【課題】導電性酸化物焼結体に含まれる結晶相の種類や量の制御を容易化し得る導電性酸化物焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含む導電性酸化物焼結体を製造する方法は、酸化亜鉛と酸化ガリウムの混合物を調製した後に仮焼することによってＧａ_２ＺｎＯ_４粉体を形成する工程を含む。この仮焼の後には、Ｇａ_２ＺｎＯ_４粉体とＩｎおよびＯを含む粉体とを混合または粉砕混合して第２の混合物を調製し、この第２の混合物の成形体を作製し、そしてこの成形体を焼結する工程をさらに含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングよる酸化物半導体膜の堆積速度の向上と堆積された酸化物半導体膜のエッチング速度の向上を可能にするターゲットとしての導電性酸化物を提供する。
【解決手段】導電性酸化物は、結晶質Ｉｎ_２Ｇａ_{２（１−ｍ）}Ｚｎ_１−ｑＯ_７−ｐ（０≦ｍ＜１、０≦ｑ＜１、０≦ｐ≦３ｍ＋ｑ）と結晶質Ｇａ_２ＺｎＯ_４とを含む。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が低く、かつ、光の透過率が高い薄膜を形成することができるＩＧＺＯ焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体は、ＺｎＧａＯ_2.5結晶で形成される第１相と、ＩｎＧａＯ₃結晶で形成される第２相と、Ｉｎ₂Ｏ₃結晶で形成される第３相とを含み、焼結体の任意の断面における全ての相に対する第１相、第２相および第３相の合計の相面積比率が７０％以上１００％以下である。本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法は、ＺｎＯ粉末とＧａ₂Ｏ₃粉末とを混合して第１混合物を調製し、第１混合物を１１５０℃以上１３００℃以下で仮焼してＺｎＧａＯ_2.5を含む粉末を形成し、ＺｎＧａＯ_2.5を含む粉末とＧａ₂Ｏ₃粉末とＩｎ₂Ｏ₃粉末とを混合して第２混合物を調製し、第２混合物を焼結する方法である。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの導電性酸化物の熱伝導率を向上させることによって、そのターゲットの厚さの増大を可能にして寿命を増大させ、またそのターゲットを用いることによって、スパッタリング堆積された酸化物半導体膜のエッチング速度の向上を可能にする。
【解決手段】導電性酸化物は、結晶質Ｉｎ_２Ｇａ_{２（１−ｍ）}Ｚｎ_１−ｑＯ_７−ｐ（０≦ｍ＜１、０≦ｑ＜１、０≦ｐ≦３ｍ＋ｑ）と結晶質Ｇａ_２ＺｎＯ_４とを含み、粉末Ｘ線回折法を適用したときに、最大の回折強度を有するａピークの回折角２θが２９．００°以上３０．７５°以下の範囲内にあり、かつ第２位の回折強度を有するｂピークの回折角２θが３３．００°以上３６．００°以下の範囲内にあり、そしてａピークに対するｂピークの回折強度比Ｉｂ／Ｉａが０．１以上１．０以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が低く、かつ、光の透過率が高い薄膜を形成することができるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体は、ＺｎＧａ₂Ｏ₄結晶で形成される第１相と、Ｉｎ₂Ｏ₃結晶で形成される第２相とを含み、焼結体の任意の断面における全ての相に対する第１相および第２相の合計の相面積比率が７０％以上１００％以下である。また、本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法は、ＺｎＯ粉末とＧａ₂Ｏ₃粉末とを混合して第１混合物を調製する第１混合工程と、第１混合物を８００℃以上１３００℃以下で仮焼してＺｎＧａ₂Ｏ₄を含む粉末を形成する仮焼工程と、ＺｎＧａ₂Ｏ₄を含む粉末とＩｎ₂Ｏ₃粉末とを混合して第２混合物を調製する第２混合工程と、第２混合物を焼結する焼結工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】可視光透過率及び導電性に優れ、安価な透明導電膜を提供する。
【解決手段】一般式Ｍ_ＥＡ_ＧＷ_{（１−Ｇ）}Ｏ_Ｊ（但し、Ｍ元素は、Ｈ、Ｈｅ、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｎ、のうちから選択される１種類以上の元素、Ａ元素は、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、のうちから選択される１種類以上の元素、Ｗはタングステン、Ｏは酸素、０＜Ｅ≦１.２、０＜Ｇ≦１、２≦Ｊ≦３）で表記される複合酸化物を含み、波長４００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の領域で透過率の最大値が１０％以上９２％未満であり、膜の表面抵抗が１．０×１０^１０Ω／□以下である透明導電膜を提供する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法により透明導電性酸化物を成膜する際のノジュールの発生を抑制し、安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、このようなターゲットからなる透明導電性酸化物、およびこのようなターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも酸化インジウムおよび酸化亜鉛を含有してなるスパッタリングターゲットにおいて、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）で表わされる原子比を０．７５〜０．９７の範囲内の値とするとともに、Ｉｎ₂Ｏ₃（ＺｎＯ）_ｍ（ただし、ｍは２〜２０の整数である。）で表される六方晶層状化合物を含有し、かつ、該六方晶層状化合物の結晶粒径を５μｍ以下の値とし、酸化インジウムを６７〜９３重量％の範囲、酸化錫を５〜２５重量％の範囲、および酸化亜鉛を２〜８重量％の範囲で含むとともに、錫／亜鉛の原子比を１以上の値とすることを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】酸化物粒子のナノメートルレベルでの分布性、組成制御性に優れた複合セラミックス粉体の提供。
【解決手段】少なくともＡ_１−ｘＢ_ｘＣ_１−ｙＤ_ｙＯ_３（ＡはＬａ及びＳｍの群から選ばれる１種または２種の元素、ＢはＳｒ、Ｃａ及びＢａの群から選ばれる１種または２種以上の元素、ＣはＣｏ、Ｇａ及びＭｎの群から選ばれる１種または２種以上の元素、ＤはＦｅ、Ｍｇ及びＮｉの群から選ばれる１種または２種以上の元素であり、０．１≦ｘ≦０．５、０≦ｙ≦１．０）で表される酸化物または酸化ニッケルと、金属イオンが固溶して酸素イオン導電性が付与されたジルコニアと、を含有する複合セラミックス粉体であって、
前記Ａ_１−ｘＢ_ｘＣ_１−ｙＤ_ｙＯ_３を構成するＡ、Ｂ、Ｃ及びＤの群から選択される１種または２種以上のイオンまたはニッケルイオンと、金属イオンとを、塩基性炭酸ジルコニウム錯体と共沈させ沈殿物を２００℃以上の温度で熱処理してなる。 （もっと読む）

【課題】酸化物粒子のナノメートルレベルでの分布性、組成制御性に優れた複合セラミックス粉体の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともＡ_１−ｘＢ_ｘＣ_１−ｙＤ_ｙＯ_３で表されるペロブスカイト型酸化物または酸化ニッケルと、金属イオンが固溶して酸素イオン導電性が付与されたジルコニアと、を含有する複合セラミックス粉体であって、
初めに、ジルコニウムイオンと炭酸イオンとを、塩基性水溶液中で反応させて、塩基性炭酸ジルコニウム錯体を形成させ、次いで、Ａ_１−ｘＢ_ｘＣ_１−ｙＤ_ｙＯ_３を構成するＡ、Ｂ、Ｃ及びＤの群から選択される１種または２種以上の金属のイオンまたはニッケルイオンと、金属イオンとを、塩基性炭酸ジルコニウム錯体と共沈させ、沈殿物を２００℃以上の温度で熱処理する。 （もっと読む）

【課題】 優れた導電性と化学的耐久性と近赤外領域での高透過性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の成膜を可能にする透明導電膜形成材料と、その製造方法およびそれを用いたターゲット、そのターゲットを用いる酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 実質的に亜鉛と、銅と、アルミニウムまたはガリウムと、酸素とからなり、銅と、アルミニウムまたはガリウムと、亜鉛がそれぞれ原子数比で以下の関係を有する酸化物混合体または酸化物焼結体から構成される酸化亜鉛系透明導電膜形成材料である。
（a）Ｃｕ／（Ｚｎ＋Ｃｕ＋Ｍ）＝０．０１〜０．１０
（b）Ｍ／（Ｚｎ＋Ｃｕ＋Ｍ）＝０．０１〜０．１０
（c）（Ｃｕ＋Ｍ）／（Ｚｎ＋Ｃｕ+Ｍ）＝０．０２〜０．１０
（但し、ＭはＡｌまたはＧａを表わす。） （もっと読む）

【課題】安定して成膜でき、割れやアーキングが生じ難いスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】相対密度９９％以下の酸化亜鉛焼結体からなり、スパッタリングの雰囲気に曝される主面１１ａにおいて、面内の明度差ΔＬ＊が５以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット１１。平均粒径が１５μｍ以下であり、前記主面１１ａの最大高さＲｚが平均粒径の１／２以下である。また、成形時の外形から少なくとも１０ｍｍを生加工代として加工除去してなるＣＩＰ成形体を焼結してなる酸化亜鉛焼結体からなる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時のアーキングが生じ難いスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸化亜鉛焼結体からなり、スパッタリング雰囲気にさらされる主面１１ａのＸ線回折測定のピーク強度により算出される結晶配向度Ｉ_００２／（Ｉ_００２+Ｉ_１１０）が０．２以上、０．５８未満であることを特徴とするスパッタリングターゲット。前記酸化亜鉛焼結体は、鋳込み成形体を焼成してなり、前記鋳込み成形体は、吸水性材料の底部と非吸水性材料の側壁部とを備える成形型に原料粉末を分散させたスラリーを注型し、前記吸水性材料の吸水とともに原料粉末を着肉させてなる。 （もっと読む）

【課題】 接合強度が高い、金属層付きセラミックス部材を提供する。
【解決手段】 ＡｌおよびＯを含むとともに、第３遷移元素（Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ）および第４遷移元素（Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ）から選ばれた少なくとも１種以上の特定遷移元素の酸化物を含むセラミックス体と、前記セラミックス体の表面に設けられた金属層と、を備える金属層付きセラミックス部材であって、前記金属層が、前記セラミックス体表面に接合した、前記特定遷移元素を主成分として含む第１の層と、前記第１の層と接合した、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｖ、Ｈｆ、Ｖのうち少なくとも１種と前記特定遷移元素とを含む第２の層と、を有し、前記第１の層における前記特定遷移元素の含有割合（質量％）は、前記第２の層における前記特定元素の含有割合（質量％）に比べて高いことを特徴とする金属層付きセラミックス部材を提供する。 （もっと読む）

【課題】工業的に汎用される直流スパッタリング法やイオンプレーティング法により、抵抗式タッチパネル用の透明電極として好適に用いうる、欠陥が少なく、比抵抗が０．９〜１．８×１０^-3Ω・ｃｍの範囲にある高抵抗透明導電膜を低コストで提供する
【解決手段】酸化インジウムを主成分とし、プラセオジムを含む酸化物焼結体であり、プラセオジムの含有量が、Ｐｒ／Ｉｎ原子比で０．００２５以上０．０４３以下、好ましくは０．００８以上０．０３５以下であり、酸化プラセオジム結晶相が存在しない酸化物焼結体を、スパッタリングターゲットまたはイオンプレーティング用蒸着材として用いる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２系酸化物を含む材料を採用するとともに、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難く、密着性が良好で、尚且つ高速成膜可能であるスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化錫相（１１０）のピーク強度Ｉ１と酸化錫以外の酸化物あるいは複合酸化物相のＸ線回折図における２θ＝１５〜４０°の範囲に存在する最大ピーク強度Ｉ２がＩ２／Ｉ１＝０.１〜１であることを特徴とする酸化錫と酸化亜鉛と３価以上の元素の酸化物を主成分としたスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに前記スパッタリングターゲットを用いた光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い強度を有するＩＴＯ燒結体、スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のＩＴＯ焼結体は、酸化スズを８〜１２重量％、並びに元素の周期表の２ａ族及び４ａ族元素のうちの少なくとも１種の元素の酸化物を０．００１〜０．１重量％含み、残部が酸化インジウムからなる。このＩＴＯ燒結体からなるターゲット。これらの酸化物を上記量で配合し、成形した後焼成してＩＴＯスパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】透明で多結晶のセラミックを提供する。
【解決手段】本セラミックは、式A_xC_uB_yD_vE_zF_w、A、Cは、Li⁺Na⁺Be²⁺Mg²⁺Ca²⁺Sr²⁺Ba²⁺Al³⁺Ga³⁺In³⁺C⁴⁺Si⁴⁺Ge⁴⁺Sn^2+/4+Sc³⁺Ti⁴⁺Zn²⁺Zr⁴⁺Mo⁶⁺Ru⁴⁺Pd²⁺Ag²⁺Cd²⁺Hf⁴⁺W^4+/6+Re⁴⁺Os⁴⁺Ir⁴⁺Pt^2+/4+Hg²⁺とその混合物から選択され、B、Dは、Li⁺Na⁺K⁺Mg²⁺Al³⁺Ga³⁺In³⁺Si⁴⁺Ge⁴⁺Sn⁴⁺Sc³⁺Ti⁴⁺Zn²⁺Y³⁺Zr⁴⁺Nb³⁺Ru³⁺Rh³⁺、La³⁺、Lu³⁺、Gd³⁺とその混合物から選択され、E、Fは、S、Se、Ｏの二価アニオンとその混合物から選択され、x、u、y、v、z、wは、0.125＜（x+u）/（y+v）≦0.55、z+w＝4を満たし、A＝C＝Mg²⁺、B＝D＝Al³⁺の時、E、Fが共に0でない （もっと読む）

【課題】透明で多結晶のセラミックを提供する。
【解決手段】本セラミックは、式A_xC_uB_yD_vE_zF_wを含み、A、Cは、Li⁺Na⁺Be²⁺Mg²⁺Ca²⁺Sr²⁺Ba²⁺Al³⁺Ga³⁺In³⁺C⁴⁺Si⁴⁺Ge⁴⁺Sn^2+/4+Sc³⁺Ti⁴⁺Zn²⁺Zr⁴⁺Mo⁶⁺Ru⁴⁺Pd²⁺Ag²⁺Cd²⁺Hf⁴⁺W^4+/6+Re⁴⁺Os⁴⁺Ir⁴⁺Pt^2+/4+Hg²⁺から選択され、B、Dは、Li⁺Na⁺K⁺Mg²⁺Al³⁺Ga³⁺In³⁺Si⁴⁺Ge⁴⁺Sn⁴⁺Sc³⁺Ti⁴⁺Zn²⁺Y³⁺Zr⁴⁺Nb³⁺Ru³⁺Rh³⁺La³⁺Lu³⁺Gd³⁺から選択され、Ce³⁺、Sm^2+/3+、Eu^2+/3+、Nd³⁺、Er³⁺、Yb³⁺、Co²⁺、Cr^2+/3+/6+、V^3+/4+、Mn²⁺、Fe^2+/3+、Ni²⁺、Cu²⁺から選択されるカチオンが100ppm〜20at.％でドーピングされている （もっと読む）

【課題】酸化インジウムを主成分としセリウムを含むと共に表面から内部まで同一の組成を有する蒸着用酸化物タブレット（酸化物蒸着材）を提供し、かつこの酸化物蒸着材を用いて製造される蒸着薄膜とこの薄膜を電極に用いた太陽電池を提供すること。
【解決手段】この蒸着用酸化物タブレットは、酸化インジウムを主成分としセリウムを含み焼結後の表面研削加工がされていない焼結体により構成されており、焼結体表面から５μｍの深さまでの表面層におけるセリウム含有量をＣｅ／Ｉｎ原子数比（Ｃｏｍｐ^Ｓ）とし、焼結体全体におけるセリウム含有量の平均値をＣｅ／Ｉｎ原子数比（Ｃｏｍｐ^Ａ）とした場合、Ｃｏｍｐ^Ｓ／Ｃｏｍｐ^Ａ＝０．９〜１．１であることを特徴とする。また、蒸着薄膜は本発明の蒸着用酸化物タブレットを用いて成膜されていることを特徴とし、太陽電池は上記蒸着薄膜を電極に用いたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】積層シートの層間剥離の発生を低減することができる積層シートの製造方法、燃料電池用積層シートの製造方法および燃料電池を提供する。
【解決手段】粉末とバインダーと溶媒とを含むスラリーからドクターブレード法を用いてグリーンシートを形成する工程と、グリーンシートの複数を積み重ねてグリーンシート積層体を形成する工程と、グリーンシート積層体を真空包装する工程と、真空包装されたグリーンシート積層体を熱プレスする工程と、を含む、積層シートの製造方法、燃料電池用積層シートの製造方法および燃料電池用積層シートを用いて製造された燃料電池である。 （もっと読む）