【課題】水分または有機成分を含有した大型の成形体を電磁波加熱による透明導電膜用焼結体の製造方法において焼成割れを防止し、高密度な品質の安定した製品を容易に製造可能な方法を提供する。
【解決手段】水分と有機成分を総量で０．３〜２．０重量％含有した最小厚みが５ｍｍ以上でかつ、体積が５０ｃｍ^３以上である成形体と、この成形体に接触しないよう、上下及び／又は側面にＳｉＣ質材料を設置し、当該ＳｉＣ質材料の温度によりマイクロ波加熱炉内の温度制御を行う、電磁波加熱によって当該成形体を焼結する方法であって、室温から４００℃までの温度域を１００〜３００℃／時間の昇温速度で加熱することで、焼成割れが低減され、円筒形状であれば真円度が高い焼結体、平板形状であれば反りの少ない焼結体を歩留まり良く製造することができる。 （もっと読む）

【課題】レンズまたはプリズムのような光学要素に要求される優れた光学品質を有する透明、多結晶セラミックス及びその製造方法の提供。
【解決手段】化学量論A2+XBYDZE7、ここで、−1,15≦x≦＋1.1および0≦Y≦3、および0≦Z≦1.6、ならびに3x＋4y＋5z＝8で、Ａは希土類イオンの群から選択される少なくとも１つの３価カチオンであり、Ｂは少なくとも１つの４価カチオンであり、Ｄは少なくとも１つの５価カチオンであり、およびＥは少なくとも１つの２価アニオンである、結晶組成を含む透明、多結晶セラミックスからなり、少なくとも９５重量％の立方晶黄緑石または蛍石構造を有する結晶を含む。光学セラミックスの平均粒子寸法は好ましくは５から３００μｍの範囲で、出発物質にSiO2,TiO2,ZrO2,HfO2,Al2O3およびフッ化物からなる群から選択される少なくとも１つの焼結助剤を含む。 （もっと読む）

【課題】
低コストで量産性に優れたおおきな焼結材を作製する場合、機械加工を施しても割れや欠けを生じにくく、高密度で微細な組織を有し、熱電特性に優れた熱電変換材料の製造方法を提供すること。
【解決手段】
熱電変換材料として、テルル系化合物、シリコン系化合物、アンチモン系化合物又は金属酸化物系化合物からなる熱電変換材料、好ましくはBi、Sb、Te及びSeのうち少なくとも２つの元素を含むテルル系化合物を用いた、φ60mm×60mm以上又は60mm×60mm×60mm以上の焼結材において、焼結温度Ts(℃）の0.3Ts〜Tsの範囲で、5時間〜48時間保持して、更に昇温・冷却速度が1℃/min以下の速度で熱処理する。 （もっと読む）

【課題】キャリヤの移動度や薄膜トランジスタ等の作製工程における耐エッチング性等が従来以上に優れたＩＧＺＯアモルファス半導体膜を形成することができる透明薄膜形成用材料、及びこの透明薄膜形成用材料を作製するためのＩＧＺＯ焼結体を提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７で表される化合物の結晶が主体である透明薄膜形成用の複合酸化物焼結体及び前記複合酸化物焼結体から作製されている透明薄膜形成用材料。前記透明薄膜形成用材料は、成膜用ターゲットであり、気孔率が理論密度比で５％以下のスパッタリングターゲットであり、体積抵抗が１０^−２Ω・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】フラットパネルディスプレイ用表示電極等に用いられるＩＴＯ系非晶質透明導電膜をスパッタ時に水添加することなく製造でき、高エッチング性と低結晶化温度を有し、結晶化後には低抵抗率と高透過率の特性を高い次元で満足する透明導電膜、該透明導電膜製造用のスパッタ時に異常放電のない焼結体ターゲットを提供する。
【解決手段】酸化インジウムを主成分とし、Ｇｅ／（Ｇｅ＋Ｉｎ）の原子％で６〜１６％であり、その他の諸特性を有する焼結体ターゲット、該ターゲットを所定の条件でスパッタして得られる非晶質透明導電膜、該非晶質透明導電膜をアニールして得られる結晶質透明導電膜。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＺＯ焼結体として、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７で表される化合物の結晶が主体である複合酸化物焼結体を得ることができるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）および亜鉛（Ｚｎ）の各酸化物の粉末を１：１：１のモル比で混合、粉砕して原料粉末とする混合工程と、原料粉末を、所定の温度で仮焼して仮焼粉末とする仮焼工程と、仮焼粉末を、所定の寸法の成形体とする成形工程と、成形体を、所定の雰囲気中、１５００〜１６００℃で４時間以上焼成して焼結体とする焼成工程とを有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】均一に成膜でき、異常放電が生じ難いスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸化亜鉛焼結体からなり、Ｇａを０．０３〜０．７５原子％含み、複合酸化物がＸ線回折で検出されないことを特徴とするスパッタリングターゲットであり、Ｚｒ、Ｓｉ及びＡｌのうち１以上を合計で１００原子ｐｐｍ以下含み、酸化亜鉛焼結体表面の色差ΔＥ＊ａｂが０．７以下である。また、上記スパッタリングターゲットは、複合酸化物がＸ線回折で検出されない条件で焼結される。 （もっと読む）

【課題】室温付近での圧電特性の変動の少ない非鉛の圧電磁器および圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電磁器として、組成式で（１−ｘ）（Ｎａ_ａＫ_１−ａ）_１−ｂＬｉ_ｂＮｂＯ_３＋ｘＢａ（Ｃａ_０．５Ｔｅ_０．５）Ｏ_３と表したとき、０．４２≦ａ≦０．５８、０．０３≦ｂ≦０．１５、０．０００５≦ｘ≦０．０１００であるものを用いる。組成が（ＮａａＫ１−ａ）１−ｂＬｉｂＮｂＯ３である圧電磁器では室温付近にある相転移点により−４０〜＋１００℃の範囲内で急激な圧電特性の変化を生じるが、該発明の圧電磁器は−４０〜＋１００℃での圧電特性の変化が緩やかになる。 （もっと読む）

【課題】 微生物担持セラミックスによる有機物の分解で最も重要なことは、分解性能を長期間維持すること及び長期間の保存を可能とすることであるが、従来の微生物担持セラミックスは分解性能を長期間維持することが難しく、又、長期間の保存ができなかった。
【解決手段】 多くのミクロ結晶開孔を有し、微生物の増殖に必要な多量の微量金属を含む花崗斑岩粒を主材としたセラミックスの大径とした開口には多量の微量金属と微生物を含むゲル状若しくは粉末状有機物を担持させ、ミクロ結晶開孔には水分を含水させたものである。
分解性能を長期間維持することは微生物の担持を維持し、長期保存には有機物を微生物と同時担持させることである。 （もっと読む）

【課題】乾式法により複合タングステン酸化物薄膜を形成するために用いられる、複合タングステン酸化物ターゲット材とその製造方法を提供する
【解決手段】一般式：Ｍ_xＷ_yＯ_z（ただし、Ｍは、Ｈ、Ｈｅ、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂ、Ｆ、Ｐ、Ｓ、Ｓｅ、Ｂｒ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｂｅ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｂｉ、およびＩの内から選択される１種以上の元素、０．００１≦ｘ／ｙ≦１、２．０＜ｚ／ｙ≦３．０）からなる組成を有する複合タングステン酸化物の粉末に、真空もしくは不活性ガス雰囲気下、９００℃以上１１００℃未満の温度、１９．６ＭＰａ以上の圧力の条件で、ホットプレスまたは熱間静水圧プレスを施すことにより、前記複合タングステン酸化物以外の相を含まず、かつ、密度が７ｇ／ｃｍ³以上である、上記組成の複合タングステン酸化物の焼結体からなるターゲット材を得る。 （もっと読む）

【課題】圧電特性が良好な圧電材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型複合酸化物からなり、前記ペロブスカイト型複合酸化物の結晶系が少なくとも単斜晶構造を含んでいる圧電材料。前記ペロブスカイト型複合酸化物の結晶系が、単斜晶構造と菱面体晶構造を有する混在系、または単斜晶構造と正方晶構造を有する混在系であることが好ましい。


（式中、ＡはＢｉ元素であり、ＭはＦｅ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｍｎ、Ｙ、Ｇａ、Ｙｂのうちの少なくとも１種の元素である。ｘは０．４≦ｘ≦０．６の数値を表す。ｙは０．１７≦ｙ≦０．６０の数値を表す。） （もっと読む）

【課題】焼結体の表面を除いた内部の色むらを抑制した複合酸化物焼結体を提供することである。
【解決手段】酸化亜鉛と、Ａｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｙ、Ｓｃから選ばれる元素の酸化物を少なくとも１種以上含む複合酸化物焼結体において、当該焼結体の焼き上がり面を除去した焼結体表面部と焼結体中心部とのＣＩＥ１９７６空間で測定されるＬ^＊ａ^＊ｂ^＊色差：ΔＥ^＊が３．０以下である、色むらの少ない、放電特性等の安定性に優れた複合酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】アーキング発生頻度を低減するスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明では、インジウム、スズ及び酸素を含んでなり、少なくともＩｎ_２Ｏ_３相と中間化合物相を有する焼結体であって、スズの含有量がＳｎＯ_２換算で、ＳｎＯ_２／（Ｉｎ_２Ｏ_３＋ＳｎＯ_２）で１０重量％以上１５重量％以下の場合、Ｘ線回折スペクトルにおける中間化合物相の（０１２）面又は（０２１）面とＩｎ_２Ｏ_３相の（２１１）面との回折ピーク強度の比をそれぞれ３．０％以下とし、スズの含有量がＳｎＯ_２換算で、ＳｎＯ_２／（Ｉｎ_２Ｏ_３＋ＳｎＯ_２）で１５重量％より大きく２０重量％以下の場合、Ｘ線回折スペクトルにおける中間化合物相の（０１２）面又は（０２１）面とＩｎ_２Ｏ_３相の（２１１）面との回折ピーク強度の比がそれぞれ９．０％以下とすることで、放電中のアーキングの発生率が低減する。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット材の割れ防止のため、熱衝撃に強い透明導電膜用焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】
インジウム化合物粉末やスズ化合物粉末などの透明導電膜用の原料粉末を混合後に造粒し、当該造粒粉末を成形した成形体を電磁波加熱により焼結することで、焼結体の平均結晶粒径を２μｍ以下に制御することができ、熱衝撃試験により求めた最大許容温度差が１５０℃以上となり、スパッタリング中の割れ発生率が大幅に低下する。 （もっと読む）

【課題】酸化マグネシウム焼結体を蒸着材として用いて成膜する際に成膜速度が高く、かつ成膜時のスプラッシュ発生の抑止が可能であるとともに、得られた蒸着膜をＰＤＰ用の保護膜として使用した時に放電開始電圧を低くすることができる酸化マグネシウム焼結体を提供する。
【解決手段】酸化マグネシウム、マグネシウム以外の周期表第２Ａ族元素の酸化物９〜５０質量％、及び、周期表第３Ｂ族、第３Ａ族又は第４Ａ族元素の酸化物１〜１００００ｐｐｍを含むことを特徴とする酸化マグネシウム焼結体。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング中の異常放電現象の発生を制御し、パーティクルによる歩留まり低下を抑制することができる複合酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】亜鉛と、酸素イオンに６配位を仮定したときのイオン半径が０．７〜１．１Åの正三価以上の価数を取り得る元素Ａ、酸素イオンに４配位を仮定したときのイオン半径が０．５〜０．７Åの正三価以上の価数を取り得る元素Ａとは異なる元素Ｍをそれぞれ少なくとも１種以上含み、Ｃｕを線源とするＸ線回折パターン（ＸＲＤ）の２Θ＝３０〜４０°の範囲内に検出される回折ピークが六方晶系ウルツ型構造に帰属される（１００）面、（００２）面、（１０１）面のみから構成されることを特徴とする複合酸化物焼結体とすることで、異常放電現象の発生を制御し、パーティクルによる歩留まり低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】耐ＰＡＮ性を有し、ノーマリーオフで、高移動度、低オフ電流値、低閾値電圧、またＳ値が低く高い動作安定性を示す高性能な薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、亜鉛元素（Ｚｎ）及び錫元素（Ｓｎ）の合計（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）に対する、各元素の原子比が下記の関係を満たす酸化物半導体からなる酸化物焼結体。
０．１８＜Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＜０．７９
０．０００１０＜Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＜０．２７
０．０６０＜Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＜０．４９
０．１２＜Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＜０．４０ （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系酸化物を含む材料を採用するとともに、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難く、密着性が良好で、尚且つ高速成膜可能であるスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法を提供し、これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善する。
【解決手段】ZnOを主成分とするホモロガス構造を有する酸化物に、Ta、Yの何れか１種又は２種の元素の酸化物を含有する材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。(In₂O₃)(ZnO)_m、m≧1のホモロガス構造を有し、これにTa、Yの何れか１種又は２種の元素の酸化物を含有する材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 安価な方法で高密度かつ均一な組織の円筒型の酸化物焼結ターゲット材を得ることが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化物粉末を含むスラリーを円筒形状の吸水型に注入した後、前記吸水型の円筒内壁にスラリーを沈降させながら吸水型の中心線を回転軸心として回転速度３０ｒｐｍ以下で回転させことにより円筒形状の酸化物成形体を得、次いで前記酸化物成形体を焼結して円筒型酸化物焼結体を得る円筒型酸化物焼結ターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高濃度であり、かつ鋳込み成形に使用できる低粘度のスラリーを得る。
【解決手段】循環されて混合槽１１に溶媒は戻ってくるが、この時点では粉末は混合されていないため（Ｓ３）、所定量の粉末が溶媒に混合され、スラリー前駆体となる（混合工程：Ｓ４）。このスラリー前駆体は再び衝突ユニット１５に導かれて湿式ジェットミル処理（Ｓ２）が行われて再び混合槽１１に戻る。以上の粉末濃度の確認（Ｓ３）、混合工程（Ｓ４）、湿式ジェットミル処理工程（Ｓ２）は粉末濃度が設定値になる（Ｓ３）まで繰り返され、所望の粉末濃度のスラリーが得られる。所定の粉末濃度に達していないスラリー前駆体に対してジェットミル処理を行い、徐々に粉末濃度を高めることによって、高い粉末濃度と流動性をもった状態でジェットミル処理工程を行うことができる。従って、高い粉末濃度と低粘度をもったスラリーを得ることができる。 （もっと読む）