【課題】高電位勾配及び高非線形係数の両方を有する酸化亜鉛バリスタを製造する方法を提供すること
【解決手段】酸化亜鉛バリスタを製造する方法を開示し、この方法では、非等価イオンがドープされ且つ十分に半導体化された酸化亜鉛粒子と、高インピーダンス特性を有する焼結粉末とを２つの別々の手順でそれぞれ調製することによって高電位勾配及び高非線形係数の両方を特徴とする酸化亜鉛バリスタが得られる。特に、開示の方法は、２０００〜９０００Ｖ／ｍｍの電位勾配及び２１．５〜５５の非線形係数（α）を有する特定の酸化亜鉛バリスタの製造に適している。 （もっと読む）

【課題】各種圧電特性がバランス良く優れたニオブ酸アルカリ系圧電材料を製造するための方法を提供する。
【解決手段】ニオブ酸アルカリ系圧電材料の製造方法であって、前記圧電材料となる化合物の原料と溶媒とを混合する混合ステップｓ１１と、前記化合物と前記溶媒との混合物を、焼結温度より低い所定の温度で焼成する仮焼成ステップｓ１３と、前記仮焼成ステップ後の前記混合物にバインダーを添加したものを所定の形状に成形する成形ステップｓ１５と、前記成形ステップにて得た成形物を酸素雰囲気中で焼結させる焼成ステップｓ１７と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットや蒸着用タブレットとして利用され、成膜中にクラック等が発生し難いＺｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物焼結体とその製法を提供する。
【解決手段】上記酸化物焼結体は、錫がＳｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）の原子数比として０．０１〜０．６含有され、焼結体中における平均結晶粒径が４．５μｍ以下で、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＺｎ_２ＳｎＯ_４相における（２２２）面、（４００）面の積分強度をそれぞれＩ_{（２２２）}、Ｉ_{（４００）}としたとき、Ｉ_{（２２２）}／［Ｉ_{（２２２）}＋Ｉ_{（４００）}］で表される配向度が０．５２以上であることを特徴とする。この酸化物焼結体は機械的強度が改善されているため、焼結体を加工する際に破損が起こり難く、スパッタリングターゲット若しくは蒸着用タブレットとして使用された際においても透明導電膜の成膜中に焼結体の破損やクラック発生が起こり難い。 （もっと読む）

【課題】分極方向と分極方向に直交する方向との応力状態の違いを測定することができる圧電／電歪セラミックス焼結体の応力状態測定方法を提供する。
【解決手段】母相と前記母相中に分散された添加材相との複合構造を有する圧電／電歪セラミックス焼結体について、分極していない状態で、予定分極方向及び予定分極方向に直交する方向の２方向からラマン分光分析を行い、予定分極方向を分極方向として分極された圧電／電歪セラミックス焼結体について、分極方向及び分極方向に直交する方向の２方向からラマン分光分析を行い、分極していない圧電／電歪セラミックス焼結体についての２方向からのラマン分光分析の結果と、分極された圧電／電歪セラミックス焼結体についての２方向からのラマン分光分析の結果とから、圧電／電歪セラミックス焼結体の応力状態を得る圧電／電歪セラミックス焼結体の応力状態測定方法。 （もっと読む）

【課題】環境に優しく、各種圧電特性がバランス良く優れた圧電材料を提供する
【解決手段】一般式｛（Ｋ_１-aＮａ_ａ）_１−ｂＬｉ_ｂ｝（Ｎｂ_{１−ｃ−ｄ}Ｔａ_ｃＳｂ_ｄ）Ｏ_３＋ｘｍｏｌ％Ｂａ_ｎＴｉＯ_３＋ｙｍｏｌ％ＣｕＯで表される圧電材料であって、０＜ａ≦０．９、０＜ｂ≦０．３、０＜ｃ≦０．５、０＜ｄ≦０．１、０．５≦ｘ＜１０．０、０．９≦ｎ≦１．２、０．１≦ｙ≦８．０であることを特徴とする。より好適には、電気機械結合係数Ｋｐ、比誘電率εｒ、機械品質係数Ｑｍがそれぞれ、Ｋｐ≧２５％、εｒ≧５００、Ｑｍ≧５００である圧電材料とすることである。 （もっと読む）

【課題】ガラス溶融のための改善された電気特性を有する電極を提供すること。
【解決手段】主成分ＳｎＯ_２を含む組成物から形成された酸化錫系電極が開示される。本組成物は、ＣｕＯ、ｂＺｎＯ、およびｃＳｂ_２Ｏ_３を含む添加剤を含み、ここでａ、ｂ、およびｃは、それぞれの成分のｗｔ％を示し、０.２≦(ａ+ｂ)/ｃ<１.０である。 （もっと読む）

【課題】血流促進効果を備え、しかも自由に色をつけることが可能なセラミックス成形体と、そのようなセラミックス成形体を利用して構成された皮膚血流促進用装身具の提供。
【解決手段】ブレスレット１は、顔料で色が付けられた球状のセラミックス成形体２を２６個と、各セラミックス成形体２を一列に並べた状態において各セラミックス成形体２の間に一つずつ配置されるビーズ４とを備えている。セラミックス成形体２は、ピロリン酸カルシウム及び焼結助剤を主成分とするセラミックス母材１００重量部に対して、五酸化アンチモンを含有する酸化スズである五酸化アンチモン含有酸化スズが０．１〜７０重量部配合された原料組成物を、成形、焼成したものである。ブレスレット１の一端に設けられた円柱状磁石５とブレスレット１の他端に設けられた球体状磁石７を磁着させるとブレスレット１が環状になる。 （もっと読む）

【課題】低温焼結特性を備え、純銀を内部電極に使用した多層チップ型ＺｎＯバリスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＺｎＯバリスタの製造方法は、十分な半導性を有するドープＺｎＯ粒子を調製するステップと、高インピーダンス焼結材料（またはガラス粉末）を別に調製するステップと、最後に前記ドープＺｎＯ粒子と前記高インピーダンス焼結材料を所定の比率でよく混合し、多層ＺｎＯバリスタ（または積層バリスタ（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ ｖａｒｉｓｔｏｒ、ＭＬＶ）とも呼ばれる）の従来の作製手法に従って、８５０℃〜９００℃の低温焼結温度下で純銀を内部電極として使用したＺｎＯバリスタを作製するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】ガラスを原料として、可視光応答性と優れた光触媒活性を有し、使用性や耐久性にも優れた光触媒機能性素材を提供する。
【解決手段】 酸化物換算組成の全物質量に対して、モル％で、Ｂｉ_２Ｏ_３成分を５〜９５％の範囲内で含有するガラスセラミックスが提供される。このガラスセラミックスは、Ｂｉ_２Ｏ_３結晶、Ｂｉ_２ＷＯ_６結晶、Ｂｉ_２Ｗ_２Ｏ_９結晶、Ｂｉ_２Ｗ_３Ｏ_１２結晶、Ｂｉ_２ＭｏＯ_６結晶、Ｂｉ_２Ｍｏ_２Ｏ_９結晶、Ｂｉ_２Ｍｏ_３Ｏ_１２結晶、Ｂｉ_２Ｔｉ_２Ｏ_７結晶、Ｂｉ_２Ｔｉ_４Ｏ_１１結晶、Ｂｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２結晶、Ｂｉ_１２ＴｉＯ_２０結晶、ＢｉＮｂＯ_４結晶、Ｂｉ_２Ｆｅ_４Ｏ_９結晶、ＢｉＶＯ_４結晶、ＬｉＢｉＯ_３結晶、及びこれらの固溶体からなる群より選択される１種以上を含有していてもよい。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波誘電共振器（ＤＲ）に使用する従来技術に係る高Ｑ誘電体は高価な材料、すなわちＴａを使用すること、１５５０〜１６２０℃もの高い焼結温度、その他によって、非常に高価なものになっていた。
【課題を解決する手段】本発明のＴａを使用しない新規なセラミックはＢａ、Ｍｇ及びＮｂを含む。このセラミックは組成式Ｂａ_４−５ｘＭｇ_５ｘＮｂ_２＋ｙＯ_９で表される。ここで、０．３５＜ｘ≦０．４７及び−０．０５≦ｙ≦０．０１であり、また共振周波数の温度係数は−５〜＋６ｐｐｍ／℃の範囲である。このセラミックの焼結温度は従来技術の当該温度よりも大幅に低く、１３６０℃未満である。 （もっと読む）

【課題】可視光の波長領域のみならず、赤外光の波長領域において高透明性を示す導電膜を形成するための酸化インジウム系粒子を提供すること。
【解決手段】本発明のスズ・アンチモンドープ酸化インジウム粒子は、Ｓｎ／Ｉｎのモル比が０．１〜０．３で、Ｓｂ／Ｉｎのモル比が０．０３〜０．４である。この粒子は、インジウム塩及びスズ塩を含む水溶液にアルカリを添加し、次いでこの液に、アンチモン塩及び酸を含む水溶液を添加し、それによって生成した沈殿物を大気中で焼成して得られたものである。 （もっと読む）

【課題】Ｌｉ_ｘＫ_ｙＮａ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎｂ_ａＴａ_ｂＳｂ_{（１−ａ−ｂ）}Ｏ_３を母材として、環境に優しく、圧電特性に優れるとともに、緻密性と耐湿性を向上させて、高い信頼性を有する圧電材料を提供する。
【解決手段】焼結体からなる圧電材料１ｂであって、一般式Ｌｉ_ｘＫ_ｙＮａ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎｂ_ａＴａ_ｂＳｂ_{（１−ａ−ｂ）}Ｏ_３で表される母材と、ガラスとを基本成分として含み、前記一般式において、０≦ｘ≦０．３、０．１≦ｙ≦０．７、０．３≦ａ≦０．９、０≦ｂ≦０．２であり、前記母材の成分におけるＫ、Ｎａ、Ｎｂを含んで一般式Ｋ_ｙＮａ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎｂ_ａＯ_３で表される化合物を核体１０ｂとして、当該核体が、前記基本成分のうち、前記ＫＮＮ化合物を構成する成分以外の成分からなる被膜体１２ｂによって覆われている構造を有している。 （もっと読む）

【課題】高電界印加時における歪特性に優れた圧電／電歪セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】圧電／電歪セラミックス焼結体は、非鉛圧電／電歪材料から構成されてなり、前記非鉛圧電／電歪材料を構成する金属成分のうちの少なくとも一種の金属成分の比率が化学量論組成からモル換算で１％以上ずれた欠陥を生じたものであるとともに、ロットゲーリング法により測定されるＣ軸の配向度が３０％以上である。また、鉛を含まない非鉛圧電／電歪材料から構成されたものであるため、焼結体からの鉛の溶出がなく、環境汚染の問題を生じることもない。 （もっと読む）

【課題】常圧焼結法により安定して一定の圧電特性を持ち緻密化した焼結体となる、アルカリ金属含有ニオブ酸化物からなる圧電セラミックスおよび製造方法を提供すること。
【解決手段】アルカリ金属含有ニオブ酸化物を含む主成分に酸化ビスマスおよび酸化亜鉛からなる焼結助剤を添加した圧電セラミックスであって、仮焼工程、主成分の仮焼粉と焼結助剤とを混合する混合工程、混合工程で得られた混合紛を焼成して焼結体とする焼成工程を経ることで常圧焼結法により緻密化したアルカリ金属含有ニオブ酸化物からなる圧電セラミックスが得られる。 （もっと読む）

【課題】低電界のみならず高電界印加時にも高い歪率を呈する非鉛系の圧電／電歪焼結体を提供する。
【解決手段】一般式(1){Li_y(Na_1-xK_x)_1-y}_a(Nb_1-z-wTa_zSb_w)O₃で表される第１ペロブスカイト型酸化物、Ba、Sr、Ca、La、Ce、Nd、Sm、Dy、Ho及びYbからなる群より選択される一種以上の選択元素の化合物、並びにMnの化合物を含む第１成分、一般式(2){Ba_t(K_pNa_1-p)_1-t}(Zr_tNb_1-t)O₃で表される第２ペロブスカイト型酸化物である第２成分、並びにZnを主成分として含む第３成分、を含む組成物を焼成して得られる圧電／電歪焼結体であって、前記焼結体における前記第３成分の含有量がZn由来の異相を生じない範囲にあり、かつ前記焼結体において前記a、x、y、z、w、p、及びtが所定の条件を満たす、圧電／電歪焼結体１。 （もっと読む）

【課題】光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善するスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化錫相（１１０）のピーク強度Ｉ１と酸化錫以外の酸化物あるいは複合酸化物相のＸ線回折図における２θ＝１５〜４０°の範囲に存在する最大ピーク強度Ｉ２がＩ２／Ｉ１＝０.１〜１であることを特徴とする酸化錫と酸化亜鉛と３価以上の元素の酸化物を主成分としたスパッタリングターゲット。硫化物を含まない酸化錫粉、酸化亜鉛粉、及び３価以上の元素の酸化物粉を混合して８００〜１３００℃で仮焼し、粉砕、造粒処理を経て加圧成形を行った後、焼結して製造することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ｌｉ_ｘＫ_ｙＮａ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎｂ_ａＴａ_ｂＳｂ_{（１−ａ−ｂ）}Ｏ_３でを母材として、環境に優しく、圧電特性に優れるとともに、緻密性と耐湿性を向上させて、高い信頼性を有する圧電材料を提供する。
【解決手段】一般式Ｌｉ_ｘＫ_ｙＮａ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎｂ_ａＴａ_ｂＳｂ_{（１−ａ−ｂ）}Ｏ_３で表される基本化合物を主成分とした母材にガラス１２が添加されてなり、０≦ｘ≦０．３、０．１≦ｙ≦０．７、０．３≦ａ≦０．９、０≦ｂ≦０．２であるとともに、ガラス１２が前記化合物の結晶粒１０の粒界１１に存在してなる構造を有していることを特徴とする。また、前記母材は、基本化合物にＣｕ化合物が添加されてなり、当該Ｃｕ化合部の添加量が０ｍｏｌ％よりも多く、１０ｍｏｌ％以下であればより好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２系酸化物を含む材料を採用するとともに、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難く、密着性が良好で、尚且つ高速成膜可能であるスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化錫相（１１０）のピーク強度Ｉ１と酸化錫以外の酸化物あるいは複合酸化物相のＸ線回折図における２θ＝１５〜４０°の範囲に存在する最大ピーク強度Ｉ２がＩ２／Ｉ１＝０.１〜１であることを特徴とする酸化錫と酸化亜鉛と３価以上の元素の酸化物を主成分としたスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに前記スパッタリングターゲットを用いた光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】高電界印加時の電界誘起歪を増加させたニオブ酸アルカリ系の圧電／電歪セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】圧電／電歪セラミックス焼結体は、組成が異なる母相と添加材相とが共存し母相の中に添加材相が分散した微構造を有する。母相単体の残留歪率よりも添加材相単体の残留歪率が大きい。母相及び添加材相は、一般式｛Ｌｉ_y（Ｎａ_1-xＫ_x）_1-y｝_a（Ｎｂ_1-z-wＴａ_zＳｂ_w）Ｏ₃であらわされ、０．９≦ａ≦１．２，０．２≦ｘ≦０．８，０．０≦ｙ≦０．２，０≦ｚ≦０．５及び０≦ｗ≦０．１を満たす１００モル部の組成物に、０モル部以上３モル部以下のＭｎ原子を含有するＭｎ化合物と、０モル部以上１モル部以下のＣａ原子を含有するＣａ化合物と、を含有させた組成を有する。母相の構成元素と添加材相の構成元素とを比較した場合に共通しない元素が０種類又は１種類である。 （もっと読む）

【課題】高い雷サージ耐量性能を有する酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛（ＺｎＯ）１００ｍｏｌ％に対して、酸化アンチモン（Ｓｂ₂Ｏ₃）２．５〜５．０ｍｏｌ％と、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）０．０５〜０．１５ｍｏｌ％とを添加し、さらに酸化コバルト（ＣｏＯ）と二酸化マンガン（ＭｎＯ₂）をそれぞれ２．０〜６．０ｍｏｌ％添加してなるバリスタ組成物により酸化亜鉛バリスタを作製する。 （もっと読む）