してエッチング除去して所望の第１のコンデンサ電極、第２のコンデンサ電極およびコンデンサ電極と電気的に絶縁された任意の導体パターンを形成する工程を有する。
（ａ−５）１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して導体回路を有する基板に積層する工程と、２）誘電体薄膜の表面に１０〜５０μｍの金属層を形成する工程と、３）その金属層の任意の部分を残してエッチング除去して所望の第１のコンデンサ電極を形成する工程と、４）誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、５）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔の任意の箇所をエッチング除去して硬化したプリプレグの絶縁層を露出させる工程と、６）レーザ照射により露出された絶縁層を除去して穴を形成し、内層となっている導体回路を露出させる工程と、７）その基板表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、８）穴を含む任意の箇所を除いてめっきレジストを形成する工程と、９）めっきレジストを形成した箇所以外の基板表面に１０〜５０μｍの金属層を形成して層間の回路パターンを電気的に接続させる工程と、１０）基板表面に形成した０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、１１）少なくともコンデンサ誘電体と導体化された穴を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望の第２のコンデンサ電極を含む導体パターンを形成する工程を有する。
（ａ−６）１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して導体回路を有する基板に積層する工程と、２）誘電体薄膜の表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、３）第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残して金属めっきレジストを形成する工程と、４）金属めっきにより１０〜５０μｍの第１のコンデンサ電極を形成する工程と、５）金属めっきレジストを除去する工程と、６）誘電体薄膜の表面に形成した０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、７）誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、８）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔の任意の箇所をエッチング除去して硬化したプリプレグの絶縁層を露出させる工程と、９）レーザ照射により露出された絶縁層を除去して穴を形成し、内層となっている導体回路を露出させる工程と、１０）その基板表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、１１）穴を含む任意の箇所を除いてめっきレジストを形成する工程と、１２）めっきレジストを形成した箇所以外の基板表面に１０〜５０μｍの金属層を形成して層間の回路パターンを電気的に接続させる工程と、１３）基板表面に形成した０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、１４）少なくともコンデンサ誘電体と導体化された穴を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望の第２のコンデンサ電極を含む導体パターンを形成する工程を有する。
（ａ−７）１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して導体回路を有する基板に積層する工程と、２）誘電体薄膜の表面の任意の部分に化学的な反応により金属化される導電性ペーストを用いて１０〜５０μｍの金属層を形成して所望の第１のコンデンサ電極を形成する工程と、３）誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、４）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔の任意の箇所をエッチング除去して硬化したプリプレグの絶縁層を露出させる工程と、５）レーザ照射により露出された絶縁層を除去して穴を形成し、内層となっている導体回路を露出させる工程と、６）その基板表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、７）穴を含む任意の箇所を除いてめっきレジストを形成する工程と、８）めっきレジストを形成した箇所以外の基板表面に１０〜５０μｍの金属層を形成して層間の回路パターンを電気的に接続させる工程と、９）基板表面に形成した０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、１０）少なくともコンデンサ誘電体と導体化された穴を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望の第２のコンデンサ電極を含む導体パターンを形成する工程を有する。
（ａ−８）１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して導体回路を有する基板に積層する工程と、２）誘電体薄膜任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、３）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔の任意の箇所をエッチング除去して硬化したプリプレグの絶縁層を露出させる工程と、４）レーザ照射により露出された絶縁層を除去して穴を形成し、内層となっている導体回路を露出させる工程と、５）コンデンサ誘電体を形成した基板表面と穴内の表面に１０〜５０μｍの金属層を形成する工程と、６）少なくともコンデンサ誘電体と導体化された穴を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望の第２のコンデンサ電極を含む導体パターンを形成する工程を有する。
次の製造方法は、基板内部に導体層間を接続するバイアホールを有し，かつ、表面に平滑な金属層を有する基板の表面に比誘電率が１０〜２０００で、かつ、膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜を形成したことを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板用基板を内層板として用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法の具体例である。
（ｂ−１）１）誘電体薄膜の表面に１０〜５０μｍの金属層を形成する工程と、２）その金属層の任意の部分を残してエッチング除去して所望の第１のコンデンサ電極を形成する工程と、３）誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、４）誘電体薄膜を除去して現れた金属層の少なくともコンデンサ誘電体を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望の第２のコンデンサ電極を含む導体パターンを形成する工程を有する。
（ｂ−２） １）誘電体薄膜の表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、２）第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残して金属めっきレジストを形成する工程と、３）金属めっきにより１０〜５０μｍの第１のコンデンサ電極を形成する工程と、４）金属めっきレジストを除去する工程と、５）誘電体薄膜の表面に形成した０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、６）誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、７）誘電体薄膜を除去して現れた金属層の少なくともコンデンサ誘電体を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望の第２のコンデンサ電極を含む導体パターンを形成する工程を有する。
（ｂ−３）１）誘電体薄膜の表面の任意の部分に化学的な反応により金属化される導電性ペーストを用いて１０〜５０μｍの金属層を形成して所望の第１のコンデンサ電極を形成する工程と、２）誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、３）誘電体薄膜を除去して現れた金属層の少なくともコンデンサ誘電体を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望の第２のコンデンサ電極を含む導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
（ｂ−４）１）誘電体薄膜の任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、２）コンデンサ誘電体を形成した基板表面に１０〜５０μｍの金属層を形成する工程と、３）その金属層の任意の部分を残してエッチング除去して所望の第１のコンデンサ電極、第２のコンデンサ電極およびコンデンサ電極と電気的に絶縁された任意の導体パターンを形成する工程を有する。
次の製造方法は、金属箔の片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を、金属箔が絶縁材料と接するように絶縁材料の少なくとも片面に設けた基板を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法の具体例に関する。
（ｃ−１） １）基板表面の誘電体薄膜上の所定の位置にコンデンサ電極となる金属層を形成する工程と、２）少なくとも基板表面の前記金属層上にエッチングレジストを形成する工程と、３）キレート剤と過酸化水素を含むエッチャントによって、誘電体薄膜をウェットエッチングする工程と、４）ウェットエッチング後にエッチングレジストを除去する工程とを有する。
（ｃ−２） １）基板表面の誘電体薄膜上の所定の位置にコンデンサ電極となる金属層を形成する工程と、２）少なくとも基板表面の前記金属層上にエッチングレジストを形成する工程と、３）硫酸、塩酸、りん酸、硝酸及び酢酸からなる群から選ばれる少なくとも１つの酸と過酸化水素を含むエッチャントによって、誘電体薄膜をウェットエッチングする工程と、４）ウェットエッチング後にエッチングレジストを除去する工程とを有する。
次の製造方法は、金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法の具体例である。
（ｄ−１） １）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）金属箔Ｂの任意の箇所をエッチング除去して、上記絶縁材料から形成された絶縁層を露出させる工程と、３）レーザ照射により、露出された絶縁層を除去して穴を形成し、金属箔Ａを露出させる工程と、４）穴内を含む基板表面の両面に金属層を形成する工程と、５）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の誘電体薄膜上の金属層から任意の形状の第１のコンデンサ電極パターンをエッチングで形成する工程と、６）露出された誘電体薄膜から第１のコンデンサ電極パターンを含む任意の形状のコンデンサ誘電体をエッチングで形成する工程と、７）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａからコンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状の第２のコンデンサ電極をエッチングで形成する工程を有する。
（ｄ−２） １）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）金属箔Ｂの任意の箇所にレーザ照射することにより、金属箔Ｂと上記絶縁材料から形成された絶縁層とを同時に除去して穴を形成し、金属箔Ａを露出させる工程と、３）穴内を含む基板表面の両面に金属層を形成する工程と、４）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の誘電体薄膜上の金属層から任意の形状の第１のコンデンサ電極パターンをエッチングで形成する工程と、５）露出された誘電体薄膜から第１のコンデンサ電極パターンを含む任意の形状のコンデンサ誘電体をエッチングで形成する工程と、６）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａからコンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状の第２のコンデンサ電極をエッチングで形成する工程を有する。
（ｄ−３） １）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、任意の箇所に貫通穴が設けられかつその貫通穴が熱硬化性樹脂と金属フィラーを含む導電性ペーストで充填されている絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）基板表面の少なくとも誘電体薄膜側に金属層を形成する工程と、３）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の誘電体薄膜上の金属層から任意の形状の第１のコンデンサ電極パターンをエッチングで形成する工程と、４）露出された誘電体薄膜から第１のコンデンサ電極パターンを含む任意の形状のコンデンサ誘電体をエッチングで形成する工程と、５）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａにコンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状の第２のコンデンサ電極をエッチングで形成する工程を有する。
（ｄ−４） １）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、任意の箇所に貫通穴が設けられかつその貫通穴が化学的な反応により金属化される導電性ペーストで充填されている絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）基板表面の少なくとも誘電体薄膜側に金属層を形成する工程と、３）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の誘電体薄膜上の金属層から任意の形状の第１のコンデンサ電極パターンをエッチングで形成する工程と、４）露出された誘電体薄膜から第１のコンデンサ電極パターンを含む任意の形状のコンデンサ誘電体をエッチングで形成する工程と、５）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａからコンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状の第２のコンデンサ電極をエッチングで形成する工程を有する。
（ｄ−５） １）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）金属箔Ｂの任意の箇所をエッチング除去して、上記絶縁材料から形成された絶縁層を露出させる工程と、３）レーザ照射により露出された絶縁層を除去して穴を形成し、金属箔Ａを露出させる工程と、４）穴内を含む基板の両面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、５）第１のコンデンサ電極となる部分と穴部を含む任意の部分を残して基板表面に金属めっきレジストを形成する工程と、６）金属めっきにより、上記の第１のコンデンサ電極となる部分と穴部を含む部分に導体パターンを形成する工程と、７）金属めっきレジストを除去する工程と、８）基板表面に露出された０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、９）露出された誘電体薄膜から第１のコンデンサ電極パターンを含む任意の形状のコンデンサ誘電体をエッチングで形成する工程と、１０）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａから、エッチングにより、コンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状の第２のコンデンサ電極を形成する工程と、１１）露出された金属箔Ｂをエッチングにより回路形成する。
（ｄ−６） １）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）金属箔Ｂの任意の箇所にレーザ照射することにより、金属箔Ｂと上記絶縁材料から形成された絶縁層とを同時に除去して穴を形成し、金属箔Ａを露出させる工程と、３）穴内を含む基板の両面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、４）第１のコンデンサ電極となる部分と穴部を含む任意の部分を残して基板表面に金属めっきレジストを形成する工程と、５）金属めっきにより、上記の第１のコンデンサ電極となる部分と穴部を含む部分に導体パターンを形成する工程と、６）金属めっきレジストを除去する工程と、７）基板表面に露出された０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、８）露出された誘電体薄膜から、第１のコンデンサ電極パターンを含む任意の形状のコンデンサ誘電体をエッチングで形成する工程と、９）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａから、コンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状の第２のコンデンサ電極を形成する工程と、１０）露出された金属箔Ｂをエッチングにより回路形成する工程を有する。
（ｄ−７） １）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、任意の箇所に貫通穴が設けられかつその貫通穴が熱硬化性樹脂と金属フィラーを含む導電性ペーストで充填されている絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）基板の少なくとも誘電体薄膜側の表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、３）第１のコンデンサ電極となる部分を含む任意の部分を残して基板表面に金属めっきレジストを形成する工程と、４）金属めっきにより第１のコンデンサ電極となる部分を含む部分に導体パターンを形成する工程と、５）金属めっきレジストを除去する工程と、６）基板表面に露出された０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、７）露出された誘電体薄膜から、第１のコンデンサ電極パターンを含む任意の形状のコンデンサ誘電体をエッチングで形成する工程と、８）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａから、エッチングにより、コンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状の第２のコンデンサ電極を形成し、露出された金属箔Ｂをエッチングにより回路形成する工程を有する。
（ｄ−８） １）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、任意の箇所に貫通穴が設けられかつその貫通穴が化学的な反応により金属化される導電性ペーストで充填されている絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）基板の少なくとも誘電体薄膜側の表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、３）第１のコンデンサ電極となる部分を含む任意の部分を残して基板表面に金属めっきレジストを形成する工程と、４）金属めっきにより第１のコンデンサ電極となる部分を含む部分に導体パターンを形成する工程と、５）金属めっきレジストを除去する工程と、６）基板表面に露出された０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、７）露出された誘電体薄膜から、第１のコンデンサ電極パターンを含む任意の形状のコンデンサ誘電体をエッチングで形成する工程と、８）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａから、エッチングにより、コンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状の第２のコンデンサ電極を形成し、露出された金属箔Ｂをエッチングにより回路形成する工程を有する。
（ｄ−９） １）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、任意の箇所に貫通穴が設けられかつその貫通穴が熱硬化性樹脂と金属フィラーを含む導電性ペーストで充填されている絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）誘電体薄膜の表面の任意の部分に化学的な反応により金属化される導電性ペーストを用いて金属層を形成して所望の第１のコンデンサ電極を形成する工程と、３）誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、４）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａから、エッチングにより、コンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状の第２のコンデンサ電極を形成し、露出された金属箔Ｂをエッチングにより回路形成する工程を有する。
（ｄ−１０） １）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、任意の箇所に貫通穴が設けられかつその貫通穴が化学的な反応により金属化される導電性ペーストで充填されている絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）誘電体薄膜の表面の任意の部分に化学的な反応により金属化される導電性ペーストを用いて金属層を形成して所望の第１のコンデンサ電極を形成する工程と、３）誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、４）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａから、エッチングにより、コンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状の第２のコンデンサ電極を形成し、露出された金属箔Ｂをエッチングにより回路形成する工程を有する。
（ｄ−１１） １）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）誘電体薄膜の任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、３）金属箔Ｂの任意の箇所をエッチング除去して、上記絶縁材料から形成された絶縁層を露出させる工程と、４）レーザ照射により露出された絶縁層を除去して穴を形成し、金属箔Ａを露出させる工程と、５）穴内を含む基板表面の両面に金属層を形成する工程と、６）その金属層及び金属箔Ａの任意の部分を残してエッチング除去して、所望の第１のコンデンサ電極及び第２のコンデンサ電極を形成する工程を有する。
（ｄ−１２） １）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）誘電体薄膜の任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、３）金属箔Ｂの任意の箇所にレーザ照射することにより、金属箔Ｂと上記絶縁材料から形成された絶縁層とを同時に除去して穴を形成して金属箔Ａを露出させる工程と、４）穴内を含む基板表面の両面に金属層を形成する工程と、５）その金属層及び金属箔Ａの任意の部分を残してエッチング除去して、所望の第１のコンデンサ電極及び第２のコンデンサ電極を形成する工程を有する。
（ｄ−１３） １）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、任意の箇所に貫通穴が設けられかつその貫通穴が熱硬化性樹脂と金属フィラーを含む導電性ペーストで充填されている絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）誘電体薄膜の任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、３）基板の少なくともコンデンサ誘電体を有する表面に金属層を形成する工程と、４）その金属層及び金属箔Ａの任意の部分を残してエッチング除去して、所望の第１のコンデンサ電極及び第２のコンデンサ電極を形成する工程を有する。
（ｄ−１４） １）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、任意の箇所に貫通穴が設けられかつその貫通穴が化学的な反応により金属化される導電性ペーストで充填されている絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、２）誘電体薄膜の任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、３）基板の少なくともコンデンサ誘電体を有する表面に金属層を形成する工程と、４）その金属層及び金属箔Ａの任意の部分を残してエッチング除去して、所望の第１のコンデンサ電極及び第２のコンデンサ電極を形成する工程を有する。
以下に、本発明の実施例を図面を用いてより具体的に述べる。
（実施例Ａ）
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ａ−１
銅箔１０２である厚み３５μｍの圧延銅箔Ｍ−ＢＮＨ−１８（三井金属鉱業株式会社製、商品名）の表面にチタンテトライソプロポキシド、ジルコンテトラターシャリーブトキシド、ジピバロイルメタン鉛錯体、二酸化窒素を用いたマイクロ波プラズマＣＶＤにより、基材温度３５０℃の条件下で厚さ０．５μｍのＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）薄膜１０１を形成した（図１（ａ））。
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ａ−２
銅箔１０２である厚み３５μｍの圧延銅箔Ｍ−ＢＮＨ−１８（三井金属鉱業株式会社製、商品名）の表面にＤＣスパッタリング法により、０．２μｍのルテニウム薄膜１０３を形成した。さらにその基板表面にチタンテトライソプロポキシド、ジルコンテトラターシャリーブトキシド、ジピバロイルメタン鉛錯体、二酸化窒素を用いたマイクロ波プラズマＣＶＤにより、基材温度３５０℃の条件下で厚さ０．５μｍのＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）薄膜１０１を形成した（図１（ｂ））。
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ａ−３
銅箔１０２である厚み３５μｍの圧延銅箔Ｍ−ＢＮＨ−１８（三井金属鉱業株式会社製、商品名）の表面にＤＣスパッタリング法により、０．２μｍのルテニウム薄膜１０３を形成した。さらにその表面に強誘電体薄膜形成材料ＰＺＴ（関東化学株式会社、商品名）を塗布し、温度１５０℃で加熱時間３０分間のプリベークを行った。塗布とプリベークをさらに５回繰り返し、その後に温度３５０℃で加熱時間１時間の熱処理を行って、厚さ０．５μｍのＰＺＴ薄膜１０１を形成した（図１（ｂ））。
実施例Ａ−１
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ａ−２の銅箔１０２表面に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った（図２（ａ））。板厚０．２ｍｍの両面銅箔張ガラスエポキシ積層板ＭＣＬ−Ｅ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を基材として、所望の箇所に導体化された接続穴１０６と回路パターンを作製した両面基板１０４に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った後に、その一方の面に厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して、厚み１８μｍの銅箔ＧＴＳ−１８（古河サーキットフォイル株式会社、商品名）を、また他方の面に厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して前述のコンデンサ内蔵多層配線板用材料を配し、温度１７０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化した（図２（ｂ））。ここで、符号１０５はめっき銅を、符号１０７は絶縁樹脂基材（プリプレグ硬化物）を指す。さらにそのＰＺＴ薄膜表面にＤＣスパッタリング法により、０．０５μｍのクロム薄膜１０８を形成した。さらにその表面に電気銅めっきにより２０μｍの金属層１０９を形成した（図２（ｃ））。この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄水溶液を用いて不要な銅の金属層をエッチング除去し、フェリシアン化カリウム水溶液を用いてクロムの金属層をエッチング除去して、第１のコンデンサ電極のパターンを形成した（図２（ｄ））。続いて、所望のパターンのレジストを形成し、ＣＦ_４ガスを用いたＲＩＥ法によってＰＺＴ薄膜とルテニウム薄膜をエッチング除去した（図２（ｅ））。次に、この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、不要な銅箔を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、所望の箇所にφ０．１ｍｍの窓穴を形成し、窓穴の箇所に三菱電機株式会社製ＭＬ５０５ＧＴ型炭酸ガスレーザを用いて、出力パワー２６ｍＪ、パルス幅１００μｓ、ショット数４回の条件でレーザ穴明け１１０を行った（図２（ｆ））。超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去後、触媒付与、密着促進後無電解銅めっきを行い、０．５μｍの銅薄膜を形成した。この基板の表面に所望のめっきレジスト１１１を形成し、電気銅めっきを行い、内層の回路導体と基板表面の導体層とを電気的に接続する金属層を形成した（図２（ｇ））。めっきレジストを剥離後、基板表面の０．５μｍの銅薄膜をエッチング除去して、その後、さらに所望のエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄溶液によって不要な銅の金属層をエッチング除去して、第２のコンデンサ電極を含む回路パターンを形成して回路板を作製した（図２（ｈ））。
この回路板の回路表面に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った。（１）３５μｍキャリア銅箔付き厚み３μｍの銅箔ＭＴ３５Ｓ３（三井金属鉱業株式会社製、商品名）、（２）厚み１００μｍのフィラー入りガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）、（３）回路板、（４）絶縁樹脂基材１１２として、厚み１００μｍのフィラー入りガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ、（５）３５μｍキャリア銅箔付き厚み３μｍの銅箔ＭＴ３５Ｓ３（三井金属鉱業株式会社製、商品名）の順に重ね、温度１７０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化した。キャリア銅箔を剥がし、不要な基板端部を切断後、この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、不要な銅箔を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、所望の箇所にφ０．１５ｍｍの窓穴を形成した。
この基板表面に設けた窓穴の箇所に三菱電機株式会社製ＭＬ５０５ＧＴ型炭酸ガスレーザを用いて、出力パワー２６ｍＪ、パルス幅１００μｓ、ショット数４回の条件でレーザ穴明けを行った。超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去後、洗浄触媒付与、密着促進後無電解銅めっきを行い、レーザ穴内壁と銅箔表面に約２０μｍの無電解銅めっき層を形成した。この基板表面のパッドや回路パターンなど必要な箇所にエッチングレジストを形成し、不要な銅をエッチング除去して、外層回路を形成した。
この基板表面にソルダーレジストＰＳＲ−４０００ ＡＵＳ５（太陽インキ製造株式会社、商品名）をロールコータで３０μｍ塗布、乾燥後に露光・現像して所望の箇所にソルダーレジスト１１３を形成した。その後、３μｍの無電解ニッケルめっきと０．１μｍの無電解金めっきを外層回路パターン露出部表面層に形成して、コンデンサ内蔵多層配線板を得た（図２（ｉ））。
実施例Ａ−２
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ａ−２をコンデンサ内蔵多層配線板用材料Ａ−３に替えた以外は実施例Ａ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た。
実施例Ａ−３
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ａ−３の銅箔１０２表面に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った（図３（ａ））。板厚０．２ｍｍの両面銅箔張ガラスエポキシ積層板ＭＣＬ−Ｅ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を基材として、所望の箇所に導体化された接続穴と回路パターンを作製した両面基板１０４に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った後に、その一方の面に絶縁樹脂基材１０７である厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して、厚み１８μｍの銅箔ＧＴＳ−１８（古河サーキットフォイル株式会社、商品名）を、また他方の面に絶縁樹脂基材１０７である厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して前述のコンデンサ内蔵多層配線板用材料を配し、温度１７０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化した（図３（ｂ））。ここで、１０５はめっき銅であり１０６は穴埋め樹脂である。さらにそのＰＺＴ薄膜１０１表面にＤＣスパッタリング法により、０．０５μｍのクロム薄膜１０８を形成した。さらにその表面に触媒付与、密着促進後無電解銅めっきを行い、０．５μｍの銅薄膜を形成した。この基板の表面に所望のめっきレジストを形成し、電気銅めっきを行い、厚み２０μｍの第１のコンデンサ電極となる金属層１０９を形成した（図３（ｃ））。めっきレジストを剥離後、基板表面の０．５μｍの銅薄膜と０．０５μｍのクロム薄膜をエッチング除去して、第１のコンデンサ電極のパターンを形成した（図３（ｄ））。続いて、所望のパターンのレジストを形成し、ＣＦ_４ガスを用いたＲＩＥ法によってＰＺＴ薄膜とルテニウム薄膜をエッチング除去した（図３（ｅ））。次に、この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、不要な銅箔を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、所望の箇所にφ０．１ｍｍの窓穴を形成し、窓穴の箇所に三菱電機株式会社製ＭＬ５０５ＧＴ型炭酸ガスレーザを用いて、出力パワー２６ｍＪ、パルス幅１００μｓ、ショット数４回の条件でレーザ穴明け１１０を行った（図３（ｆ））。超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去後、触媒付与、密着促進後無電解銅めっきを行い、０．５μｍの銅薄膜を形成した。この基板の表面に所望のめっきレジスト１１１を形成し、電気銅めっきを行い、内層の回路導体と基板表面の導体層とを電気的に接続する金属層を形成した（図３（ｇ））。めっきレジストを剥離後、基板表面の０．５μｍの銅薄膜をエッチング除去して、その後、さらに所望のエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄溶液によって不要な銅の金属層をエッチング除去して、第２のコンデンサ電極を含む回路パターンを形成して回路板を作製した（図３（ｈ））。その後の多層配線板の加工は実施例Ａ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た（図３（ｉ））。ここで、１１２は絶縁樹脂基材であり、１１３はソルダーレジストである。
実施例Ａ−４
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ａ−３の銅箔表面１０２に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った（図４（ａ））。板厚０．２ｍｍの両面銅箔張ガラスエポキシ積層板ＭＣＬ−Ｅ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を基材として、所望の箇所に導体化された接続穴と回路パターンを作製した両面基板１０４に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った後に、その一方の面に絶縁樹脂基材１０７として厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して、厚み１８μｍの銅箔ＧＴＳ−１８（古河サーキットフォイル株式会社、商品名）を、また他方の面に絶縁樹脂基材１０７として厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して前述のコンデンサ内蔵多層配線板用材料を配し、温度１７０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化した（図４（ｂ））。ここで、１０５はめっき銅であり、１０６は穴埋め樹脂である。さらにそのＰＺＴ薄膜表面の所望の箇所にスクリーン印刷により、化学的な反応により金属化される導電性ペーストであるナノペースト（ハリマ化成株式会社、商品名）を４０μｍの厚みで印刷後、温度２００℃で加熱時間１時間の条件でベーキングし、導電性ペーストを金属化して、第１のコンデンサ電極のパターンを形成した（図４（ｃ））。続いて、所望のパターンのレジストを形成し、ＣＦ_４ガスを用いたＲＩＥ法によってＰＺＴ薄膜とルテニウム薄膜をエッチング除去した（図４（ｄ））。次に、この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、不要な銅箔を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、所望の箇所にφ０．１ｍｍの窓穴を形成し、窓穴の箇所に三菱電機株式会社製ＭＬ５０５ＧＴ型炭酸ガスレーザを用いて、出力パワー２６ｍＪ、パルス幅１００μｓ、ショット数４回の条件でレーザ穴明け１１０を行った（図４（ｅ））。超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去後、触媒付与、密着促進後無電解銅めっきを行い、０．５μｍの銅薄膜を形成した。この基板の表面に所望のめっきレジスト１１１を形成し、電気銅めっきを行い、内層の回路導体と基板表面の導体層とを電気的に接続する金属層を形成した（図４（ｆ））。めっきレジストを剥離後、基板表面の０．５μｍの銅薄膜をエッチング除去して、その後、さらに所望のエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄溶液によって不要な銅の金属層をエッチング除去して、第２のコンデンサ電極を含む回路パターンを形成して回路板を作製した（図４（ｇ））。その後の多層配線板の加工については実施例Ａ−１と同様な工程で行い、コンデンサ内蔵多層配線板を得た（図４（ｈ））。
ここで、１１２は絶縁樹脂基材であり、１１３はソルダーレジストである。
【０００１】
実施例Ａ−５
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ａ−３を用い、ＰＺＴ薄膜とルテニウム薄膜をエッチング除去する方法がＲＩＥ法ではなく、ＰＺＴ薄膜に対して２０％重フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ・ＨＦ）水溶液、ルテニウム薄膜に対してルテニウムエッチング液ＲＥＣ−０１（関東化学株式会社、商品名）を用いてエッチングした以外は実施例Ａ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た（図２（ｉ））。
実施例Ａ−６
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ａ−３の銅箔１０２表面に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った（図５（ａ））。板厚０．２ｍｍの両面銅箔張ガラスエポキシ積層板ＭＣＬ−Ｅ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を基材として、所望の箇所に導体化された接続穴と回路パターンを作製した両面基板１０４に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った後に、その一方の面に絶縁樹脂基材１０７として厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して、厚み１８μｍの銅箔ＧＴＳ−１８（古河サーキットフォイル株式会社、商品名）を、また他方の面に絶縁樹脂基材１０７として厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して前述のコンデンサ内蔵多層配線板用材料を配し、温度１７０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化した（図５（ｂ））。ここで、１０５はめっき銅であり、１０６は穴埋め樹脂である。続いて、所望のパターンのレジストを形成し、２０％重フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ・ＨＦ）水溶液を用いてＰＺＴ薄膜をエッチング除去し、ルテニウムエッチング液ＲＥＣ−０１（関東化学株式会社、商品名）を用いてルテニウム薄膜をエッチング除去してＰＺＴ薄膜のパターニングを行った（図５（ｃ））。次に、この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、不要な銅箔を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、所望の箇所にφ０．１ｍｍの窓穴を形成し、窓穴の箇所に三菱電機株式会社製ＭＬ５０５ＧＴ型炭酸ガスレーザを用いて、出力パワー２６ｍＪ、パルス幅１００μｓ、ショット数４回の条件でレーザ穴明け１１０を行った（図５（ｄ））。超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去後、ＤＣスパッタリング法により、０．０５μｍのクロム薄膜１０８を形成した。さらにその表面に電気銅めっきにより２０μｍの金属層１０９を形成した（図５（ｅ））。この際に、薄膜誘電体層表面とレーザ穴内は、銅の金属層が形成されていた。この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄水溶液を用いて不要な銅の金属層をエッチング除去し、フェリシアン化カリウム水溶液を用いてクロムの金属層をエッチング除去して、第１のコンデンサ電極と第２のコンデンサ電極およびその他の配線パターンを形成して回路板を作製した（図５（ｆ））。その後の多層配線板の加工については実施例Ａ−１と同様な工程で行い、コンデンサ内蔵多層配線板を得た（図５（ｇ））。ここで、１１２絶縁樹脂基材であり、１１３はソルダーレジストである。
実施例Ａ−７
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ａ−３の銅箔表面１０２に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った（図６（ａ））。板厚０．２ｍｍの両面銅箔張ガラスエポキシ積層板ＭＣＬ−Ｅ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を基材として、所望の箇所に導体化された接続穴と回路パターンを作製した両面基板１０４に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った後に、その一方の面に絶縁樹脂基材１０７として厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して、厚み１８μｍの銅箔ＧＴＳ−１８（古河サーキットフォイル株式会社、商品名）を、また他方の面に絶縁樹脂基材１０７として厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して前述のコンデンサ内蔵多層配線板用材料を配し、温度１７０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化した（図６（ｂ））。ここで、１０５はめっき銅であり、１０６は穴埋め樹脂である。このプリプレグは、両面に厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のフィルムを温度１００℃，圧力１．５ＭＰａ，加熱加圧時間１０分の条件のホットプレスで貼り付けた後、所望の箇所にドリル穴明けを行った後、スクリーン印刷により、銅ペーストＮＦ２０００（タツタシステム・エレクトロニクス株式会社、商品名）１１６を充填し、その後に表面のＰＥＴフィルムを剥がしたものを用いた。この基板のＰＺＴ薄膜表面にＤＣスパッタリング法により、０．０５μｍのクロム薄膜１０８を形成した。さらにその表面に電気銅めっきにより２０μｍの金属層１０９を形成した（図６（ｃ））。この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄水溶液を用いて不要な銅の金属層をエッチング除去し、フェリシアン化カリウム水溶液を用いてクロムの金属層をエッチング除去して、第１のコンデンサ電極のパターンを形成した（図６（ｄ））。続いて、所望のパターンのレジストを形成し、ＣＦ_４ガスを用いたＲＩＥ法によってＰＺＴ薄膜とルテニウム薄膜をエッチング除去した（図６（ｅ））。次に、この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄溶液によって不要な銅の金属層をエッチング除去して、第２のコンデンサ電極を含む回路パターンを形成して回路板を作製した（図６（ｆ））。その後の多層配線板の加工は実施例Ａ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た（図６（ｇ））。ここで、１１２は絶縁樹脂基材であり、１１３はソルダーレジストである。
実施例Ａ−８
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ａ−３の銅箔表面１０２に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った（図７（ａ））。板厚０．２ｍｍの両面銅箔張ガラスエポキシ積層板ＭＣＬ−Ｅ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を基材として、所望の箇所に導体化された接続穴と回路パターンを作製した両面基板１０４に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った後に、その一方の面に絶縁樹脂基材１０７として厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して、厚み１８μｍの銅箔ＧＴＳ−１８（古河サーキットフォイル株式会社、商品名）を、また他方の面に絶縁樹脂基材１０７として厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して前述のコンデンサ内蔵多層配線板用材料を配し、温度２００℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化した（図７（ｂ））。なお、１０５はめっき銅を、１０６は穴埋め樹脂を示す。このプリプレグは、両面に厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のフィルムを温度１００℃，圧力１．５ＭＰａ，加熱加圧時間１０分の条件のホットプレスで貼り付けた後、所望の箇所にドリル穴明けを行った後、スクリーン印刷により、化学的な反応により金属化される導電性ペースト１１７であるナノペースト（ハリマ化成株式会社、商品名）を充填し、その後に表面のＰＥＴフィルムを剥がしたものを用いた。その後のコンデンサの加工と多層配線板の加工については実施例Ａ−１と同様な工程で行い、コンデンサ内蔵多層配線板を得た（図７（ｃ））。なお、１１２は絶縁樹脂基材を、１１３はソルダーレジストであうる。
比較例Ａ−１
板厚０．２ｍｍの両面銅箔張ガラスエポキシ積層板ＭＣＬ−Ｅ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を基材として、厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を用い、所望の箇所に導体化された接続穴と回路パターンを作製した４層基板の表面にＤＣスパッタリング法により、０．２μｍのルテニウム薄膜を形成した（図８（ａ））。ここで、１０２は銅箔、１０５はめっき銅、１０６は穴埋め樹脂、１０７は絶縁樹脂基材である。所望のパターンのレジストを形成し、ＲＩＥ法によってルテニウム薄膜１０３をエッチング除去し、その後塩化第二鉄水溶液を用いて内層基板表面の銅の金属層をエッチング除去し、第２のコンデンサ電極を含む回路パターンを形成した（図８（ｂ））。さらにその基板表面に強誘電体薄膜形成材料ＰＺＴ（関東化学株式会社、商品名）を塗布し、温度１５０℃で加熱時間３０分間のプリベークを行った。塗布とプリベークをさらに５回繰り返し、その後に温度２５０℃で加熱時間１時間の熱処理を行って、厚さ０．５μｍのＰＺＴ薄膜１０１を形成した（図８（ｃ））。さらにそのＰＺＴ薄膜表面にＤＣスパッタリング法により、０．０５μｍのクロム薄膜を形成した。さらにその表面に電気銅めっきにより２０μｍの金属層１０９を形成した（図８（ｄ））。この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄水溶液を用いて不要な銅の金属層をエッチング除去し、フェリシアン化カリウム水溶液を用いてクロムの金属層をエッチング除去して、第１のコンデンサ電極のパターンを形成して回路板を作製した（図８（ｅ））。その後の多層配線板の加工は実施例Ａ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た（図８（ｆ））。ここで、１１２は絶縁樹脂基材であり、１１３はソルダーレジストを示す。
試験方法は以下の通りである。
（誘電体の膜厚）
誘電体の膜厚は、電極を形成したコンデンサをＦｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ ｓｙｓｔｅｍ（ＦＩＢ：ＦＢ−２０００Ａ、（株）日立製作所製、商品名）により切削し、その断面観察を走査型電子顕微鏡を用いて行い、膜をはさむ電極と電極の間の距離の５点平均をとった。
（比誘電率）
比誘電率は、２５℃に温度管理された環境の下で、ＩＰＣ−６５０ ２．５．５．２に準じて１ＭＨｚの周波数で測定して得た。
（コンデンサ容量）
コンデンサ容量は、インピーダンスアナライザ４２９１Ｂ（アジレントテクノロジー株式会社製、商品名）に５０Ω同軸ケーブルＳＵＣＯＦＬＥＸ１０４／１００（ＳＵＨＮＥＲ社製、商品名）を介して高周波信号測定プローブＭＩＣＲＯＰＲＯＢＥ ＡＣＰ５０（ＧＳＧ２５０型、Ｃａｓｃａｄｅ社製、商品名）に接続した測定システムを用いた。キャパシタの電極サイズは１ｍｍ□とし１ＧＨｚの容量を測定した。測定サンプル数は５とした。

実施例Ａ−１〜Ａ−８は、いずれも、金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたことを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いて作製したコンデンサ内蔵基板である。作製したコンデンサ容量のばらつきは全て±１０％未満であり、均一で良好なコンデンサを作製することができた。
また、比較例Ａ−１は、誘電体薄膜を金属層がパターニングされた基板の表面に形成されたコンデンサ内蔵基板であるために、膜厚のばらつきが大きく、結果としてコンデンサ容量のばらつきも最大５４％と大きかった。
上記の実施形態によると、本発明によって、コンデンサを形成する誘電体薄膜の比誘電率が２０〜２０００でかつ膜厚が０．１〜１μｍであり、かつ容量ばらつきの小さなコンデンサを有する多層配線板を提供することができる。
（実施例Ｂ）
内層基板Ｂ−１
銅箔厚３μｍ、板厚０．２ｍｍの両面銅箔張ガラスエポキシ積層板ＭＣＬ−Ｅ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）に所望のドリル穴明け（直径２００μｍ）を行った。そして、この基板に、超音波洗浄と過マンガン酸アルカリ溶液を用いて炭化した樹脂カスを除去した後、触媒付与、密着促進後、無電解銅めっきを行い、ドリル穴内壁と銅箔表面に約１５μｍの無電解銅めっき層２０４を形成した。得られた基板表面に次亜塩素酸ナトリウムを主成分とする黒化処理と、ジメチルアミノボランを主成分とする還元処理により粗化処理を行った。そして、この基板のドリル穴内にスクリーン印刷によりペーストタイプの熱硬化型絶縁材料ＨＲＰ−７００ＢＡ（太陽インキ製造株式会社製、商品名）を穴埋め樹脂２０３として充填し、１７０℃で６０分間の熱処理により硬化させた。この基板をバフブラシにより研磨し、余分な絶縁材料を除去した。この基板に触媒付与、密着促進後、無電解銅めっきを行い、基板表面に約１５μｍの無電解銅めっき層を形成し、基板内部に導体層間を接続するバイアホールを有し、かつ表面に平滑な金属層を有する基板を作製した。走査型電子顕微鏡を用いて観察した像から求めた基板表面の金属層の表面粗さは０．３μｍであった。作製した内層基板の断面図を図９に示した。なお、２０２は絶縁樹脂基材を、２０１は銅箔を示す。
内層基板Ｂ−２
厚み２００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）の両面に厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のフィルムを温度１００℃，圧力１．５ＭＰａ，加熱加圧時間１０分の条件のホットプレスで貼り付けた。このプリプレグに所望のドリル穴明け（直径２００μｍ）を行った後、スクリーン印刷により、銅ペーストＮＦ２０００（タツタシステム・エレクトロニクス株式会社製、商品名）２０５を充填した。表面のＰＥＴフィルムを剥がし、厚み１８μｍの銅箔ＧＴＳ−１８（古河サーキットフォイル株式会社製、商品名）で両面から挟み、温度１７０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化し、基板内部に導体層間を接続するバイアホールを有し、かつ表面に平滑な金属層を有する基板を作製した。走査型電子顕微鏡を用いて観察した像から求めた基板表面の金属層の表面粗さは０．２μｍであった。作製した内層基板の断面図を図１０に示した。
内層基板Ｂ−３
厚み２００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）の両面に厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のフィルムを温度１００℃，圧力１．５ＭＰａ，加熱加圧時間１０分の条件のホットプレスで貼り付けた。このプリプレグに所望のドリル穴明け（直径２００μｍ）を行った後、スクリーン印刷により、化学的な反応により金属化される導電性ペーストであるナノペースト（ハリマ化成株式会社製、商品名）２０６を充填した。表面のＰＥＴフィルムを剥がし、厚み１８μｍの銅箔ＧＴＳ−１８（古河サーキットフォイル株式会社、商品名）で両面から挟み、温度１７０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化し、基板内部に導体層間を接続するバイアホールを有し、かつ表面に平滑な金属層を有する基板を作製した。走査型電子顕微鏡を用いて観察した像から求めた基板表面の金属層の表面粗さは０．２μｍであった。作製した内層基板の断面図を図１１に示した。
実施例Ｂ−１
内層基板Ｂ−１の基板表面にＤＣスパッタリング法により、０．２μｍのルテニウム薄膜２０７を形成した（図１２（ａ））。さらにその基板表面にチタンテトライソプロポキシド、ジルコンテトラターシャリーブトキシド、ジピバロイルメタン鉛錯体、二酸化窒素を用いたマイクロ波プラズマＣＶＤにより、基板温度２５０℃の条件下で厚さ０．５μｍのＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）薄膜２０８を形成した（図１２（ｂ））。さらにそのＰＺＴ薄膜表面にＤＣスパッタリング法により、０．０５μｍのクロム薄膜２０９を形成した。さらにその表面に電気銅めっきにより２０μｍの金属層２１０を形成した（図１２（ｃ））。この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄水溶液を用いて不要な銅の金属層２１０をエッチング除去し、フェリシアン化カリウム水溶液を用いてクロムの金属層２０９をエッチング除去して、第１のコンデンサ電極２１７のパターンを形成した（図１２（ｄ））。続いて、所望のパターンのレジストを形成し、ＣＦ_４ガスを用いたＲＩＥ法によってＰＺＴ薄膜２０８とルテニウム薄膜２０７をエッチング除去した（図１２（ｅ））。次に、さらに所望のエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄溶液によって不要な銅の金属層をエッチング除去して、第２のコンデンサ電極２１８を含む回路パターンを形成してコンデンサ内蔵多層配線板に用いる内層板２１９を作製した（図１２（ｆ））。
この内層板の回路表面に、次亜塩素酸ナトリウムを主成分とする黒化処理と、ジメチルアミノボランを主成分とする還元処理によって、粗化処理を行った。（１）３５μｍキャリア銅箔付き厚み３μｍの銅箔ＭＴ３５Ｓ３（三井金属鉱業株式会社製、商品名）、（２）絶縁樹脂基材２１１として厚み１００μｍのフィラー入りガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）、（３）内層板２１９、（４）絶縁樹脂基材２１１として厚み１００μｍのフィラー入りガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ、（５）３５μｍキャリア銅箔付き厚み３μｍの銅箔ＭＴ３５Ｓ３（三井金属鉱業株式会社製、商品名）の順に重ね、温度１７０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化した。キャリア銅箔を剥がし、不要な基板端部を切断後、この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、不要な銅箔をエッチング除去して、所望の箇所に直径０．１５ｍｍの窓穴を形成した。
この基板表面に設けた窓穴の箇所に三菱電機株式会社製ＭＬ５０５ＧＴ型炭酸ガスレーザを用いて、出力パワー２６ｍＪ、パルス幅１００μｓ、ショット数４回の条件でレーザ穴明けを行った。超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去後、洗浄、触媒付与、密着促進後無電解銅めっきを行い、レーザ穴内壁と銅箔表面に約２０μｍの無電解銅めっき層を形成した。この基板表面のパッドや回路パターンなど必要な箇所にエッチングレジストを形成し、不要な銅をエッチング除去して、外層回路２１３を形成した。
この基板表面にソルダーレジストＰＳＲ−４０００ ＡＵＳ５（太陽インキ製造株式会社製、商品名）をロールコータで３０μｍ塗布、乾燥後に露光・現像して所望の箇所にソルダーレジスト２１２を形成した。その後、３μｍの無電解ニッケルめっきと０．１μｍの無電解金めっきを外層回路パターン露出部表面層に形成して、コンデンサ内蔵多層配線板２２０を得た（図４（ｇ））。
実施例Ｂ−２
内層基板Ｂ−１を内層基板Ｂ−２に替えた以外は実施例Ｂ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た。
実施例Ｂ−３
内層基板Ｂ−１を内層基板Ｂ−３に替えた以外は実施例Ｂ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た。
実施例Ｂ−４
内層基板Ｂ−１の基板表面にＤＣスパッタリング法により、０．２μｍのルテニウム薄膜２０７を形成した（図１２（ａ））。さらにその基板表面に強誘電体薄膜形成材料ＰＺＴ（関東化学株式会社製、商品名）を塗布し、温度１５０℃で加熱時間３０分間のプリベークを行った。塗布とプリベークをさらに５回繰り返し、その後に温度２５０℃で加熱時間１時間の熱処理を行って、厚さ０．５μｍのＰＺＴ薄膜２０８を形成した（図１２（ｂ））。その後のコンデンサの加工と多層配線板の加工については実施例Ｂ−１と同様な工程で行い、コンデンサ内蔵多層配線板を得た（図１２（ｇ））。
実施例Ｂ−５
ＰＺＴ薄膜２０８とルテニウム薄膜２０７をエッチング除去する方法がＲＩＥ法ではなく、ＰＺＴ薄膜に対して２０重量％重フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ・ＨＦ）水溶液、ルテニウム薄膜に対してルテニウムエッチング液ＲＥＣ−０１（関東化学株式会社製、商品名）を用いてエッチングした以外は実施例Ｂ−４と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た（図１２（ｇ））。
実施例Ｂ−６
内層基板Ｂ−１の基板表面にＤＣスパッタリング法により、０．２μｍのルテニウム薄膜２０７を形成した（図１３（ａ））。さらにその基板表面に強誘電体薄膜形成材料ＰＺＴ（関東化学株式会社製、商品名）を塗布し、温度１５０℃で加熱時間３０分間のプリベークを行った。塗布とプリベークをさらに５回繰り返し、その後に温度２５０℃で加熱時間１時間の熱処理を行って、厚さ０．５μｍのＰＺＴ薄膜２０８を形成した（図１３（ｂ））。さらにそのＰＺＴ薄膜表面にＤＣスパッタリング法により、０．０５μｍのクロム薄膜２０９を形成した。さらにその表面を洗浄、触媒付与、密着促進後無電解銅めっきを行い、０．５μｍの銅薄膜を形成した。
この基板の表面に所望のめっきレジスト２１５を形成し、電気銅めっきを行い、厚み２０μｍの第１のコンデンサ電極となる金属層２１４を形成した（図１３（ｃ））。めっきレジスト２１５を剥離後、基板表面の０．５μｍの銅薄膜と０．０５μｍのクロム薄膜をエッチング除去して、第１のコンデンサ電極２１７のパターンを形成した（図１３（ｄ））。続いて、所望のパターンのレジストを形成し、２０重量％重フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ・ＨＦ）水溶液を用いてＰＺＴ薄膜２０８をエッチング除去し、ルテニウムエッチング液ＲＥＣ−０１（関東化学株式会社製、商品名）用いてルテニウム薄膜２０７をエッチング除去した（図１３（ｅ））。次に、さらに所望のエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄溶液によって不要な銅の金属層をエッチング除去して、第２のコンデンサ電極２１８を含む回路パターンを形成して内層板２１９を作製した（図１３（ｆ））。その後の多層配線板の加工は実施例Ｂ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板２２０を得た（図１３（ｇ））。
実施例Ｂ−７
内層基板Ｂ−１の基板表面にＤＣスパッタリング法により、０．２μｍのルテニウム薄膜２０７を形成した（図１４（ａ））。さらにその基板表面に強誘電体薄膜形成材料ＰＺＴ（関東化学株式会社製、商品名）を塗布し、温度１５０℃で加熱時間３０分間のプリベークを行った。塗布とプリベークをさらに５回繰り返し、その後に温度２５０℃で加熱時間１時間の熱処理を行って、厚さ０．５μｍのＰＺＴ薄膜２０８を形成した（図１４（ｂ））。さらにそのＰＺＴ薄膜表面の所望の箇所にスクリーン印刷により、化学的な反応により金属化される導電性ペーストであるナノペースト（ハリマ化成株式会社製、商品名）２１６を４０μｍの厚みで印刷後、温度２００℃で加熱時間１時間の条件でベーキングし、導電性ペーストを金属化して、第１のコンデンサ電極２１７のパターンを形成した（図１４（ｃ））。続いて、所望のパターンのレジストを形成し、２０重量％重フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ・ＨＦ）水溶液を用いてＰＺＴ薄膜をエッチング除去し、ルテニウムエッチング液ＲＥＣ−０１（関東化学株式会社製、商品名）を用いてルテニウム薄膜をエッチング除去した（図１４（ｄ））。次に、さらに所望のエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄溶液によって不要な銅の金属層をエッチング除去して、第２のコンデンサ電極２１８を含む回路パターンを形成して内層板２１９を作製した（図１４（ｅ））。その後の多層配線板の加工は実施例Ｂ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板２２０を得た（図１４（ｆ））。
実施例Ｂ−８
内層基板Ｂ−１の基板表面にＤＣスパッタリング法により、０．２μｍのルテニウム薄膜２０７を形成した（図１５（ａ））。さらにその基板表面に強誘電体薄膜形成材料ＰＺＴ（関東化学株式会社製、商品名）を塗布し、温度１５０℃で加熱時間３０分間のプリベークを行った。塗布とプリベークをさらに５回繰り返し、その後に温度２５０℃で加熱時間１時間の熱処理を行って、厚さ０．５μｍのＰＺＴ薄膜２０８を形成した（図１５（ｂ））。続いて、所望のパターンのレジストを形成し、２０重量％重フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ・ＨＦ）水溶液を用いてＰＺＴ薄膜２０８をエッチング除去し、ルテニウムエッチング液ＲＥＣ−０１（関東化学株式会社製、商品名）を用いてルテニウム薄膜をエッチング除去してＰＺＴ薄膜のパターニングを行った（図１５（ｃ））。そのＰＺＴ薄膜表面にＤＣスパッタリング法により、０．０５μｍのクロム薄膜２０９を形成した。さらにその表面に電気銅めっきにより２０μｍの金属層２１０を形成した（図１５（ｄ））。この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄水溶液を用いて不要な銅の金属層をエッチング除去し、フェリシアン化カリウム水溶液を用いてクロムの金属層をエッチング除去して、第１のコンデンサ電極２１７と第２のコンデンサ電極２１８およびその他の配線パターンを形成して内層板２１９を作製した（図１５（ｅ））。その後の多層配線板の加工は実施例Ｂ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板２２０を得た（図１５（ｆ））。
比較例Ｂ−１
内層基板Ｂ−１の基板表面にＤＣスパッタリング法により、０．２μｍのルテニウム薄膜２０７を形成した（図１６（ａ））。所望のパターンのレジストを形成し、ＲＩＥ法によってルテニウム薄膜２０７をエッチング除去し、その後塩化第二鉄水溶液を用いて内層基板表面の銅の金属層をエッチング除去し、第２のコンデンサ電極２１８を含む回路パターンを形成した（図１６（ｂ））。さらにその基板表面に強誘電体薄膜形成材料ＰＺＴ（関東化学株式会社製、商品名）を塗布し、温度１５０℃で加熱時間３０分間のプリベークを行った。塗布とプリベークをさらに５回繰り返し、その後に温度２５０℃で加熱時間１時間の熱処理を行って、厚さ０．５μｍのＰＺＴ薄膜２０８を形成した（図１６（ｃ））。さらに、そのＰＺＴ薄膜表面にＤＣスパッタリング法により、０．０５μｍのクロム薄膜２０９を形成した。さらにその表面に電気銅めっきにより２０μｍの金属層２１０を形成した（図１６（ｄ））。この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄水溶液を用いて不要な銅の金属層をエッチング除去し、フェリシアン化カリウム水溶液を用いてクロムの金属層をエッチング除去して、第１のコンデンサ電極２１７のパターンを形成して内層板２１９を作製した（図１６（ｅ））。その後の多層配線板の加工は実施例Ｂ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板２２０を得た（図１６（ｆ））。
以上で得られたコンデンサ内蔵多層配線板について、誘電体の膜厚、非誘電率およびコンデンサ容量の試験を行った。試験方法を上記と同様である。
これらの測定結果をまとめて表２に示した。

実施例Ｂ−１〜Ｂ−８は、いずれも、基板内部に導体層間を接続するバイアホールを有し，かつ表面に平滑な金属層を有する基板の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜を形成することにより作製したコンデンサ内蔵基板である。作製したコンデンサ容量のばらつきは全て±１０％未満であり、均一で良好なコンデンサを作製することができた。
また、比較例Ｂ−１は、誘電体薄膜を金属層がパターニングされた基板の表面に形成されたコンデンサ内蔵基板であるために、膜厚のばらつきが大きく、結果としてコンデンサ容量のばらつきも最大５４％と大きかった。
上記の実施例によると、膜厚が均一で、容量ばらつきの小さなコンデンサを内蔵したコンデンサ内蔵多層配線板を提供することができる。
（実験例Ｃ）
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｃ−１
厚み３５μｍの圧延銅箔Ｍ−ＢＮＨ−１８（三井金属鉱業株式会社製、商品名）１０２の表面にＤＣスパッタリング法により、０．２μｍのルテニウム薄膜１０３を形成した。さらにその表面に強誘電体薄膜形成材料ＰＺＴ（関東化学株式会社、商品名）を塗布し、温度１５０℃で加熱時間３０分間のプリベークを行った。塗布とプリベークをさらに５回繰り返し、その後に温度３５０℃で加熱時間１時間の熱処理を行って、厚さ０．５μｍのＰＺＴ薄膜１０１を形成した。このようにして、銅箔２（金属箔）１０２の片面に、ルテニウム薄膜１０３を介してＰＺＴ薄膜１０１（誘電体薄膜）を設けたコンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｃ−１を作製した（図１参照）。このようにして得られたＰＺＴ薄膜の比誘電率は１００であった。
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｃ−２
厚み３５μｍの圧延銅箔Ｍ−ＢＮＨ−１８（三井金属鉱業株式会社製、商品名）１０２の表面にＤＣスパッタリング法により、０．２μｍのルテニウム薄膜１０３を形成した。さらにその表面にチタンテトライソプロポキシド、ジルコンテトラターシャリーブトキシド、ジピバロイルメタン鉛錯体、二酸化窒素を用いたマイクロ波プラズマＣＶＤにより、基材温度３５０℃の条件下で厚さ０．５μｍのＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）薄膜１０１を形成し、コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｃ−２を得た。このようにして得られたＰＺＴ薄膜の比誘電率は７０であった。
薄膜エッチャント１
エチレンジアミン四酢酸・二ナトリウム塩（ＥＤＴＡ・２Ｎａ）、過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）、水を混合し、ＥＤＴＡ・２Ｎａ０．１ｍｏｌ／ｌ、Ｈ_２Ｏ_２３０ｗｔ％を成分とするｐＨ４．０の水溶液を作製した。
薄膜エッチャント２
イミノ二酢酸（ＩＤＡ）、Ｈ_２Ｏ_２、水を混合し、ＩＤＡ０．１ｍｏｌ／ｌ、Ｈ_２Ｏ_２３０ｗｔ％を成分とするｐＨ２．０の水溶液を作製した。
薄膜エッチャント３
エチレンジアミン四酢酸・二ナトリウム塩（ＥＤＴＡ・２Ｎａ）、Ｈ_２Ｏ_２、水を混合し、ＥＤＴＡ・２Ｎａ０．０１ｍｏｌ／ｌ、Ｈ_２Ｏ_２１０ｗｔ％を成分とするｐＨ４．２の水溶液を作製した。
薄膜エッチャント４
りん酸、Ｈ_２Ｏ_２、水を混合し、りん酸３０ｗｔ％、Ｈ_２Ｏ_２２０ｗｔ％を成分とする水溶液を作製した。
薄膜エッチャント５
硫酸、Ｈ_２Ｏ_２、水を混合し、硫酸５ｗｔ％、Ｈ_２Ｏ_２１０ｗｔ％を成分とする水溶液を作製した。
実験例Ｃ−１
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｃ−１の銅箔表面に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った。図１７において、銅箔は３０３，ルテニウム薄膜は３０２，ＰＺＴ薄膜３０１として示す。この銅箔３０３表面に絶縁樹脂基材３０４（絶縁材料）となる厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して、厚み１８μｍの銅箔５ＧＴＳ−１８（古河サーキットフォイル株式会社、商品名）３０５を配し、温度１７０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化し、基板を得た（図１７（ａ）参照）。さらにそのＰＺＴ薄膜３０１表面にＤＣスパッタリング法により、０．０５μｍのクロム膜３０６を形成した。次に、この基板の銅箔３０５表面にドライフィルムレジストＨ−９０３０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし、所望のネガパターンを露光して炭酸ナトリウム水溶液にて現像し、エッチングレジストを形成した。次に不要な銅箔を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、所望の箇所にφ０．１ｍｍの窓穴３０７を形成し、水酸化ナトリウム水溶液にてレジストを剥離した（図２（ｂ）参照）。続いて窓穴３０７の箇所に三菱電機株式会社製ＭＬ５０５ＧＴ型炭酸ガスレーザを用いて、出力パワー２６ｍＪ、パルス幅１００μｓ、ショット数４回の条件でレーザ穴明け３０８を行った（図１７（ｃ）参照）。その後、超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去し、触媒付与、密着促進後無電解銅めっきを行い、基板の表面に０．５μｍの銅薄膜を形成した。さらに、この基板表面に電気銅めっきを行い、内層の回路導体と基板表面の導体層とを電気的に接続するめっき銅３０９からなる金属層を形成した（図１７（ｄ）参照）。続いてこの基板の表面に、膜厚３０μｍのドライフィルムレジストＨ−９０３０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし所望のネガパターンを露光して炭酸ナトリウム水溶液にて現像し、エッチングレジストを形成した。さらに、塩化第二鉄水溶液を用いて不要なめっき銅３０９をエッチング除去した後、水酸化ナトリウム水溶液にてレジストを剥離し、フェリシアン化カリウム水溶液を用いてクロム膜３０６をエッチング除去して、第１のコンデンサ電極（金属層）３１０のパターンを形成した（図１８（ａ）参照）。次にこの基板の第１のコンデンサ電極３１０側に、エッチングレジスト３１１となる膜厚４０μｍのドライフィルムレジストＨ−９０４０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし（図１８（ｂ）参照）、所望のネガパターンを露光して炭酸ナトリウム水溶液にて現像し、第１のコンデンサ電極３１０上にエッチングレジスト３１１を形成した（図１８（ｃ）参照）。続いて、薄膜エッチャント（１）を用いて２０℃でＰＺＴ薄膜３０１をエッチング除去し、ルテニウムエッチング液ＲＥＣ−０１（関東化学株式会社製、商品名）を用いてルテニウム薄膜３０２をエッチング除去して（図１８（ｄ）参照）、水酸化ナトリウム水溶液にてエッチングレジスト３１１を剥離した（図１８（ｅ）参照）。この基板にドライフィルムレジストＨ−９０４０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし、所望のネガパターンを露光して炭酸ナトリウム水溶液にて現像し、エッチングレジストを形成した。続いて塩化第二鉄水溶液にて不要な銅箔３０３、不要な銅箔３０５及びその上のめっき銅３０９をエッチング除去した後、水酸化ナトリウム水溶液にてレジストを剥離し、銅箔３０３から形成された第２のコンデンサ電極３１２を含む回路パターンを形成して回路板を作製した（図１９（ａ）参照）。
この回路板の回路表面に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った。（１）３５μｍキャリア銅箔付き厚み３μｍの銅箔ＭＴ３５Ｓ３（三井金属鉱業株式会社製、商品名）、（２）厚み１００μｍのフィラー入りガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）、（３）回路板、（４）厚み１００μｍのフィラー入りガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ、（５）３５μｍキャリア銅箔付き厚み３μｍの銅箔ＭＴ３５Ｓ３（三井金属鉱業株式会社製、商品名）の順に重ね、温度１７０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化することにより、回路板の両面上に、絶縁樹脂基材３１３を介して銅箔３１４を積層した。キャリア銅箔を剥がし、不要な基板端部を切断後（図１９（ｂ）参照）、この基板の表面にドライフィルムレジストＨ−９０３０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし、所望のネガパターンを露光して炭酸ナトリウム水溶液にて現像し、エッチングレジストを形成した。次に不要な銅箔３１４を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、所望の箇所にφ０．１５ｍｍの窓穴を形成した。
この回路板表面に設けた窓穴の箇所に三菱電機株式会社製ＭＬ５０５ＧＴ型炭酸ガスレーザを用いて、出力パワー２６ｍＪ、パルス幅１００μｓ、ショット数４回の条件でレーザ穴明け３１０を行った（図１９（ｃ）参照）。超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去後、洗浄触媒付与、密着促進後無電解銅めっきを行い、レーザ穴内壁と銅箔表面に約２０μｍの無電解めっき銅３１５の層を形成した。この回路板表面のパッドや回路パターンなど必要な箇所にドライフィルムレジストＨ−９０３０（日立化成工業株式会社製、商品名）を用いてエッチングレジストを形成し、不要な銅をエッチング除去して、銅箔３１４及びめっき銅３１５から形成された外層回路を形成した（図１９（ｄ）参照）。
この回路板表面にソルダーレジストＰＳＲ−４０００ ＡＵＳ５（太陽インキ製造株式会社製、商品名）をロールコータで３０μｍ塗布、乾燥後に露光・現像して所望の箇所にソルダーレジスト３１６を形成した。その後、３μｍの無電解ニッケルめっきと０．１μｍの無電解金めっき（Ｎｉ／Ａｕめっき３１７）を外層回路パターン露出部表面層に形成して、コンデンサ内蔵多層配線板を得た（図１９（ｅ）参照）。
実験例Ｃ−２
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｃ−１をコンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｃ−２に替えた以外は、実験例Ｃ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た。
実験例Ｃ−３
薄膜エッチャント（１）を薄膜エッチャント（２）に替えた以外は、実験例Ｃ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た。
実験例Ｃ−４
薄膜エッチャント（１）を薄膜エッチャント（３）に替え、３０℃で用いた以外は実験例Ｃ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た。
実験例Ｃ−５
薄膜エッチャント（１）を薄膜エッチャント（４）に替えた以外は、実験例Ｃ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た。
実験例Ｃ−６
薄膜エッチャント（１）を薄膜エッチャント（５）に替えた以外は、実験例Ｃ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た。
実験例Ｃ−７
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｃ−１の銅箔３０３表面に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った。この銅箔３０３表面に絶縁樹脂基材３０４（絶縁材料）となる厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して、厚み１８μｍの銅箔５ＧＴＳ−１８（古河サーキットフォイル株式会社、商品名）を配し、温度１７０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化し、基板を得た（図１７（ａ）参照）。さらにそのＰＺＴ薄膜３０１表面にＤＣスパッタリング法により、０．０５μｍのクロム膜３０６を形成した。次に、この基板の銅箔３０５表面にドライフィルムレジストＨ−９０３０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし、所望のネガパターンを露光して炭酸ナトリウム水溶液にて現像し、エッチングレジストを形成した。次に不要な銅箔を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、所望の箇所にφ０．１ｍｍの窓穴３０７を形成し（図１７（ｂ）参照）、水酸化ナトリウム水溶液にてレジストを剥離した。続いて窓穴７の箇所に三菱電機株式会社製ＭＬ５０５ＧＴ型炭酸ガスレーザを用いて、出力パワー２６ｍＪ、パルス幅１００μｓ、ショット数４回の条件でレーザ穴３０８明けを行った（図１７（ｃ）参照）。その後、超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去し、触媒付与、密着促進後無電解銅めっきを行い、基板の両面に０．５μｍの銅薄膜を形成した。さらに、この基板表面に電気銅めっきを行い、内層の回路導体と基板表面の導体層とを電気的に接続するめっき銅３０９からなる金属層を形成した（図１７（ｄ）参照）。続いてこの基板の表面にドライフィルムレジストＨ−９０３０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし、所望のネガパターンを露光して炭酸ナトリウム水溶液にて現像し、エッチングレジストを形成した。さらに、塩化第二鉄水溶液を用いて不要なめっき銅３０９をエッチング除去した後、水酸化ナトリウム水溶液にてレジストを剥離し、フェリシアン化カリウム水溶液を用いてクロム膜３０６をエッチング除去して、第１のコンデンサ電極３１０のパターンを形成した（図１８（ａ）参照）。次にこの基板の第１のコンデンサ電極３１０側にエッチングレジスト３１１となるアルカリ現像型レジストＰＥＲ−２０（太陽インキ製造株式会社製、商品名）を２０μｍ塗布し（図１８（ｂ）参照）、１００℃で１５分プリベークした後所望のネガパターンを露光して１３０℃で３０分乾燥し、炭酸ナトリウム水溶液にて現像し第１のコンデンサ電極３１０上にエッチングレジスト３１１を形成した（図１８（ｃ）参照）。続いて、薄膜エッチャント（１）を用いて２０℃でＰＺＴ薄膜３０１をエッチング除去し、ルテニウムエッチング液ＲＥＣ−０１（関東化学株式会社製、商品名）を用いてルテニウム薄膜３０２をエッチング除去して（図１８（ｄ）参照）、水酸化ナトリウム水溶液にてエッチングレジスト３１１を剥離した（図１８（ｅ）参照）。この基板にドライフィルムレジストＨ−９０４０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし、所望のネガパターンを露光して炭酸ナトリウム水溶液にて現像し、エッチングレジストを形成した。続いて塩化第二鉄水溶液にて不要な銅箔３０３、不要な銅箔３０５及びその上のめっき銅３０９をエッチング除去した後、水酸化ナトリウム水溶液にてエッチングレジストを剥離し銅箔３０３から形成された第２のコンデンサ電極３１２を含む回路パターンを形成して回路板を作製した（図１９（ａ）参照）。
この回路板を用い、その後実験例Ｃ−１と同様な工程によって多層化し、コンデンサ内蔵多層配線板を得た。
実験例Ｃ−８
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｃ−１の銅箔３０３表面に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った。この銅箔３０３表面に絶縁樹脂基材３０４となる厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して、厚み１８μｍの銅箔５ＧＴＳ−１８（古河サーキットフォイル株式会社、商品名）を配し、温度１７０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化し、基板を得た（図１７（ａ）参照）。さらにそのＰＺＴ薄膜３０１表面にＤＣスパッタリング法により、０．０５μｍのクロム膜３０６を形成した。次に、この基板の銅箔３０５表面にドライフィルムレジストＨ−９０３０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし、所望のネガパターンを露光して炭酸ナトリウム水溶液にて現像し、エッチングレジストを形成した。次に不要な銅箔を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、所望の箇所にφ０．１ｍｍの窓穴３０７を形成し、水酸化ナトリウム水溶液にてレジストを剥離した（図１７（ｂ）参照）。続いて窓穴３０７の箇所に三菱電機株式会社製ＭＬ５０５ＧＴ型炭酸ガスレーザを用いて、出力パワー２６ｍＪ、パルス幅１００μｓ、ショット数４回の条件でレーザ穴３０８明けを行った（図１７（ｃ）参照）。その後、超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去し、触媒付与、密着促進後無電解銅めっきを行い、基板の両面に０．５μｍの銅薄膜を形成した。さらに、この基板表面に電気銅めっきを行い、内層の回路導体と基板表面の導体層とを電気的に接続するめっき銅３０９からなる金属層を形成した（図１７（ｄ）参照）。続いてこの基板の表面にドライフィルムレジストＨ−９０３０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし、所望のネガパターンを露光して炭酸ナトリウム水溶液にて現像し、エッチングレジストを形成した。さらに、塩化第二鉄水溶液を用いて不要なめっき銅３０９をエッチング除去した後、水酸化ナトリウム水溶液にてレジストを剥離し、フェリシアン化カリウム水溶液を用いてクロム膜３０６をエッチング除去して、第１のコンデンサ電極３１０のパターンを形成した（図１８（ａ）参照）。次にこの基板の第１のコンデンサ電極３１０側にエッチングレジスト３１１となる溶剤現像型レジストＡＺ９２４５（クラリアントジャパン株式会社製、商品名）を１２μｍ塗布し（（図１８（ｂ）参照）、１１０℃で１０分プリベークした後所望のポジパターンを露光して１２０℃で１０分乾燥し、ＡＺ４００Ｋデベロッパー（クラリアントジャパン株式会社製、商品名）にて現像してエッチングレジスト３１１を形成した（図１８（ｃ）参照）。続いて、２０％重フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ・ＨＦ）水溶液を用いて２０℃でＰＺＴ薄膜３０１をエッチング除去し、ルテニウムエッチング液ＲＥＣ−０１（関東化学株式会社製、商品名）を用いてルテニウム薄膜３０２をエッチング除去して（図３の（ｄ）参照）、ＡＺリムーバー７００（クラリアントジャパン株式会社製、商品名）にてエッチングレジスト３１１を剥離した（図１８（ｅ）参照）。この基板にドライフィルムレジストＨ−９０４０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし、所望のネガパターンを露光して炭酸ナトリウム水溶液にて現像し、エッチングレジストを形成した。続いて塩化第二鉄水溶液にて不要な銅箔３０３、不要な銅箔３０５及びその上のめっき銅３０９をエッチング除去した後、水酸化ナトリウム水溶液にてレジストを剥離し、銅箔３０３から形成された第２のコンデンサ電極３１２を含む回路パターンを形成して回路板を作製した（図１９（ａ）参照）。
この回路板の回路表面に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った。（１）３５μｍキャリア銅箔付き厚み３μｍの銅箔ＭＴ３５Ｓ３（三井金属鉱業株式会社製、商品名）、（２）厚み１００μｍのフィラー入りガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）、（３）回路板、（４）厚み１００μｍのフィラー入りガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ、（５）３５μｍキャリア銅箔付き厚み３μｍの銅箔ＭＴ３５Ｓ３（三井金属鉱業株式会社製、商品名）の順に重ね、温度１７０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化することにより、回路板の両面上に、絶縁樹脂基材３１３を介して銅箔３１４を積層した。キャリア銅箔を剥がし、不要な基板端部を切断後（図１９（ｂ）参照）、この基板の表面にドライフィルムレジストＨ−９０３０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし、所望のネガパターンを露光して炭酸ナトリウム水溶液にて現像し、エッチングレジストを形成した。次に不要な銅箔３１４を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、所望の箇所にφ０．１５ｍｍの窓穴を形成した。
この回路板表面に設けた窓穴の箇所に三菱電機株式会社製ＭＬ５０５ＧＴ型炭酸ガスレーザを用いて、出力パワー２６ｍＪ、パルス幅１００μｓ、ショット数４回の条件でレーザ穴明けを行った（図１９（ｃ）参照）。超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去後、洗浄触媒付与、密着促進後無電解銅めっきを行い、レーザ穴内壁と銅箔表面に約２０μｍの無電解銅めっき層を形成した。この回路板表面のパッドや回路パターンなど必要な箇所にドライフィルムレジストＨ−９０３０（日立化成工業株式会社製、商品名）を用いてエッチングレジストを形成し、不要な銅をエッチング除去して、銅箔３１４及びめっき銅３１５から形成された外層回路を形成した（図１９（ｄ）参照）。この回路板表面にソルダーレジストＰＳＲ−４０００ ＡＵＳ５（太陽インキ製造株式会社製、商品名）をロールコータで３０μｍ塗布、乾燥後に露光・現像して所望の箇所にソルダーレジスト３１６を形成した。その後、３μｍの無電解ニッケルめっきと０．１μｍの無電解金めっき（Ｎｉ／Ａｕめっき１７）を外層回路パターン露出部表面層に形成して、コンデンサ内蔵多層配線板を得た（図１９（ｅ）参照）。
実験例Ｃ−９
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｃ−１の銅箔３０３表面に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った。この銅箔３０３表面に絶縁樹脂基材３０４となる厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して、厚み１８μｍの銅箔５ＧＴＳ−１８（古河サーキットフォイル株式会社、商品名）を配し、温度１７０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化し、基板を得た（図１７（ａ）参照）。さらにそのＰＺＴ薄膜３０１表面にＤＣスパッタリング法により、０．０５μｍのクロム膜３０６を形成した。次に、この基板の銅箔３０５表面にドライフィルムレジストＨ−９０３０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし、所望のネガパターンを露光して炭酸ナトリウム水溶液にて現像し、エッチングレジストを形成した。次に不要な銅箔を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、所望の箇所にφ０．１ｍｍの窓穴３０７を形成し、水酸化ナトリウム水溶液にてレジストを剥離した（図１７（ｂ）参照）。続いて窓穴３０７の箇所に三菱電機株式会社製ＭＬ５０５ＧＴ型炭酸ガスレーザを用いて、出力パワー２６ｍＪ、パルス幅１００μｓ、ショット数４回の条件でレーザ穴３０８明けを行った（図１７（ｃ）参照）。その後、超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去し、触媒付与、密着促進後無電解銅めっきを行い、基板の両面に０．５μｍの銅薄膜を形成した。さらに、この基板表面に電気銅めっきを行い、内層の回路導体と基板表面の導体層とを電気的に接続するめっき銅３０９からなる金属層を形成した（図１７（ｄ）参照）。続いてこの基板の表面にドライフィルムレジストＨ−９０３０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし、所望のネガパターンを露光して炭酸ナトリウム水溶液にて現像し、エッチングレジストを形成した。さらに、塩化第二鉄水溶液を用いて不要なめっき銅３０９をエッチング除去した後、水酸化ナトリウム水溶液にてレジストを剥離し、フェリシアン化カリウム水溶液を用いてクロム膜３０６をエッチング除去して、第１のコンデンサ電極３１０のパターンを形成した（図１８（ａ）参照）。次にこの基板の第１のコンデンサ電極３１０側にエッチングレジスト３１１となる溶剤現像型レジストＡＺ９２４５（クラリアントジャパン株式会社製、商品名）を１２μｍ塗布し（図１８（ｂ）参照）、１１０℃で１０分プリベークした後所望のポジパターンを露光して１２０℃で１０分乾燥し、ＡＺ４００Ｋデベロッパー（クラリアントジャパン株式会社製、商品名）にて現像してエッチングレジスト３１１を形成した（図１８（ｃ）参照）。続いて、ＣＦ_４ガスを用いたＲＩＥ法によってＰＺＴ薄膜３０１とルテニウム薄膜３０２をエッチング除去した後（図１８（ｄ）参照）、ＡＺリムーバー７００（クラリアントジャパン株式会社製、商品名）にてエッチングレジスト３１１を剥離した（図１８（ｅ）参照）。この基板にドライフィルムレジストＨ−９０４０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし、所望のネガパターンを露光して炭酸ナトリウム水溶液にて現像し、エッチングレジストを形成した。続いて塩化第二鉄水溶液にて不要な銅箔３０３、不要な銅箔３０５及びその上のめっき銅３０９をエッチング除去した後、水酸化ナトリウム水溶液にてレジストを剥離し、銅箔３０３から形成された第２のコンデンサ電極３１２を含む回路パターンを形成して回路板を作製した（図１９（ａ）参照）。
この回路板を用い、その後実験例Ｃ−８と同様な工程によってコンデンサ内蔵多層配線板を得た（図１９（ｅ）参照）。
実験例Ｃ−１〜Ｃ−７において、薄膜のエッチング時にエッチング残渣やレジストの剥れ等はいずれの基板にもみられず、パターニング性は良好であった。次に、コンデンサ容量を測定した。コンデンサ容量はインピーダンスアナライザ４２９１Ｂ（アジレントテクノロジー株式会社製、商品名）に５０Ω同軸ケーブルＳＵＣＯＦＬＥＸ１０４／１００（ＳＵＨＮＥＲ社製、商品名）を介して高周波信号測定プローブＭＩＣＲＯＰＲＯＢＥ ＡＣＰ５０（ＧＳＧ２５０型、Ｃａｓｃａｄｅ社製、商品名）に接続した測定システムを用いた。キャパシタの電極サイズは１ｍｍ□とし１ＧＨｚの容量を測定した。この結果を表３に示す。

表３に示したように、実験例Ｃ−１〜Ｃ−７で作製したコンデンサ内蔵多層配線板のコンデンサ容量のばらつきは、全て±１０％未満であり、均一で良好なコンデンサを作製することができた。これは実験例Ｃ−８〜Ｃ−９と同等のばらつきであり、実験例Ｃ−１〜Ｃ−７を用いても実験例Ｃ−８〜Ｃ−９と同等な精度のコンデンサ内蔵多層配線が得られることがわかる。しかも、従来のＣＦ_４ガスを用いたＲＩＥ法（実験例Ｃ−９）や２０％重フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ・ＨＦ）水溶液（実験例Ｃ−８）などとは、異なり、前述したようにアルカリ現像型のレジストを用いたウェットエッチング法であるため、従来のプリント配線板の工程に容易に適用することが可能であり、作業性及び経済性の点で優れている。
（実施例Ｄ）
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｄ−１
厚み１８μｍの圧延銅箔Ｍ−ＢＮＨ−１８（三井金属鉱業株式会社製、商品名）の表面にチタンテトライソプロポキシド、ジルコンテトラターシャリーブトキシド、ジピバロイルメタン鉛錯体、二酸化窒素を用いたマイクロ波プラズマＣＶＤにより、基材温度３５０℃の条件下で厚さ０．５μｍのＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）薄膜を形成した。このようにして、銅箔１０２（金属箔Ａ）の片面にＰＺＴ薄膜１０１（誘電体薄膜）が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｄ−１を得た（図１（ａ））。
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｄ−２
厚み１８μｍの圧延銅箔Ｍ−ＢＮＨ−１８（三井金属鉱業株式会社製、商品名）の表面にＤＣスパッタリング法により、０．２μｍのルテニウム薄膜を形成した。さらにその基板表面にチタンテトライソプロポキシド、ジルコンテトラターシャリーブトキシド、ジピバロイルメタン鉛錯体、二酸化窒素を用いたマイクロ波プラズマＣＶＤにより、基材温度３５０℃の条件下で厚さ０．５μｍのＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）薄膜を形成した。このようにして、銅箔１０２（金属箔Ａ）の片面に、ルテニウム薄膜１０３を介してＰＺＴ薄膜１０１（誘電体薄膜）が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｄ−２を得た（図１（ｂ））。
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｄ−３
厚み１８μｍの圧延銅箔Ｍ−ＢＮＨ−１８（三井金属鉱業株式会社製、商品名）の表面にＤＣスパッタリング法により、０．２μｍのルテニウム薄膜を形成した。さらにその表面に強誘電体薄膜形成材料ＰＺＴ（関東化学株式会社、商品名）を塗布し、温度１５０℃で加熱時間３０分間のプリベークを行った。塗布とプリベークをさらに５回繰り返し、その後に温度３５０℃で加熱時間１時間の熱処理を行って、厚さ０．５μｍのＰＺＴ薄膜を形成した。このようにして、銅箔１０２（金属箔Ａ）の片面に、ルテニウム薄膜１０３を介してＰＺＴ薄膜１０１（誘電体薄膜）が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料（３）を得た（図１（ｂ））。
実施例Ｄ−１
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｄ−１の銅箔４０２（金属箔Ａ）の表面に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った（図２０（ａ））。このコンデンサ内蔵多層配線板用材料の銅箔４０２の表面に、絶縁樹脂基材４０４（絶縁層）となる厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して、厚み１２μｍの銅箔４０５（金属箔Ｂ）ＧＴＳ−１２（古河サーキットフォイル株式会社、商品名）を配し、温度１８０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化し、基板を得た（図２０（ｂ））。次に、この基板の両面に所望のエッチングレジストを形成し、不要な銅箔を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、所望の箇所にφ０．１５ｍｍの窓穴４０５′を形成した（図２０（ｃ））。続いて、窓穴４０５′の箇所に三菱電機株式会社製ＭＬ５０５ＧＴ型炭酸ガスレーザを用いて、出力パワー２６ｍＪ、パルス幅１００μｓ、ショット数４回の条件でレーザ照射によってレーザ穴４０６を明け、超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去した（図２０（ｄ））。さらにそのＰＺＴ薄膜４０１（誘電体薄膜）表面にＤＣスパッタリング法により、０．０５μｍのクロム薄膜４０７を形成した。その後、基板両面に、触媒付与剤（Ｎｅｏｇａｎｔｈ ８４３、アトテックジャパン（株）製、商品名）を用いた触媒付与処理、密着促進剤（Ｎｅｏｇａｎｔｈ ＷＡ、アトテックジャパン（株）製、商品名）を用いた密着促進処理を行なった後、無電解銅めっきを行い、０．５μｍの銅薄膜を形成し、さらに基板両面に電気銅めっきにより２０μｍの金属層を形成し、めっき銅４０８からなる金属層を形成した（図２０（ｅ））。この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄水溶液を用いて不要なめっき銅４０８をエッチング除去し、フェリシアン化カリウム水溶液を用いて露出したクロム薄膜４０７をエッチング除去して、第１のコンデンサ電極４０９のパターンを形成した（図２０（ｆ））。続いて、所望のパターンのレジストを形成し、ＣＦ_４ガスを用いたＲＩＥ法によってＰＺＴ薄膜４０１をエッチング除去し、コンデンサ誘電体４０１′を形成した（図２０（ｇ））。次に、この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、銅箔４０２、銅箔４０５及びめっき銅４０８の不要部分を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、第２のコンデンサ電極４１０を含む回路パターンを形成して回路板を作製した（図２０（ｈ））。
この回路板の回路表面に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った。（１）３５μｍキャリア銅箔付き厚み３μｍの銅箔ＭＴ３５Ｓ３（三井金属鉱業株式会社製、商品名）、（２）絶縁樹脂基材４１２となる厚み１００μｍのフィラー入りガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）、（３）回路板、（４）絶縁樹脂基材４１２となる厚み１００μｍのフィラー入りガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ、（５）３５μｍキャリア銅箔付き厚み３μｍの銅箔ＭＴ３５Ｓ３（三井金属鉱業株式会社製、商品名）の順に重ね、温度１８０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化した。キャリア銅箔を剥がし、不要な基板端部を切断後、この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、不要な銅箔を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、所望の箇所にφ０．１５ｍｍの窓穴を形成した。
この基板表面に設けた窓穴の箇所に三菱電機株式会社製ＭＬ５０５ＧＴ型炭酸ガスレーザを用いて、出力パワー２６ｍＪ、パルス幅１００μｓ、ショット数４回の条件でレーザ穴明けを行った。超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去後、洗浄触媒付与、密着促進後無電解銅めっきを行い、レーザ穴内壁と銅箔表面に約２０μｍの無電解銅めっき層を形成した。この基板表面のパッドや回路パターンなど必要な箇所にエッチングレジストを形成し、不要な銅をエッチング除去して、外層回路を形成した。
この基板表面にソルダーレジストＰＳＲ−４０００ ＡＵＳ５（太陽インキ製造株式会社、商品名）をロールコータで３０μｍ塗布、乾燥後に露光・現像して所望の箇所にソルダーレジスト４１１を形成した。その後、３μｍの無電解ニッケルめっきと０．１μｍの無電解金めっき（Ｎｉ−Ａｕめっき４２０）を外層回路パターン露出部表面層に形成して、コンデンサ内蔵多層配線板を得た（図２０（ｉ））。
実施例Ｄ−２
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｄ−３の銅箔４０２の表面に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った（図２１（ａ））。このコンデンサ内蔵多層配線板用材料の銅箔４０２の表面に、絶縁樹脂基材４０４となる厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して、厚み１２μｍの銅箔５ＧＴＳ−１２（古河サーキットフォイル株式会社、商品名）を配し、温度１８０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化し、基板を形成した（図２１（ｂ））。次に、この基板の両面に所望のエッチングレジストを形成し、不要な銅箔を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、所望の箇所にφ０．１５ｍｍの窓穴４０５′を形成した（図２１（ｃ））。続いて、窓穴４０５′の箇所に三菱電機株式会社製ＭＬ５０５ＧＴ型炭酸ガスレーザを用いて、出力パワー２６ｍＪ、パルス幅１００μｓ、ショット数４回の条件でレーザ照射してレーザ穴４０６を明け、超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去した（図２１（ｄ））。さらにそのＰＺＴ薄膜４０１の表面にＤＣスパッタリング法により、０．０５μｍのクロム薄膜４０７を形成した。その後、基板両面に触媒付与、密着促進後無電解銅めっきを行い、０．５μｍの銅薄膜を形成し、さらに基板両面に電気銅めっきにより２０μｍの金属層を形成し、めっき銅４０８からなる金属層を形成した（図２１（ｅ））。この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄水溶液を用いてめっき銅４０８の不要部分をエッチング除去し、フェリシアン化カリウム水溶液を用いて露出したクロム薄膜４０７をエッチング除去して、第１のコンデンサ電極４０９のパターンを形成した（図２１（ｆ））。続いて、所望のパターンのレジストを形成し、ＣＦ_４ガスを用いたＲＩＥ法によってＰＺＴ薄膜４０１とルテニウム薄膜４０３の不要部分をエッチング除去し、コンデンサ誘電体４０１′を形成した（図２１（ｇ））。次に、この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、銅箔４０２、銅箔４０５及びめっき銅４０８の不要部分を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、第２のコンデンサ電極４１０を含む回路パターンを形成して回路板を作製した（図２１（ｈ））。その後の多層配線板の加工は実施例Ｄ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た（図２１（ｉ））。
実施例Ｄ−３
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｄ−２の銅箔４０２の表面に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った（図２２（ａ））。このコンデンサ内蔵多層配線板用材料の銅箔４０２の表面に、絶縁樹脂基材４０４となる厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して、３５μｍキャリア銅箔付き厚み３μｍの銅箔５ＭＴ３５Ｍ３（三井金属鉱業株式会社製、商品名）を配し、温度１８０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化し、基板を形成した（図２２（ｂ））。次に、キャリア銅箔を手作業により剥離後、三菱電機株式会社製ＭＬ５０５ＧＴ型炭酸ガスレーザを用いて、基板の銅箔４０５の面に出力パワー３０ｍＪ、パルス幅１５μｓ、ショット数６回の条件でレーザ穴明けを行い、φ０．１５ｍｍのレーザ穴４０６を作製した。その後、超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去した（図２２（ｃ））。さらにそのＰＺＴ薄膜４０１の表面にＤＣスパッタリング法により、０．０５μｍのクロム薄膜４０７を形成した。その後、基板両面に触媒付与、密着促進後無電解銅めっきを行い、０．５μｍの銅薄膜を形成し、さらに基板両面に電気銅めっきにより２０μｍの金属層を形成し、めっき銅４０８からなる金属層を形成した（図２２（ｄ））。この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄水溶液を用いてめっき銅４０８からなる金属層の不要部分をエッチング除去し、フェリシアン化カリウム水溶液を用いて露出したクロム薄膜４０７をエッチング除去して、第１のコンデンサ電極４０９のパターンを形成した（図２２（ｅ））。続いて、所望のパターンのレジストを形成し、２０％重フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ・ＨＦ）水溶液を用いてＰＺＴ薄膜４０１の不要部分をエッチング除去してＰＺＴ薄膜のパターニングを行い、コンデンサ誘電体４０１′を形成した（図２２（ｆ））。続いて、ルテニウムエッチング液ＲＥＣ−０１（関東化学株式会社、商品名）を用いて、露出したルテニウム薄膜４０３をエッチング除去した（図２２（ｇ））。次に、この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、銅箔４０２、銅箔４０５及びめっき銅４０８の不要部分を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、第２のコンデンサ電極４１０を含む回路パターンを形成して回路板を作製した（図２２（ｈ））。その後の多層配線板の加工は実施例Ｄ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た（図２２（ｉ））。
実施例Ｄ−４
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｃ−３の銅箔４０２の表面に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った（図２３（ａ））。このコンデンサ内蔵多層配線板用材料の銅箔４０２の表面に、絶縁樹脂基材４０４となる厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して、３５μｍキャリア銅箔付き厚み３μｍの銅箔５ＭＴ３５Ｓ３（三井金属鉱業株式会社製、商品名）を配し、温度１８０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化し、基板を形成した（図２３（ｂ））。このプリプレグは、両面に厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のフィルムを温度１００℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間１０分の条件のホットプレスで貼り付けた後、所望の箇所にドリル穴明けを行った後、スクリーン印刷により、熱硬化性樹脂に銅粉が分散された導電性ペースト１３ＡＥ１６５０（タツタシステム・エレクトロニクス株式会社、商品名）を充填し、その後に表面のＰＥＴフィルムを剥がしたものを用いた。次に、ＰＺＴ薄膜４０１の表面にＤＣスパッタリング法により、０．０５μｍのクロム薄膜４０７を形成したのち、基板の両面に電気銅めっきにより２０μｍのめっき銅４０８からなる金属層を形成した（図２３（ｃ））。この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄水溶液を用いてめっき銅４０８からなる金属層の不要部分をエッチング除去し、フェリシアン化カリウム水溶液を用いて露出したクロム薄膜７をエッチング除去して、第１のコンデンサ電極４０９のパターンを形成した（図２３（ｄ））。続いて、所望のパターンのレジストを形成し、２０％重フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ・ＨＦ）水溶液を用いてＰＺＴ薄膜４０１の不要部分をエッチング除去してＰＺＴ薄膜のパターニングを行い、コンデンサ誘電体４０１′を形成した（図２３（ｅ））。続いて、ルテニウムエッチング液ＲＥＣ−０１（関東化学株式会社、商品名）を用いて、露出したルテニウム薄膜４０３をエッチング除去した（図２３（ｆ））。次に、この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、銅箔４０２、銅箔４０５及びめっき銅４０８の不要部分を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、第２のコンデンサ電極４１０を含む回路パターンを形成して回路板を作製した（図２３（ｇ））。その後の多層配線板の加工は実施例Ｄ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た（図２３（ｈ））。
実施例Ｄ−５
コンデンサ内蔵多層配線板用材料と積層するプリプレグの穴に充填する導電性ペーストを化学的な反応により金属化される導電性ペーストであるナノペースト（ハリマ化成株式会社、商品名）に替えた以外は実施例Ｄ−４と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た。
実施例Ｄ−６
コンデンサ内蔵多層配線板用材Ｄ−３の銅箔４０２の表面に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った（図２４（ａ））。このコンデンサ内蔵多層配線板用材料の銅箔４０２の表面に、絶縁樹脂基材４０４となる厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して、３５μｍキャリア銅箔付き厚み３μｍの銅箔５ＭＴ３５Ｓ３（三井金属鉱業株式会社製、商品名）を配し、温度１８０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化し、基板を形成した（図２４（ｂ））。次に、キャリア銅箔を剥がした基板の銅箔４０５の表面に所望のエッチングレジストを形成し、不要な銅箔を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、所望の箇所にφ０．１５ｍｍの窓穴４０５′を形成した（図２４（ｃ））。続いて、窓穴４０５′の箇所に三菱電機株式会社製ＭＬ５０５ＧＴ型炭酸ガスレーザを用いて、出力パワー２６ｍＪ、パルス幅１００μｓ、ショット数４回の条件でレーザ照射してレーザ穴４０６を明け、超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去した（図２４（ｄ））。さらにそのＰＺＴ薄膜４０１の表面にＤＣスパッタリング法により、０．０５μｍのクロム薄膜４０７を形成した。その後、この基板両面に触媒付与、密着促進後無電解銅めっきを行い、０．５μｍの銅薄膜１９を形成した。このようにして形成した０．０５μｍのクロム薄膜４０７と０．５μｍの銅薄膜４１９とが、セミアディティブ法の下地金属層（厚さ０．１〜５μｍの金属層）を形成する。この基板の両面に所望のめっきレジスト４１４を形成し、電気銅めっきを行い、厚み２０μｍの第１のコンデンサ電極４０９及びレーザ穴４０６を含む部分の回路となるめっき銅４１５からなる導体パターンを形成した（図２４（ｅ））。めっきレジスト４１４を剥離後、基板両面の０．５μｍの銅薄膜４１９の不要部分と０．０５μｍのクロム薄膜４０７の不要部分をエッチング除去して、第１のコンデンサ電極４０９のパターンを形成した。このときに３μｍ厚の銅箔４０５もパターニングして回路を形成した（図２４（ｆ））。続いて、所望のパターンのレジストを形成し、２０％重フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ・ＨＦ）水溶液を用いてＰＺＴ薄膜４０１の不要部分をエッチング除去してＰＺＴ薄膜４０１のパターニングを行い、コンデンサ誘電体４０１′を形成した（図２４（ｇ））。続いて、ルテニウムエッチング液ＲＥＣ−０１（関東化学株式会社、商品名）を用いて、露出したルテニウム薄膜４０３をエッチング除去した（図２４（ｈ））。次に、この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、銅箔４０２の不要部分を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、第２のコンデンサ電極４１０を含む回路パターンを形成して回路板を作製した（図２４（ｉ））。その後の多層配線板の加工は実施例Ｄ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た（図２４（ｊ））。
実施例Ｄ−７
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｃ−３の銅箔４０２の表面に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った（図２５（ａ））。このコンデンサ内蔵多層配線板用材料の銅箔４０２の表面に、絶縁樹脂基材４０４となる厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して、３５μｍキャリア銅箔付き厚み３μｍの銅箔５ＭＴ３５Ｍ３（三井金属鉱業株式会社製、商品名）を配し、温度１８０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化し、基板を形成した（図２５（ｂ））。キャリア銅箔を手作業により剥離後、三菱電機株式会社製ＭＬ５０５ＧＴ型炭酸ガスレーザを用いて、出力パワー３０ｍＪ、パルス幅１５μｓ、ショット数６回の条件でレーザ穴明けを行い、φ０．１５ｍｍのレーザ穴４０６を作製した。その後、超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去した（図２５（ｃ））。さらにＰＺＴ薄膜４０１の表面にＤＣスパッタリング法により、０．０５μｍのクロム薄膜４０７を形成した。さらにこの基板の両面に触媒付与、密着促進後無電解銅めっきを行い、０．５μｍの銅薄膜４１９を形成した。このようにして形成した０．０５μｍのクロム薄膜４０７と０．５μｍの銅薄膜４１９とが、セミアディティブ法の下地金属層（厚さ０．１〜５μｍの金属層）を形成する。この基板の表面に所望のめっきレジスト４１４を形成し、電気銅めっきを行い、厚み２０μｍの第１のコンデンサ電極４０９及びレーザ穴４０６を含む部分の回路となるめっき銅４１５からなる導体パターンを形成した（図２５（ｄ））。めっきレジスト４１４を剥離後、基板表面に露出した０．５μｍの銅薄膜４１９と０．０５μｍのクロム薄膜４０７の露出部分をエッチング除去して、第１のコンデンサ電極４０９及びレーザ穴４０６を含む部分の回路パターンを形成した。このときに３μｍ厚の銅箔４０５もパターニングして回路を形成した（図２５（ｅ））。続いて、所望のパターンのレジストを形成し、２０％重フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ・ＨＦ）水溶液を用いてＰＺＴ薄膜４０１をエッチング除去してＰＺＴ薄膜４０１のパターニングを行い、コンデンサ誘電体４０１′を形成した（図２５（ｆ））。その後、ルテニウムエッチング液ＲＥＣ−０１（関東化学株式会社、商品名）を用いてルテニウム薄膜４０３の露出部分をエッチング除去した（図２５（ｇ））。次に、この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、銅箔４０２の不要部分を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、第２のコンデンサ電極４１０を含む回路パターンを形成して回路板を作製した（図２５（ｈ））。その後の多層配線板の加工は実施例Ｄ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た（図２５（ｉ））。
実施例Ｄ−８
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｄ−３の銅箔４０２の表面に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った（図２６（ａ））。このコンデンサ内蔵多層配線板用材料の銅箔４０２の表面に、絶縁樹脂基材４０４となる厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して、厚み１８μｍの銅箔５ＧＴＳ−１８（古河サーキットフォイル株式会社、商品名）を配し、温度１８０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化し、基板を形成した（図２６（ｂ））。このプリプレグは、両面に厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のフィルムを温度１００℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間１０分の条件のホットプレスで貼り付けた後、所望の箇所にドリル穴明けを行った後、スクリーン印刷により、熱硬化性樹脂に銅粉が分散された導電性ペースト１３ＡＥ１６５０（タツタシステム・エレクトロニクス株式会社、商品名）を充填し、その後に表面のＰＥＴフィルムを剥がしたものを用いた。次に、ＰＺＴ薄膜４０１の表面にＤＣスパッタリング法により０．０５μｍのクロム薄膜４０７を形成した。その後、この基板両面に触媒付与、密着促進後、無電解銅めっきを行い、０．５μｍの銅薄膜４１９を形成した。このようにして形成した０．０５μｍのクロム薄膜４０７と０．５μｍの銅薄膜４１９とが、セミアディティブ法の下地金属層（厚さ０．１〜５μｍの金属層）を形成する。その後、基板両面に所望のめっきレジスト４１４を形成し、電気銅めっきを行い、厚み２０μｍの第１のコンデンサ電極４０９となる導体パターンを形成した（図２６（ｃ））。めっきレジスト４１４を剥離後、基板表面の露出した０．５μｍの銅薄膜４１９を塩化第二鉄水溶液でエッチング除去し、露出した０．０５μｍのクロム薄膜４０７をフェリシアン化カリウム水溶液を用いてエッチング除去して、第１のコンデンサ電極４０９のパターンを形成した（図２６（ｄ））。続いて、所望のパターンのレジストを形成し、２０％重フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ・ＨＦ）水溶液を用いてＰＺＴ薄膜４０１の不要部分をエッチング除去してＰＺＴ薄膜４０１のパターニングを行い、コンデンサ誘電体４０１′を形成した（図２６（ｅ））。続いて、ルテニウムエッチング液ＲＥＣ−０１（関東化学株式会社、商品名）を用いて露出したルテニウム薄膜４０３をエッチング除去した（図２６（ｆ））。次に、この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、銅箔４０２及び銅箔４０５の不要部分を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、第２のコンデンサ電極４１０を含む回路パターンを形成して回路板を作製した（図２６（ｇ））。その後の多層配線板の加工は実施例Ｄ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た（図２６（ｈ））。
実施例Ｄ−９
コンデンサ内蔵多層配線板用材料と積層するプリプレグの穴に充填する導電性ペーストを化学的な反応により金属化される導電性ペーストであるナノペースト（ハリマ化成株式会社、商品名）に替えた以外は実施例Ｄ−８と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た。
実施例Ｄ−１０
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｄ−３の銅箔４０２の表面に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った（図２７（ａ））。このコンデンサ内蔵多層配線板用材料の銅箔４０２の表面に、絶縁樹脂基材４０４となる厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して、厚み１８μｍの銅箔５ＧＴＳ−１８（古河サーキットフォイル株式会社、商品名）を配し、温度１８０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化し、基板を形成した（図２７（ｂ））。このプリプレグは、両面に厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のフィルムを温度１００℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間１０分の条件のホットプレスで貼り付けた後、所望の箇所にドリル穴明けを行った後、スクリーン印刷により、熱硬化性樹脂に銅粉が分散された導電性ペーストＡＥ１６５０（タツタシステム・エレクトロニクス株式会社、商品名）を充填し、その後に表面のＰＥＴフィルムを剥がしたものを用いた。次に、ＰＺＴ薄膜４０１の表面の所望の箇所に、スクリーン印刷により、化学的な反応により金属化される導電性ペーストであるナノペースト（ハリマ化成株式会社、商品名）を４０μｍの厚みで印刷後、温度２００℃で加熱時間１時間の条件でベーキングし、導電性ペーストを金属化して、第１のコンデンサ電極４１６のパターンを形成した（図２７（ｃ））。続いて、所望のパターンのレジストを形成し、２０％重フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ・ＨＦ）水溶液を用いてＰＺＴ薄膜４０１の不要部分をエッチング除去してＰＺＴ薄膜のパターニングを行ってコンデンサ誘電体４０１′を形成した後、ルテニウムエッチング液ＲＥＣ−０１（関東化学株式会社、商品名）を用いてルテニウム薄膜４０３の露出部分をエッチング除去した（図２７（ｄ））。次に、この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、銅箔４０２及び銅箔４０５の不要部分を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、第２のコンデンサ電極４１０を含む回路パターンを形成して回路板を作製した（図２７（ｅ））。その後の多層配線板の加工は実施例Ｄ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た（図２７（ｆ））。
実施例Ｄ−１１
コンデンサ内蔵多層配線板用材料と積層するプリプレグの穴に充填する導電性ペーストを化学的な反応により金属化される導電性ペーストであるナノペースト（ハリマ化成株式会社、商品名）に替えた以外は実施例Ｄ−１０と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た。
実施例Ｄ−１２
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｄ−３の銅箔４０２の表面に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った（図２８（ａ））。このコンデンサ内蔵多層配線板用材料の銅箔４０２の表面に、絶縁樹脂基材４０４となる厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して、厚み１２μｍの銅箔５ＧＴＳ−１２（古河サーキットフォイル株式会社、商品名）を配し、温度１８０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化し、基板を形成した（図２８（ｂ））。次に、所望のパターンのレジストを形成し、２０％重フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ・ＨＦ）水溶液を用いてＰＺＴ薄膜４０１をエッチング除去してＰＺＴ薄膜のパターニングを行ってコンデンサ誘電体４０１′を形成した後、ルテニウムエッチング液ＲＥＣ−０１（関東化学株式会社、商品名）を用いてルテニウム薄膜４０３をエッチング除去した（図２８（ｃ））。この基板の両面に所望のエッチングレジストを形成し、銅箔４０５の不要部分を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、所望の箇所にφ０．１５ｍｍの窓穴４０５′を形成した（図２８（ｄ））。続いて、窓穴４０５′の箇所に三菱電機株式会社製ＭＬ５０５ＧＴ型炭酸ガスレーザを用いて、出力パワー２６ｍＪ、パルス幅１００μｓ、ショット数４回の条件でレーザ照射してレーザ穴４０６を明け、超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去した（図２８（ｅ））。さらに基板のコンデンサ誘電体４０１′側の面に、ＤＣスパッタリング法により、０．０５μｍのクロム薄膜４０７を形成した。その後、基板の両面に、触媒付与、密着促進後無電解銅めっきを行い、０．５μｍの銅薄膜を形成し、さらにその上に電気銅めっきにより２０μｍの金属層を形成し、めっき銅４０８からなる金属層を形成した（図２８（ｆ））。この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄水溶液を用いてめっき銅４０８及び銅箔４０５の不要部分をエッチング除去し、フェリシアン化カリウム水溶液を用いて露出したクロム薄膜４０７をエッチング除去し、さらに塩化第二鉄水溶液を用いて露出した銅箔４０２をエッチング除去して、第１のコンデンサ電極４０９と第２のコンデンサ電極４１０を含む回路パターンを形成した（図２８（ｇ））。その後の多層配線板の加工は実施例Ｄ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た（図２８（ｈ））。
実施例Ｄ−１３
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｄ−３の銅箔４０２の表面に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った（図２９（ａ））。このコンデンサ内蔵多層配線板用材料の銅箔４０２の表面に、絶縁樹脂基材４０４となる厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して、３５μｍキャリア銅箔付き厚み３μｍの銅箔５ＭＴ３５Ｍ３（三井金属鉱業株式会社製、商品名）を配し、温度１８０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化して基板を得た（図２９（ｂ））。次に、所望のパターンのレジストを形成し、２０％重フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ・ＨＦ）水溶液を用いてＰＺＴ薄膜４０１をエッチング除去してＰＺＴ薄膜のパターニングを行ってコンデンサ誘電体４０１′を形成した後、ルテニウムエッチング液ＲＥＣ−０１（関東化学株式会社、商品名）を用いてルテニウム薄膜４０３の露出部分をエッチング除去した（図２９（ｃ））。キャリア銅箔を手作業により剥離後、銅箔４０５の所定の表面に三菱電機株式会社製ＭＬ５０５ＧＴ型炭酸ガスレーザを用いて、出力パワー３０ｍＪ、パルス幅１５μｓ、ショット数６回の条件でレーザ照射し、φ０．１５ｍｍのレーザ穴４０６を作製した。その後、超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去した（図２９（ｄ））。さらにその基板のコンデンサ誘電体４０１′を形成した面上に、ＤＣスパッタリング法により、０．０５μｍのクロム薄膜４０７を形成した。その後、基板両面に触媒付与、密着促進後無電解銅めっきを行い、０．５μｍの銅薄膜を形成し、さらにその上に電気銅めっきにより２０μｍの金属層を形成し、めっき銅４０８からなる金属層を形成した（図２９（ｅ））。この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄水溶液を用いてめっき銅４０８及び銅箔４０５の不要部分をエッチング除去し、フェリシアン化カリウム水溶液を用いて露出したクロム薄膜４０７をエッチング除去し、さらに塩化第二鉄水溶液を用いて露出した銅箔４０２をエッチング除去して、第１のコンデンサ電極４０９と第２のコンデンサ電極４１０を含む回路パターンを形成した（図２９（ｆ））。その後の多層配線板の加工は実施例Ｄ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た（図２９（ｇ））。
実施例Ｄ−１４
コンデンサ内蔵多層配線板用材料Ｄ−３の銅箔４０２の表面に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った（図３０（ａ））。このコンデンサ内蔵多層配線板用材料の銅箔４０２の表面に、絶縁樹脂基材４０４となる厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して、３５μｍキャリア銅箔付き厚み３μｍの銅箔５ＭＴ３５５３（三井鉱山株式会社、商品名）を配し、温度１８０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化し、基板を得た（図３０（ｂ））。このプリプレグは、両面に厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のフィルムを温度１００℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間１０分の条件のホットプレスで貼り付けた後、所望の箇所にドリル穴明けを行った後、スクリーン印刷により、熱硬化性樹脂に銅粉が分散された導電性ペーストＡＥ１６５０（タツタシステム・エレクトロニクス株式会社、商品名）を充填し、その後に表面のＰＥＴフィルムを剥がしたものを用いた。
次に、所望のパターンのレジストを形成し、２０％重フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ・ＨＦ）水溶液を用いてＰＺＴ薄膜４０１をエッチング除去してＰＺＴ薄膜のパターニングを行ってコンデンサ誘電体４０１′を形成した後、ルテニウムエッチング液ＲＥＣ−０１（関東化学株式会社、商品名）を用いてルテニウム薄膜４０３の露出部分をエッチング除去した（図３０（ｃ））。さらに基板のコンデンサ誘電体４０１′の面側に、ＤＣスパッタリング法により、０．０５μｍのクロム薄膜４０７を形成したのち、触媒付与、密着促進後無電解銅めっきを行い、０．５μｍの銅薄膜を形成した。さらに基板両面に電気銅めっきにより２０μｍのめっき銅４０８からなる金属層を形成した（図３０（ｄ））。この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄水溶液を用いてめっき銅４０８及び銅箔４０５の不要部分をエッチング除去し、フェリシアン化カリウム水溶液を用いて露出したクロム薄膜７をエッチング除去し、さらに塩化第二鉄水溶液を用いて露出した銅箔４０２エッチング除去して、第１のコンデンサ電極４０９と第２のコンデンサ電極４１０を含む回路パターンを形成した（図３０（ｅ））。その後の多層配線板の加工は実施例Ｄ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た（図３０（ｆ））。
実施例Ｄ−１５
コンデンサ内蔵多層配線板用材料と積層するプリプレグの穴に充填する導電性ペーストを化学的な反応により金属化される導電性ペーストであるナノペースト（ハリマ化成株式会社、商品名）に替えた以外は実施例Ｄ−１４と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た。
比較例Ｄ−１
両面の回路パターンを接続する導体穴（穴内は穴うめ樹脂４１８にて充填されている）を有する板厚０．２ｍｍの両面回路基板（図３１（ａ））を用意した。この基板の片面に、ＤＣスパッタリング法により、０．２μｍのルテニウム薄膜４０３を形成した。所望のパターンのレジストを形成し、ＲＩＥ法によって、回路上以外のルテニウム薄膜４０３をエッチング除去し、第２のコンデンサ電極４２１を含む回路パターンを形成した（図３１（ｂ））。さらにその基板表面に強誘電体薄膜形成材料ＰＺＴ（関東化学株式会社、商品名）を塗布し、温度１５０℃で加熱時間３０分間のプリベークを行った。塗布とプリベークをさらに５回繰り返し、その後に温度２５０℃で加熱時間１時間の熱処理を行って、厚さ０．５μｍのＰＺＴ薄膜４０１を形成した（図３１（ｃ））。さらにそのＰＺＴ薄膜４０１の表面に、ＤＣスパッタリング法により、０．０５μｍのクロム薄膜４０７を形成した。さらにその表面に電気銅めっきにより２０μｍのめっき銅４０８からなる金属層を形成した（図３１（ｄ））。この基板の表面に所望のエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄水溶液を用いてめっき銅４０８の不要部分をエッチング除去し、フェリシアン化カリウム水溶液を用いて露出したクロム薄膜４０７をエッチング除去して、第１のコンデンサ電極４２２のパターンを形成して回路板を作製した（図３１（ｅ））。その後の多層配線板の加工は実施例Ｄ−１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た（図３１（ｆ））。
実施例Ｄ−１〜Ｄ−１５および比較例Ｄ−１で得られたコンデンサ内蔵多層配線板について、誘電体の膜厚、比誘電率およびコンデンサ容量を測定した。各測定方法は前記と同様である。以下の表４に測定結果を示す。

実施例Ｄ−１〜Ｄ−１５は、いずれも、金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたことを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いて作製したコンデンサ内蔵基板である。作製したコンデンサ容量のばらつきは全て±１０％未満であり、均一で良好なコンデンサを作製することができた。
また、比較例は、誘電体薄膜を金属層がパターニングされた基板の表面に形成されたコンデンサ内蔵基板であるために、膜厚のばらつきが大きく、結果としてコンデンサ容量のばらつきも最大５４％と大きかった。
前述したところがこの発明の好ましい実施態様であること、多くの変更および修正をこの発明の精神と範囲にそむくことなくなく実行できることは当業者にとって了解されよう。
【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【図２６】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【図３０】

【図３１】

【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたことを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板用材料。
【請求項２】
前記誘電体薄膜がチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、二酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ニオブ酸マグネシウム酸鉛−チタン酸鉛のいずれか、あるいはこれらのいずれか２種以上を含む固溶体、あるいはこれらのいずれか２種以上を含む積層体からなる膜であることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ内蔵多層配線板用材料。
【請求項３】
前記金属箔が銅からなり、かつ前記誘電体薄膜が形成される面に銅の酸化保護皮膜となる金属として、白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、イリジウムからなる群から選ばれた１種以上の金属膜を設けたことを特徴とする請求項１または２に記載のコンデンサ内蔵多層配線板用材料。
【請求項４】
前記金属箔が銅からなり、かつその表面に安定した自己酸化皮膜を形成する金属として、クロム、モリブデン、チタン、ニッケルからなる群から選ばれた１種以上の金属膜を設けたことを特徴とする請求項１または２に記載のコンデンサ内蔵多層配線板用材料。
【請求項５】
金属箔の表面粗さが０．０１〜０．５μｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用材料。
【請求項６】
金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜を真空蒸着法により形成することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板用材料の製造方法。
【請求項７】
金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜をイオンプレーティング法により形成することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板用材料の製造方法。
【請求項８】
金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板用材料の製造方法。
【請求項９】
金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜をスパッタリング法により形成することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板用材料の製造方法。
【請求項１０】
金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜をゾルゲル法により形成することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板用材料の製造方法。
【請求項１１】
前記金属箔としてロール状の金属箔を用い、かつ温度が一定に管理された加熱炉内を連続的に金属箔を移動させながら前記誘電体薄膜を形成することを特徴とする請求項６〜１０のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板材料の製造方法。
【請求項１２】
前記誘電体薄膜がチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、二酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ニオブ酸マグネシウム酸鉛−チタン酸鉛のいずれか、あるいはこれらのいずれか２種以上を含む固溶体、あるいはこれらのいずれか２種以上を含む積層体からなる膜であることを特徴とする請求項６〜１１のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用材料の製造方法。
【請求項１３】
前記金属箔が銅からなり、かつ誘電体薄膜が形成される面に銅の酸化保護皮膜となる金属として、白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、イリジウムからなる群から選ばれた１種以上の金属膜を設けたことを特徴とする請求項６〜１２のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用材料の製造方法。
【請求項１４】
前記金属箔が銅からなり、かつその表面に安定した自己酸化皮膜を形成する金属として、クロム、モリブデン、チタン、ニッケルからなる群から選ばれた１種以上の金属膜を設けたことを特徴とする請求項６〜１２のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用材料の製造方法。
【請求項１５】
前記金属箔の表面粗さが０．０１〜０．５μｍであることを特徴とする請求項６〜１４のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用材料の製造方法。
【請求項１６】
金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって：
１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して導体回路を有する基板に積層する工程と；
２）誘電体薄膜の表面に１０〜５０μｍの金属層を形成する工程と；
３）その金属層の任意の部分を残してエッチング除去して所望の第１のコンデンサ電極を形成する工程と；
４）誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と；および
５）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔の少なくともコンデンサ誘電体を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望の第２のコンデンサ電極を含む導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項１７】
前記誘電体薄膜の表面に形成する金属層がクロム、モリブデン、チタン、ニッケルからなる群から選ばれた１種以上の金属層を少なくとも含むことを特徴とする請求項１６記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項１８】
金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって：
１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して導体回路を有する基板に積層する工程と；
２）誘電体薄膜の表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と；
３）第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残して金属めっきレジストを形成する工程と；
４）金属めっきにより１０〜５０μｍの第１のコンデンサ電極を形成する工程と、
５）金属めっきレジストを除去する工程と；
６）誘電体薄膜の表面に形成した０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、
７）誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、
８）誘電体薄膜を除去して現れた金属層の少なくともコンデンサ誘電体を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望の第２のコンデンサ電極を含む導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項１９】
誘電体薄膜の表面に形成する前記金属層がクロム、モリブデン、チタン、ニッケルからなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属層を含むことを特徴とする請求項１８記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項２０】
前記金属めっきが銅、銀、錫、ニッケル、亜鉛からなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属を含むことを特徴とする請求項１８または１９記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項２１】
金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって：
１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して導体回路を有する基板に積層する工程と；
２）誘電体薄膜の表面の任意の部分に化学的な反応により金属化される導電性ペーストを用いて１０〜５０μｍの金属層を形成して所望の第１のコンデンサ電極を形成する工程と；
３）誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と；
４）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔の少なくともコンデンサ誘電体を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望の第２のコンデンサ電極を含む導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項２２】
化学的な反応により金属化される前記導電性ペーストの金属粒子が金、白金、銀、銅、パラジウム、ルテニウムからなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属を含み、かつその平均粒径が０．１〜１０ｎｍであることを特徴とする請求項２１記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項２３】
金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって：
１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して導体回路を有する基板に積層する工程と；
２）誘電体薄膜の任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と；
３）コンデンサ誘電体を形成した基板表面に１０〜５０μｍの金属層を形成する工程と；
４）その金属層の任意の部分を残してエッチング除去して所望の第１のコンデンサ電極、第２のコンデンサ電極およびコンデンサ電極と電気的に絶縁された任意の導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項２４】
金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面と導体回路を有する基板とを介して積層するプリプレグにおいて、任意の箇所に絶縁材料の貫通穴が設けられ、かつその貫通穴が熱硬化性樹脂と金属フィラーを含む導電性ペーストで充填されていることを特徴とする請求項１６〜２３のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項２５】
金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面と導体回路を有する基板とを介して積層するプリプレグにおいて、任意の箇所に絶縁材料の貫通穴が設けられ、かつその貫通穴が化学的な反応により金属化される導電性ペーストで充填されていることを特徴とする請求項１６〜２３のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項２６】
金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって：
１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して導体回路を有する基板に積層する工程と；
２）誘電体薄膜の表面に１０〜５０μｍの金属層を形成する工程と；
３）その金属層の任意の部分を残してエッチング除去して所望の第１のコンデンサ電極を形成する工程と；
４）誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と；
５）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔の任意の箇所をエッチング除去して硬化したプリプレグの絶縁層を露出させる工程と；
６）レーザ照射により露出された絶縁層を除去して穴を形成し、内層となっている導体回路を露出させる工程と；
７）その基板表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と；
８）穴を含む任意の箇所を除いてめっきレジストを形成する工程と；
９）めっきレジストを形成した箇所以外の基板表面に１０〜５０μｍの金属層を形成して層間の回路パターンを電気的に接続させる工程と；
１０）基板表面に形成した０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と；
１１）少なくともコンデンサ誘電体と導体化された穴を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望の第２のコンデンサ電極を含む導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項２７】
誘電体薄膜の表面に形成する前記金属層がクロム、モリブデン、チタン、ニッケルからなる群から選ばれた１種以上の金属層を少なくとも含むことを特徴とする請求項２６記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項２８】
金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、
１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して導体回路を有する基板に積層する工程と；
２）誘電体薄膜の表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と；
３）第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残して金属めっきレジストを形成する工程と；
４）金属めっきにより１０〜５０μｍの第１のコンデンサ電極を形成する工程と；
５）金属めっきレジストを除去する工程と；
６）誘電体薄膜の表面に形成した０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と；
７）誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と；
８）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔の任意の箇所をエッチング除去して硬化したプリプレグの絶縁層を露出させる工程と；
９）レーザ照射により露出された絶縁層を除去して穴を形成し、内層となっている導体回路を露出させる工程と；
１０）その基板表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と；
１１）穴を含む任意の箇所を除いてめっきレジストを形成する工程と；
１２）めっきレジストを形成した箇所以外の基板表面に１０〜５０μｍの金属層を形成して層間の回路パターンを電気的に接続させる工程と；
１３）基板表面に形成した０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と；
１４）少なくともコンデンサ誘電体と導体化された穴を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望の第２のコンデンサ電極を含む導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項２９】
誘電体薄膜の表面に形成する前記金属層がクロム、モリブデン、チタン、ニッケルからなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属層を含むことを特徴とする請求項２８記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項３０】
前記金属めっきが銅、銀、錫、ニッケル、亜鉛からなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属を含むことを特徴とする請求項２８または２９記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項３１】
金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって：
１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して導体回路を有する基板に積層する工程と；
２）誘電体薄膜の表面の任意の部分に化学的な反応により金属化される導電性ペーストを用いて１０〜５０μｍの金属層を形成して所望の第１のコンデンサ電極を形成する工程と；
３）誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と；
４）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔の任意の箇所をエッチング除去して硬化したプリプレグの絶縁層を露出させる工程と；
５）レーザ照射により露出された絶縁層を除去して穴を形成し、内層となっている導体回路を露出させる工程と；
６）その基板表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と；
７）穴を含む任意の箇所を除いてめっきレジストを形成する工程と；
８）めっきレジストを形成した箇所以外の基板表面に１０〜５０μの金属層を形成して層間の回路パターンを電気的に接続させる工程と；
９）基板表面に形成した０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と；
１０）少なくともコンデンサ誘電体と導体化された穴を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望の第２のコンデンサ電極を含む導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項３２】
化学的な反応により金属化される前記導電性ペーストの金属粒子が金、白金、銀、銅、パラジウム、ルテニウムからなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属を含み、かつその平均粒径が０．１〜１０ｎｍであることを特徴とする請求項３１記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項３３】
金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって：
１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して導体回路を有する基板に積層する工程と；
２）誘電体薄膜任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と；
３）誘電体薄膜を除去して現れた金属層の任意の箇所をエッチング除去して硬化したプリプレグの絶縁層を露出させる工程と；
４）レーザ照射により露出された絶縁層を除去して穴を形成し、内層となっている導体回路を露出させる工程と；
５）コンデンサ誘電体を形成した基板表面と穴内の表面に１０〜５０μｍの金属層を形成する工程と；
６）少なくともコンデンサ誘電体と導体化された穴を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望の第２のコンデンサ電極を含む導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項３４】
金属箔の表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔の面にプリプレグを介して積層する導体回路を有する基板において、基板の導体層が２層以上あり、かつその隣接する導体層の回路パターンが任意の箇所で導体化された穴により接続された基板であることを特徴とする請求項１６〜３３のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項３５】
前記誘電体薄膜をエッチング除去する方法がイオンビームエッチング法、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法または溶液エッチング法のいずれかであることを特徴とする請求項１６〜３４のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項３６】
第２のコンデンサ電極が多層配線板のグランド層または電源層であることを特徴とする請求項１６〜３５のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項３７】
基板の絶縁材料が樹脂とガラス織布またはガラス不織布からなることを特徴とする請求項１６〜３６のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項３８】
基板の絶縁材料に用いられている樹脂が熱硬化性樹脂であり、そのガラス転移点温度が１７０℃以上であることを特徴とする請求項１６〜３７のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項３９】
基板内部に導体層間を接続するバイアホールを有し，かつ、表面に平滑な金属層を有する基板の表面に比誘電率が１０〜２０００で、かつ、膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜を形成したことを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板用基板。
【請求項４０】
前記バイアホールが金属めっきにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項３９に記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板。
【請求項４１】
前記バイアホールが金属フィラーと樹脂とからなる導電性ペーストにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項３９に記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板。
【請求項４２】
前記バイアホールが化学的な反応により金属化される導電性ペーストにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項３９または請求項４１に記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板。
【請求項４３】
前記誘電体薄膜がチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、二酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛のいずれか、あるいはこれらのいずれかを含む２種以上の固溶体、あるいはこれらのいずれかを含む２種以上の積層体からなる膜であることを特徴とする請求項３９ないし請求項４２いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板。
【請求項４４】
前記誘電体薄膜の形成方法が真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタリング法、ゾルゲル法のいずれかであることを特徴とする請求項３９ないし請求項４３のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板。
【請求項４５】
前記誘電体薄膜の形成時の基板温度が２５℃〜３５０℃であることを特徴とする請求項３９ないし請求項４４のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板。
【請求項４６】
前記基板の絶縁材料が樹脂とガラス織布またはガラス不織布からなることを特徴とする請求項３９ないし請求項４５のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板。
【請求項４７】
前記基板の絶縁材料に用いられている樹脂が熱硬化性樹脂であり，そのガラス転移点温度が１７０℃以上であることを特徴とする請求項３９ないし請求項４６のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板。
【請求項４８】
前記金属層が銅からなり，かつその表面に銅の酸化保護皮膜となる金属として、白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、イリジウムからなる群から選ばれた１種以上の金属膜を設けることを特徴とする請求項３９ないし請求項４７のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板。
【請求項４９】
前記金属層が銅からなり，かつその表面に安定した自己酸化皮膜を形成する金属として、クロム、モリブデン、チタン、ニッケルからなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属膜を設けることを特徴とする請求項３９ないし請求項４７のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板。
【請求項５０】
前記金属層の表面粗さが０．０１〜０．５μｍであることを特徴とする請求項３９ないし請求項４９のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板。
【請求項５１】
請求項３９ないし請求項５０のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板を内層板として用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、
１）前記誘電体薄膜の表面に１０〜５０μｍの金属層を形成する工程と、
２）前記金属層の任意の部分を残してエッチング除去して所望の第１のコンデンサ電極を形成する工程と、
３）前記誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、
４）誘電体薄膜を除去して現れた金属層の少なくともコンデンサ誘電体を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望の第２のコンデンサ電極を含む導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項５２】
前記誘電体薄膜の表面に形成する金属層がクロム、モリブデン、チタン、ニッケルからなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属層を含むことを特徴とする請求項５１に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項５３】
請求項３９ないし請求項５０のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板を内層板として用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、
１）前記誘電体薄膜の表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、
２）第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残して金属めっきレジストを形成する工程と、
３）金属めっきにより１０〜５０μｍの第１のコンデンサ電極を形成する工程と、
４）前記金属めっきレジストを除去する工程と、
５）前記誘電体薄膜の表面に形成した０．１〜５μｍの前記金属層をエッチング除去する工程と、
６）誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、
７）誘電体薄膜を除去して現れた金属層の少なくともコンデンサ誘電体を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望の第２のコンデンサ電極を含む導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項５４】
誘電体薄膜の表面に形成する金属層がクロム、モリブデン、チタン、ニッケルからなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属層を含むことを特徴とする請求項５３に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項５５】
前記金属めっきが銅、銀、錫、ニッケル、亜鉛からなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属を含むことを特徴とする請求項５３または請求項５４に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項５６】
請求項３９ないし請求項５０のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板を内層板として用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、
１）前記誘電体薄膜の表面の任意の部分に化学的な反応により金属化される導電性ペーストを用いて１０〜５０μｍの金属層を形成して所望の第１のコンデンサ電極を形成する工程と、
２）前記誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、
３）誘電体薄膜を除去して現れた金属層の少なくともコンデンサ誘電体を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望の第２のコンデンサ電極を含む導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項５７】
化学的な反応により金属化される導電性ペーストの金属粒子が金，白金，銀，銅，パラジウム、ルテニウムからなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属を含み、かつ、その平均粒径が０．１〜１０ｎｍであることを特徴とする請求項５６に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項５８】
請求項３９ないし請求項５０のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板用基板を内層板として用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、
１）誘電体薄膜の任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、
２）コンデンサ誘電体を形成した基板表面に１０〜５０μｍの金属層を形成する工程と、
３）その金属層の任意の部分を残してエッチング除去して所望の第１のコンデンサ電極、第２のコンデンサ電極およびコンデンサ電極と電気的に絶縁された任意の導体パターンを形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項５９】
誘電体薄膜をエッチング除去する方法がイオンビームエッチング法、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法または溶液エッチング法のいずれかであることを特徴とする請求項５１ないし請求項５８のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項６０】
第２のコンデンサ電極が多層配線板のグランド層または電源層であることを特徴とする請求項５１ないし請求項５９のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項６１】
複数の絶縁層と複数の導体層と前記導体層を電気的に接続する導体化されたバイアホールを有する多層配線板であり、かつ、少なくとも１層の絶縁層の比誘電率が２０〜２０００、かつ、膜厚が０．１〜１μｍの誘電体薄膜であり、その絶縁層に対向した電極を備えたコンデンサ内蔵多層配線板であって、
１）第１のコンデンサ電極を形成する導体層のパターンは全てコンデンサの電極を形成し、
２）誘電体薄膜の投影面は第１のコンデンサ電極の投影面を含み、
３）第２のコンデンサ電極を形成する導体層には第２のコンデンサ電極とこの電極と電気的に絶縁された少なくとも１つのパターンを有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板。
【請求項６２】
複数の絶縁層と複数の導体層と前記導体層を電気的に接続する導体化されたバイアホールを有する多層配線板であり、かつ、少なくとも１層の絶縁層の比誘電率が２０〜２０００、かつ、膜厚が０．１〜１μｍの誘電体薄膜であり、その絶縁層に対向した電極を備えたコンデンサ内蔵多層配線板であって、
１）コンデンサの誘電体を形成する誘電体薄膜の投影面に含まれる第１のコンデンサ電極を有し、
２）誘電体薄膜の端部は全て第１のコンデンサ電極を形成する導体層が第２のコンデンサ電極に電気的に接続されたことを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板。
【請求項６３】
第２のコンデンサ電極が多層配線板のグランド層または電源層であることを特徴とする請求項６１または請求項６２に記載のコンデンサ内蔵多層配線板。
【請求項６４】
誘電体薄膜がチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、二酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛のいずれか、あるいはこれらのいずれかを含む２種以上の固溶体、あるいはこれらのいずれかを含む２種以上の積層体からなる膜であることを特徴とする請求項６１ないし請求項６３のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板。
【請求項６５】
基板の絶縁材料が樹脂とガラス織布またはガラス不織布からなることを特徴とする請求項６１ないし請求項６４のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板。
【請求項６６】
基板の絶縁材料に用いられている樹脂が熱硬化性樹脂であり，そのガラス転移点温度が１７０℃以上であることを特徴とする請求項６１ないし請求項６５のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板。
【請求項６７】
第２のコンデンサ電極が銅からなり，かつ、その表面に、白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、イリジウム、クロム、モリブデン、チタン、ニッケルからなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属層を含むことを特徴とする請求項６１ないし請求項６６のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板。
【請求項６８】
第２のコンデンサ電極の表面粗さが０．０１〜０．５μｍであることを特徴とする請求項６１ないし請求項６７のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板。
【請求項６９】
第１のコンデンサ電極が銅、銀、錫、ニッケル、亜鉛、クロム、モリブデン、チタン、ニッケルからなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属層を含むことを特徴とする請求項６１ないし請求項６８のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板。
【請求項７０】
第１のコンデンサ電極が化学的な反応により金属化された導電性ペーストからなり、その金属が白金，金，銀，銅，錫，パラジウム、ルテニウムからなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属を含むことを特徴とする請求項６１ないし請求項６８のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板。
【請求項７１】
請求項６１ないし請求項７０のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板に半導体チップを搭載させたことを特徴とする半導体装置。
【請求項７２】
金属箔の片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を、金属箔が絶縁材料と接するように絶縁材料の少なくとも片面に設けた基板を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、
１）基板表面の誘電体薄膜上の所定の位置にコンデンサ電極となる金属層を形成する工程と、
２）少なくとも基板表面の前記金属層上にエッチングレジストを形成する工程と、
３）キレート剤と過酸化水素を含むエッチャントによって、誘電体薄膜をウェットエッチングする工程と、
４）ウェットエッチング後にエッチングレジストを除去する工程とを有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項７３】
エッチャントのキレート剤濃度が０．００１〜０．５ｍｏｌ／ｌであり、かつ、過酸化水素濃度が１〜５０ｗｔ％であり、かつ、エッチャントのｐＨが２〜７の範囲であることを特徴とする請求項７２に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項７４】
キレート剤が、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸（ＨＩＤＡ）、イミノ二酢酸（ＩＤＡ）、ジヒドロキシエチルグリシン（ＤＨＥＧ）及びこれらのアルカリ塩からなる群から選ばれる少なくとも１つであることを特徴とする請求項７２又は７３に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項７５】
金属箔の片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を、金属箔が絶縁材料と接するように絶縁材料の少なくとも片面に設けた基板を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、
１）基板表面の誘電体薄膜上の所定の位置にコンデンサ電極となる金属層を形成する工程と、
２）少なくとも基板表面の前記金属層上にエッチングレジストを形成する工程と、
３）硫酸、塩酸、りん酸、硝酸及び酢酸からなる群から選ばれる少なくとも１つの酸と過酸化水素を含むエッチャントによって、誘電体薄膜をウェットエッチングする工程と、
４）ウェットエッチング後にエッチングレジストを除去する工程とを有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項７６】
エッチャントの酸の濃度が１〜３０ｗｔ％であり、かつ、過酸化水素濃度が１〜５０ｗｔ％であることを特徴とする請求項７５に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項７７】
エッチングレジストとして感光性ドライフィルムを用いることを特徴とする請求項７２〜７６いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項７８】
感光性ドライフィルムの膜厚が、感光性ドライフィルムによって形成されたエッチングレジストによりウェットエッチングから保護されるコンデンサ電極となる金属層の厚みの１〜３倍であることを特徴とする請求項７７に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項７９】
誘電体薄膜のウェットエッチングが、液温２０〜４５℃のエッチャントで行われることを特徴とする請求項７２〜７８いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項８０】
誘電体薄膜が、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、二酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム及びジルコン酸鉛のいずれか、あるいはこれらのいずれか２種以上を含む固溶体、あるいはこれらのいずれか２種以上を含む積層体からなる膜であることを特徴とする請求項７２〜７９いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項８１】
金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、
１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、
２）金属箔Ｂの任意の箇所をエッチング除去して、上記絶縁材料から形成された絶縁層を露出させる工程と、
３）レーザ照射により、露出された絶縁層を除去して穴を形成し、金属箔Ａを露出させる工程と、
４）穴内を含む基板表面の両面に金属層を形成する工程と、
５）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の誘電体薄膜上の金属層から任意の形状の第１のコンデンサ電極パターンをエッチングで形成する工程と、
６）露出された誘電体薄膜から第１のコンデンサ電極パターンを含む任意の形状のコンデンサ誘電体をエッチングで形成する工程と、
７）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａからコンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状の第２のコンデンサ電極をエッチングで形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項８２】
請求項８１に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、５）又は７）のエッチング工程において、基板の金属箔Ｂを積層した面に任意の形状の回路を形成することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項８３】
金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、
１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、
２）金属箔Ｂの任意の箇所にレーザ照射することにより、金属箔Ｂと上記絶縁材料から形成された絶縁層とを同時に除去して穴を形成し、金属箔Ａを露出させる工程と、
３）穴内を含む基板表面の両面に金属層を形成する工程と、
４）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の誘電体薄膜上の金属層から任意の形状の第１のコンデンサ電極パターンをエッチングで形成する工程と、
５）露出された誘電体薄膜から第１のコンデンサ電極パターンを含む任意の形状のコンデンサ誘電体をエッチングで形成する工程と、
６）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａからコンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状の第２のコンデンサ電極をエッチングで形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項８４】
請求項８３に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、４）又は６）のエッチング工程において、基板の金属箔Ｂを積層した面に任意の形状の回路を形成することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項８５】
金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、
１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、任意の箇所に貫通穴が設けられかつその貫通穴が熱硬化性樹脂と金属フィラーを含む導電性ペーストで充填されている絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、
２）基板表面の少なくとも誘電体薄膜側に金属層を形成する工程と、
３）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の誘電体薄膜上の金属層から任意の形状の第１のコンデンサ電極パターンをエッチングで形成する工程と、
４）露出された誘電体薄膜から第１のコンデンサ電極パターンを含む任意の形状のコンデンサ誘電体をエッチングで形成する工程と、
５）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａにコンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状の第２のコンデンサ電極をエッチングで形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項８６】
金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、
１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、任意の箇所に貫通穴が設けられかつその貫通穴が化学的な反応により金属化される導電性ペーストで充填されている絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、
２）基板表面の少なくとも誘電体薄膜側に金属層を形成する工程と、
３）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の誘電体薄膜上の金属層から任意の形状の第１のコンデンサ電極パターンをエッチングで形成する工程と、
４）露出された誘電体薄膜から第１のコンデンサ電極パターンを含む任意の形状のコンデンサ誘電体をエッチングで形成する工程と、
５）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａからコンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状の第２のコンデンサ電極をエッチングで形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項８７】
請求項８５又は８６に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、３）又は５）のエッチング工程において、基板の金属箔Ｂを積層した面に任意の形状の回路を形成することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項８８】
上記誘電体薄膜と上記金属層との間に、クロム、モリブデン、チタン及びニッケルからなる群から選ばれた少なくとも１種の他の金属層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項８１〜８７いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項８９】
金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、
１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、
２）金属箔Ｂの任意の箇所をエッチング除去して、上記絶縁材料から形成された絶縁層を露出させる工程と、
３）レーザ照射により露出された絶縁層を除去して穴を形成し、金属箔Ａを露出させる工程と、
４）穴内を含む基板の両面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、
５）第１のコンデンサ電極となる部分と穴部を含む任意の部分を残して基板表面に金属めっきレジストを形成する工程と、
６）金属めっきにより、上記の第１のコンデンサ電極となる部分と穴部を含む部分に導体パターンを形成する工程と、
７）金属めっきレジストを除去する工程と、
８）基板表面に露出された０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、
９）露出された誘電体薄膜から第１のコンデンサ電極パターンを含む任意の形状のコンデンサ誘電体をエッチングで形成する工程と、
１０）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａから、エッチングにより、コンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状の第２のコンデンサ電極を形成する工程と、
１１）露出された金属箔Ｂをエッチングにより回路形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項９０】
金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２．μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、
１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、
２）金属箔Ｂの任意の箇所にレーザ照射することにより、金属箔Ｂと上記の絶縁材料から形成された絶縁層とを同時に除去して穴を形成し、金属箔Ａを露出させる工程と、
３）穴内を含む基板の両面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、
４）第１のコンデンサ電極となる部分と穴部を含む任意の部分を残して基板表面に金属めっきレジストを形成する工程と、
５）金属めっきにより、上記の第１のコンデンサ電極となる部分と穴部を含む部分に導体パターンを形成する工程と、
６）金属めっきレジストを除去する工程と、
７）基板表面に露出された０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、
８）露出された誘電体薄膜から、第１のコンデンサ電極パターンを含む任意の形状のコンデンサ誘電体をエッチングで形成する工程と、
９）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａから、コンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状の第２のコンデンサ電極を形成する工程と、
１０）露出された金属箔Ｂをエッチングにより回路形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項９１】
金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、
１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、任意の箇所に貫通穴が設けられかつその貫通穴が熱硬化性樹脂と金属フィラーを含む導電性ペーストで充填されているプリプレグを介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、
２）基板の少なくとも誘電体薄膜側の表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、
３）第１のコンデンサ電極となる部分を含む任意の部分を残して基板表面に金属めっきレジストを形成する工程と、
４）金属めっきにより第１のコンデンサ電極となる部分を含む部分に導体パターンを形成する工程と、
５）金属めっきレジストを除去する工程と、
６）基板表面に露出された０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、
７）露出された誘電体薄膜から、第１のコンデンサ電極パターンを含む任意の形状のコンデンサ誘電体をエッチングで形成する工程と、
８）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａから、エッチングにより、コンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状の第２のコンデンサ電極を形成し、露出された金属箔Ｂをエッチングにより回路形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項９２】
金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、
１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、任意の箇所に貫通穴が設けられかつその貫通穴が化学的な反応により金属化される導電性ペーストで充填されているプリプレグを介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、
２）基板の少なくとも誘電体薄膜側の表面に０．１〜５μｍの金属層を形成する工程と、
３）第１のコンデンサ電極となる部分を含む任意の部分を残して基板表面に金属めっきレジストを形成する工程と、
４）金属めっきにより第１のコンデンサ電極となる部分を含む部分に導体パターンを形成する工程と、
５）金属めっきレジストを除去する工程と、
６）基板表面に露出された０．１〜５μｍの金属層をエッチング除去する工程と、
７）露出された誘電体薄膜から、第１のコンデンサ電極パターンを含む任意の形状のコンデンサ誘電体をエッチングで形成する工程と、
８）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａから、エッチングにより、コンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状の第２のコンデンサ電極を形成し、露出された金属箔Ｂをエッチングにより回路形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項９３】
少なくとも誘電体薄膜の表面に形成する０．１〜５μｍの金属層が、（１）クロム、モリブデン、チタン及びニッケルからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属層であるか、（２）銅、銀、錫、ニッケル及び亜鉛からなる群から選ばれた少なくとも１種の金属層であるか、又は、（３）クロム、モリブデン、チタン及びニッケルからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属層と銅、銀、錫、ニッケル及び亜鉛からなる群から選ばれた少なくとも１種の金属層とを含むものであることを特徴とする請求項８９〜９２いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項９４】
金属めっきにより形成される導体パターンが、銅、銀、錫、ニッケル及び亜鉛からなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属を含むことを特徴とする請求項８９〜９３いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項９５】
金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、
１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、任意の箇所に貫通穴が設けられかつその貫通穴が熱硬化性樹脂と金属フィラーを含む導電性ペーストで充填されている絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、
２）誘電体薄膜の表面の任意の部分に化学的な反応により金属化される導電性ペーストを用いて金属層を形成して所望の第１のコンデンサ電極を形成する工程と、
３）誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、
４）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａから、エッチングにより、コンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状の第２のコンデンサ電極を形成し、露出された金属箔Ｂをエッチングにより回路形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項９６】
金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、
１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、任意の箇所に貫通穴が設けられかつその貫通穴が化学的な反応により金属化される導電性ペーストで充填されている絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、
２）誘電体薄膜の表面の任意の部分に化学的な反応により金属化される導電性ペーストを用いて金属層を形成して所望の第１のコンデンサ電極を形成する工程と、
３）誘電体薄膜の少なくとも第１のコンデンサ電極を含む任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、
４）誘電体薄膜を除去して現れた金属箔Ａから、エッチングにより、コンデンサ誘電体パターンを含む任意の形状の第２のコンデンサ電極を形成し、露出された金属箔Ｂをエッチングにより回路形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項９７】
金属箔Ａの表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、
１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、
２）誘電体薄膜の任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、
３）金属箔Ｂの任意の箇所をエッチング除去して、上記絶縁材料から形成された絶縁層を露出させる工程と、
４）レーザ照射により露出された絶縁層を除去して穴を形成し、金属箔Ａを露出させる工程と、
５）穴内を含む基板表面の両面に金属層を形成する工程と、
６）その金属層及び金属箔Ａの任意の部分を残してエッチング除去して、所望の第１のコンデンサ電極及び第２のコンデンサ電極を形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項９８】
金属箔Ａの表面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、
１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、
２）誘電体薄膜の任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、
３）金属箔Ｂの任意の箇所にレーザ照射することにより、金属箔Ｂと上記絶縁材料から形成された絶縁層を同時に除去して穴を形成して金属箔Ａを露出させる工程と、
４）穴内を含む基板表面の両面に金属層を形成する工程と、
５）その金属層及び金属箔Ａの任意の部分を残してエッチング除去して、所望の第１のコンデンサ電極及び第２のコンデンサ電極を形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項９９】
金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、
１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、任意の箇所に貫通穴が設けられかつその貫通穴が熱硬化性樹脂と金属フィラーを含む導電性ペーストで充填されている絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、
２）誘電体薄膜の任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、
３）基板の少なくともコンデンサ誘電体を有する表面に金属層を形成する工程と、
４）その金属層及び金属箔Ａの任意の部分を残してエッチング除去して、所望の第１のコンデンサ電極及び第２のコンデンサ電極を形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項１００】
金属箔Ａの片面に比誘電率が１０〜２０００でかつ膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法であって、
１）コンデンサ内蔵多層配線板用材料の金属箔Ａの面に、任意の箇所に貫通穴が設けられかつその貫通穴が化学的な反応により金属化される導電性ペーストで充填されている絶縁材料を介して金属箔Ｂを積層し基板とする工程と、
２）誘電体薄膜の任意の部分を残してエッチング除去して所望のコンデンサ誘電体を形成する工程と、
３）基板の少なくともコンデンサ誘電体を有する表面に金属層を形成する工程と、
４）その金属層及び金属箔Ａの任意の部分を残してエッチング除去して、所望の第１のコンデンサ電極及び第２のコンデンサ電極を形成する工程を有することを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項１０１】
化学的な反応により金属化される導電性ペーストが、金、白金、銀、銅、パラジウム及びルテニウムからなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属粒子を含み、かつその金属粒子の平均粒径が０．１〜１０ｎｍであることを特徴とする請求項８６、９２、９５、９６又は１００に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項１０２】
誘電体薄膜をエッチング除去する方法が、イオンビームエッチング法、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法又は溶液エッチング法のいずれかであることを特徴とする請求項８１〜１０１いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項１０３】
第２のコンデンサ電極が多層配線板のグランド層又は電源層であることを特徴とする請求項８１〜１０２いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項１０４】
基板の絶縁層の形成に用いられる絶縁材料が樹脂とガラス織布又はガラス不織布からなるプリプレグであることを特徴とする請求項８１〜１０３いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項１０５】
基板の絶縁層の形成に用いられる絶縁材料が、樹脂として熱硬化性樹脂を含有するプリプレグであって、その熱硬化性樹脂のガラス転移点温度が１７０℃以上であることを特徴とする請求項８１〜１０４いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項１０６】
誘電体薄膜がチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、二酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ジルコン酸鉛及びニオブ酸マグネシウム酸鉛−チタン酸鉛のいずれか、あるいはこれらのいずれか２種以上を含む固溶体、あるいはこれらのいずれか２種以上を含む積層体からなる膜であるコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いたことを特徴とする請求項８１〜１０５いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項１０７】
金属箔Ａが銅からなり、かつ誘電体薄膜が形成される面に銅の酸化保護皮膜となる金属として、白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム及びイリジウムからなる群から選ばれた１種以上の金属膜を設けたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いたことを特徴とする請求項８１〜１０６いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項１０８】
金属箔Ａが銅からなり、かつ誘電体薄膜が形成される面に安定した自己酸化皮膜を形成する金属として、クロム、モリブデン、チタン及びニッケルからなる群から選ばれた１種以上の金属膜を設けたコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いたことを特徴とする請求項８１〜１０６いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項１０９】
金属箔Ａの誘電体薄膜が形成される面の表面粗さが０．０１〜０．５μｍであるコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用いたことを特徴とする請求項８１〜１０８いずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。

【国際公開番号】ＷＯ２００４／０８４５９７
【国際公開日】平成１６年９月３０日（２００４．９．３０）
【発行日】平成１８年６月２９日（２００６．６．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−５０３７５１（Ｐ２００５−５０３７５１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＪＰ２００４／００３７２９
【国際出願日】平成１６年３月１９日（２００４．３．１９）
【出願人】（０００００４４５５）日立化成工業株式会社 (4,649)
【Ｆターム（参考）】