【課題】耐摩耗性および耐欠損性に優れた複合焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の複合焼結体は、６０体積％以上９９．７体積％以下のＳｉＡｌＯＮを含み、残部が結合材からなり、該結合材は、ＦｅＳｉ化合物を含み、結合材の組織は、不連続な部分を有することを特徴とする。上記の結合材は、Ｓｉ₃Ｎ₄およびＡｌ₂Ｏ₃をさらに含むことが好ましい。複合焼結体に含まれる結合材のうちの、１０％以上９５％未満の結合材の粒子径の長径が５μｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】比抵抗値を広い範囲内で調整することができると共に、比抵抗値の温度依存性を調整することが可能な導電性セラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】非導電性セラミックスの粗大粒子、微細粒子、及び／または、加熱により非導電性セラミックスを生成する原料を含む混合原料から成形体を得る成形工程、及び、成形体を焼成する焼成工程を具備し、成形工程でドーパントを含む化合物が添加された混合原料から成形体を得ることにより、及び／または、焼成工程をドーパントが存在する雰囲気下で行うことにより、微細粒子及び／または非導電性セラミックス生成原料に由来しドーパントとしてアクセプター及びドナーを含む半導体セラミックスの第一相１０と、粗大粒子に由来する非導電性の第二相２０とを備える焼結体を製造し、第一相におけるアクセプター及びドナーの濃度により、焼結体の比抵抗値及び比抵抗値の温度依存性を変化させる。 （もっと読む）

【課題】希土類多ホウ化物において、高温（９００Ｋ以上）で優れたｎ型の熱電的性質を有する新しい機能を示す多ホウ化物を使用したｎ型熱電変換素子を提供することを目的としている。
【解決手段】一般式ＲＥＢ_２２＋ＸＣ_４＋ＹＮ_１＋Ｚ（−６＜Ｘ＜６、−３＜Ｙ＜３、−１＜Ｚ＜１、ＲＥは、Ｓｃ、Ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕからなる群から選ばれる少なくとも１種の希土類元素）で表される、三斜晶系または菱面体系に属する炭素、窒素をドープしてなる希土類多ホウ化物を提供することによって解決する。 （もっと読む）

【課題】より高強度の窒化ケイ素焼結体を実現する。
【解決手段】本発明の窒化ケイ素焼結体は、ジルコニアを３〜１０重量％含む、ジルコニア粒子が分散した窒化ケイ素焼結体であり、上記ジルコニア粒子の粒子径は５μｍ未満であり、粒子径が０．５μｍ以上５μｍ未満のジルコニア粒子の数が０．００５個／μｍ^２以上である。 （もっと読む）

【課題】窒化ケイ素焼結体からなる耐摩耗性部材において、強度や破壊靭性に加えて、転がり寿命などの摺動特性を向上させる。
【解決手段】耐摩耗性部材は、窒化ケイ素粉末に、希土類化合物を酸化物に換算して０．５〜１０質量％、チタン化合物を窒化チタンに換算して０．１〜５質量％、酸化アルミニウムを０．１〜５質量％、および窒化アルミニウムを５質量％以下の範囲で添加した混合原料粉末を成形、焼結してなる窒化ケイ素焼結体を具備する。該窒化ケイ素焼結体は、長軸径が１μｍ以下の窒化チタン粒子を０．２〜５質量％含有する。該窒化チタン粒子は、アスペクト比が１．０〜１．２の範囲の粒子を８０％以上含む。該窒化ケイ素焼結体は気孔率が０．５％以下である。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム溶湯に対する良好な耐濡れ性、高い強度及び耐熱衝撃性を有する窒化珪素質焼結体を得る。
【解決手段】 中心部に窒化硼素粒子を偏在させた窒化珪素質原料粉末、窒化硼素粒子、助剤からなる窒化珪素質セラミック球状粉の集合体を焼結したことを特徴とする窒化珪素質焼結体。 （もっと読む）

【課題】摩擦撹拌接合のプローブに適した回転工具を提供する。
【解決手段】この回転工具は、摩擦撹拌接合のプローブに用いられるものであり、WCを主成分とし、残部がSiC及び不純物から構成される焼結体からなる。この焼結体の熱伝導率が130W/m・K以下である。SiCを含有していながらも熱伝導率が低いことで、この回転工具により摩擦撹拌接合を行った場合、接合対象に摩擦熱を十分に伝えて、接合対象の構成材料を十分に塑性流動させて良好に接合できる。この回転工具は、WC-SiC系焼結体により構成されることで、ヤング率が高く剛性に優れる上に、硬度が高く耐摩耗性に優れるため、長期に亘り上記良好な接合を安定して提供することができると期待される。 （もっと読む）

【課題】 高強度高靱性化を図ることができるとともに、放熱性を向上することができる窒化珪素質焼結体およびその製法ならびに回路基板、パワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】 β−Ｓｉ_３Ｎ_４及びβ−サイアロンのうち少なくとも１種の結晶粒子１と粒界相３とからなる窒化珪素質焼結体であって、結晶粒子１内に、該結晶粒子１の他の部分４よりもＡｌ存在量が多いＡｌ多領域部５を有するとともに、該Ａｌ多領域部５が希土類元素を含有する被覆層６で覆われていることを特徴とする。これにより、焼結体の強度と靱性を向上できるとともに、焼結体の熱伝導率を高くすることができ、放熱性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】塗着効率を損なうことなく、火花放電や絶縁破壊を抑制することが可能な静電塗装用回転霧化頭及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】以下の構成を備えた静電塗装用回転霧化頭及びその製造方法。（イ）少なくとも放出端は、焼結温度Ｔ₁、電気比抵抗ρ₁の絶縁性セラミックスと、焼結温度Ｔ₂（Ｔ₁＜Ｔ₂）、電気比抵抗ρ₂（ρ₁＞ρ₂）の導電性セラミックスとの複合体からなる。（ロ）導電性セラミックス含有量は、９〜１１ｗｔ％である。（ハ）絶縁性セラミックスの平均粒径（Ｄ₁）は、０．５〜１０μｍである。（ニ）導電性セラミックス／絶縁性セラミックスの粒径比（Ｄ₂／Ｄ₁）は、１／８００〜１／５である。（ホ）静電塗装用回転霧化頭は、抵抗値が１０⁶〜１０¹²Ωである。（ヘ）絶縁性セラミックス粒子の周囲に、導電性セラミックス粒子が０．１〜２．０μｍの間隔で不連続に分散し、導電パスを形成している。 （もっと読む）

【課題】 高強度高靱性化を図ることができるとともに、放熱性を向上することができる窒化珪素質焼結体およびその製法ならびに回路基板を提供する。
【解決手段】 β−Ｓｉ_３Ｎ_４およびβ−サイアロンのうち少なくとも１種の結晶粒子１と粒界相３とからなる窒化珪素質焼結体であって、結晶粒子１内に、該結晶粒子１の他の部分よりもＡｌ存在量が多いＡｌ多領域５を有するとともに、Ａｌ多領域の平均径が２μｍ以上であり、かつＡｌを全量中０．０５３〜０．４２２質量％含有すること、望ましくは０．１５９〜０．２３８質量％含有することを特徴とする。これにより、焼結体の強度と靱性を向上できるとともに、焼結体の熱伝導率を高くすることができ、放熱性を向上できる。 （もっと読む）

本発明は、酸化ホウ素が金属酸化物内で見出される緊密に結合したクラスターを生成させるような方法で混合した金属酸化物と酸化ホウ素を含む金属ホウ化物プレカーサー混合物に関する。さらにまた、本発明は、上記金属ホウ化物プレカーサー混合物と炭素質成分でもって製造した炭素複合体材料にも関する。最後に、本発明は、金属酸化物と酸化ホウ素を供給する工程；金属酸化物と酸化ホウ素を、酸化ホウ素を液化し且つ金属酸化物を含浸し得る温度で機械的に混合して金属酸化物と酸化ホウ素の緊密に結合したクラスターを生成させる工程を含む上記金属ホウ化物プレカーサー混合物の製造方法も教示する。 （もっと読む）

【課題】窒化ケイ素と比較して安価なケイ素を主原料として用いて、ケイ素の窒化過程を利用して作製した反応焼結窒化ケイ素基複合材料を提供する。
【解決手段】ケイ素を含む原料を用い、窒素中においてケイ素を窒化せしめる反応焼結の行程を経た後、緻密化された窒化ケイ素基複合材料であって、Ｚｒの酸化物及び／又は窒化物が分散した状態で含まれている、かつ、粒界相が少なくともＡｌとＳｉを含む酸化物又は酸窒化物の非晶質相である、ことを特徴とする窒化ケイ素基複合材料、その製造方法、及び出発原料として、ケイ素を含む原料を用い、酸化ジルコニウム及び焼結助剤を所定の配合によって混合、成形し、窒素中においてケイ素を窒化せしめる反応焼結を行った後、昇温し、緻密化させることを特徴とするβサイアロン基セラミックスを含む窒化ケイ素基複合材料の製造方法。
【効果】低コストで信頼性に優れた窒化ケイ素基複合材料を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細なＢＮ粒子がＡｌＮマトリックス中に均一分散したＡｌＮ・ＢＮ複合粉末を提供することを目的としている。
【解決手段】窒化ホウ素と窒化アルミニウムとが複合化されてなるＡｌＮ・ＢＮ複合粉末であって、該複合粉末の比表面積Ｘ(m²/g)と、該複合粉末を下記条件で成形焼結したＡｌＮ・ＢＮ複合焼結体のヤング率Ｙ(GPa)とが、下記式を満足するＡｌＮ・ＢＮ複合粉末：0.8≦Ｘ×5.5/(323−Ｙ) 成形焼結条件：ＡｌＮ・ＢＮ複合粉末１００重量部に対して、焼結助剤として５．２６重量部のY₂O₃を加え、エタノールを分散媒として湿式ボールミル混合した後、乾燥させた。Ｙ₂Ｏ₃焼結助剤を混合した原料粉末を35mm×45mm×5mmの角柱状
に加重50ｋｇ/cm²で一軸加圧成形し、続いて200MPaで静水圧プレスを行い焼結用ペレットを成形した。ペレットを、多目的雰囲気炉（富士電波工業社製、ハイマルチ10K）を用い
て窒素雰囲気中、1800℃で1時間常圧焼結し、測定サンプルとした。 （もっと読む）

【課題】炭化けい素焼結体の表面の開気孔の形状が規定されていないため、潤滑液を用いた摺動部材として使用する際、開気孔の形状に起因する潤滑液の流出の度合いを調整することは困難である。
【解決手段】 表面に開口する開気孔を有する炭化けい素質焼結体であって、その表面における任意の直径２０μｍの円内の領域に、前記開気孔の外接円の直径を長径とし、該長径に直交するとともに、前記長径の中点を通過する直線と前記開気孔とが交わる直線を短径としたとき、前記長径に対する前記短径の比が０．２以上０．８以下である非球形開気孔を一つ以上有する。 （もっと読む）

【課題】浮上量が１０ｎｍ以下の範囲では浮上面の表面平滑性が重視されるようになり、この浮上面を得るには、平均粒径０．１μｍ以下の小さなダイヤモンド砥粒を用いて研磨しなければならないため、従来のセラミック焼結体では機械加工性が悪く、このセラミック焼結体から製作される磁気ヘッドを１０ｎｍ以下の浮上量に対応させることはできなかった。
【解決手段】Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒子と、該Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒子の内部に存在する内部ＴiＣ結晶粒子と、前記内部ＴｉＣ結晶粒子以外の外部ＴiＣ粒子とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】 電気絶縁性の材料として、安価で高熱伝導性を有するセラミックス焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化マグネシウム粉末に窒化アルミニウム粉末、焼結助剤、可塑剤および溶剤を混合してなるスラリーからグリーンシートを作製し、そのグリーンシートから成形体を作製し、その成形体を不活性雰囲気下で焼結する。製造された高熱伝導性セラミックス焼結体３は、窒化アルミニウム焼結体４を主成分とするマトリックス相２中に酸化マグネシウム粒子１が分散されている。 （もっと読む）

第１セラミック材料を含む組成物から形成される焼結セラミック体と、該セラミック体中の複数の包含物であって、各包含物がグラファイト及び第２セラミック材料を含む包含物とを含むセラミック要素が開示される。
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【課題】セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板を用いた窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜の形成方法、及び該単結晶薄膜形成基板を使用した発光素子などの半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶系又は三方晶系から選ばれた少なくともいずれかの結晶構造を有するセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を基板１として用いることにより、その上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜２が形成され、さらに上記の結晶性の高い単結晶薄膜が形成された薄膜基板を用いることにより発光効率に優れた発光素子などの半導体素子の製造が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置、液晶デバイス製造装置用の絶縁性部材等として好適に用いることができ、また、前記部材等の大型化、高精度化、複雑化にも対応することができる高比抵抗炭化ケイ素焼結体を提供する。
【解決手段】 常圧焼結法により、窒素含有量が０．４ｗｔ％以上０．５ｗｔ％以下であり、前記窒素の一部が炭化ケイ素結晶に固溶しており、残部が炭化ケイ素結晶粒界に窒化ホウ素結晶として存在し、かつ、比抵抗が０．１ＧΩ・ｃｍ以上である高比抵抗の炭化ケイ素焼結体を得る。 （もっと読む）

本発明は、導電性ＡｌＮからなる導電性セラミックス及びその製造方法並びにその導電性セラミックスを用いた半導体製造装置用部材に関する。
従来のＡｌＮセラミックスでは室温で高い導電性を得ることは困難であったが、本発明の導電性ＡｌＮからなる導電性セラミックスは、粒界相に希土類窒化物を含んでおり、該希土類窒化物が三次元的に網目状に連続した導電ネットワークを形成し、室温における導電率が１０^−１０Ｓ／ｃｍ以上となる。
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