【課題】本発明は圧電素子、インクジェットプリントヘッド及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施例による圧電素子は、圧電素子用圧電体組成物１００重量部に対し、９０重量部以上１００重量部未満のＰｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ_３を含む圧電セラミックパウダーと、０重量部超過１０重量部以下のガラスフリットとを含み、ガラスフリット１００重量部に１０から２０重量部のＺｎＯを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムからなる主成分を含有し、前記チタン酸バリウム１００モルに対して、各元素換算で、Ｍｇの酸化物を１．００〜２．５０モルと、Ｍｎおよび／またはＣｒの酸化物を０．０１〜０．２０モルと、Ｖ、ＭｏおよびＷからなる群から選ばれる少なくとも１つの酸化物を０．０３〜０．１５モルと、Ｒ１の酸化物（Ｒ１は、Ｙ、およびＨｏからなる群から選ばれる少なくとも１つである）を０．２０〜１．５０モルと、Ｒ２の酸化物（Ｒ２は、Ｅｕ、ＧｄおよびＴｂからなる群から選ばれる少なくとも１つである）を０．２０〜１．５０モルと、Ｓｉおよび／またはＢの酸化物を０．３０〜１．５０モルと、を副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性を満足する誘電体磁器組成物の製造方法及び積層セラミックコンデンサなどの電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、ＭｇＯ等を含む第１副成分と、酸化シリコンを含む第２副成分と、Ｖ_２Ｏ_５等を含む第３副成分と、Ｙｂ_２Ｏ_３等を第４ａ副成分と、ＢａＯからなる第５ａ副成分と、ＺｒＯ_２からなる第５ｂ副成分と、を含む誘電体磁器組成物の製造方法であって、前記チタン酸バリウムに前記第５ａ副成分の少なくとも一部を付着させる工程と、前記各副成分の原料と、前記第５ａ副成分が付着したチタン酸バリウムと、を混合することにより誘電体磁器組成物粉末を得る工程と、前記誘電体磁器組成物粉末を成形して焼成する工程と、を有する誘電体磁器組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】拡散剤にＰｂ系材料を使用しなくても、良好な電気特性を提供する。
【解決手段】粒界絶縁型半導体セラミックは、主成分がＳｒＴｉＯ_３系化合物で形成されると共に、粒界絶縁化剤とガラス成分とを含む拡散剤が含有されている。粒界絶縁化剤は、Ｐｂを含まない非Ｐｂ系材料で形成されると共に、ガラス成分が、Ｂ及びＰｂを含まないＳｉＯ_２−ＸＯ_２−ＭＯ−ＴｉＯ_２系ガラス材（Ｘはアルカリ金属、ＭはＢａ、Ｓｒ、Ｃａから選択された少なくとも１種を示す。）を主成分とし、かつ、前記ガラス成分の含有量は、前記粒界絶縁化剤１００重量部に対し３〜１５重量部である。部品素体２は、この粒界絶縁型半導体セラミックで形成されている。 （もっと読む）

【課題】低温焼成が可能で、高周波領域での誘電損失が低く、メッキ耐食性に優れた焼結体を得ることが可能なセラミックス組成物及び電子部品を提供する。
【解決手段】Ｂａ_４（Ｒｅ_{（１−ｘ）}，Ｂｉ_ｘ）_９．３３Ｔｉ_１８Ｏ_５４で現わされる主相成分と、主相成分１００質量部に対し酸化物換算で、Ｂ成分を０．３〜１．４質量部、Ｌｉ成分を０．１〜０．３質量部、Ｚｎ成分を１．５〜７質量部及びＡｇ成分を１．５〜２質量部含有する第１副成分と、主相成分１００質量部に対し酸化物換算で、Ｓｉ成分を０〜１．２５質量部、Ａｌ成分を０〜１．２５質量部、Ｂｉ成分を０〜５質量部含有する第２副成分とを含むセラミックス組成物。該セラミックス組成物を焼成して得られるセラミックス層と、該セラミックス層の表面及び／又は内部にあって、セラミックス組成物と同時焼成して得られる導体層とを有する電子部品。 （もっと読む）

【課題】ガラスを原料として、可視光応答性と優れた光触媒活性を有し、使用性や耐久性にも優れた光触媒機能性素材を提供する。
【解決手段】 酸化物換算組成の全物質量に対して、モル％で、Ｂｉ_２Ｏ_３成分を５〜９５％の範囲内で含有するガラスセラミックスが提供される。このガラスセラミックスは、Ｂｉ_２Ｏ_３結晶、Ｂｉ_２ＷＯ_６結晶、Ｂｉ_２Ｗ_２Ｏ_９結晶、Ｂｉ_２Ｗ_３Ｏ_１２結晶、Ｂｉ_２ＭｏＯ_６結晶、Ｂｉ_２Ｍｏ_２Ｏ_９結晶、Ｂｉ_２Ｍｏ_３Ｏ_１２結晶、Ｂｉ_２Ｔｉ_２Ｏ_７結晶、Ｂｉ_２Ｔｉ_４Ｏ_１１結晶、Ｂｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２結晶、Ｂｉ_１２ＴｉＯ_２０結晶、ＢｉＮｂＯ_４結晶、Ｂｉ_２Ｆｅ_４Ｏ_９結晶、ＢｉＶＯ_４結晶、ＬｉＢｉＯ_３結晶、及びこれらの固溶体からなる群より選択される１種以上を含有していてもよい。 （もっと読む）

【課題】組成変動を生じることなく、安定して優れた誘電特性を有することができる誘電体磁器組成物の製造方法および積層型セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】本発明に係る誘電体磁器組成物の製造方法は、主成分原料と副成分原料とを水で混合して原料混合粉末を得る原料混合粉末の作製工程と、前記原料混合粉末を酸素雰囲気下において熱処理する熱処理工程と、熱処理後、原料混合粉末にＬｉ₂Ｏを含むガラスを添加し、有機溶剤を用いて粉砕するガラス成分添加・粉砕工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】低温劣化を抑制することが可能なジルコニア焼結体を提供すること、並びに、該ジルコニア焼結体の前駆体となる焼結用組成物及び仮焼体を提供すること。
【解決手段】ジルコニア焼結体の焼成面におけるＸ線回折パターンにおいて、正方晶由来の［２００］ピークが生ずる位置付近に存在するピークの高さに対する立方晶由来の［２００］ピークが生ずる位置付近に存在するピークの高さの比が０．４以上であり、焼成面からの深さが１００μｍ以上の領域におけるＸ線回折パターンにおいて、正方晶由来の［２００］ピークが生ずる位置付近に存在するピークの高さに対する立方晶由来の［２００］ピークが生ずる位置付近に存在するピークの高さの比が０．３以下である。 （もっと読む）

【課題】低温劣化を抑制することが可能なジルコニア焼結体を提供すること、並びに、該ジルコニア焼結体の前駆体となる焼結用組成物及び仮焼体を提供すること。
【解決手段】ジルコニア焼結体は、部分安定化ジルコニアをマトリックス相として有し、ホウ素を、ジルコニア焼結体の質量に対して、３×１０^−４質量％〜３×１０^−１質量％含有する。ジルコニア焼結体は、ビスマス、スズ、ゲルマニウム、及び硫黄のうち少なくとも１つのをさらに含有し、ビスマスを含有する場合、ジルコニア焼結体の質量に対して０．００１質量％〜１質量％含有し、スズを含有する場合、ジルコニア焼結体の質量に対して０．００１質量％〜１質量％含有し、ゲルマニウムを含有する場合、ジルコニア焼結体の質量に対して０．００１質量％〜１質量％含有し、硫黄を含有する場合、ジルコニア焼結体の質量に対して０．００１質量％〜１質量％含有する。 （もっと読む）

【課題】１１００℃以下の低温焼成でも、緻密で欠陥のない焼結体及びセラミックコンデンサ並びにこれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】焼結体は、主成分としてチタン酸バリウムを含み、この主成分に添加された副成分として、Ｋ、Ｂ、Ｓｉ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含む、または副成分として、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含む。 （もっと読む）

【課題】高い出力でも安定してスパッタリング可能で、割れの少ないＢｉＴｉ系酸化物スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＢｉとＴｉとを含む金属酸化物相を含むＢｉＴｉ系酸化物スパッタリングターゲットであって、熱伝導率が、１．４Ｗ／ｍｋ以上である。また、このスパッタリングターゲットの製造方法としては、Ｂｉの酸化物とＴｉの酸化物とを粉砕混合して混合粉末を作製する工程と、該混合粉末を仮焼して仮焼粉とする工程と、該仮焼粉に酸化硼素を１〜９ｍｏｌ％（硼素換算で０．４〜３．６ａｔ％）添加したものを解砕混合して添加仮焼粉とする工程と、該添加仮焼粉を真空または不活性ガス雰囲気中で圧力を加えながら加熱して焼結させる工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】寿命信頼性を向上し得る、強誘電体薄膜及び該強誘電体薄膜を用いた薄膜キャパシタを提供する。
【解決手段】（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中、０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物に、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｐ、Ｂ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ及びＣｓからなる群より選ばれた１種或いは２種以上の元素から構成される金属酸化物がある一定の割合で混合した混合複合金属酸化物の形態をとる強誘電体薄膜が、２〜２３層の焼成層を積層して構成され、焼成層の厚さｔが４５〜５００ｎｍであり、焼成層中に存在する結晶粒の定方向最大径の平均ｘが２００〜５０００ｎｍであり、焼成層のいずれにおいても１．５ｔ＜ｘ＜２３ｔの関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯと同等以上の導電性を有する透明な酸化チタン系薄膜を工業的に製造するのに適したターゲット材を提供すること。
【解決手段】酸化チタン粉末にホウ素単体粉末またはホウ化チタン粉末を混合して焼結し、ホウ素のドープされた酸化チタン透明薄膜形成に際して使用する直流スパッタ用ターゲット材を製造するターゲット材製造方法である。本発明によれば、ＩＴＯ代替の透明電極等を製造できる工業用途向けのターゲット材を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】電界強度に比して大きな変形量を示す結晶配向セラミックスを提供する。
【解決手段】結晶配向セラミックス複合体は、第１面及び第２面を有する基板と、第１面に対向するように配置された｛１００｝配向セラミックス膜と、を有する。｛１００｝配向セラミックス膜は、第１断面を備える。第１断面とは、第１面に対して垂直であって、第１面の法線に対して±２０度の範囲内であるドメイン壁を備える９０度ドメインが、第１断面の１／３以上の面積を占める断面である。 （もっと読む）

【課題】低温での焼成を可能としつつ、誘電特性及び強度を維持することができる誘電体磁器、誘電体磁器の製造方法及び誘電体磁器製造用粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る誘電体磁器は、ＢａＴｉ₄Ｏ₉結晶相及びＢａ₂Ｔｉ₉Ｏ₂₀結晶相を含み、組成式（ＢａＯ・ｘＴｉＯ_２）で表され、ＢａＯに対するＴｉＯ_２のモル比ｘが４．６以上８．０以下であり、Ｘ線回折において、ＢａＴｉ₄Ｏ₉結晶相の最大回折ピーク強度（Ｉ₁₄）とＢａ₂Ｔｉ₉Ｏ₂₀結晶相の最大回折ピーク強度（Ｉ₂₉）とのＸ線回折ピーク強度比Ｉ₂₉／Ｉ₁₄が１以上である主成分と、ホウ素酸化物及び銅酸化物とを含み、ホウ素酸化物の含有量がＢ₂Ｏ₃換算で主成分１００質量部に対して０．５質量部以上５．０質量部以下であり、銅酸化物の含有量がＣｕＯ換算で主成分１００質量部に対して０．１質量部以上３．０質量部以下である副成分と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高い配高度を示す新たなセラミックス及びそれを含む圧電／電歪素子を提供する。
【解決手段】セラミックス１は、リチウム及びホウ素を含有し、平面方向に並べられ、かつ厚み方向の結晶方位が同一である複数の結晶粒３を備える。セラミックス１は、低ホウ素濃度領域の厚みＴ２が、セラミックス１の全体の厚みＴ１の２０％以上９０％以下を占める部分を有する。 （もっと読む）

【課題】鉛を含むセラミックスであって、耐熱性の低い電極と組み合わせ可能なセラミックス及びそれを含む圧電／電歪素子を提供する。
【解決手段】鉛を含むセラミックスにリチウム及びホウ素を含有させることで、焼成温度が比較的低くても、充分な配向度を有するセラミックスが得られる。このようなセラミックスは、耐熱性の低い電極とも組み合わせることができるので、素子の小型化等に有効である。 （もっと読む）

【課題】絶縁抵抗および加速寿命の向上が可能な誘電体磁器組成物、およびこの誘電体磁器組成物を誘電体層として有する電子部品を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、第１副成分と、第２副成分と、第３副成分と、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＦｅから選択される少なくとも１種の元素の酸化物を含む第４副成分と、第５副成分と、を有する誘電体磁器組成物であって、前記誘電体磁器組成物を構成する誘電体粒子が、主成分で実質的に構成される主成分相と、前記主成分相の周囲に、前記副成分のうち少なくとも１種が拡散した拡散相と、を有し、前記主成分相における前記第４副成分の含有割合が、前記拡散相における第４副成分の含有割合に比べ高いことを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】高周波領域で使用するための誘電体、特に誘電体共振器、電子周波数フィルタ素子、またはアンテナ素子として特に適するガラスセラミックを提供する。
【解決手段】ガラスセラミックは、酸化物基準のモル％で、少なくとも、５〜５０％のＳｉＯ_２と、０〜２０％のＡｌ_２Ｏ_３と、０〜２５％のＢ_２Ｏ_３と、０〜２５％のＢａＯと、１０〜６０％のＴｉＯ_２と、５〜３５％のＲＥ_２Ｏ_３とを構成成分として有する。ここで、Ｂａは部分的にＳｒ、Ｃａ、Ｍｇで置換でき、ＲＥはランタニドまたはイットリウムであり、Ｔｉは部分的にＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａで置換できる。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させつつ、良好な比誘電率や温度特性が得られる誘電体磁器組成物および該誘電体磁器組成物が適用された電子部品を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３および（Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３から選ばれる１つからなる主成分、希土類元素の酸化物、およびＢａを含む複合化合物を複合化合物換算で９〜１３モル含有する誘電体磁器組成物であって、誘電体磁器組成物が、非拡散相とＲ元素が含まれる拡散相とからなる表面拡散構造を有する表面拡散粒子を有しており、表面拡散粒子において、非拡散相が占める面積をＳ１、拡散相が占める面積をＳ２とすると、Ｓ１：Ｓ２＝２０：８０〜３０：７０（ただしＳ１＝３０およびＳ２＝７０を除く）であり、表面拡散粒子における前記Ｒ元素の平均濃度をＣとした場合、４．８≦Ｓ２×Ｃ≦５．８である。 （もっと読む）