誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板
【課題】誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板を提供すること。
【解決手段】主成分として８０ｗｔ％以上のＢａＴｉＯ３と、副成分として２０ｗｔ％以下のＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスを含む誘電体組成物と、セラミックシートの内部電極が印刷された複数のセラミックグリーンシートが積層されたセラミック積層体の内部に、複数の誘電体層と、前記誘電体層の間に形成され前記セラミックシートの内部電極に接続された複数のキャパシタの内部電極を含み、上記誘電体組成物を含む積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板を提供する。
【解決手段】主成分として８０ｗｔ％以上のＢａＴｉＯ３と、副成分として２０ｗｔ％以下のＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスを含む誘電体組成物と、セラミックシートの内部電極が印刷された複数のセラミックグリーンシートが積層されたセラミック積層体の内部に、複数の誘電体層と、前記誘電体層の間に形成され前記セラミックシートの内部電極に接続された複数のキャパシタの内部電極を含み、上記誘電体組成物を含む積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板を提供する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板に関するもので、より詳細には、高誘電率を示して低温焼成が可能な誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種電子製品は小型化され、高周波数化される傾向がある。そこで、素子を表面実装素子チップ形態で基板の表面に実装させるのではなく、回路パターンの印刷された基板の内部に内蔵させることによって、製品全体としての体積を減らし、基板の集積度を高めることのできる技術が注目を浴びている。
【０００３】
基板上に部品として存在していたチップ形態の素子を層形態（例えば、キャパシタ）で形成し基板内に内蔵させると、チップによる体積の増加を抑えることができる。また、キャパシタの場合は、チップ形態のキャパシタより層形態のキャパシタがより高周波特性（寄生インダクタンスが小さい）に優れているため、様々な方法を駆使してチップを基板内に内蔵させようという試みが行われている。
【０００４】
印刷回路基板は、誘電層の素材の種類によって大きく２つに分けることができる。その一つとして、高分子有機素材を誘電層として用いるＰＣＢ（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）が広く用いられており、ＰＣＢで回路パターンを形成する方法としてはメッキ法が用いられる。他方、セラミック素材を用いる基板は、主にスクリーンプリンティングで回路パターンを形成し、誘電層と電極を同時に焼成して作製する。通常、焼成工程は８００℃以上で行われる。
【０００５】
二つの基板は、材料と工程の面で非常に異なるものであるが、実際の製品は、多層に積層された積層体の間に回路パターンが形成された構造を有しており、それがほとんど類似しているため、応用範囲としては重なる部分が多い。しかし、上述したように、材料及び工程における技術内容が完全に異なるため、１つの技術をもって、２種類の基板に同様に適用されることは多くはない。
【０００６】
セラミック基板にキャパシタを内蔵する場合、セラミックとガラスを含むセラミックグリーンシートの間にキャパシタ用誘電体層を形成し、内部電極を夫々形成して同時に焼成を行う。キャパシタにおいては、誘電率特性が重要な要素となるが、高誘電率及び環境的要因のために、従来使用されていた鉛（Ｐｂ）に代わってチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を誘電体層に用いる組成物の主成分として用いることができる。しかし、ＢａＴｉＯ３の場合、低温焼成を誘導する焼成助剤を用いなければ、１４００℃以上での焼成が可能になるに過ぎず、焼成助剤を用いたとしても１０００℃以下での焼成は困難となる。
【０００７】
キャパシタを内蔵するセラミック基板の場合、誘電率と焼成可能温度が重要である。セラミック基板の場合、セラミックシート内に電気導電性のよいＡｇまたはＣｕのような金属を印刷して電極を形成し、これを焼成して回路パターンが形成された基板を完成する。従って、セラミック基板の焼成温度は少なくともＡｇ、Ｃｕの融点より低くなければならない。しかし、キャパシタを内蔵する場合、内蔵されたキャパシタと共に焼成しなければならずその焼成温度は少なくともＡｇ、Ｃｕの融点より低くなければならないが、上述したように低い温度で焼成するとキャパシタの誘電体は焼成が未完成で、誘電率が低くなり得るという問題があった。
【０００８】
そこで、低温焼成後にも高誘電率を示すことのできる積層セラミックキャパシタを内蔵する低温同時焼成セラミック基板を作製する技術の開発が求められていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述した問題点に鑑みてなされたものであって、本発明は、高誘電率を示しながら低温焼成が可能な誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板を提供することをその目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述の技術的課題を解決し目的を達成するために、本発明の一側面によれば、主成分として８０ｗｔ％以上のＢａＴｉＯ３と、副成分として２０ｗｔ％以下のＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスと、を含む誘電体組成物が提供される。
【００１１】
ここで、ＣｕＢｉ２Ｏ４の含量は、ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して４ｗｔ％〜１０ｗｔ％であることが好ましい。また、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスの含量は、ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して１ｗｔ％〜５ｗｔ％であることが好ましい。
【００１２】
特に、ＣｕＢｉ２Ｏ４の含量は、ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して６ｗｔ％であって、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスの含量は、ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して４ｗｔ％であることが好ましい。さらに、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスにおけるＺｎＯの含量は、ガラスの重量全体に対して５０ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下となることが好ましい。
【００１３】
主成分であるＢａＴｉＯ３の粒子の平均粒径は可能な限り小さなものが好ましいが、５００ｎｍ以下とすることができる。また、誘電体組成物の焼成温度は６００℃〜９５０℃であることが好ましい。
【００１４】
本発明の他の側面によれば、セラミックシートの内部電極が印刷された複数のセラミックグリーンシートが積層されたセラミック積層体の内部に、複数の誘電体層、誘電体層の間に形成されセラミックシートの内部電極と電気的に接続された複数のキャパシタの内部電極を含み、誘電体層は主成分としてＢａＴｉＯ３８０ｗｔ％と、副成分としてＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスを２０ｗｔ％含む誘電体組成物を含み、積層セラミックキャパシタを内蔵することを特徴とする積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板が提供される。
【００１５】
セラミックシートの内部電極は、ＡｇまたはＣｕのうちいずれかの金属が含まれることが好ましく、積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板は、焼成温度を６００℃〜９５０℃とすることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明による誘電体組成物は１１００℃以下で焼成が可能でありながらも高温絶縁抵抗の特性が良好である上、Ｘ５Ｒ特性を満たすことのできる誘電体が得られる。
【００１７】
従って、このような誘電体組成物を用いて積層セラミックキャパシタを製造すると、比較的低温で焼成されたＢａＴｉＯ３誘電体層が均一に焼成され、これにより内部電極層と誘電体層間の焼成による収縮の不一致を減少させ、内部電極が固まるのを抑止でき、短絡発生率を最小化し、同時に静電容量を最大化することができるという効果を奏する。
【００１８】
同様に、優れた電気的特性を有したまま、高温絶縁抵抗特性を大きく向上させてＸ５Ｒ特性を満たすことができる信頼性の高い積層セラミックキャパシタの製造が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。本実施形態は、様々な形態及び態様に変更が可能であり、本発明の範囲が以下に説明する実施形態によって限定されるものではない。本実施形態は、当該分野における通常の知識を有する者が本発明をより完全に理解するために提供されるものである。従って、図面における要素の形状及び大きさ等はより明確な説明のために誇張されることがある。
【００２０】
本発明の一実施形態による誘電体組成物は、主成分として８０ｗｔ％以上のＢａＴｉＯ３と、副成分として２０ｗｔ％以下のＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスを含む。
【００２１】
本発明の実施例による誘電体組成物において、誘電率を改善するためにチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）をセラミック充填剤として用いることができる。上述のように、従来では、所望の水準の誘電率を得るために鉛（Ｐｂ）を充填剤として用いていた。しかし、Ｐｂが環境に対して及ぼす影響を考慮して、Ｐｂの代わりにＢａＴｉＯ３をセラミック充填剤として用いる。
【００２２】
充填剤の粒径は、誘電率及び低温焼成性に影響を与える。充填剤の粒径は小さいほど焼成が容易で、粒径が大きいと焼成が困難となる。従って、主成分であるＢａＴｉＯ３の平均粒径は５００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２３】
但し、ＢａＴｉＯ３は低温焼成を誘導する焼成助剤を用いなければ１４００℃以上で焼成が可能で、焼成助剤を用いても１０００℃以下では焼成が困難であるため、本発明の一実施例によりＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスをさらに含んだ誘電体組成物を製造する。
【００２４】
誘電体組成物においては充填剤の含量を増加させることが、誘電率を高くする方法の１つとなる。しかしながら、充填剤が多く含まれると低温焼成が困難となることが問題となる。従って、ＢａＴｉＯ３のほかに焼成温度をは低くするための成分を含ませることが必要となる。
【００２５】
本発明の一実施例として、主成分であるＢａＴｉＯ３以外に、副成分としてＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２を用いることができる。副成分としてＣｕＢｉ２Ｏ４を用いることによって、焼成温度を８００℃〜９００℃以下におさえることができる。ＣｕＢｉ２Ｏ４はＣｕＯ及びＢｉ２Ｏ３を混合して形成した結晶質のセラミック化合物である。
【００２６】
ここで、ＣｕＢｉ２Ｏ４の含量はＢａＴｉＯ３の重量全体に対して４ｗｔ％〜１０ｗｔ％であることが好ましい。ＣｕＢｉ２Ｏ４の含量が少なすぎても誘電体組成物全体の焼成温度への影響は微々たるものであるが、逆に高すぎると誘電率を低下させることとなる。
【００２７】
また、副成分として、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスを添加することができる。ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスは、誘電体組成物の焼成温度を低くおさえる役割を担う上、誘電損失をも抑えることができる。該ガラスの組成の中でも、ＺｎＯの含量がガラスの重量全体に対して５０ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下となることが好ましい。
【００２８】
ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスの含量が、ＣｕＢｉ２Ｏ４の含量のように少量であっても全体誘電体組成物の焼成温度の低下及び誘電損失の低下に及ぼす影響は微々たる物であるが、逆に多すぎると誘電率が低下することができる点を考慮して、これらの含量比を選択することができる。従って、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスの含量は、ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して１ｗｔ％〜５ｗｔ％であることが好ましい。
【００２９】
このうち、焼成温度を９５０℃以下のままで、誘電損失を最大限に低下させるためのＣｕＢｉ２Ｏ４の含量としては、ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して６ｗｔ％であって、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスの含量は、ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して４ｗｔ％であることが好ましい。
【００３０】
したがって、セラミック充填剤のＢａＴｉＯ３を主成分としてＣｕＢｉ２Ｏ４とＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスを副成分として含む誘電体組成物は、ＢａＴｉＯ３を主成分として用いたにも関わらず、その焼成温度を６００℃〜９５０℃とすることができる。この温度でも本発明による誘電体組成物を焼成することが可能で、焼成により誘電体組成物は比較的に高い誘電率を示す。
【００３１】
本発明による誘電体組成物を製造するために、主成分であるＢａＴｉＯ３、副成分であるＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスを所定の含量に計量し、添加剤及び溶媒を適切に用いてスラリー状に形成して用いる。誘電体スラリーは、誘電体シートの形態として形成され積層される。このような誘電体組成物は、以下で説明する低温同時焼成セラミック基板内に積層セラミックキャパシタとして内蔵される。
【００３２】
本発明の他の側面によれば、セラミックシートの内部電極が印刷された複数のセラミックグリーンシートが積層されたセラミック積層体の内部には、複数の誘電体層と、誘電体層の間に形成されセラミックシートの内部電極に電気接続された複数のキャパシタの内部電極とを含み、誘電体層は、主成分としてＢａＴｉＯ３を８０ｗｔ％と、副成分としてＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスを２０ｗｔ％含む誘電体組成物を含む積層セラミックキャパシタを内蔵することを特徴とする積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板が提供される。
【００３３】
図１は、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ）内蔵型低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）基板１００の断面図である。以下、図１を参照して説明するが、誘電体組成物は上述した説明と同一であるため、その説明は省略する。
【００３４】
本発明のＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板１００は、セラミックシートの内部電極１２１、１２２が印刷された複数のセラミックグリーンシート１１１、１１２、１１３、１１４が積層されたセラミック積層体１１０の内部に積層セラミックキャパシタ１３０を内蔵している。
【００３５】
セラミックシートの内部電極１２１、１２２は、セラミックグリーンシート１１１、１１２、１１３、１１４間を電気的に接続し、セラミックグリーンシート及び積層セラミックキャパシタ１３０を電気的に接続すると共にＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板１００と外部電源を接続するための電極である。但し、ＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板１００は、セラミックシートの内部電極のうち、その一部が外部表面に露出した内部電極１２１に対しては、外部電極（不図示）を形成して外部電源との接続を行うことができる。
【００３６】
図１を参照すると、セラミックシートの内部電極は、ビア形態の電極１２１及びパッド形態の電極１２２を含む。また、ＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板１００は、積層セラミックキャパシタ１３０のキャパシタの内部電極１４１、１４２、１４３、１４４、１４５をパッド形態のセラミックシートの内部電極１２２に接続するためのキャパシタの外部接続電極１５１、１５２を含む。
【００３７】
ここで、セラミックシートの内部電極１２１、１２２及びキャパシタの外部接続電極１５１、１５２は、ＡｇまたはＣｕのうちいずれかの金属を含むことが好ましい。Ａｇ及びＣｕは、金属のうちでも導電性に最も優れた性能を有する金属で、本発明による低温焼成セラミック基板のように６００℃〜９５０℃で焼成が行われる場合、優れた導電性を有しながら低温焼成時に不利な影響を受けず、好ましい金属電極として用いられる。
【００３８】
セラミックグリーンシート１１１、１１２、１１３、１１４は、セラミック充填剤及びガラス成分を含む。セラミックグリーンシート１１１、１１２、１１３、１１４に用いることができるセラミック充填剤は、低温焼成を考慮し低温で焼成されることのできる充填剤であることが好ましいが、そうでない場合にもガラス成分の焼成による粘性の流動によって緻密化が可能である。セラミック充填剤としては、アルミナまたは二酸化チタンを用いることができ、ガラスはＢ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３及びＣａＯを含むガラスが用いられる。
【００３９】
セラミックグリーンシート１１１、１１２、１１３、１１４は、セラミック充填剤、ガラス、及びこれらを結合させるための結合剤を溶媒に混合し、シート状に形成する。セラミックグリーンシート１１１、１１２、１１３、１１４にはこのような成分の他にも物性を向上させるための分散剤等の添加剤が添加され得る。
【００４０】
積層セラミックキャパシタ１３０には、複数の誘電体シート１３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３６、各誘電体シート１３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３６の間に形成され、セラミックシートの内部電極１２１、１２２と接続される複数のキャパシタの内部電極１４１、１４２、１４３、１４４、１４５とが含まれる。
【００４１】
誘電体シート１３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３６は、主成分としてＢａＴｉＯ３を８０ｗｔ％含み、副成分としてＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスを２０ｗｔ％含む誘電体組成物が含まれる。
【００４２】
これによって、主成分であるＢａＴｉＯ３の高温で焼成されるという特性を抑止して低温焼成を可能としながら、高い誘電率を示すＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板１００を得ることができる。本発明によるＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板１００は、通常の低温同時焼成セラミック基板のように焼成温度を６００℃〜９５０℃とすることができる。
【００４３】
キャパシタの内部電極１４１、１４２、１４３、１４４、１４５は、導電性の高い金属を含むことができるが、例えば、Ａｇ、ＣｕまたはＮｉのうちいずれかの金属を含むことができる。
【実施例】
【００４４】
以下、実施例を通じて本発明をより詳細に説明する。しかし、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。本発明の実施例では、本発明の実施形態により誘電体組成物の焼成温度、誘電率及び誘電損失(Ｄｆ)を測定した。
【００４５】
先ず、比較例として、ＣｕＢｉ２Ｏ４またはＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２のうちいずれかの副成分のみが添加された誘電体組成物を用いて焼成温度、誘電率及び誘電損失（Ｄｆ）の測定を行った。その比較例１〜１０の結果を表１に示した。各比較例による誘電体組成物に対して、焼成温度、誘電率及び誘電損失（Ｄｆ）の測定を２回ずつ行った。
【００４６】
【表１】
【００４７】
次に、実施例１〜実施例３２では、ＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２をいずれも用いる方法によって誘電体組成物を製造し、焼成温度、誘電率及び誘電損失(Ｄｆ)について測定を行った。各実施例の結果について、表２に示す。各実施例において、組成の異なる誘電体組成物に対して、焼成温度、誘電率及び誘電損失（Ｄｆ）の測定を２回ずつ行った。
【００４８】
【表２−１】
【表２−２】
【表２−３】
【００４９】
表１を参照すると、比較例１〜５はＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２を添加せず、ＣｕＢｉ２Ｏ４のみを添加して誘電体組成物を製造し、比較例６〜１０はＣｕＢｉ２Ｏ４を添加せずＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２のみを添加して誘電体組成物を製造したが、焼成温度は全て９５０℃以下と測定された。しかし、比較例においては、誘電率が５００以下という低い値を示すか、誘電損失が１０％以上となる値が示され、いずれかの添加剤のみを使用した場合では誘電率に優れた特性を示さないことが分かった。
【００５０】
実施例１〜実施例３２はＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２を共に用いた他結果であるが、表２−１〜表２−３によれば、焼成温度は９５０℃以下と比較的低温を示しながら、誘電率は５００以上、誘電損失は平均的に１０％程度を示した。この結果から、添加剤を同時に用いると、誘電体組成物の焼成温度を低く抑えたままで誘電率を高くし、誘電損失を低くすることができるという優れた特性の誘電体組成物を製造することができることが確認できた。
【００５１】
図２は、本発明の一実施例による誘電体組成物の焼成後のＳＥＭ写真である。図２を参照すると、該誘電体組成物をＣｕＢｉ２Ｏ４６ｗｔ％、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２４ｗｔ％の組成を有するよう、ＢａＴｉＯ３粉末に添加して製造し、９２５℃の温度で焼成した微細構造が表れている。図２のＳＥＭ写真からは、粒子形態の変化が起こると共に緻密化されたことを確認することができた。従って、本発明による誘電体組成物を用いた結果９５０℃以下の低温で焼成が可能であることが確認できた。
【００５２】
本発明は、上述の実施形態及び添付の図面により限定されるものではなく、上記の特許請求の範囲によって解釈されるべきである。また、本発明に対して特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で多様な形態への置換、変形及び変更が可能であるということは当該技術分野における通常の知識を有する者にとって自明なことである。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の一実施例による積層セラミックキャパシタの断面図である。
【図２】本発明の一実施例による誘電体組成物の焼成後のＳＥＭ写真である。
【符号の説明】
【００５４】
１００ ＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板
１１０ セラミック積層体
１１１、１１２、１１３、１１４ セラミックグリーンシート
１２１、１２２ 内部電極
１３０ 積層セラミックキャパシタ
１３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３６ 誘電体シート
１４１、１４２、１４３、１４４、１４５ キャパシタの内部電極
１５１、１５２ キャパシタの外部接続電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板に関するもので、より詳細には、高誘電率を示して低温焼成が可能な誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種電子製品は小型化され、高周波数化される傾向がある。そこで、素子を表面実装素子チップ形態で基板の表面に実装させるのではなく、回路パターンの印刷された基板の内部に内蔵させることによって、製品全体としての体積を減らし、基板の集積度を高めることのできる技術が注目を浴びている。
【０００３】
基板上に部品として存在していたチップ形態の素子を層形態（例えば、キャパシタ）で形成し基板内に内蔵させると、チップによる体積の増加を抑えることができる。また、キャパシタの場合は、チップ形態のキャパシタより層形態のキャパシタがより高周波特性（寄生インダクタンスが小さい）に優れているため、様々な方法を駆使してチップを基板内に内蔵させようという試みが行われている。
【０００４】
印刷回路基板は、誘電層の素材の種類によって大きく２つに分けることができる。その一つとして、高分子有機素材を誘電層として用いるＰＣＢ（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）が広く用いられており、ＰＣＢで回路パターンを形成する方法としてはメッキ法が用いられる。他方、セラミック素材を用いる基板は、主にスクリーンプリンティングで回路パターンを形成し、誘電層と電極を同時に焼成して作製する。通常、焼成工程は８００℃以上で行われる。
【０００５】
二つの基板は、材料と工程の面で非常に異なるものであるが、実際の製品は、多層に積層された積層体の間に回路パターンが形成された構造を有しており、それがほとんど類似しているため、応用範囲としては重なる部分が多い。しかし、上述したように、材料及び工程における技術内容が完全に異なるため、１つの技術をもって、２種類の基板に同様に適用されることは多くはない。
【０００６】
セラミック基板にキャパシタを内蔵する場合、セラミックとガラスを含むセラミックグリーンシートの間にキャパシタ用誘電体層を形成し、内部電極を夫々形成して同時に焼成を行う。キャパシタにおいては、誘電率特性が重要な要素となるが、高誘電率及び環境的要因のために、従来使用されていた鉛（Ｐｂ）に代わってチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を誘電体層に用いる組成物の主成分として用いることができる。しかし、ＢａＴｉＯ３の場合、低温焼成を誘導する焼成助剤を用いなければ、１４００℃以上での焼成が可能になるに過ぎず、焼成助剤を用いたとしても１０００℃以下での焼成は困難となる。
【０００７】
キャパシタを内蔵するセラミック基板の場合、誘電率と焼成可能温度が重要である。セラミック基板の場合、セラミックシート内に電気導電性のよいＡｇまたはＣｕのような金属を印刷して電極を形成し、これを焼成して回路パターンが形成された基板を完成する。従って、セラミック基板の焼成温度は少なくともＡｇ、Ｃｕの融点より低くなければならない。しかし、キャパシタを内蔵する場合、内蔵されたキャパシタと共に焼成しなければならずその焼成温度は少なくともＡｇ、Ｃｕの融点より低くなければならないが、上述したように低い温度で焼成するとキャパシタの誘電体は焼成が未完成で、誘電率が低くなり得るという問題があった。
【０００８】
そこで、低温焼成後にも高誘電率を示すことのできる積層セラミックキャパシタを内蔵する低温同時焼成セラミック基板を作製する技術の開発が求められていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述した問題点に鑑みてなされたものであって、本発明は、高誘電率を示しながら低温焼成が可能な誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板を提供することをその目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述の技術的課題を解決し目的を達成するために、本発明の一側面によれば、主成分として８０ｗｔ％以上のＢａＴｉＯ３と、副成分として２０ｗｔ％以下のＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスと、を含む誘電体組成物が提供される。
【００１１】
ここで、ＣｕＢｉ２Ｏ４の含量は、ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して４ｗｔ％〜１０ｗｔ％であることが好ましい。また、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスの含量は、ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して１ｗｔ％〜５ｗｔ％であることが好ましい。
【００１２】
特に、ＣｕＢｉ２Ｏ４の含量は、ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して６ｗｔ％であって、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスの含量は、ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して４ｗｔ％であることが好ましい。さらに、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスにおけるＺｎＯの含量は、ガラスの重量全体に対して５０ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下となることが好ましい。
【００１３】
主成分であるＢａＴｉＯ３の粒子の平均粒径は可能な限り小さなものが好ましいが、５００ｎｍ以下とすることができる。また、誘電体組成物の焼成温度は６００℃〜９５０℃であることが好ましい。
【００１４】
本発明の他の側面によれば、セラミックシートの内部電極が印刷された複数のセラミックグリーンシートが積層されたセラミック積層体の内部に、複数の誘電体層、誘電体層の間に形成されセラミックシートの内部電極と電気的に接続された複数のキャパシタの内部電極を含み、誘電体層は主成分としてＢａＴｉＯ３８０ｗｔ％と、副成分としてＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスを２０ｗｔ％含む誘電体組成物を含み、積層セラミックキャパシタを内蔵することを特徴とする積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板が提供される。
【００１５】
セラミックシートの内部電極は、ＡｇまたはＣｕのうちいずれかの金属が含まれることが好ましく、積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板は、焼成温度を６００℃〜９５０℃とすることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明による誘電体組成物は１１００℃以下で焼成が可能でありながらも高温絶縁抵抗の特性が良好である上、Ｘ５Ｒ特性を満たすことのできる誘電体が得られる。
【００１７】
従って、このような誘電体組成物を用いて積層セラミックキャパシタを製造すると、比較的低温で焼成されたＢａＴｉＯ３誘電体層が均一に焼成され、これにより内部電極層と誘電体層間の焼成による収縮の不一致を減少させ、内部電極が固まるのを抑止でき、短絡発生率を最小化し、同時に静電容量を最大化することができるという効果を奏する。
【００１８】
同様に、優れた電気的特性を有したまま、高温絶縁抵抗特性を大きく向上させてＸ５Ｒ特性を満たすことができる信頼性の高い積層セラミックキャパシタの製造が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。本実施形態は、様々な形態及び態様に変更が可能であり、本発明の範囲が以下に説明する実施形態によって限定されるものではない。本実施形態は、当該分野における通常の知識を有する者が本発明をより完全に理解するために提供されるものである。従って、図面における要素の形状及び大きさ等はより明確な説明のために誇張されることがある。
【００２０】
本発明の一実施形態による誘電体組成物は、主成分として８０ｗｔ％以上のＢａＴｉＯ３と、副成分として２０ｗｔ％以下のＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスを含む。
【００２１】
本発明の実施例による誘電体組成物において、誘電率を改善するためにチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）をセラミック充填剤として用いることができる。上述のように、従来では、所望の水準の誘電率を得るために鉛（Ｐｂ）を充填剤として用いていた。しかし、Ｐｂが環境に対して及ぼす影響を考慮して、Ｐｂの代わりにＢａＴｉＯ３をセラミック充填剤として用いる。
【００２２】
充填剤の粒径は、誘電率及び低温焼成性に影響を与える。充填剤の粒径は小さいほど焼成が容易で、粒径が大きいと焼成が困難となる。従って、主成分であるＢａＴｉＯ３の平均粒径は５００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２３】
但し、ＢａＴｉＯ３は低温焼成を誘導する焼成助剤を用いなければ１４００℃以上で焼成が可能で、焼成助剤を用いても１０００℃以下では焼成が困難であるため、本発明の一実施例によりＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスをさらに含んだ誘電体組成物を製造する。
【００２４】
誘電体組成物においては充填剤の含量を増加させることが、誘電率を高くする方法の１つとなる。しかしながら、充填剤が多く含まれると低温焼成が困難となることが問題となる。従って、ＢａＴｉＯ３のほかに焼成温度をは低くするための成分を含ませることが必要となる。
【００２５】
本発明の一実施例として、主成分であるＢａＴｉＯ３以外に、副成分としてＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２を用いることができる。副成分としてＣｕＢｉ２Ｏ４を用いることによって、焼成温度を８００℃〜９００℃以下におさえることができる。ＣｕＢｉ２Ｏ４はＣｕＯ及びＢｉ２Ｏ３を混合して形成した結晶質のセラミック化合物である。
【００２６】
ここで、ＣｕＢｉ２Ｏ４の含量はＢａＴｉＯ３の重量全体に対して４ｗｔ％〜１０ｗｔ％であることが好ましい。ＣｕＢｉ２Ｏ４の含量が少なすぎても誘電体組成物全体の焼成温度への影響は微々たるものであるが、逆に高すぎると誘電率を低下させることとなる。
【００２７】
また、副成分として、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスを添加することができる。ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスは、誘電体組成物の焼成温度を低くおさえる役割を担う上、誘電損失をも抑えることができる。該ガラスの組成の中でも、ＺｎＯの含量がガラスの重量全体に対して５０ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下となることが好ましい。
【００２８】
ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスの含量が、ＣｕＢｉ２Ｏ４の含量のように少量であっても全体誘電体組成物の焼成温度の低下及び誘電損失の低下に及ぼす影響は微々たる物であるが、逆に多すぎると誘電率が低下することができる点を考慮して、これらの含量比を選択することができる。従って、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスの含量は、ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して１ｗｔ％〜５ｗｔ％であることが好ましい。
【００２９】
このうち、焼成温度を９５０℃以下のままで、誘電損失を最大限に低下させるためのＣｕＢｉ２Ｏ４の含量としては、ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して６ｗｔ％であって、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスの含量は、ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して４ｗｔ％であることが好ましい。
【００３０】
したがって、セラミック充填剤のＢａＴｉＯ３を主成分としてＣｕＢｉ２Ｏ４とＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスを副成分として含む誘電体組成物は、ＢａＴｉＯ３を主成分として用いたにも関わらず、その焼成温度を６００℃〜９５０℃とすることができる。この温度でも本発明による誘電体組成物を焼成することが可能で、焼成により誘電体組成物は比較的に高い誘電率を示す。
【００３１】
本発明による誘電体組成物を製造するために、主成分であるＢａＴｉＯ３、副成分であるＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスを所定の含量に計量し、添加剤及び溶媒を適切に用いてスラリー状に形成して用いる。誘電体スラリーは、誘電体シートの形態として形成され積層される。このような誘電体組成物は、以下で説明する低温同時焼成セラミック基板内に積層セラミックキャパシタとして内蔵される。
【００３２】
本発明の他の側面によれば、セラミックシートの内部電極が印刷された複数のセラミックグリーンシートが積層されたセラミック積層体の内部には、複数の誘電体層と、誘電体層の間に形成されセラミックシートの内部電極に電気接続された複数のキャパシタの内部電極とを含み、誘電体層は、主成分としてＢａＴｉＯ３を８０ｗｔ％と、副成分としてＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスを２０ｗｔ％含む誘電体組成物を含む積層セラミックキャパシタを内蔵することを特徴とする積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板が提供される。
【００３３】
図１は、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ）内蔵型低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）基板１００の断面図である。以下、図１を参照して説明するが、誘電体組成物は上述した説明と同一であるため、その説明は省略する。
【００３４】
本発明のＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板１００は、セラミックシートの内部電極１２１、１２２が印刷された複数のセラミックグリーンシート１１１、１１２、１１３、１１４が積層されたセラミック積層体１１０の内部に積層セラミックキャパシタ１３０を内蔵している。
【００３５】
セラミックシートの内部電極１２１、１２２は、セラミックグリーンシート１１１、１１２、１１３、１１４間を電気的に接続し、セラミックグリーンシート及び積層セラミックキャパシタ１３０を電気的に接続すると共にＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板１００と外部電源を接続するための電極である。但し、ＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板１００は、セラミックシートの内部電極のうち、その一部が外部表面に露出した内部電極１２１に対しては、外部電極（不図示）を形成して外部電源との接続を行うことができる。
【００３６】
図１を参照すると、セラミックシートの内部電極は、ビア形態の電極１２１及びパッド形態の電極１２２を含む。また、ＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板１００は、積層セラミックキャパシタ１３０のキャパシタの内部電極１４１、１４２、１４３、１４４、１４５をパッド形態のセラミックシートの内部電極１２２に接続するためのキャパシタの外部接続電極１５１、１５２を含む。
【００３７】
ここで、セラミックシートの内部電極１２１、１２２及びキャパシタの外部接続電極１５１、１５２は、ＡｇまたはＣｕのうちいずれかの金属を含むことが好ましい。Ａｇ及びＣｕは、金属のうちでも導電性に最も優れた性能を有する金属で、本発明による低温焼成セラミック基板のように６００℃〜９５０℃で焼成が行われる場合、優れた導電性を有しながら低温焼成時に不利な影響を受けず、好ましい金属電極として用いられる。
【００３８】
セラミックグリーンシート１１１、１１２、１１３、１１４は、セラミック充填剤及びガラス成分を含む。セラミックグリーンシート１１１、１１２、１１３、１１４に用いることができるセラミック充填剤は、低温焼成を考慮し低温で焼成されることのできる充填剤であることが好ましいが、そうでない場合にもガラス成分の焼成による粘性の流動によって緻密化が可能である。セラミック充填剤としては、アルミナまたは二酸化チタンを用いることができ、ガラスはＢ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３及びＣａＯを含むガラスが用いられる。
【００３９】
セラミックグリーンシート１１１、１１２、１１３、１１４は、セラミック充填剤、ガラス、及びこれらを結合させるための結合剤を溶媒に混合し、シート状に形成する。セラミックグリーンシート１１１、１１２、１１３、１１４にはこのような成分の他にも物性を向上させるための分散剤等の添加剤が添加され得る。
【００４０】
積層セラミックキャパシタ１３０には、複数の誘電体シート１３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３６、各誘電体シート１３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３６の間に形成され、セラミックシートの内部電極１２１、１２２と接続される複数のキャパシタの内部電極１４１、１４２、１４３、１４４、１４５とが含まれる。
【００４１】
誘電体シート１３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３６は、主成分としてＢａＴｉＯ３を８０ｗｔ％含み、副成分としてＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスを２０ｗｔ％含む誘電体組成物が含まれる。
【００４２】
これによって、主成分であるＢａＴｉＯ３の高温で焼成されるという特性を抑止して低温焼成を可能としながら、高い誘電率を示すＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板１００を得ることができる。本発明によるＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板１００は、通常の低温同時焼成セラミック基板のように焼成温度を６００℃〜９５０℃とすることができる。
【００４３】
キャパシタの内部電極１４１、１４２、１４３、１４４、１４５は、導電性の高い金属を含むことができるが、例えば、Ａｇ、ＣｕまたはＮｉのうちいずれかの金属を含むことができる。
【実施例】
【００４４】
以下、実施例を通じて本発明をより詳細に説明する。しかし、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。本発明の実施例では、本発明の実施形態により誘電体組成物の焼成温度、誘電率及び誘電損失(Ｄｆ)を測定した。
【００４５】
先ず、比較例として、ＣｕＢｉ２Ｏ４またはＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２のうちいずれかの副成分のみが添加された誘電体組成物を用いて焼成温度、誘電率及び誘電損失（Ｄｆ）の測定を行った。その比較例１〜１０の結果を表１に示した。各比較例による誘電体組成物に対して、焼成温度、誘電率及び誘電損失（Ｄｆ）の測定を２回ずつ行った。
【００４６】
【表１】
【００４７】
次に、実施例１〜実施例３２では、ＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２をいずれも用いる方法によって誘電体組成物を製造し、焼成温度、誘電率及び誘電損失(Ｄｆ)について測定を行った。各実施例の結果について、表２に示す。各実施例において、組成の異なる誘電体組成物に対して、焼成温度、誘電率及び誘電損失（Ｄｆ）の測定を２回ずつ行った。
【００４８】
【表２−１】
【表２−２】
【表２−３】
【００４９】
表１を参照すると、比較例１〜５はＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２を添加せず、ＣｕＢｉ２Ｏ４のみを添加して誘電体組成物を製造し、比較例６〜１０はＣｕＢｉ２Ｏ４を添加せずＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２のみを添加して誘電体組成物を製造したが、焼成温度は全て９５０℃以下と測定された。しかし、比較例においては、誘電率が５００以下という低い値を示すか、誘電損失が１０％以上となる値が示され、いずれかの添加剤のみを使用した場合では誘電率に優れた特性を示さないことが分かった。
【００５０】
実施例１〜実施例３２はＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２を共に用いた他結果であるが、表２−１〜表２−３によれば、焼成温度は９５０℃以下と比較的低温を示しながら、誘電率は５００以上、誘電損失は平均的に１０％程度を示した。この結果から、添加剤を同時に用いると、誘電体組成物の焼成温度を低く抑えたままで誘電率を高くし、誘電損失を低くすることができるという優れた特性の誘電体組成物を製造することができることが確認できた。
【００５１】
図２は、本発明の一実施例による誘電体組成物の焼成後のＳＥＭ写真である。図２を参照すると、該誘電体組成物をＣｕＢｉ２Ｏ４６ｗｔ％、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２４ｗｔ％の組成を有するよう、ＢａＴｉＯ３粉末に添加して製造し、９２５℃の温度で焼成した微細構造が表れている。図２のＳＥＭ写真からは、粒子形態の変化が起こると共に緻密化されたことを確認することができた。従って、本発明による誘電体組成物を用いた結果９５０℃以下の低温で焼成が可能であることが確認できた。
【００５２】
本発明は、上述の実施形態及び添付の図面により限定されるものではなく、上記の特許請求の範囲によって解釈されるべきである。また、本発明に対して特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で多様な形態への置換、変形及び変更が可能であるということは当該技術分野における通常の知識を有する者にとって自明なことである。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の一実施例による積層セラミックキャパシタの断面図である。
【図２】本発明の一実施例による誘電体組成物の焼成後のＳＥＭ写真である。
【符号の説明】
【００５４】
１００ ＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板
１１０ セラミック積層体
１１１、１１２、１１３、１１４ セラミックグリーンシート
１２１、１２２ 内部電極
１３０ 積層セラミックキャパシタ
１３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３６ 誘電体シート
１４１、１４２、１４３、１４４、１４５ キャパシタの内部電極
１５１、１５２ キャパシタの外部接続電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主成分として８０ｗｔ％以上のＢａＴｉＯ３と、
副成分として２０ｗｔ％以下のＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスと、
を含むことを特徴とする誘電体組成物。
【請求項２】
前記ＣｕＢｉ２Ｏ４の含量は、前記ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して４ｗｔ％〜１０ｗｔ％であることを特徴とする請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項３】
前記ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスの含量は、前記ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して１ｗｔ％〜５ｗｔ％であることを特徴とする請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項４】
前記ＣｕＢｉ２Ｏ４の含量は、前記ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して６ｗｔ％であって、前記ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスの含量は、前記ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して４ｗｔ％であることを特徴とする請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項５】
前記ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスにおけるＺｎＯの含量は、前記ガラスの重量全体に対して５０ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項６】
前記ＢａＴｉＯ３の粒子の平均粒径が、５００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項７】
６００℃〜９５０℃の焼成温度で焼成されたことを特徴とする請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項８】
セラミックシートの内部電極が印刷された複数のセラミックグリーンシートが積層されたセラミック積層体の内部に、複数の誘電体層、前記誘電体層の間に形成され前記セラミックシートの内部電極と電気的に接続された複数のキャパシタの内部電極を含み、
前記誘電体層は、主成分としてＢａＴｉＯ３を８０ｗｔ％と、副成分としてＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスを２０ｗｔ％含む誘電体組成物を含む積層セラミックキャパシタを内蔵することを特徴とする積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板。
【請求項９】
前記ＣｕＢｉ２Ｏ４の含量は、前記ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して４ｗｔ％〜１０ｗｔ％であることを特徴とする請求項８に記載の積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板。
【請求項１０】
前記ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスの含量は、前記ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して１ｗｔ％〜５ｗｔ％であることを特徴とする請求項８に記載の積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板。
【請求項１１】
前記セラミックシートの内部電極は、ＡｇまたはＣｕのうちいずれかの金属を含むことを特徴とする請求項８に記載の積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板。
【請求項１２】
６００℃〜９５０℃の焼成温度で焼成されたことを特徴とする請求項８に記載の積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板。
【請求項１】
主成分として８０ｗｔ％以上のＢａＴｉＯ３と、
副成分として２０ｗｔ％以下のＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスと、
を含むことを特徴とする誘電体組成物。
【請求項２】
前記ＣｕＢｉ２Ｏ４の含量は、前記ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して４ｗｔ％〜１０ｗｔ％であることを特徴とする請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項３】
前記ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスの含量は、前記ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して１ｗｔ％〜５ｗｔ％であることを特徴とする請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項４】
前記ＣｕＢｉ２Ｏ４の含量は、前記ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して６ｗｔ％であって、前記ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスの含量は、前記ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して４ｗｔ％であることを特徴とする請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項５】
前記ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスにおけるＺｎＯの含量は、前記ガラスの重量全体に対して５０ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項６】
前記ＢａＴｉＯ３の粒子の平均粒径が、５００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項７】
６００℃〜９５０℃の焼成温度で焼成されたことを特徴とする請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項８】
セラミックシートの内部電極が印刷された複数のセラミックグリーンシートが積層されたセラミック積層体の内部に、複数の誘電体層、前記誘電体層の間に形成され前記セラミックシートの内部電極と電気的に接続された複数のキャパシタの内部電極を含み、
前記誘電体層は、主成分としてＢａＴｉＯ３を８０ｗｔ％と、副成分としてＣｕＢｉ２Ｏ４及びＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスを２０ｗｔ％含む誘電体組成物を含む積層セラミックキャパシタを内蔵することを特徴とする積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板。
【請求項９】
前記ＣｕＢｉ２Ｏ４の含量は、前記ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して４ｗｔ％〜１０ｗｔ％であることを特徴とする請求項８に記載の積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板。
【請求項１０】
前記ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスの含量は、前記ＢａＴｉＯ３の重量全体に対して１ｗｔ％〜５ｗｔ％であることを特徴とする請求項８に記載の積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板。
【請求項１１】
前記セラミックシートの内部電極は、ＡｇまたはＣｕのうちいずれかの金属を含むことを特徴とする請求項８に記載の積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板。
【請求項１２】
６００℃〜９５０℃の焼成温度で焼成されたことを特徴とする請求項８に記載の積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２００９−１３２６０６（Ｐ２００９−１３２６０６Ａ）
【公開日】平成２１年６月１８日（２００９．６．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３０４５０９（Ｐ２００８−３０４５０９）
【出願日】平成２０年１１月２８日（２００８．１１．２８）
【出願人】（５９１００３７７０）三星電機株式会社 (982)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年６月１８日（２００９．６．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１１月２８日（２００８．１１．２８）
【出願人】（５９１００３７７０）三星電機株式会社 (982)
【Ｆターム（参考）】
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