【課題】本発明は、無収縮セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明による無収縮セラミック基板の製造方法は、ビア電極が形成されたセラミック基板を用意する第１段階と、上記セラミック基板にシード層を形成する第２段階と、上記シード層にめっき層を形成する第３段階と、を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップとの接続信頼性の優れた配線基板を提供すること。
【解決手段】オーガニック配線基板１０の基板主面１１側には、樹脂絶縁層２１〜２３と導体層２４とを積層した第１ビルドアップ層３１が形成されている。第１ビルドアップ層３１における最表層の導体層２４は、半導体チップをフリップチップ実装するための複数の接続端子部４１を含む。複数の接続端子部４１は、ソルダーレジスト２５の開口部４３を介して露出している。各接続端子部４１は、半導体チップの接続領域５１と、接続領域５１から平面方向に延設されかつ接続領域５１よりも幅が狭く形成された配線領域５２とを有する。配線領域５２の表面のはんだ濡れ性は接続領域５１の表面のはんだ濡れ性よりも低くなっている。 （もっと読む）

【課題】上部配線層と下部配線層とを、微細なコンタクトホールを介して接続する多層配線基板、アクティブマトリクス基板及びこれを用いた画像表示装置、並びに多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に形成された第１の導電層２０と、層間絶縁層３０と、第２の導電層７０とを有し、前記層間絶縁層に形成されたコンタクトホール４０を介して前記第１の導電層と前記第２の導電層とが電気的に接続された構造を有する多層配線基板において、
前記層間絶縁層は、前記コンタクトホールを含まない第１の領域５０と、前記コンタクトホールを含み、該第１の領域よりも表面エネルギーが高く形成された第２の領域６０とを有し、
前記第１の導電層の前記コンタクトホール内の領域は、前記第２の領域よりも表面エネルギーが高く、
前記第２の導電層は、前記層間絶縁層の前記第２の領域に接触して堆積形成され、前記コンタクトホールを介して前記第１の導電層と接続されている。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性が高く、狭ピッチの接続端子を形成可能な配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板１は、無機材料からなる基板本体１１に形成された配線パターン１２と、前記配線パターンと電気的に接続され、半導体チップが搭載される外部接続端子１５と、を備えた無機基板１０と、絶縁層３１、３３、３５と配線層３２、３４、３６が積層された有機基板３０と、熱膨張係数が前記無機基板よりも大きく前記有機基板よりも小さい材料からなる応力緩和層２１と、前記応力緩和層を貫通する貫通配線２２と、を備えた接合層２０と、を有し、前記無機基板は、前記有機基板上に前記接合層を介して積層され、前記無機基板の配線パターンと前記有機基板の配線層とは、前記貫通配線を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜電極セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明による薄膜電極セラミック基板は、セラミック基板と、前記セラミック基板に形成された薄膜電極パターンと、前記薄膜電極パターンに形成されたメッキ層と、を含み、前記メッキ層は、前記薄膜電極パターンの上部及び両側面に形成されることを特徴とする。本発明による薄膜電極セラミック基板は、薄膜電極パターンの上部及び両側面にメッキ層を形成したり、またはセラミック基板の表面に陰刻形状のエッチング防止金属層を形成することにより、セラミック基板の表面と薄膜電極パターンとの間、及び薄膜電極パターンの間でエッチング液によって発生するアンダーカットを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】その製造工程の歩留まり向上する事ができるセラミック多層基板を提供する。
【解決手段】複数のセラミック製のグリーンシート（グリーンシート１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ）を焼成して形成されたセラミック基板部２と、セラミック基板部２内部に形成された内部配線部７と、セラミック基板部２の表面に設けられた凹部５と、凹部５の内部に配置され、内部配線部７と電気的に接続されたチップ型電子部品３と、セラミック基板部２上に、湿式めっき法にて形成された金属層（第１の金属層１６、第２の金属層１７から形成された外部電極部９や、電子回路パターン配線部１０）と、を有するセラミック多層基板１において、凹部５のチップ型電子部品３上から充填されたガラス部１５、を有することを特徴とするセラミック多層基板１としたので、セラミック多層基板１の製造工程の歩留まり向上する事ができる。 （もっと読む）

【課題】 インダクタ部品を内蔵するプリント配線板の提供。
【解決手段】 インダクタ部品が交互に積層されているコイル層と樹脂絶縁層で形成されている。そのインダクタ部品がプリント配線板のコア基板に内蔵される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、実装構造体の電気的接続信頼性を向上させる要求に応える配線基板およびその実装構造体を提供するものである。
【解決手段】本発明の一形態にかかる配線基板は、交互に積層された複数の絶縁層１３および導電層１４を備え、複数の絶縁層１３は、最外層に位置する第１絶縁層１３ａと、該第１絶縁層１３ａに接している第２絶縁層１３ｂとを有し、導電層１４は、第１絶縁層１３ａと第２絶縁層１３ｂとの間に配された接続パッド１８を有し、第１絶縁層１３ａは、厚み方向に貫通して接続パッド１８を露出する貫通孔Ｐを具備し、接続パッド１８は、貫通孔Ｐの開口部に向かって突出した突起部２０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層のガラス転移温度を改善し、ボイドを含まぬ、均一な膜厚を有する金属張積層板の製造方法を提供する。
【解決手段】特定の真空積層方法と特定の硬化方法を組み合わせることにより、上記課題が達成できる。金属箔又は金属膜付きフィルムの間に、プリプレグを配置して真空積層する金属張積層板の製造方法において、積層時の真空度が０．００１〜０．４０ｋＰａ、積層時の加圧が１〜１６ｋｇｆ／ｃｍ２、積層時の加熱温度が６０〜１６０℃、加熱時間が１０〜３００秒であり、プリプレグを熱硬化させる温度が１５０〜２５０℃、熱硬化時間が３０〜３００分であり、前記プリプレグが硬化性樹脂組成物とシート状繊維基材を含有し、硬化性樹脂組成物含有が３０質量％以上７５質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】高強度で熱伝導率やヤング率も高く、且つ緻密であると同時に、１０００℃以下の低温での焼成によって製造することができ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等の低抵抗導体から成る配線層を表面或いは内部に備えた絶縁基板として有用な低温焼成セラミック焼結体を得る。
【解決手段】結晶相として、（ａ）ガーナイト結晶相および／またはスピネル結晶相、（ｂ）アスペクト比が３以上の針状晶を含むセルシアン結晶相、及び（ｃ）ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２及びＭｇ_２ＳｉＯ_４の群から選ばれる少なくとも１種の結晶相、を含有しており、且つ開気孔率が０．３％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐デスミア性に優れた多層プリント回路基板用フィルムを提供する。
【解決手段】フッ素原子を含有する芳香族ポリアミド樹脂からなる基材層と、基材層の少なくとも片面側に積層され、官能基を有する脂環式オレフィン重合体および硬化剤を含んでなる硬化性樹脂組成物からなる接着層とにより形成されてなる多層プリント回路基板用フィルム。 （もっと読む）

【課題】配線レイアウトの自由度が高く、且つ、信号を高品質で伝送可能な配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板に、交差する第１，第２配線１１，１２を設ける。ここで、第１配線１１は、交差領域ＡＲ１では第１層に形成し、周辺領域ＡＲ２では第１層、第１層より下層の第２、及び第１，第２層間の第３層に形成する。第２配線１２は、交差領域ＡＲ１では第２層に形成し、周辺領域ＡＲ２では第１層、第２層及び第３層に形成する。 （もっと読む）

【目的】局部的に高配線密度な回路板を製造することに用い、ステップを簡易化し、製造コストを減少させることができる回路板構造を提供する。
【解決手段】本発明が提示する回路板構造は、内層回路板及び子基板を含む。内層回路板は、第１回路層と、第２回路層と、第１回路層及び第２回路層の間に位置するコア層と、を有する。子基板は、コア層中に埋め込まれ、子基板の配線密度が内層回路板の配線密度より大きい。また、もう１つの回路板構造では、子基板の少なくとも一側が開口領域中に対応して露出される。 （もっと読む）

【目的】局部的に高配線密度な回路板を製造することに用い、ステップを簡易化し、製造コストを減少させることができる回路板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明が提示する回路板の製造方法は、以下のステップを含む。先ず、親基板を切断し、親基板を複数の子基板に分離する。続いて、子基板を内層回路板の開口中に配置し、内層回路板が第１回路層と、第２回路層と、第１回路層及び第２回路層の間に位置するコア層とを有し、そのうち、子基板の配線密度が内層回路板の配線密度より大きい。その後、絶縁フィルム及び金属箔片を子基板及び内層回路板の相対する両側に配置し、熱プレス接合ステップを行い、相対する両側の金属箔片、絶縁フィルムを子基板及び内層回路板と一体に結合する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁樹脂層とセラミック配線基板との間に熱応力発生したとしても、配線が破断してしまう可能性がより低減された高信頼性の配線基板を提供すること。
【解決手段】 セラミック配線基板１の上面に複数の絶縁樹脂層２と複数の配線層３とが交互に積層され、絶縁樹脂層２の上下に位置する配線層３・３間がビア導体４で接続され、最下層の絶縁樹脂層２に形成された複数のビア導体４と、セラミック配線基板１の内部から上面に引き出された複数の内部配線５の端部とが電気的に接続されており、内部配線５の端部はセラミック配線基板１の上面に形成された複数の凹部９の底面に引き出されており、凹部９内のビア導体４の周囲に絶縁樹脂が充填されている配線基板。比較的接続強度の弱いビア導体４と内部配線５の端部との接続部は、凹部９内で絶縁樹脂によって固定されているので、破断してしまう可能性が低減された高信頼性の配線基板となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、第２電極の誘電層に接する面積の偏差を最小化することができ、結果的に、キャパシタの静電容量の誤差を減らすことができるキャパシタ内蔵型の印刷回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るキャパシタ内蔵型の印刷回路基板は、絶縁層と、絶縁層の一面に形成される第１電極と、第１電極の一面に形成される第２電極と、第２電極の一面に形成される誘電層と、誘電層の一面に形成される第３電極とを備え、第１電極の一面に第２電極を形成する二重構造にキャパシタの電極を構成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】遮光領域を抑制することにより、開口率の低下を防止するとともに、製造工程を簡素化することができる多層配線基板及びそれを備えた半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＴＦＴ基板１は、第１コンタクトホール１１が形成された第１絶縁膜８と、第１絶縁膜８の表面及び第１コンタクトホール１１の表面に形成された第１配線層１４と、第２コンタクトホール１５が形成された第２絶縁膜９と、第２絶縁膜９上に積層されるとともに、第２絶縁膜９の表面及び第２コンタクトホール１５の表面に形成され、第１配線層１４と導通された第２配線層１６とを備えている。そして、第１及び第２コンタクトホール１１，１５が、ＴＦＴ基板１の上下方向Ｘにおいて重なった状態で直線的に配置され、第１コンタクトホール１１において、第１配線層１４上に絶縁性樹脂２５が充填されている。 （もっと読む）

【課題】 配線密度の向上と、配線間のクロストークノイズの低減とを両立する配線基板及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 第１の層に設けた信号線となる第１の導体層と、第２の層に設けたグランド導体或いは電源用導体のいずれかの第２の導体層と、第１の導体層と第２の導体層間の第３の層に設けた第３の導体層とを有し、第３の導体層は第２の導体層と電気的に接続され、第３の導体層は第１の導体層より線幅が狭く、且つ、第３の導体層は第１の導体層が有する線幅の範囲内の第３の層に配置されているマイクロストリップ構造配線を有し、第３の導体層は、第２の導体層と複数の層間接続ビアによって接続され、第３の導体層と第２の導体層との間に第３の導体層より線幅の狭い第４の導体層を設けるとともに、第４の導体層は、第３の導体層及び第２の導体層と面で接続している。 （もっと読む）

【課題】抵抗膜が占有する面積が小さくし、小型化を容易に実現する。
【解決手段】第１の溝Ｍ１と、第１の溝Ｍ１よりも深い第２の溝Ｍ２とを、第１絶縁膜２０１の表面に形成する。そして、その第１の溝Ｍ１の表面を被覆するように第１抵抗膜３１２を形成すると共に、第２の溝Ｍ２の表面を被覆するように第２抵抗膜３２２を形成する。 （もっと読む）

【課題】製造時や動作中に生じ得る気化成分の応力による絶縁層や基板の変形等を防止でき、かつ、電子部品の動作周波数が高い場合でも、安定な動作を実現することができる電子部品内蔵基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品内蔵基板である半導体内蔵基板１は、両面ＣＣＬ１０の支持基体１１に設けられた導体層１２ａの上に樹脂層２０，２１が積層されており、その内部の導体層１２ａに対向する位置に、カーボンナノチューブシートＳ及び半導体装置３０がこの順に内蔵されたものである。樹脂層２１にはスルーホールＴ２が穿設されており、その内部にカーボンナノチューブシートＳの端部Ｓｔが露出している。また、スルーホールＴ２内には、樹脂層２０，２１よりも密度が小さい樹脂層２２が充填されており、カーボンナノチューブシートＳの端部Ｓｔと樹脂層２２とが接している。 （もっと読む）