【課題】感光性ペースト組成物、これを利用して製造されたプラズマディスプレイパネルの隔壁及びこれを含むプラズマディスプレイパネルを提供する。
【解決手段】フッ化物ゾル及び無機物を含む感光性ペースト組成物において、フッ化物ゾルの平均屈折率Ｎ_１及び無機物の平均屈折率Ｎ_２が下記数式１を満たすことを特徴とする感光性ペースト組成物、これを利用して製造されたプラズマディスプレイパネルの隔壁及びこれを含むプラズマディスプレイパネルである：
−０．２≦Ｎ_１−Ｎ_２≦０．２ ・・・（式１）。これにより、１回の露光だけで高解像度及び高精密のプラズマディスプレイパネル用隔壁パターンを製造できるだけではなく、既存の隔壁に比べて高い反射率を有する隔壁を提供できるために、高い輝度を有するプラズマディスプレイパネルを製造できる。 （もっと読む）

【課題】酸化錫濃度が２０〜５０質量％であっても、７．０ｇ／ｃｍ³以上という高密度の高濃度酸化錫ＩＴＯ焼結体を安定して多量に生産する。
【解決手段】 酸化ジルコニウムが０．１〜０．５質量％、酸化錫が２０〜５０質量％となるように、酸化ジルコニウム粉末、酸化錫粉末および酸化インジウム粉末を秤量し、酸化錫粉末および酸化ジルコニウム粉末を、水および分散剤と混合して、平均粒径が０．５μｍ以下になるまで粉砕し、これに酸化インジウム粉末、水、有機バインダーおよび分散剤を加えて混合および粉砕し、噴霧乾燥させることにより造粒粉を得て、該造粒粉を加圧成形することにより成形体を得て、該成形体を常圧の酸素雰囲気中で焼成する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗率で、かつ、抵抗率の耐湿安定性及び膜厚依存性が少ない酸化亜鉛を母材とする透明導電膜およびその製造用技術並びに薄膜製造用製造用酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】
例えば、アルミニウム添加酸化亜鉛（ＡＺＯ）にモリブデンを共添加した透明導電膜で、アルミニウムの含有量をＡｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｍｏ）の原子比で１％を超え８％未満、かつモリブデンの含有量をＭｏ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｍｏ）の原子比で０．１％を超え１％未満として作製したＺｎＯ系焼結体ターゲットもしくはペレットを用いるマグネトロンスパッタリング法により、低抵抗率で抵抗率の耐湿安定性及び膜厚依存性が改善されたＺｎＯ系透明導電膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】配向性を有さない基板上に複合酸化物等の無機結晶性配向膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板等の非晶質基板１１上に、層状結晶構造を有する無機結晶粒子２０を含む原料と有機溶媒とを含む原料液を用いて、液相法により無機結晶粒子２０を含む非単結晶膜１２を成膜し、この非単結晶膜１２が結晶化する温度以上の条件で非単結晶膜１２を加熱し、無機結晶粒子２０の一部を結晶核として非単結晶膜１２を結晶化させることにより、無機結晶性配向膜１を製造する。 （もっと読む）

【課題】基体上での抵抗率分布を大幅に改善するスパッタリングターゲットの作製方法及びそれを用いる透明導電膜形成方法を提供する。
【解決手段】亜鉛、および、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｓｉ、Ｙ、Ｓｎ、Ｈｆ、ＭｏおよびＶからなる群より選ばれた２種以上の元素をそれぞれ０．１から８原子％、および、Ｃを０．１〜１０原子％含有されてなる複合物、もしくは、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｓｉ、Ｙ、Ｓｎ、Ｈｆ、ＭｏおよびＶからなる群より選ばれた１種以上の元素をそれぞれ０．１から８原子％含有してなるＺｎＯ系複合酸化物に、炭化珪素、炭化硼素、炭化バナジウム、炭化モリブデン、炭化ハフニウムおよび炭化チタンからなる群より選ばれた１種もしくは２種以上の炭化物を０．１〜５重量％添加されてなる複合物焼結体を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低抵抗率で、かつ、抵抗率の膜厚依存性及び基板上での抵抗率分布が少ない酸化亜鉛を母材とする透明導電膜およびその製造用技術並びに薄膜製造用製造用酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】例えば、アルミニウム添加酸化亜鉛（ＡＺＯ）にスズを添加した透明導電膜で、アルミニウムの含有量をＡｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｓｎ）の原子比で１％を超え８％未満、かつスズの含有量をＳｎ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｓｎ）の原子比で０．１％を超え１％未満として作製したＺｎＯ系焼結体ターゲットもしくはペレットを用いるマグネトロンスパッタリング法により、低抵抗率で抵抗率の膜厚依存性及び基板上での抵抗率分布が改善されたＺｎＯ系透明導電膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、帯電防止導電膜コーティング、ガスセンサー、太陽電池などに用いられる透明導電膜およびこの透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】（１）Ｇａ：０．２〜４．０質量％、Ｃｅ：４０ｐｐｍ〜２．５質量％、Ｚｎ：７４．０〜８０．１質量％、残部：酸素からなり、前記Ｃｅは常に前記Ｇａよりも少なく含む成分組成を有する透明導電膜、（２）Ｇａ：０．２〜４．０質量％、Ｃｅ：４０ｐｐｍ〜２．５質量％、Ｚｎ：７４．０〜８０．１質量％、残部：酸素からなり、前記Ｃｅは常に前記Ｇａよりも少なく含む成分組成を有する透明導電膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】スパッタ時のノジュールの発生を抑制できるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】金属スズ及び酸化インジウムを含む焼結体であって、前記金属スズが焼結体中で分散している酸化インジウム焼結体。そのバルク抵抗が０．５ｍΩｃｍ以上で、密度が６．８ｇ／ｃｍ^３以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高密度実装が可能であり、優れたバリスタ特性を有しつつ抵抗のバラつきが十分に低減されたバリスタを提供すること。
【解決手段】バリスタ１は、バリスタ素体１０と、バリスタ素体１０の一方の主面上に一対の外部電極３０ａ，３０ｂと、当該主面上に抵抗体６０とを備え、抵抗体６０は一対の外部電極３０ａ，３０ｂを連結するように設けられている。バリスタ素体１０は、主成分として酸化亜鉛、副成分としてＣａ酸化物とＳｉ酸化物と希土類金属の酸化物とを含んでおり、主成分１００モルに対するＣａ酸化物のＣａ原子換算の比率Ｘが２〜８０原子％、主成分１００モルに対するＳｉ酸化物のＳｉ原子換算の比率Ｙは１〜４０原子％、Ｘ／Ｙは下記式（１）を満たし、外部電極及び抵抗体は、酸化ビスマス及び酸化銅とは異なる酸化物を含む。
１≦Ｘ／Ｙ＜３ （１） （もっと読む）

【課題】酸化インジウムスズターゲットおよびこの製造方法、酸化インジウムスズ透明導電膜およびこの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムスズターゲットは、酸化サマリウムおよび酸化イッテルビウムからなる群から選択された少なくとも１つの酸化物を含み、酸化物の含量がターゲットの重量対比０．５〜１０重量％である。 （もっと読む）

【課題】ターゲット強度に優れ、スパッタ速度が速いスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】金属亜鉛、酸化亜鉛及び酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットであって、前記金属亜鉛がスパッタリングターゲット中で分散しているスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】実質的に透明な、電気的に伝導性のフィルムを形成するための方法を提供すること。
【解決手段】（ａ）実質的に球状の形を有する金属または金属酸化物の一次粒子を含むナノ結晶性材料を水に加え；（ｂ）前記ナノ結晶性材料および前記水を混合して、実質的に安定な水性ディスパージョンを形成し；（ｃ）基材に適用された際に、前記ディスパージョンが、一様な欠陥の無いフィルムであって、且つ１０⁵Ω／□未満のシート抵抗を有するフィルムを与えるために効果的な量で、フィルム形成剤を前記水性ディスパージョンに加え；（ｄ）希釈剤を前記水性ディスパージョンに加えて、処方を作製し、（ｅ）前記処方を基材に適用し；及び（ｆ）フィルム内でナノ結晶性粒子を硬化させるために基材を加熱し、該加熱が、約３００℃〜約８００℃の間の温度で行われる、ステップを含む、実質的に透明な、電気的に伝導性のフィルムを形成するための方法。 （もっと読む）

【課題】表面抵抗が低く、酸素を含む雰囲気下で加熱しても加熱前後の表面抵抗の変化率が小さく耐熱性に優れた酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲットを提供する。
【解決手段】酸化亜鉛およびインジウムを含む焼結体からなる酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲットであって、焼結体に含まれるインジウム元素の比率は０．００３〜３０質量％である。焼結体の結晶粒径を走査型電子顕微鏡で観察したとき、平均結晶粒径は０．１〜２０μｍであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】陽極と正孔輸送層との間のエネルギー障壁の差を小さくした有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極用透明導電膜を提供すること。
【解決手段】酸化インジウムと酸化亜鉛またはこれらと酸化錫を、それらの金属原子比において、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０〜１．００、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．２０、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０原子％の含有率で酸化ルテニウム、酸化モリブデンおよび酸化バナジウムから選択される金属酸化物を含有する組成物からなり、仕事関数が５．４５〜５．５５エレクトロンボルトである有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極用透明導電膜。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、セラミックスの結晶化温度を低減させることができ、セラミックスの表面モフォロジを改善することができる、セラミックスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】セラミックスの製造方法は、酸素八面体構造を有する複合酸化物材料と、該複合酸化物材料に対して触媒作用を有する常誘電体材料とが混在した膜を形成し、その後該膜を熱処理することを含み、前記常誘電体材料は、構成元素中にSiを含む層状触媒物質、または構成元素中にSi及びGeを含む層状触媒物質からなる。前記熱処理は焼成及びポストアニールを含み、少なくとも該ポストアニールは、加圧された、酸素及びオゾンの少なくとも一方を含む雰囲気中で行われることが望ましい。セラミックスは、酸素八面体構造を有する複合酸化物であって、該酸素八面体構造中にSi及びGeを含む。 （もっと読む）

【課題】成膜時の蒸発速度、成膜速度が高く、導電性および透明性に優れ、さらには耐湿性に優れた緻密なＺｎＯ膜を形成するＺｎＯ蒸着材とその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜の成膜に用いられるＺｎＯ蒸着材であって、ＺｎＯを主成分とする焼結体からなり、該焼結体が第一添加元素のＹと第二添加元素とを含み、該第二添加元素がＢ、Ａｌ、ＧａおよびＳｃの群から選ばれた１種または２種以上の元素であり、Ｙの含有量が０.１〜１４.９質量％の範囲内であり、第二添加元素の含有量が０.１〜１０質量％の範囲内であり、Ｙの含有量が第二添加元素の含有量より多く、かつ該焼結体が３〜５０％の気孔率を有する多孔質焼結体であることを特徴とし、好ましくは、第一添加元素のＹと第二添加元素の合計含有量が０.２〜１５質量％、平均気孔径０.１〜５００μｍ、平均結晶粒径１〜５００μｍのＺｎＯ蒸着材であるＺｎＯ多孔質焼結体とその製造方法。 （もっと読む）

【課題】成膜時の蒸発速度、成膜速度が高く、導電性および透明性に優れ、さらには耐湿性に優れた緻密なＺｎＯ膜を形成するＺｎＯ蒸着材とその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜の成膜に用いられるＺｎＯ蒸着材であって、ＣｅおよびＧａを含み、Ｃｅ含有量がＧａ含有量より多く、Ｃｅ含有量が０.１〜１４.９質量％の範囲内およびＧａ含有量が０.１〜１０質量％の範囲内であるＺｎＯ多孔質焼結体を主体とし、該焼結体が３〜５０％の気孔率を有することを特徴とし、好ましくは、ＣｅとＧａの合計含有量が０.２〜１５質量％、平均気孔径０.１〜５００μｍ、平均結晶粒径１〜５００μｍのＺｎＯ蒸着材であるＺｎＯ多孔質焼結体とその製造方法。 （もっと読む）

【課題】成膜時の蒸発速度、成膜速度が高く、導電性および透明性に優れ、さらには耐湿性に優れた緻密なＺｎＯ膜を形成するＺｎＯ蒸着材とその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜の成膜に用いられるＺｎＯ蒸着材であって、ＺｎＯを主成分とする焼結体からなり、該焼結体が第一添加元素と第二添加元素とを含み、第一添加元素がＰｒ、Ｎｄ、ＰｍおよびＳｍの群から選ばれた１種または２種以上の元素であり、第二添加元素がＢ、Ａｌ、ＧａおよびＳｃの群から選ばれた１種または２種以上の元素であり、第一添加元素の含有量が０.１〜１４.９質量％の範囲内であり、第二添加元素の含有量が０.１〜１０質量％の範囲内であり、第一添加元素の含有量が第二添加元素の含有量より多く、かつ該焼結体が３〜５０％の気孔率を有する多孔質焼結体であることを特徴とするＺｎＯ蒸着材、およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】成膜時の蒸発速度、成膜速度が高く、導電性および透明性に優れ、さらには耐湿性に優れた緻密なＺｎＯ膜を形成するＺｎＯ蒸着材とその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜の成膜に用いられるＺｎＯ蒸着材であって、ＺｎＯを主成分とする焼結体からなり、該焼結体が第一添加元素のＬａと第二添加元素とを含み、該第二添加元素がＢ、Ａｌ、ＧａおよびＳｃの群から選ばれた１種または２種以上の元素であり、Ｌａの含有量が０.１〜１４.９質量％の範囲内であり、第二添加元素の含有量が０.１〜１０質量％の範囲内であり、Ｌａの含有量が第二添加元素の含有量より多く、かつ該焼結体が３〜５０％の気孔率を有する多孔質焼結体であることを特徴とし、好ましくは、第一添加元素のＬａと第二添加元素の合計含有量が０.２〜１５質量％、平均気孔径０.１〜５００μｍ、平均結晶粒径１〜５００μｍのＺｎＯ蒸着材であるＺｎＯ多孔質焼結体とその製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ｌａ及びＣｕを含有するオキシカルコゲナイドを主成分とするＰ型透明導電材料用ターゲットの密度を向上させ、ターゲットを大型化しかつ低コストで製造できるようにするとともに、該ターゲット中の未反応物の存在を無くし、ターゲットの割れの発生を抑制することにより製品歩留りを上げ、さらに成膜の品質を向上させる。
【解決手段】構成元素の単体、酸化物又はカルコゲン化物から選択した１種以上の粉末を原料とし、ガス成分を除き、焼結用原料粉末の平均粒径が５０μｍ以下、比表面積が０．２ｍ^２／ｇ以上であり、焼結工程中に８５０°Ｃ以下の温度で１時間以上保持する反応工程を含み、この反応工程後に反応工程温度以上の温度である５００〜１０００°Ｃの温度で焼結することにより、相対密度９０％以上であるＬａ及びＣｕを含有するオキシカルコゲナイドを主成分とするスパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）