【課題】鉄ヒ素系超電導材料において、従来はフッ素置換型や酸素欠損型により超伝導転移温度Ｔｃを向上させていたが、Ｔｃがより高い５０Ｋを超えるような超電導材料及び超電導薄膜を提供することが望まれている。
【解決手段】ＺｒＣｕＳｉＡｓ型の結晶構造を有する鉄ヒ素系超電導材料において、水素を含有させることにより、化学式ＬｎＦｅＡｓＯ_１−ｙＨ_ｘ（ただし、ＬｎはＹ及びランタノイド元素からなる群から選択される少なくとも１種の元素、ｙは０以上０.５以下、ｘは０．０１以上０．５以下）で表される鉄ヒ素系超電導材料を提供する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法により透明導電性酸化物を成膜する際のノジュールの発生を抑制し、安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、このようなターゲットからなる透明導電性酸化物、およびこのようなターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）で表わされる原子比が、０．７５〜０．９７の範囲であるとともに、Ｉｎ₂Ｏ₃ （ＺｎＯ）_ｍ（ただし、ｍは２〜２０の整数である。）で表される六方晶層状化合物を含有し、かつ、該六方晶層状化合物の結晶粒径が５μｍ以下の値であるスパッタリングターゲットから成膜してなる透明導電性酸化物。 （もっと読む）

【課題】ノジュールの発生を抑制できる導電性酸化物を提供する。
【解決手段】導電性酸化物は、結晶質の導電性酸化物であって、インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素および窒素を含み、窒素の濃度が７×１０¹⁹（ａｔｏｍ／ｃｃ）以上であることを特徴とする。インジウムの濃度とガリウムの濃度と亜鉛の濃度との合計の濃度に対するインジウムの濃度の比が０．３以上０．６以下であることが好ましい。導電性酸化物は、スパッタリング法のターゲットに用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ガスタービンエンジンに存在する高温水蒸気環境からＣＭＣを保護するための耐環境コーティングを提供する。
【解決手段】耐環境コーティング１２を製造するため、約１ｗｔ％〜約９９．９ｗｔ％の水、約０．１ｗｔ％〜約７２ｗｔ％の主要遷移材料、約０．１ｗｔ％〜約５９．３ｗｔ％のＬｎｂ希土類金属スラリー焼結助剤、及び約０．１ｗｔ％〜約２０．６ｗｔ％のＳｉＯ２スラリー焼結助剤からなる遷移層スラリーから製造される少なくとも１つの遷移層１６と、選択的に、約１ｗｔ％〜約９９．９ｗｔ％の水及び約０．１ｗｔ％〜約７２ｗｔ％の主要外部材料からなる外層スラリーから製造される外層２０と、約１ｗｔ％〜約９９．９ｗｔ％の水及び約０．１ｗｔ％〜約７２ｗｔ％の主要柔軟材料からなる柔軟層スラリーから製造される柔軟層１８のいずれか１つ以上とからなる構成とする。 （もっと読む）

【課題】粒径（一次粒子径）を所定範囲に調製でき、言い換えればＢＥＴ法比表面積を所定範囲に調製でき、それでいて高温でない温度で焼成可能な新たな酸化インジウム粉末を提供する。
【解決手段】Ｆｅ元素を３ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ含有する酸化インジウム粉末を提案する。焼成前にＦｅを添加すると、酸化インジウム粉末の一次粒子径を大きくすることができる。この際、Ｆｅ含有量３ｐｐｍ〜１００ｐｐｍの範囲で有意な効果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】インジウムの含有量を低減させているにも拘らず、十分に高い光透過性及び十分に低い抵抗率を有する導電性酸化物を提供すること。
【解決手段】酸化インジウム及び酸化スズからなるインジウムスズ複合酸化物と、前記インジウムスズ複合酸化物にドープされたアンチモンとを含有する導電性酸化物であって、前記インジウムスズ複合酸化物中のインジウム及びスズの合計量に対するスズの含有量の原子比率が２．６〜４７．２ａｔ％であり、且つ、前記導電性酸化物中のインジウム、スズ及びアンチモンの合計量に対するアンチモンの含有量の原子比率が２．７〜１４．５ａｔ％であることを特徴とする導電性酸化物。 （もっと読む）

【課題】抵抗率が低く、光透過性に優れる複合酸化物結晶質膜を提供すること。
【解決手段】主として、インジウム、ストロンチウム及び酸素から構成される複合酸化物焼結体であって、上記複合酸化物焼結体中のインジウム、ストロンチウム及び錫の総原子数に対する、錫及びストロンチウムの原子数の比が、それぞれ０〜０．３及び０．０００１〜０．０５であり、相対密度が９７％以上であり、平均粒径が７μｍ以下である、複合酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】真空蒸着法に用いられる酸化物焼結体タブレットを歩留まりよく安定して量産できる製造方法を提供すること。
【解決手段】原料粉を湿式混合しかつ噴霧乾燥して造粒粉を製造する第一工程と、造粒粉を加圧して圧粉体を製造する第二工程と、圧粉体を破砕して成形体用粉末を製造する第三工程と、成形体用粉末を金型中で加圧成形して成形体を製造する第四工程と、成形体を焼成して酸化物焼結体タブレットを製造する方法であって、第二工程の造粒粉に対する加圧条件を５０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下に設定して第三工程で得られる成形体用粉末のタップ密度が理論密度の２５％以上４５％以下となるように調整し、かつ第四工程において上記タップ密度に調整された金型中の成形体用粉末に対する加圧条件を５０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下に設定して所定形状の成形体を製造することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】極めて大きい性能指数の値を示すことのできる熱電変換材料を提供する。
【解決手段】Ｚｎ、ＧａおよびＩｎを含有する複合酸化物からなることを特徴とする熱電変換材料。Ａｌをさらに含有する複合酸化物からなることを特徴とする前記の熱電変換材料。相対密度が８０％以上である前記の熱電変換材料。表面の少なくとも一部が、皮膜でコーティングされている前記熱電変換材料。複数のｎ型熱電変換材料および複数のｐ型熱電変換材料と、前記複数のｐ型熱電変換材料及び複数のｎ型熱電変換材料をｐ型ｎ型交互に電気的に直列に接続させる複数の電極とを備える熱電変換モジュールであって、前記ｎ型熱電変換材料が、前記熱電変換材料であることを特徴とする熱電変換モジュール。 （もっと読む）

【課題】成膜時にスプラッシュ現象などが発生せず、放電を安定させることができ、しかも機械的強度が高く、自動搬送時などに破損しにくい酸化亜鉛系焼結体タブレットを提供する。
【解決手段】常圧焼結体タブレットを、圧力１×１０^-3Ｐａ以下の真空中にて、９００℃〜１３００℃の温度で還元処理することにより、その相対密度が５０〜７０％でありながら、圧縮強さが１５０ＭＰａ以上であり、かつ、表面と内部における比抵抗がそれぞれ１×１０²Ω・ｃｍ以下、特にガリウムを含む酸化亜鉛系焼結体タブレットにおいては１×１０^-2Ω・ｃｍ以下であって、表面と内部の酸化亜鉛濃度差が０．５質量％以下である構造を実現する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗かつ高屈折率の透明導電酸化物膜を直流スパッタリング法により工業的に生産可能な酸化インジウムスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸化インジウムを主原料とし、酸化タンタルおよび酸化チタンを合計量で５．２〜９．２質量％含有し、酸化チタン／酸化タンタルの質量比が０．０２２〜０．１６０である酸化物からなる成形体を、酸素含有雰囲気下、１５３０〜１６３０℃で焼結することにより、相対密度が９７％以上で、比抵抗が５×１０^-4Ω・ｃｍ以下であり、成膜により比抵抗が５×１０^-4Ω・ｃｍ以下、可視光領域における光の屈折率が２．０以上、透過率が９６％以上の透明導電酸化物膜を得られる、スパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】大規模なターゲットを製造するため、相対密度が大きい圧粉体を生じるスリップキャスト成形のための型を提供する。
【解決手段】スリップキャスト成形のための型は、底面板１０、不透水性の側壁２０、および、成型スペース３０を有する。底面板１０は、水を吸収する多孔性材料でできている。不透水性の側壁２０は、底面板１０に取り付けられる。成型スペースは、底面板１０および不透水性の側壁２０によって定められる。型は、底面板１０によって水を吸収するのみである。すべてのスラリーは、乾燥の間型に連続的に注入されるよりはむしろ型に注入される大きさである。したがって、型において形成される圧粉体は均一であり、高い相対密度を有する。圧粉体は、亀裂または変形を引き起こさずに焼結されることができるので、大きいサイズのスパッタリングターゲットの製造に適している。 （もっと読む）

所定のアルカリ金属イオンおよび一価の金属イオンに対する低温での高いイオン伝導度、金属イオンの高い選択性、良好な電流効率、並びに静的及び電気機械的条件下における水及び腐食性媒体中での安定性の特徴を有する金属イオン伝導性セラミック材料が開示される。金属イオン伝導性セラミック材料は、金属イオンが欠損するように製造される。金属イオン伝導性セラミック材料の１つの一般式は、Ｍｅ_{１＋ｘ＋ｙ−ｚ}Ｍ^ＩＩＩ_ｙＭ^ＩＶ_２−ｙＳｉ_ｘＰ_３−ｘＯ_{１２−ｚ／２}であり、ここで、ＭｅはＮａ^＋、Ｌｉ^＋、Ｋ^＋、Ｒｂ^＋、Ｃｓ^＋、Ａｇ^＋、あるいはそれらの混合物であり、２．０≦ｘ≦２．４、０．０≦ｙ≦１．０および０．０５≦ｚ≦０．９であって、ここで、Ｍ^ＩＩＩはＡｌ^３＋、Ｇａ^３＋、Ｃｒ^３＋、Ｓｃ^３＋、Ｆｅ^３＋、Ｉｎ^３＋、Ｙｂ^３＋、Ｙ^３＋またはそれらの混合物であり、Ｍ^ＩＶはＴｉ^４＋、Ｚｒ^４＋、Ｈｆ^４＋、あるいはそれらの混合物である。
（もっと読む）

１５％を超え、５５％未満のＡｌ₂Ｏ₃、２０％を超え、４５％未満のＴｉＯ₂、３％を超え、３０％未満のＳｉＯ₂、全体が２０％未満の、ＺｒＯ₂、Ｃｅ₂Ｏ₃およびＨｆＯ₂から選択される少なくとも１種の酸化物、１％未満のＭｇＯ、および全体の合計量が１％を超えるが１５％未満の酸化物ＣａＯ、Ｎａ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ、ＳｒＯ、Ｂ₂Ｏ₃およびＢａＯの化学組成を、酸化物に基づく重量パーセントとして有する溶融粒子。上記粒子を焼結することによって得られるセラミック製品または材料。 （もっと読む）

【課題】割れや反りを発生させることなく、高密度かつ低抵抗の大型の酸化亜鉛系焼結体を提供する。
【解決手段】Ｄ５０が１μｍ以下、Ｄ９０が１．５μｍ以下である酸化亜鉛粉末と、Ｄ５０が１μｍ以下、Ｄ９０が１μｍ〜１０μｍである酸化ガリウム粉末とを、質量比で（９０〜９９.９）：（０．１〜１０）の割合で混合し、冷間成形し、得られた成形体を、焼結炉内容積１ｍ³当たり１０〜２００Ｌ／分の割合で空気または酸素を導入しながら８００℃まで加熱し、８００℃から焼結温度まで０．３〜３℃／分で昇温し、１２００〜１４００℃の焼結温度に１０〜２０時間保持して焼結させ、主平面の面積が４５０００ｍｍ²以上である場合に、該主平面を面積７５００ｍｍ²ごとに分割したときの焼結体密度のばらつきが±０．０４ｇ／ｃｍ³の範囲内となる高密度かつ低抵抗の焼結体。 （もっと読む）

【課題】表面抵抗の値が小さく、また加工時の表面抵抗の高抵抗化も抑制でき、しかも、出力因子の値が大きい熱電変換材料を提供する。
【解決手段】Ｚｎ、Ａｌ、ＧａおよびＢを含有する複合酸化物からなることを特徴とする熱電変換材料。Ｚｎ、Ａｌ、ＧａおよびＢの総モル量を１としたときの、Ｂのモル量が０．０００１以上０．０１以下である前記熱電変換材料。相対密度が９５％以上である前記熱電変換材料。表面の少なくとも一部が、皮膜でコーティングされている前記熱電変換材料。複数のｎ型熱電変換材料および複数のｐ型熱電変換材料と、前記複数のｐ型熱電変換材料及び複数のｎ型熱電変換材料をｐ型ｎ型交互に電気的に直列に接続させる複数の電極とを備える熱電変換モジュールであって、前記ｎ型熱電変換材料が、前記熱電変換材料であることを特徴とする熱電変換モジュール。 （もっと読む）

【課題】磁気損失が小さく、磁気損失が小さく、磁性体材料と安価なＣｕを主成分とする導電性材料とを同時焼成しても構造破壊の生じることのない高周波用のセラミック電子部品、及び該セラミック電子部品の製造方法を実現する。
【解決手段】磁性体セラミックが、主成分はビスマスを含まないガーネット型フェライト系材料で形成されると共に、Ｃｕ酸化物が０．２５〜２．５０重量％の範囲で含有され、Ｃｕを主成分とした導体部と前記磁性体セラミックとは、酸素分圧が１．０×１０^０〜１．０×１０^-3Ｐａの雰囲気で同時焼成されてなり、前記導体部は、焼成前の脱バインダ処理前後の重量増加率が１５％以下の導電性粉末を焼結してなる。導電性粉末は、例えば、Ｃｕ−Ｎｉの表面がガラス材で被覆されている。 （もっと読む）

【課題】 特定の金属を含有する透明導電材料を画素電極、透明電極に使用することにより、バリヤーメタル等を堆積するための工程が不要な簡略化されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】 酸化インジウムを主成分とし、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄからなる第１金属群Ｍ１から選ばれた１種又は２種以上の金属又はその金属の酸化物と、ランタノイド系金属からなる第２金属群Ｍ２から選ばれた１種又は２種以上の金属の酸化物と、を含むスパッタリングターゲットを利用して、透明導電膜を作製する。この透明導電膜を画素電極として利用することによって、ソース電極７等との接触抵抗を小さく抑えることができる。更に、バリヤーメタル等を用いる必要がなくなったため、バリヤーメタル等を堆積する工程をなくすことができ、ＴＦＴ基板の製造工程が簡略化される。 （もっと読む）

【課題】酸化錫の含有量が３．５質量％以下と低濃度であるにも拘わらず割れによる収率の低下が起こり難いＩＴＯスパッタリングターゲットとその製造方法を提供すること。
【解決手段】このＩＴＯスパッタリングターゲット（焼結体）は、酸化インジウムに対する酸化錫の含有量が質量比で０％以上１％以下である第一造粒粉と、酸化錫の含有量が質量比で３％以上６％以下である第二造粒粉を用いて製造され、酸化インジウムに対する酸化錫の含有量が質量比で１．５％以上３．５％以下、焼結体の相対密度が９８％以上、焼結体の結晶相が単相で、平均結晶粒径が１０μｍ以下であり、焼結体の表面部における最大結晶粒径に対する焼結体の厚み方向における中心部の最大結晶粒径の比が０．５〜１かつ焼結体の曲げ強度が７０ＭＰａ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】水分または有機成分を含有した大型の成形体を電磁波加熱による透明導電膜用焼結体の製造方法において焼成割れを防止し、高密度な品質の安定した製品を容易に製造可能な方法を提供する。
【解決手段】水分と有機成分を総量で０．３〜２．０重量％含有した最小厚みが５ｍｍ以上でかつ、体積が５０ｃｍ^３以上である成形体と、この成形体に接触しないよう、上下及び／又は側面にＳｉＣ質材料を設置し、当該ＳｉＣ質材料の温度によりマイクロ波加熱炉内の温度制御を行う、電磁波加熱によって当該成形体を焼結する方法であって、室温から４００℃までの温度域を１００〜３００℃／時間の昇温速度で加熱することで、焼成割れが低減され、円筒形状であれば真円度が高い焼結体、平板形状であれば反りの少ない焼結体を歩留まり良く製造することができる。 （もっと読む）