【課題】スパッタリング法を用いた酸化物半導体膜の成膜時の異常放電の発生が抑制され、連続して安定な成膜が可能なスパッタリングターゲットを提供すること。希土類酸化物Ｃ型の結晶構造を持つ、表面にホワイトスポット(スパッタリングターゲット表面上に生じる凹凸などの外観不良)がないスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】ビックスバイト構造を有し、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、インジウム(In) 、ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)の組成量が原子比で以下の式を満たす組成範囲にある焼結体を提供する。
In/(In+Ga+Zn)<0.75 （もっと読む）

【課題】ＭｏＳ_２を主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Ｈｆ，Ｒｅ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｙ，Ｓｃ，Ｍｇ，Ｃａからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で０．１〜１０．０ｗｔ％含有し、残部がＭｏＳ_２および不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】耐熱性無機基板上に塗布法で形成された高い仕事関数を有する有機ＥＬ用透明導電性基材とその製造方法、有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】基板１上に、主成分として有機インジウム化合物、または有機インジウム化合物とドーパント用有機金属化合物を含有する透明導電膜形成用塗布液、あるいは、主成分として有機錫化合物、または有機錫化合物とドーパント用有機金属化合物を含有する透明導電膜形成用塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布工程、前記塗布膜を乾燥して乾燥塗布膜を形成する乾燥工程、前記乾燥塗布膜を無機化して、酸化インジウム、またはドーパント金属酸化物を含む酸化インジウムである導電性酸化物を主成分とする無機膜、あるいは酸化錫、またはドーパント金属酸化物を含む酸化錫を主成分とする無機膜を形成する無機化工程の各工程からなる塗布法により透明導電膜３を形成する有機ＥＬ用透明導電性基材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来よりも抵抗値の低いＩｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ系酸化物導電膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、亜鉛元素（Ｚｎ）及び下記のＡ群から選択される少なくとも１つの元素（Ａ）を含有し、Ｉｎ、Ｚｎ及びＡの金属元素の組成（原子比）がＩｎ_ｘＺｎ_（1-ｘ）Ａ_ｙで表わされる酸化物からなり、ｘ及びｙが下記式（１）及び（２）を満たすスパッタリングターゲット。
Ａ群：Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇａ、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、ランタノイド
０．６８≦ ｘ ≦０．９５ （１）
０．０００１≦ ｙ ≦０．００４５ （２） （もっと読む）

【課題】圧粉焼結体の製造工程における変形を抑制し、材料歩留まりの向上や製造工程の簡略を可能とする、圧粉焼結体の作製方法及び圧粉成形体を提供する。
【解決手段】粉体材を加圧して成形した圧粉成形体を、焼結して圧粉焼結体を作製する方法であって、前記圧粉成形体が、プレス成形処理後、さらに１００ＭＰａより低い圧力で等方圧プレス処理を行ったものである圧粉焼結体の作製方法、粉体材を加圧して成形され、焼結によって圧粉焼結体を成す、圧粉成形体であって、焼結前の密度が１．４６ｇ／ｃｍ^３より大きく且つ１．６７ｇ／ｃｍ^３より小さい圧粉成形体、並びに、粉体材を加圧して成形され、焼結によって圧粉焼結体を成す、圧粉成形体であって、焼結前において、理論密度に対する密度の割合（密度／理論密度×１００％）が４８．５％より大きく且つ５５．７％より小さい圧粉成形体。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の成膜を可能にする酸化物焼結体および酸化物混合体を提供する。
【解決手段】酸化物焼結体は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。酸化物混合体は、実質的に酸化亜鉛と酸化チタンとからなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。 （もっと読む）

【課題】ガラスを原料として、可視光応答性と優れた光触媒活性を有し、使用性や耐久性にも優れた光触媒機能性素材を提供する。
【解決手段】 酸化物換算組成の全物質量に対して、モル％で、Ｂｉ_２Ｏ_３成分を５〜９５％の範囲内で含有するガラスセラミックスが提供される。このガラスセラミックスは、Ｂｉ_２Ｏ_３結晶、Ｂｉ_２ＷＯ_６結晶、Ｂｉ_２Ｗ_２Ｏ_９結晶、Ｂｉ_２Ｗ_３Ｏ_１２結晶、Ｂｉ_２ＭｏＯ_６結晶、Ｂｉ_２Ｍｏ_２Ｏ_９結晶、Ｂｉ_２Ｍｏ_３Ｏ_１２結晶、Ｂｉ_２Ｔｉ_２Ｏ_７結晶、Ｂｉ_２Ｔｉ_４Ｏ_１１結晶、Ｂｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２結晶、Ｂｉ_１２ＴｉＯ_２０結晶、ＢｉＮｂＯ_４結晶、Ｂｉ_２Ｆｅ_４Ｏ_９結晶、ＢｉＶＯ_４結晶、ＬｉＢｉＯ_３結晶、及びこれらの固溶体からなる群より選択される１種以上を含有していてもよい。 （もっと読む）

【課題】高価なガリウム（Ｇａ）、及び、膜の安定性に問題がある亜鉛（Ｚｎ）を含有しない酸化物半導体膜製造用の酸化物焼結体を提供することを課題とする。また、当該酸化物焼結体と同一組成をもつ酸化物半導体薄膜を提供することを別の課題とする。
【解決手段】３価のインジウムイオン（Ｉｎ³⁺）と、２価の金属イオン（Ｘ²⁺）（但し、ＸはＭｇ、Ｃａ、Ｃｏ及びＭｎから選択される１種以上の元素を表す。）と、３価の金属イオン（Ｙ³⁺）（但し、ＹはＢ、Ｙ、Ｃｒから選択される１種以上の元素を表す。）又は４価の金属イオン（Ｚ⁴⁺）（但し、ＺはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒから選択される１種以上の元素を表す。）と、酸素イオン（Ｏ^2-）とからなり、３価のインジウムイオン（Ｉｎ³⁺）、２価の金属イオン（Ｘ²⁺）、３価の金属イオン（Ｙ³⁺）、及び、４価の金属イオン（Ｚ⁴⁺）の原子数比がそれぞれ、０．２≦［Ｉｎ³⁺］／｛［Ｉｎ³⁺］＋［Ｘ²⁺］＋［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝≦０．８、０．１≦［Ｘ²⁺］／｛［Ｉｎ³⁺］＋［Ｘ²⁺］＋［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝≦０．５、及び、０．１≦｛［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝／｛［Ｉｎ³⁺］＋［Ｘ²⁺］＋［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝≦０．５を満たす酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法による透明導電膜の製膜時のノジュールの発生を抑止して安定性よく製膜することのできるスパッタリングターゲットおよびその製造法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムと酸化ガリウムおよび酸化亜鉛からなる金属酸化物の焼結体であって、該金属酸化物がＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ〔ただし、ｍは２〜１０の整数である。〕、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７、ＩｎＧａＺｎＯ_４、ＩｎＧａＺｎ_２Ｏ_５、ＩｎＧａＺｎ_３Ｏ_６、ＩｎＧａＺｎ_４Ｏ_７、ＩｎＧａＺｎ_５Ｏ_８、ＩｎＧａＺｎ_６Ｏ_９およびＩｎＧａＺｎ_７Ｏ_１０の群から選択される１種または２種以上の六方晶層状化合物を含有し、かつ、酸化インジウム９０〜９９質量％、酸化ガリウムと酸化亜鉛の合計１〜１０質量％の組成を有する焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】優れた光触媒活性を有するとともに、耐久性にも優れた光触媒機能性素材を提供する。
【解決手段】 亜鉛成分を含む結晶相を有し、光触媒活性を有するガラスセラミックスが提供される。このガラスセラミックスは、酸化物換算組成の全物質量に対して、モル％でＺｎＯ成分を１０〜７０％含有してもよく、さらにＳｉＯ_２成分、ＧｅＯ_２成分、Ｂ_２Ｏ_３成分、及びＰ_２Ｏ_５成分からなる群より選択される１種以上の成分３０〜８０％を含有してもよい。このガラスセラミックスは、粉粒状、ファイバー状、スラリー状混合物、焼結体、基材との複合体などの形態をとることが出来る。 （もっと読む）

【課題】酸化マグネシウム又は酸化ゲルマニウムと酸化ビスマスとを主成分とする光メディアの記録層を高速成膜できる、耐電力特性の高いスパッタリングターゲット及び製造方法を提供する。
【解決手段】酸化マグネシウム又は酸化ゲルマニウムを主成分とするマトリクス、及び、前記マトリクス中に分散した酸化ビスマス粒子を備え、充填率が高い成形法と粒成長抑制効果のある昇温速度と温度で焼成した、酸化ビスマス粒子の平均粒径が０．２〜０．７μｍであるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ゼロ膨張係数で、高強度、低誘電率の、低温で焼結したβ−ユ−クリプタイトセラミックスを提供する。
【解決手段】β−ユ−クリプタイトセラミックスの組成の原料粉末を十分混合し、低温で仮焼して、焼結助剤を加えると共に、微粉砕することによって、ゼロ膨張係数で、高強度、低誘電率のβ−ユ−クリプタイトセラミックス焼結体。 （もっと読む）

本発明は、負の熱膨張率および酸化物セラミック粒子を有することを特徴とする、セラミック成分を含む複合材料、およびその獲得プロセス、およびマイクロエレクトロニクス、精密光学部品、航空学、航空宇宙産業におけるその使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、酸化スズを主要構成要素として有し、１種類が酸化アンチモンである少なくとも２種類の別の酸化物０．５から１５ｗｔ％を有するセラミック体を含むスパッタリングターゲットを記述する。ターゲットは、理論密度（ＴＤ）の少なくとも９０％、好ましくは少なくとも９５％の密度を有し、５０Ω・ｃｍ未満の電気抵抗率を有する。ターゲットは、平面または回転構造を有し、スパッタリング面積が少なくとも１０ｃｍ^２、好ましくは少なくとも２０ｃｍ^２である。このスパッタリングターゲットを製造するプロセスであって、酸化スズと少なくとも２種類の別の酸化物とを含むスラリーを用意するステップ、スラリーから未焼成体を成形し、未焼成体を乾燥させるステップ、未焼成体を１０５０から１２５０℃の温度で焼成し、それによって予備成形ターゲットを得るステップ、および予備成形ターゲットを粉砕してその最終寸法にするステップを含むプロセスも記述する。 （もっと読む）

【課題】Ｌｉイオン伝導性に優れるイオン伝導性セラミックス材料を提供する。
【解決手段】Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｓｎ及びＨｆからなる群から選択される１種又は２種以上の元素を結晶構造内に有するＬｉ−β−アルミナ系セラミックス材料。上記元素を含むことで、良好なＬｉイオン伝導性を発揮するセラミックス材料。 （もっと読む）

【課題】 特定の金属を含有する透明導電材料を画素電極、透明電極に使用することにより、バリヤーメタル等を堆積するための工程が不要な簡略化されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】 酸化インジウムを主成分とし、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄからなる第１金属群Ｍ１から選ばれた１種又は２種以上の金属又はその金属の酸化物と、ランタノイド系金属からなる第２金属群Ｍ２から選ばれた１種又は２種以上の金属の酸化物と、を含むスパッタリングターゲットを利用して、透明導電膜を作製する。この透明導電膜を画素電極として利用することによって、ソース電極７等との接触抵抗を小さく抑えることができる。更に、バリヤーメタル等を用いる必要がなくなったため、バリヤーメタル等を堆積する工程をなくすことができ、ＴＦＴ基板の製造工程が簡略化される。 （もっと読む）

【課題】レンズまたはプリズムのような光学要素に要求される優れた光学品質を有する透明、多結晶セラミックス及びその製造方法の提供。
【解決手段】化学量論A2+XBYDZE7、ここで、−1,15≦x≦＋1.1および0≦Y≦3、および0≦Z≦1.6、ならびに3x＋4y＋5z＝8で、Ａは希土類イオンの群から選択される少なくとも１つの３価カチオンであり、Ｂは少なくとも１つの４価カチオンであり、Ｄは少なくとも１つの５価カチオンであり、およびＥは少なくとも１つの２価アニオンである、結晶組成を含む透明、多結晶セラミックスからなり、少なくとも９５重量％の立方晶黄緑石または蛍石構造を有する結晶を含む。光学セラミックスの平均粒子寸法は好ましくは５から３００μｍの範囲で、出発物質にSiO2,TiO2,ZrO2,HfO2,Al2O3およびフッ化物からなる群から選択される少なくとも１つの焼結助剤を含む。 （もっと読む）

【課題】活性化元素でドープされ、かつ高透過性、高密度および高有効原子数を有する光学セラミックスを得る。
【解決手段】少なくとも１つの光学的に活性体中心を持つ、対称、立方体構造の単一粒子を有する透明、多結晶光学セラミックスを得るため、前記光学セラミックを、次の式：A_2+xB_yD_zE₇、（ただし、-1.15≦x≦0および0≦y≦3並びに0≦z≦1.6、その上3x+4y+5z=8で、ここでＡは希土類イオンの群からの少なくとも１つの３価カチオンであり、Ｂは少なくとも１つの４価カチオンであり、Ｄは少なくとも１つの５価カチオンであり、かつＥは少なくとも１つの２価アニオンである）、となるような構成とする。 （もっと読む）

【課題】フラットパネルディスプレイ用表示電極等に用いられるＩＴＯ系非晶質透明導電膜をスパッタ時に水添加することなく製造でき、高エッチング性と低結晶化温度を有し、結晶化後には低抵抗率と高透過率の特性を高い次元で満足する透明導電膜、該透明導電膜製造用のスパッタ時に異常放電のない焼結体ターゲットを提供する。
【解決手段】酸化インジウムを主成分とし、Ｇｅ／（Ｇｅ＋Ｉｎ）の原子％で６〜１６％であり、その他の諸特性を有する焼結体ターゲット、該ターゲットを所定の条件でスパッタして得られる非晶質透明導電膜、該非晶質透明導電膜をアニールして得られる結晶質透明導電膜。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、セラミックスの結晶化温度を低減させることができ、セラミックスの表面モフォロジを改善することができる、セラミックスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】セラミックスの製造方法は、酸素八面体構造を有する複合酸化物材料と、該複合酸化物材料に対して触媒作用を有する常誘電体材料とが混在した膜を形成し、その後該膜を熱処理することを含み、前記常誘電体材料は、構成元素中にSiを含む層状触媒物質、または構成元素中にSi及びGeを含む層状触媒物質からなる。前記熱処理は焼成及びポストアニールを含み、少なくとも該ポストアニールは、加圧された、酸素及びオゾンの少なくとも一方を含む雰囲気中で行われることが望ましい。セラミックスは、酸素八面体構造を有する複合酸化物であって、該酸素八面体構造中にSi及びGeを含む。 （もっと読む）