【課題】相変化記録媒体の界面層膜の成膜等に用いられるスパッタリングターゲットの製造方法において、均質で歩留まりの良いターゲットを得るための製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｔｉ，ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも１種のＭ元素の酸化物粉末とＭ元素の窒化物粉末を混合、成形した後、焼結する工程を具備することにより、スパッタリングターゲットは、Ｍ（Ｏ_1-xＮ_x）_z（ＭはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも1種の元素、0＜ｘ≦0.7、0.5≦ｚ≦2.0（原子比））、または（Ｍ_1-aＣｒ_a）（Ｏ_1-xＮ_x）_z（ＭはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも1種の元素、0.1≦ａ≦0.5、0＜ｘ≦0.7、0.5≦ｚ≦2.0（原子比））で表される組成を有する。 （もっと読む）

【課題】相変化記録媒体の界面層膜の成膜等に用いられるスパッタリングターゲットにおいて、結晶化促進機能と光学的特性とを両立させた金属化合物膜の成膜を可能にする。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、Ｍ（Ｏ_1-xＮ_x）_z（ＭはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも1種の元素、0＜ｘ≦0.7、0.5≦ｚ≦2.0（原子比））、または（Ｍ_1-aＣｒ_a）（Ｏ_1-xＮ_x）_z（ＭはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも1種の元素、0.1≦ａ≦0.5、0＜ｘ≦0.7、0.5≦ｚ≦2.0（原子比））で表される組成を有する。このようなスパッタリングターゲットを用いて成膜した金属酸窒化膜は、相変化記録媒体１の界面層４、６等に使用される。 （もっと読む）

【課題】 窒化アルミニウム焼結体の粒界強度の低下を極力防ぐことにより、パーティクルの発生の少ない、すなわち発塵性の少ないサセプタを提供する
【解決手段】 本発明の窒化アルミニウム焼結体は、含有するゲルマニウムとイオウの量を一定値以下に制御する。すなわち、窒化アルミニウムを主成分とする窒化アルミニウム焼結体において、窒化アルミニウム焼結体中のゲルマニウムの含有量が１００ｐｐｍ以下であり、かつイオウの含有量が２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。前記窒化アルミニウム焼結体に、抵抗発熱体が形成されていることが好ましく、半導体加熱用部品として使用されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】cBN相、及びチタン炭窒化物とTiB₂相とからなるバインダ相、を含む複合材料からなり、硬化鋼、熱間加工と冷間加工の工具鋼、鍛造鋼、型硬化鋼、高速度鋼、ダクタイル鼠鋳鉄を機械加工するために使用することができる切削工具インサートを提供する。
【解決手段】CuKa-輻射を使用する複合材料からのXRDパターンにおいて、最も強い(101)TiB₂ピークと最も強いcBN（111）ピークとのピーク高さ比が、0.06より小さく、前記XRDパターンにおけるチタン炭窒化物相からの（220）ピークが、TiC(PDF32-1383)とTiN（PDF38-1420）とのPDFの線の双方の垂直線と交差し、且つ、最も低く交差する点の高さが、セラミックバインダ相の最大（220）ピーク高さの少なくとも０．１５である。インサートは、粉砕加工、加圧成形及び焼結をする粉末冶金法によって作られ、焼結は、緻密な組織を得るために、必要な可能な限り短時間で可能な限り低温度で実施される。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度が１０００ｐｐｍ以下の非酸化性雰囲気であっても強度の著しい劣化や破損を防止することができるとともに、実使用できる寿命を大幅に向上させることができる非酸化性雰囲気用窯道具を提供する。
【解決手段】主成分としてＳｉＣとＳｉ₃Ｎ₄及び／又はＳｉ₂Ｎ₂Ｏを含んで構成され、酸窒化珪素と酸化珪素以外の無機酸化物を０．１２〜３．０質量％含有する非酸化性雰囲気用窯道具である。 （もっと読む）

【課題】 窒化アルミニウム焼結体の粒界強度の低下を極力防ぐことにより、パーティクルの発生の少ないサセプタを提供する。
【解決手段】 本発明の窒化アルミニウム焼結体は、含有するカドミウムとリンの量を一定値以下に制御する。すなわち、窒化アルミニウムを主成分とする窒化アルミニウム焼結体において、窒化アルミニウム焼結体中のカドミウムの含有量が１５０ｐｐｍ以下であり、かつリンの含有量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。前記窒化アルミニウム焼結体に、抵抗発熱体が形成されていることが好ましく、半導体加熱用部品として使用されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素焼結体本来の高強度特性に加えて熱伝導率が高く放熱性に優れ、導体層の接合強度および導電性が高い窒化けい素配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化けい素基板の表面に窒化ジルコニウムから成る導体層が一体に形成されており、上記窒化ジルコニウム導体層の電気抵抗値が１０^２Ω・ｃｍ以下であり、上記導体層の９８質量％以上が窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）から成ることを特徴とする窒化けい素配線基板である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、焼成後、未研磨の状態において平滑な表面を有し、光線透過特性が高い窒化アルミニウム焼結体を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る窒化アルミニウム焼結体は、酸素濃度が４５０ｐｐｍ以下、酸素、窒素、アルミニウム以外の不純物元素濃度が３５０ｐｐｍ以下であり、平均結晶粒径が２μｍ〜２０μｍであり、更に、焼成後、未研磨の状態において、表面の算術平均高さＲａが１μｍ以下であり、最大高さＲｚが１０μｍ以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用放熱板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０３であり、熱伝導率が２２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用放熱板である。 （もっと読む）

【課題】 低い体積抵抗率が要求されると共に、金属による汚染を嫌う用途、例えば、半導体製造装置用部材として好適に使用することができる窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 平均結晶粒径が１５〜３０μｍであり、酸素濃度が０．１質量％〜０．６質量％、金属不純物量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体であって、かかる窒化アルミニウム焼結体は、室温における体積抵抗率が１．０×１０^８Ωｃｍ以下である。また、上記焼結体は、平均粒子径０．１〜２０μｍの窒化アルミニウム粉末、及び、該窒化アルミニウム粉末に対して焼結助剤を０〜０．１質量部含有する成形体を、中性又は還元雰囲気下で、平均結晶粒径が１５〜３０μｍに到達するまで焼結することによって得られる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、耐反応性に優れたセラミックス部材および高温反応炉を提供することを目的とする。
【解決手段】 本質的に窒化珪素質相と第二相とSiC粒子相からなるセラミックス部材であって、第二相とSiC粒子相の合計が２質量％以下であり、第二相は、０．５〜１．３質量％の希土類酸化物と０．５〜１．３質量％の酸窒化アルミニウムポリタイプの固溶したものであり、その第二相の形状のアスペクト比が５以上の割合が１０％以下であり、または、その第二相の形状の短軸側の最大径が０．８μｍ以上の割合が３０％以下であり、かつ、SiC粒子相は、平均粒径０．０５μｍ以下で０．２〜０．４質量％の球状SiC微粒子からなることを特徴とする耐反応性に優れたセラミックス部材、および、この部材を用いてなる高温反応炉である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、不純物が少なく優れた熱伝導率とシャープな粒度分布を有すると共に、焼結時の熱収縮率が低い窒化アルミニウム粉末を安価に得ることのできる、窒化アルミニウム粉末の製造法を提供する。
【解決手段】 還元窒化法における窒化アルミニウム粉末の製造法において、出発原料としてアルミナ粒子粉末の粒子表面が表面改質剤によって被覆されていると共に該表面改質剤被覆アルミナ粒子表面に炭素粉末が付着している複合粒子粉末を用いる窒化アルミニウム粉末の製造法である。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用いて各種パワーモジュールを構成した際にリーク電流の発生を効果的に抑制することができ、大電力化および大容量化したパワーモジュールにおいても絶縁性および動作の信頼性を大幅に向上させることが可能な窒化けい素セラミックス回路基板を提供する。
【解決手段】気孔率が容量比で２．５％以下であり、粒界相中の最大気孔径が０．３μｍ以下の窒化けい素焼結体から成り、温度２５℃，湿度７０％の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に１．５ｋＶ−１００Ｈｚの交流電圧を印加したときの電流リーク値が１０００ｎＡ以下であり、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である窒化けい素セラミックス基板２上に複数の金属回路板３，３を設けると共に、該金属回路板３，３の間隔が０．１〜２．０ｍｍの範囲である箇所を具備していることを特徴とする窒化けい素セラミックス回路基板１である。 （もっと読む）

【課題】 ＣＢＮ焼結体工具の被覆膜を薄くすることで、焼入れ鋼の精密仕上げや溝入れ加工用の工具を提供する。
【解決手段】 本発明は、ＣＢＮ焼結体を基材として、基材の表面にＣ、ＮおよびＯの中から選択された少なくとも１種の元素とＴｉとＡｌとを主成分とした化合物からなる少なくとも１層の被覆膜を０．１μｍ以上１μｍ未満の厚さで有する工具用表面被覆高硬度材料である。溝入れ工具としてこの材料を使用すると、優れた性能を示す。被覆膜としては、中間層、耐摩耗膜および表面層などがある。
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【課題】本発明は、ＡｌＮ系セラミックスの色ムラを解消し、耐食性と機械的特性を改善させた、黒色を呈する高純度ＡｌＮ系セラミックスを提供するものである。
【解決手段】本発明の黒色ＡｌＮ系セラミックスは、１〜３０重量％の酸化アルミニウムと残部が実質的に窒化アルミニウムより成る混合粉体を成形・焼結し、焼結中に酸化アルミニウムと窒化アルミニウムとの反応により生じる格子欠陥を有するＡｌＯＮ相を含有し、実質ＡｌＮとＡｌＯＮの２相とから成り、密度が理論値の９０％以上で黒色を呈する。 （もっと読む）

【課題】 大気中で制限なく使用できる高周波加熱用被加熱部材及びそれを備える高周波加熱装置を提供する。
【解決手段】
金属不純物の含有量が全重量基準で１ｐｐｍ以下である炭化ケイ素焼結体から構成された高周波加熱用被加熱部材。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用いて各種パワーモジュールを構成した際にリーク電流の発生を効果的に抑制することができ、大電力化および大容量化したパワーモジュールにおいても絶縁性および動作の信頼性を大幅に向上させることが可能な窒化けい素セラミックス基板およびそのセラミックス基板を使用した回路基板を提供する。
【解決手段】粒界相中の最大気孔径が０．３μｍ以下の窒化けい素焼結体から成り、温度２５℃，湿度７０％の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に１．５Ｋｖ−１００Ｈｚの交流電圧を印加したときの電流リーク値が１０００ｎＡ以下であり、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上であり、残留炭素含有量が５００ｐｐｍ以下であることを特徴とする窒化けい素セラミックス基板２である。 （もっと読む）

炭化ケイ素焼結体の断面研磨面の炭化ケイ素粒子とケイ素粒子の面積から、気孔率（％）＝（ケイ素粒子の面積／（ケイ素粒子の面積＋炭化ケイ素粒子の面積））×１００として求めた気孔率が１５％以上３０％以下であり、残留ケイ素の含有量が炭化ケイ素焼結体の全体積に対して４％以下である炭化ケイ素焼結体。
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炭化ケイ素被覆された炭化ケイ素構造体を含む、炭化ケイ素構造体を精製するための方法を開示する。開示する方法は、炭化ケイ素構造体内の鉄汚染の程度を、１００倍〜１０００倍の程度で減少させることができる。精製した後の炭化ケイ素構造体は、高温シリコンウエハ処理に用いるために好適である。 （もっと読む）

【課題】 温度変化に伴う体積抵抗率の変化が小さい窒化アルミニウム焼結体、およびそれを用いた静電チャックを提供する。
【解決手段】 サマリウムとランタンの少なくとも１種を酸化物換算で０．５質量％以上７．０質量％以下含有し、かつ、鉄およびニッケルの含有量が１８０ｐｐｍ以下であり、残部が実質的に窒化アルミニウムからなり、２３℃の体積抵抗率が５×１０⁸〜１×１０¹⁴Ω・ｃｍであり、かつ、２００℃の体積抵抗率が５×１０⁸Ω・ｃｍ以上であって、２３℃の体積抵抗率と２００℃の体積抵抗率のそれぞれの常用対数を取ったときのその差が２以下である窒化アルミニウム焼結体を得る。この窒化アルミニウム焼結体を被吸着体を吸着する誘電体層２として用い、その下に設けられた電極３に電圧を印加することにより被吸着体１０を吸着する。 （もっと読む）