【課題】薄膜キャパシタの導電層と誘電層との界面での剥離を抑えることが可能な多層配線基板およびその製造方法、並びにこの多層配線基板を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】上部電極および下部電極の間に誘電層を有する薄膜キャパシタを備えた機能領域と、前記機能領域以外の周辺領域とを有し、前記周辺領域の少なくとも一部に、前記誘電層および導電層が積層された係留部が設けられ、前記導電層の前記誘電層に接する面のラフネスが、前記上部電極または前記下部電極の前記誘電層に接する面のラフネスよりも大きい多層配線基板。チップおよび前記多層配線基板を備えた半導体装置。 （もっと読む）

【課題】層間密着性に優れ、高温高湿の環境下においても誘電特性の変動が少なく、伝送損失の小さい電子部品内蔵型多層基板を提供すること。
【解決手段】第一の誘電体層４の少なくとも片面に回路パターン３，５により受動素子３ａ，５ａを形成してなる回路板の両面に、第一の誘電体層４よりも低い比誘電率を有する第二の誘電体層２，６を積層してなる積層板を含んでなり、第一の誘電体層４は脂環式構造含有ポリマー及び無機充填剤を含む架橋性樹脂成形体（Ｉ）を硬化してなるものである、電子部品内蔵型多層基板。 （もっと読む）

【課題】複数の導波管が重ね合わされ、各導波管の内部が誘電体で充填された構成において、高集積化及び軽量化を図ることができるとともに、信頼性を向上させることができる多層導波管、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基礎導波管形成部１０１と積層導波管形成部１０２とは、絶縁性の第１の接着剤５０により互いに接着されている。基礎導波管形成部１０１は、互いに間隔をおいて対向配置された板状の第１及び第２の主導体１ａ，１ｂと、それらの間に充填された第１の誘電体２とを有している。積層導波管形成部１０２は、第３の主導体２１と、第３の主導体層２１の主面に層状に形成された第２の誘電体２２とを有している。第２の誘電体２２の主面における第２の貫通導体２３ａの接着剤５０に接する側には、第２の誘電体２２の主面から突出するように、ランド２４が設けられている。 （もっと読む）

電圧切り替え型誘電体材料（ＶＳＤＭ）を含むプリント回路ボードが開示される。このＶＳＤＭは、プリント回路ボード上に配置されるかあるいはその中に埋め込まれた電子素子を、静電放電のような放電あるいは電気的な過大ストレスに対して保護するために用いられる。過大電圧事象の間、ＶＳＤＭ層は過剰電流をアースに分路し、それによって電子素子の破壊または損傷を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】寄生インダクタンスの影響を抑え、設計の自由度を保ちつつキャパシタ−レジスタ回路を配置できる多層配線基板を提供する。
【解決手段】複数の絶縁性基板が積層された多層配線基板１は、複数の絶縁性基板の少なくとも１つを貫通する第１接続部２１Ａを有し、電源を供給する電源パターンと、複数の絶縁性基板の少なくとも１つを貫通する第２接続部２２Ａを有し、基準電圧を形成するグラウンドパターンと、高誘電率材料からなるキャパシタ部３１と、高抵抗材料からなるレジスタ部３２と、キャパシタ部とレジスタ部との間に形成される電極部３３とを備え、電源パターンとグラウンドパターンとを電気的に直列に接続するように配置されるキャパシタ−レジスタ回路部３０とを備え、キャパシタ−レジスタ回路部は、キャパシタ部、レジスタ部、及び電極部が複数の絶縁性基板の面方向に積層されて形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ノイズ除去性能が高い半導体パッケージ基板を提供する。
【解決手段】この半導体パッケージ基板３では、基板３を貫通して半導体チップ１の電源バンプＢ１とプリント配線基板２の電源パッドＰ１１とを接続するためのビアホールＶＨ１と、基板３を貫通して半導体チップ１の接地バンプＢ２とプリント配線基板２の接地パッドＰ１２とを接続するためのビアホールＶＨ２との間に、比誘電率が高く、ビアホールＶＨ１，ＶＨ２と略同じ長さを有する絶縁部材７を設け、ビアホールＶＨ１，ＶＨ２と絶縁部材７とでコンデンサ８を構成する。したがって、半導体チップ１で発生したノイズは、コンデンサ８でバイパスされる。 （もっと読む）

【課題】簡単なレイアウトでコストアップ無くプリント配線基板の給電系雑音の低減することができるプリント配線基板を提供する。
【解決手段】プリント配線基板１０１において、半導体装置１０２の電源端子１０３とバイパスコンデンサ１０７の一端とを接続する電源配線１１０と、プリント配線基板１０１のグランド層に接続されるビアホール１０６ａと、半導体装置１０２のグランド端子１０４とビアホール１０６ａとを接続するグランド引き出し配線１１１とを備え、バイパスコンデンサ１０７、電源配線１１０、電源端子１０３、およびビアホール１０６ａを同一直線上に配置した。 （もっと読む）

基板およびパッケージデバイスのためのコア層構造が提供される。このコア層構造は、第１の層、第１の層と組み合わされる第２の層、および第１と第２の層の間に設けられた、電圧で切替可能な誘電体（ＶＳＤ）材料の層を備えている。
（もっと読む）

【課題】機械的強度に優れていて変形も少ないセラミック基体を有するとともに、セラミック基体との接着強度及び同時焼結性に優れた低抵抗かつ好適形状の導体を有するセラミック部品を提供すること。
【解決手段】本発明のセラミック配線基板１０は、銅の融点よりも高い温度で焼結するセラミックを主体とするセラミック基体１１に導体１８，１９，２３，２７，２８が形成されたものである。導体１８，１９，２３，２７，２８は、無機化合物フィラーと銅との混合相からなる。フィラーは、チタン−アルミニウム系金属化合物、チタン酸化物及びアルミニウム酸化物のうちから選択される少なくとも２種の無機化合物を主体とする。フィラー中のチタン酸化物及びアルミニウム酸化物としては、チタン−アルミニウム系金属化合物が熱分解して酸化することにより生じたものが好適である。 （もっと読む）

【課題】導体の脱落を抑制でき、かつ高周波のノイズの遮断が容易なキャパシタ内蔵基板およびキャパシタ内蔵基板の製造方法を提供する。
【解決手段】内蔵基板は、導電層１２と基板１３とキャパシタ１４と導体１８とを備え、上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの開口形状の短手方向の寸法が１５０μｍ以下であり、かつ短手方向の寸法に対する貫通孔１３ｂの深さの比が２／３以上であり、キャパシタ１４から導電層１２まで最小の距離をなす方向に対して直交する方向の導体１８の面積が０．０９ｍｍ²以上である。導電層１２は接地電位とする。基板１３は、導電層１２上に形成され、上面１３ａから導電層１２に達する貫通孔１３ｂを有している。キャパシタ１４は上面１３ａ上に形成されている。導体１８は、貫通孔１３ｂの内部に充填され、導電層１２とキャパシタ１４とを電気的に接続している。 （もっと読む）

【課題】電磁気バンドギャップ構造物及び印刷回路基板を提供する。
【解決手段】誘電層２２０、３１５、３２５と、複数の導電板２１０、２３０、３１０、３２０と、上記誘電層を貫通し、その一部分が上記導電板とは異なる平面上を経由して上記導電板と導電板間を電気的に接続させるステッチングビア２４０と、貫通ビア３３０と、を含み、上記誘電層、上記導電板、及び上記ステッチングビアは、任意の二つの導電層の間に位置し、上記貫通ビアは上記導電板に設けられたクリアランスホール２５０、３４０を貫通して上記任意の二つの導電層を電気的に接続させることを特徴とする電磁気バンドギャップ構造物。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ面積が増大することを効果的に抑制するとともに、キャパシタ容量値を調整することのできるキャパシタ、キャパシタ内蔵配線基板、及びその製造方法を提供すること
【解決手段】本発明の第１の態様にかかるキャパシタ１は、基板１０１上に形成された下部電極１０２と、下部電極１０２上に形成された第１絶縁膜１０３と、第１絶縁膜１０３を介して下部電極１０２と対向配置され、下部電極１０２上に電極開口部１０６を有する上部電極１０４と、電極開口部１０６内に設けられた第２絶縁膜１０５と、を備え、電極開口部１０６の側面となる部分の上部電極１０４は、電極開口部１０６の底面と重複する部分の下部電極１０２よりも面積が大きいものである。 （もっと読む）

【課題】異種セラミック同士が多層化された構造を有しながら、焼成によるデラミネーション及び反り等の不具合が抑制されたセラミック多層部品を提供する。
【解決手段】絶縁体部１１０と、絶縁体部内に配設された複数の電極層１２０と、を備え、絶縁体部１１０は、低誘電率層１１１及び１１３と、高誘電率層１１２と、を有し、低誘電率層は、低誘電率層ガラス及び低誘電率層無機フィラーを含有し、高誘電率層は、高誘電率層ガラス及び高誘電率層無機フィラーを含有するセラミック多層部品であって、低誘電率層ガラスと高誘電率層ガラスとは同一組成系であり、セラミック多層部品全体の厚さをＤとした場合に高誘電率層１１２は実装面ｄ１側からＤ／２の範囲に配設されており、且つ、絶縁体部１１０のうちの実装面ｄ１側の最外層に厚さＤに対して３．５％以上の低誘電率層１１３を備える。 （もっと読む）

【課題】 プリント基板内層における差動配線において、誘電損失と抵抗損失による高周波成分の減衰とそれによるデジタル信号の波形歪を低減し良好な高速信号特性と低コストを両立させる。
【解決手段】 プリント基板内層における差動配線対の間に、これら差動配線を含む層を上下から挟む誘電体層よりも低誘電率の誘電材料を配置した構造とすることで、差動配線間の前方クロストーク係数を負にし、お互いの前方クロストークが差動信号に重畳することで、波形の立ち上がり、下がりの波形歪を軽減する。 （もっと読む）

【課題】誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板を提供すること。
【解決手段】主成分として８０ｗｔ％以上のＢａＴｉＯ_３と、副成分として２０ｗｔ％以下のＣｕＢｉ_２Ｏ_４及びＺｎＯ−Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２系ガラスを含む誘電体組成物と、セラミックシートの内部電極が印刷された複数のセラミックグリーンシートが積層されたセラミック積層体の内部に、複数の誘電体層と、前記誘電体層の間に形成され前記セラミックシートの内部電極に接続された複数のキャパシタの内部電極を含み、上記誘電体組成物を含む積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率の部材で絶縁層を形成する必要のある素子と、インダクタとを近接して配置しても、インダクタの共振周波数を高く保つことが可能な多層プリント配線板を提供する。
【解決手段】多層プリント配線板１０は少なくとも第一の絶縁層１１、第二の絶縁層１２、および第三の絶縁層１３が順に重ねて配されてなる。また、第二の絶縁層１２と第三の絶縁層１３との間には、インダクタ１５が形成されている。そして、第一の絶縁層１１、第二の絶縁層１２、および第三の絶縁層１３のうち、少なくとも１つの絶縁層は、他の絶縁層に対して誘電率の異なる部材で形成されている。 （もっと読む）

【課題】チタン酸バリウム系の高誘電率セラミック層と低誘電率セラミック層との積層体を、低温焼成によってデラミネーションやクラックを抑制しつつ接合することである。
【解決手段】低誘電率の絶縁体からなる低誘電率層と高誘電率の誘電体からなる高誘電率層との共焼結によって得られるセラミック多層基板を提供する。低誘電率層は、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ_２−ｚＺｎＯ（ｘ、ｙ、ｚは、それぞれ、モル比率を示し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１；０．０９≦ｘ≦０．２０；０．４９≦ｙ≦０．６１；０．１９≦ｚ≦０．４２）の組成を有する低誘電率セラミック成分と、この低誘電率セラミック成分１００重量部に対して１．０重量部以上、５．０重量部以下添加されている酸化ホウ素含有ガラス成分と含む。高誘電率層が、ＣｕＯおよびＢｉ_２Ｏ_３が添加されたチタン酸バリウム系誘電体からなる。 （もっと読む）

【課題】
小型、かつ、湿度や温度の影響を受けにくく、長期的な信頼性の高い電子部品を提供する。
【解決手段】
受動素子を内蔵した低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）基板１０と；ＬＴＴＣ基板１０の表面上に形成され、インダクタ固定に用いられる固定用樹脂絶縁層３１と；固定用樹脂絶縁層３１のＬＴＴＣ基板１０側と接触していない表面上に形成されたスパイラル状の金属銅製のインダクタ３２と；を備える構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】回路が動作することにより発生する放射ノイズを低減するために最も有効な磁性材料と実装形態を有する多層プリント配線基板を実現・提供すること。
【解決手段】内部導電体層としてグランド層３２１及び電源層３２２を有する多層プリント配線基板において、グランド層３２１及び電源層３２２の信号層３５１、３５２と対向する面上に、結合剤等の非磁性構成要素を含まない磁性体層３３１、３３２即ち磁性構成要素のみからなる磁性体層３３１、３３２を化学結合又はファン・デル・ワールス力等の作用で隙間なく密着形成した。 （もっと読む）

【課題】容易かつ安価に製造することができる高性能のキャパシタを提供すること。また、本発明のキャパシタを実装しても他の回路要素の実装スペースを確保することができる多層配線板を提供すること。
【解決手段】本発明の多層配線板１Ａは、２枚の積層配線板３Ａ、３Ｂの間にキャパシタ２を内蔵している。このキャパシタ２は、２枚の電極５の間に金属ガラス粉末６を含む誘電体４を挟んで形成される。また、このキャパシタ２は、２枚の電極５を上方の積層配線板３Ａの把持穴８の周辺に予め形成しておき、その把持穴８に誘電体４を挿入して形成される。 （もっと読む）