【課題】色むらのない窒化アルミニウム基板、並びに、それを用いた窒化アルミニウム回路基板及びモジュールを提供する。
【解決手段】基板内における酸素含有量の最大値と最小値の差が０．２０質量％以下であることを特徴とする色むらのない窒化アルミニウム基板であり、酸化処理が施された窒化アルミニウム粉末を原料とする前記窒化アルミニウム基板である。さらに、前記窒化アルミニウム基板を用いてなる回路基板であり、前記回路基板を用いてなるモジュールである。 （もっと読む）

【課題】切削工具として十分な強度、硬度、耐熱性および放熱性を有する立方晶窒化ホウ素焼結体を提供する。
【解決手段】低圧相窒化ホウ素を高温高圧下で直接変換させると同時に焼結させて立方晶窒化ホウ素焼結体を製造する方法において、ホウ素と酸素とを含む化合物を、窒素と炭素とを含む化合物で還元することにより出発物質としての低圧相窒化ホウ素を準備する。得られた立方晶窒化ホウ素焼結体の（２２０）面のＸ線回折強度Ｉ₂₂₀と、（１１１）面のＸ線回折強度Ｉ₁₁₁との比Ｉ₂₂₀／Ｉ₁₁₁は０．１以上である。 （もっと読む）

【課題】多くの不純物酸素を含む低品位のケイ素粉末を出発原料として用いることができ、従来の成形、焼成プロセスを用いて、優れた機械特性と高熱伝導性を併せ持つ窒化ケイ素焼結体を製造し、パワーモジュール用基板に適した高熱伝導窒化ケイ素基板を提供する。
【解決手段】ケイ素粉末に、ケイ素を窒化ケイ素に換算した際の比率において、０．５〜７ｍｏｌ％の希土類元素の酸化物と、１〜７ｍｏｌ％のマグネシウム混合物とを、上記ケイ素粉末に含まれる不純物酸素とマグネシウム化合物からの酸素との総量が０．１〜１．８質量％となるように混合し、該混合物を成形して窒化し、得られた窒化体を０．１ＭＰａ以上の窒素中で加熱して相対密度が９５％以上になるように緻密化し、得られた板状の窒化ケイ素焼結体の少なくとも一方の面に、マグネシウム、チタン、ジルコニウムのうち少なくとも一種の金属元素を含むろう材を用いて金属板を接合する。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を持つ高熱伝導窒化ケイ素セラミックス、その製造方法及びその応用製品を提供する。
【解決手段】ケイ素粉末の反応焼結を利用して合成した反応焼結窒化ケイ素焼結体であって、β相窒化ケイ素を主成分とし、Ｙ、Ｙｂ、Ｎｄ、Ｓｍの少なくとも一種を酸化物に換算して０．５〜７ｍｏｌ％含有し、Ｍｇの存在量が酸化物に換算して２ｍｏｌ％以下であり、１００Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率、６００ＭＰａ以上の３点曲げ強度、及び予き裂導入破壊試験法で測定した破壊靱性が７ＭＰａｍ^１／２以上であることを特徴とする窒化ケイ素焼結体、その製造方法、及びその応用製品。
【効果】低品位のＳｉ原料を含む多様なＳｉ原料粉末を出発原料として用いることが可能で、しかも優れた特性を有する窒化ケイ素焼結体を低コストで合成できる。 （もっと読む）

【課題】アルカリ土類元素や硼素を添加することなく高温雰囲気下における体積抵抗率を向上させる。
【解決手段】窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粉末１００［ｇ］と酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）粉末２．０［ｇ］をそれぞれ図１に示す黒鉛坩堝１及び黒鉛坩堝２ａ，２ｂに入れた後、図１に示す坩堝３全体を温度２２００［℃］，圧力１．５［ｋｇｆ／ｃｍ２］の窒素雰囲気中に２時間保持する熱処理を行うことにより、実施例Ａ−１の窒化アルミニウム粉末を調製した。 （もっと読む）

【課題】反りが小さく、色ムラやシミの少ない半導体用ホウ素ドープ材の製造が可能となる窒化ホウ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】比表面積５〜１５ｍ２／ｇ、酸素量１質量％以下の窒化ホウ素粉末４８〜８９質量％と、比表面積２５〜６０ｍ２／ｇ、酸素量２質量％以下の窒化ホウ素粉末１０〜４８質量％と、ホウ酸カルシウム粉末１〜４質量％とを含む混合粉をホットプレス焼結することを特徴とする窒化ホウ素焼結体の製造方法。本発明においては、窒化ホウ素焼結体が、窒化ホウ素９６〜９９質量％、酸化カルシウム０．４〜２質量％、酸化ホウ素０．５〜３質量％を含み、密度が１．７〜２．０ｇ／ｃｍ３であることが好ましい。また、窒化ホウ素焼結体が、ＢＮウェハの製造に用いるものであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素焼結体本来の高強度特性に加えて熱伝導率が高く放熱性に優れ、導体層の接合強度および導電性が高い窒化けい素配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化けい素基板の表面に窒化ジルコニウムから成る導体層が一体に形成されており、上記窒化ジルコニウム導体層の電気抵抗値が１０^２Ω・ｃｍ以下であり、上記導体層の９８質量％以上が窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）から成ることを特徴とする窒化けい素配線基板である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、焼成後、未研磨の状態において平滑な表面を有し、光線透過特性が高い窒化アルミニウム焼結体を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る窒化アルミニウム焼結体は、酸素濃度が４５０ｐｐｍ以下、酸素、窒素、アルミニウム以外の不純物元素濃度が３５０ｐｐｍ以下であり、平均結晶粒径が２μｍ〜２０μｍであり、更に、焼成後、未研磨の状態において、表面の算術平均高さＲａが１μｍ以下であり、最大高さＲｚが１０μｍ以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】従来の六方晶窒化ホウ素焼成体の製造方法の問題点を解決し、ホットプレス等の
加圧装置を用いず、かつ非酸化性雰囲気とすることなく、大気中で常圧でｈＢＮを焼成す
る方法とその焼成体を提供すること。
【解決手段】本発明は、六方晶窒化ホウ素と、焼成温度において液相を形成し六方晶窒化
ホウ素と濡れる性質を有する焼成用助剤とを混合し、大気中、無加圧で焼成することを特
徴とする窒化ホウ素焼成体の製造方法と、このようにして得られた六方晶窒化ホウ素とガ
ラス質物質からなる窒化ホウ素焼成体である。焼成用助剤としては、曹長石、ＮａＡｌＳ
ｉ₃Ｏ₈、カリ長石、ＫＡｌＳｉ₃Ｏ₈などのアルミノケイ酸塩が好ましい。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造工程あるいは液晶パネル製造工程で用いられる基板処理装置用部材等を構成する窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】
β−Ｓｉ_３Ｎ_４を主成分とし、β−ＲＥ_２Ｓｉ_２Ｏ_７（ＲＥは周期律表第３族元素）を３体積％以上、２０体積％以下の範囲で含有してなり、室温における熱膨張係数が１．４×１０^−６／Ｋ以下、室温における熱伝導率が２５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の窒化珪素質焼結体を提供することができ、特に半導体製造装置用部材・液晶製造装置用部材として用いた際に、温度変化が生じた際においても熱膨張の非常に小さい焼結体であるため、位置精度を高いものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】長期操業の可能なセラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】焼結原料を予熱途中からプレスを開始して焼結温度まで高め、所定時間保持した後冷却することを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。本発明においては、以下の実施形態等から選ばれた少なくとも一つを備えていることが好ましい。（１）プレス開始前の昇温速度が５００〜１４００℃／ｈであり、プレス開始前の昇温速度をプレス後の昇温速度よりも遅くすること。（２）冷却途中でプレスを解除すること。（３）焼結温度が１２００〜２２００℃、プレス圧力が１０ＭＰａ以上であること。（４）プレスの開始と解除を８００〜１４００℃で行うこと。（５）焼結原料を、順次連続して予熱、プレス、焼結、冷却すること。（６）複数個の焼結原料が容器に収納されてなるユニットを、順次連続して予熱、プレス、焼結、冷却すること、など。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用放熱板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０３であり、熱伝導率が２２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用放熱板である。 （もっと読む）

【課題】 高温下でハロゲン系腐食性ガスやそのプラズマに曝されても腐食や摩耗が少なく、かつパーティクルの発生が極めて少ない窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウム質焼結体中にＡｌ、Ｎ、Ｏを合計で９９．５重量％以上含み、ＡｌＮを主結晶相とするとともに、他の結晶相として上記Ａｌ、Ｎ、Ｏの３成分を含む化合物を含有し、上記焼結体をＸ線回折（Ｘ線の発生源：銅）にて測定した時、上記ＡｌＮの回折ピーク強度Ｉ１（面間隔：２．６８乃至２．７１）に対する上記化合物の回折ピーク強度Ｉ２（面間隔：２．５６乃至２．６２）の強度比（Ｉ２／Ｉ１）が１〜８％で、かつ面間隔：１．５２乃至１．５３７と上記ＡｌＮの（１０１）面の面間隔乃至上記ＡｌＮの（００２）面の面間隔とに回折ピーク強度を実質的に持たないようにする。 （もっと読む）

【課題】 耐プラズマ性が充分高く、寿命の長いドライエッチング装置用電極を提供する。
【解決手段】 例えば窒化アルミニウム粉末１００質量部および希土類酸化物０．５〜２０質量部を含むグリーン体を還元性雰囲気中で焼結することにより窒化アルミニウム粒界に希土類窒化物を生成させることにより得られる導電性の窒化アルミニウムで表面の一部又は全部を構成した貫通孔を有する成形体をドライエッチング装置用電極として用いる。 （もっと読む）

【課題】 低い体積抵抗率が要求されると共に、金属による汚染を嫌う用途、例えば、半導体製造装置用部材として好適に使用することができる窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 平均結晶粒径が１５〜３０μｍであり、酸素濃度が０．１質量％〜０．６質量％、金属不純物量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体であって、かかる窒化アルミニウム焼結体は、室温における体積抵抗率が１．０×１０^８Ωｃｍ以下である。また、上記焼結体は、平均粒子径０．１〜２０μｍの窒化アルミニウム粉末、及び、該窒化アルミニウム粉末に対して焼結助剤を０〜０．１質量部含有する成形体を、中性又は還元雰囲気下で、平均結晶粒径が１５〜３０μｍに到達するまで焼結することによって得られる。 （もっと読む）

【課題】 導電体や抵抗体として有用な導電性窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウム−希土類化合物、窒化アルミニウム−アルカリ土類化合物、又は窒化アルミニウム−希土類化合物−アルカリ土類化合物系にカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を外掛けで０．３〜１２重量％含む混合物を成形し、焼結してなる導電性窒化アルミニウム焼結体であり、相対密度９５％以上の窒化アルミニウム焼結体の粒界部にカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を含む窒化アルミニウム燒結体である。
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【課題】 ダイヤモンド工具によっても加工困難な、鉄系あるいはガラス系であって難削材といわれる材料の加工に対しても加工性能、工具寿命とも十分な性能を示すマイクロ回転工具を提供することを課題とする。
【解決手段】 マイクロ回転工具１は、超硬合金材料からなる軸対称のシャンク部２と、バインダレス微粒高純度ＣＢＮ多結晶体材料からなりシャンク部２の端面にシャンク部の中心軸線２１と同心状に接合されているビット部３とを有している。ビット部３がシャンク部２と接合されている側と反対側の端面には、複数の四角錐３２が互いに密に隣り合って整列する多刃先端切れ刃３１が形成されている。これらの四角錐３２は、隣り合う２つの四角錐３２の互いに向き合う２つの錐平面３３が互いに６０度±５度の角度で交差しており、各四角錐３２は、互いに直交する２つの整列方向において、０．０６ｍｍ〜０．１ｍｍのピッチで整列している。 （もっと読む）

【課題】 強度や破壊靭性等に優れた導電性窒化ケイ素焼結体を提供する。抵抗体として有用である。
【解決手段】 平均粒子径が１．０μｍ以下の酸化マグネシウム０．１〜５重量％を添加してえられるＳｉ−Ｒ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ化合物、或いはＳｉ−Ｒ−Ｍｇ−Ｏ−Ｎ化合物（Ｒは希土類元素を表す。）を主として含む粒界相を２〜２０重量％、及び窒化ケイ素を残量、並びにＣＮＴを外掛けで０．３〜１２重量％含有して成る導電性窒化ケイ素焼結体。
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【課題】誘電層厚さのばらつきを小さくしたジョンソン・ラーベック方式の窒化アルミニウム製静電チャック及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本窒化アルミニウム製静電チャックは、共に主として窒化アルミニウムからなり、ウェーハ載置面が設けられた載置側焼結体と、前記載置側焼結体と接合されているベース側焼結体と、前記両焼結体間に埋設された金属電極を具備し、前記載置側焼結体はイットリウム濃度が１０００〜２０００ｐｐｍ、室温における体積抵抗率が１×１０^１０〜１×１０^１１Ωｃｍでありかつ、前記ウェーハ載置面と前記金属電極の距離のばらつきが１００μｍ以下であり、前記ベース側焼結体はイットリウム濃度が４０００〜８０００ｐｐｍである。 （もっと読む）

【課題】二硼化チタンと窒化ホウ素を必須成分とするセラミックス焼結体を生産性を高めて製造する。
【解決手段】頻度粒度分布において０．５〜５μｍの領域と５〜５０μｍの領域とに極大値を有する窒化ホウ素粉末と、二硼化チタン粉末とを含有してなる原料粉末を成形した後、非酸化性雰囲気下、焼結することを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。この場合において、原料粉末が、更に窒化アルミニウム粉末、又は窒化アルミニウム粉末と酸化カルシウム粉末及び／又は酸化ストロンチウム粉末からなる焼結助剤とを含むこと、などが好ましい。 （もっと読む）