負又は低い熱膨張係数を有し、かつ、実質的に単一の結晶系からなる材料を提供する。 化学式（（Ｒ^４＋Ｍ^２＋）_１−ｘＡ^３＋_２ｘ）（ＱＯ_４）_３（ただし、ＲはＺｒ及びＨｆから選ばれる４価の金属元素の少なくとも１種、ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ
ａ及びＲＡから選ばれる２価の金属元素の少なくとも１種、ＱはＷ及びＭｏから選ばれる６価の金属元素の少なくとも１種、ＡはＡｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎから選ばれる３価の金属元素の少なくとも１種を示す。０＜ｘ＜１）で示される酸化物であって、実質的に単一の結晶系から構成されていること特徴とする負又は低い熱膨張係数を示す材料に係る。 （もっと読む）

ＩＴＯスパッタリングターゲット中に、王水でエッチングしたとき又はスパッタエッチングしたときに表出する、粒径１００ｎｍ以上の粒子の個数が１個／μｍ^２以下であることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット及び密度が７．１２ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。スパッタ特性、特にアーキングの発生を抑制し、このアーキングに起因するＩＴＯ膜の欠陥の発生を抑え、ＩＴＯ膜の品質低下を効果的に抑制する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来生じていたスプレードライヤーで得られる造粒粉の成形時でのつぶれ性のばらつきによる強度低下や、密度の低下という問題のない高強度で高密度のＩＴＯターゲットを得る方法の提供を課題とする。
【解決手段】酸化インジウム粉と酸化スズ粉と水と有機バインダーとを混合し粉砕し、これを噴霧乾燥して造粒粉を得、得られた造粒粉を均一混合した後加圧成型し、得られた成型体を焼成してＩＴＯターゲットを得る方法において、有機バインダーとしてケン化度９０〜９５ｍｏ１％、重合度４００〜１０００のポリビニルアルコールを酸化インジウム粉と酸化スズ粉の合量に対して１．０〜３．０重量％となる量を加え、加圧成型前の造粒粉の水分率を０．１５〜０．４重量％とする。 （もっと読む）

【課題】 高抵抗透明導電膜、特に抵抗膜式タッチパネル装置等の画面位置確定のために使用されるシート抵抗５００〜２０００Ω／□程度の高い表面抵抗率を有する透明導電膜の形成に有用である高抵抗透明導電性膜用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 酸化インジウムと酸化錫を主成分とする焼結体であって、さらに酸化ケイ素又は酸化チタンの少なくとも一方を含有することを特徴とする高抵抗透明導電性膜用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 相対密度が高く、成膜中における異常放電が少なくノジュールが発生しにくい、ＩＴＯターゲットの製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】 酸化インジウム粉末及び酸化錫粉末からなる成形体を焼結炉内に入れて焼結させるに際し、焼結炉内に酸素を成形体重量１ｋｇ当り０．５〜３．０リッター／分の割合で、少なくとも成形体片面に沿って酸素が流れるように流入させつつ、成形体中に含まれる成形用バインダを揮発させた後は、２４時間程度かけて１０００℃まで昇温し、１０００℃から１４００〜１６００℃の所望の温度までを１５０分以内で昇温し、１４００〜１６００℃の温度範囲で１０時間以上保持して焼結させる。 （もっと読む）