説明

Fターム[4G030CA05]の内容

酸化物セラミックスの組成 (35,018) | 構造 (2,852) | 結晶粒界 (83)

Fターム[4G030CA05]に分類される特許

21 - 40 / 83


【課題】蒸着材に用いられるZnO焼結体において、希土類元素群から選ばれた2種以上17種以下の元素を含む希土類元素酸化物の偏析を抑制し、組成均一性に優れたZnO蒸着材を製造するとともに、蒸着膜の組成が均一なZnO膜が得られるZnO蒸着材を製造する。
【解決手段】バレルスパッタリング法により、ZnO粉末11の表面を、希土類元素群から選ばれた2種以上17種以下の元素を含む希土類元素酸化物13で被覆して粒状体14とする。粒状体14又はこれを仮焼後に解砕して得る仮焼粉末19を用いて、第1造粒粉末15又は第2造粒粉末21を作製し、成形、焼結を経て、ZnO焼結体からなるZnO蒸着材17又は23を作製する。 (もっと読む)


【課題】製造が容易であり、且つ大量生産に適し、低コストで良好な熱電変換性能を有する熱電変換材料を提供する。
【解決手段】粒子とその表面を被覆する粒界相とよりなり、該粒子がペロブスカイト型酸化物、例えば、SrTiO等の絶縁体であり、該粒界相がペロブスカイト型酸化物、例えば、SrTiO等に金属をドープした半導体であり、粒子の平均一次粒径が2〜100nmであり、粒界相の厚みが0.2〜8nmである熱電変換材料。 (もっと読む)


本発明は、マトリックス材料中に分散させた、第1の超硬質又は硬質粒子材料と、少なくとも1つの第2の超硬質又は硬質粒子材料とを含む超硬質又は硬質複合材料を提供する。第1の超硬質又は硬質粒子材料の熱膨張率は、マトリックス材料の熱膨張率よりも低く、少なくとも1つの第2の超硬質又は硬質粒子材料の熱膨張率は、マトリックス材料の熱膨張率よりも高い。 (もっと読む)


【課題】機械的強度が向上したスパークプラグ用アルミナ焼結体及びその製造方法、並びにスパークプラグ用アルミナ基焼結体を備えるスパークプラグ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミナと、希土類酸化物と、焼結助剤に含まれる金属の酸化物とを含むスパークプラグ用アルミナ焼結体において、アルミナを90〜98質量%、希土類酸化物を0.2〜4質量%、残部に焼結助剤に含まれる金属の酸化物を含み、粒界中の非ガラス質物の平均粒径が5μm以下でかつ最大粒径10μm以下であるスパークプラグ用アルミナ焼結体であり、アルミナを90〜98質量%と、希土類酸化物を0.2〜4質量%と、残部として平均粒径が0.5μm≦D50≦2μmである焼結助剤とを焼結する。 (もっと読む)


【課題】ターゲット材として使用したときに割れ及びアーキングの発生が少ない酸化亜鉛焼結体を提供する。
【解決手段】ZnOを主体とし、ZnOの粒界及び粒子内に存在するAlと、ZnOとAlの反応により生成し、ZnOの粒界及び粒子内に存在するZnAlとからなり、ZnOの平均粒径D1とZnAlの平均粒径D2との比D1/D2が0.1〜60であることを特徴とする酸化亜鉛焼結体。ZnOの粒界に存在するZnAl粒子の個数と、粒内に存在するZnAl粒子の個数の比が粒内/粒界で0.15〜0.35である。 (もっと読む)


【課題】割れ及びアーキングの発生が少ない酸化亜鉛焼結体からなるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】焼結体密度が5.3〜5.5g/cmであって、ヤング率と曲げ強度の比E/σが300〜1500である酸化亜鉛焼結体を用いたスパッタリングターゲット。酸化亜鉛焼結体はZnOを主体とし、ZnOの粒界及び粒子内に存在するAlと、ZnOとAlの反応により生成し、ZnOの粒界及び粒子内に存在するZnAlとからなる。 (もっと読む)


【課題】 MHz〜GHz帯における誘電正接を小さくできるアルミナ質焼結体ならびに半導体製造装置用部材、液晶パネル製造装置用部材および誘電体共振器用部材を提供する。
【解決手段】 AlをAl換算で99.3質量%以上含有するとともに、元素としてSi、AlおよびM(Mはアルカリ土類金属)を含有し、アルミナ結晶粒子1を主結晶粒子とするアルミナ質焼結体であって、該アルミナ質焼結体の任意断面におけるアルミナ結晶粒子1で構成される3重点2に、元素としてSi、Al、MおよびOを含有する結晶相、または元素としてSi、Al、MおよびOを含有する非晶質相が存在するとともに、アルミナ結晶粒子1で構成される3重点2のうち10%以上の3重点に、元素としてSi、Al、MおよびOを含有する結晶相が存在する。 (もっと読む)


【課題】 本発明の態様は、快削性、高い曲げ強度、ヤング率、優れた加工精度が発現する快削性セラミックス複合材料を提供する。
【解決手段】 セラミックス粒子により構成されるマトリックスの粒界にh-BNが存在している快削性セラミックス複合材料であり、その快削性セラミックス複合材料に存在するh-BNの最大粒径が22μm未満とし、快削性セラミックス複合材料中の粒界に存在するh-BN量を測定したときの面積比の標準偏差が0.15以下を特徴とする快削性セラミックス複合材料とすることで、快削性、高い曲げ強度、ヤング率、優れた加工精度が発現する快削性セラミックス複合材料を提供できる。 (もっと読む)


【課題】クーロン型とジョンソン・ラーベック型の中間の体積抵抗率に調整することができ、しかも耐食性に優れた酸化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化アルミニウム焼結体は、主成分である酸化アルミニウムの粒子同士の間に希土類元素とフッ素とを含む相が層状に存在するもの、又は、主成分である酸化アルミニウムの粒子同士の稜に沿って希土類元素とフッ素とを含む相が存在するものである。この酸化アルミニウム焼結体は、SEM画像を見たときに、酸化アルミニウムの粒子同士の間に希土類元素とフッ素元素とを含む相が局所的に点となって存在するのではなく、線分をなすように存在している。また、本発明の酸化アルミニウム焼結体は、室温において2kV/mmの電圧を印加して1分経過後の電流値から算出した体積抵抗率を1×1013〜1×1016Ω・cmの範囲に容易に調整することができる。 (もっと読む)


【課題】 加工時(切断、トリミングやエッチング)における脱粒を抑制することができる磁気ヘッド用基板、およびスライダからの脱粒を抑制することができる磁気ヘッドならびに磁気記録装置を提供する。
【解決手段】 アルミナを60〜70質量%、炭化チタンを30〜40質量%含有する焼結体からなる磁気ヘッド用基板であって、任意断面の10μm角における炭化チタン結晶粒子77とアルミナ結晶粒子79との間の全界面平均長さが120μm以上である。ここで、任意断面の10μm角に存在する炭化チタン結晶粒子77の平均個数が500個以上であることが望ましく、アルミナ結晶粒子79の平均粒径は0.25μm以下であることが望ましい。 (もっと読む)


【課題】 誘電特性が良好で、高い誘電特性を示す誘電体共振子と組み合わせて使用しても、トータルの誘電特性(特にQ値)の高いものが望まれている。
【解決手段】 誘電体共振子を支持するために用いられる支持部材であって、アルミナを99.3質量%以上含有し、SiおよびSrを含有するとともに、アルミナ結晶粒子を主結晶粒子としてなり、前記アルミナ結晶粒子の粒界にSi、Al、Srおよび酸素元素を含有する化合物の結晶相が存在するアルミナ質焼結体を支持部としたことを特徴とするセラミック支持部材3とする。これにより、アルミナの優れた機械的特性、電気特性を維持することができるとともに、アルミナ結晶粒子の粒界に、Si、Al、SrおよびO元素を含有する化合物からなる低損失の結晶相が存在するため、従来よりも高Q値を示すアルミナ質焼結体からなるセラミック支持部材3を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】酸素存在下で焼結が可能であって、焼結体の相対密度が高く、機械的強度の優れた六方晶系窒化ホウ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶系窒化ホウ素とアルミノケイ酸塩とをあらかじめ混合粉砕して焼結用混合粉とし(混合粉砕工程)、該焼結用混合粉を圧力成形してプレ成形体とし(プレ成形工程)、プレ成形体を酸素が存在する雰囲気下において焼結する(焼結工程)。六方晶系窒化ホウ素からなる粉体粒子は、表面のみならず内部にも酸素が含まれている。 (もっと読む)


【課題】高温域の検出を可能にする複合温度センサ素子、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体酸化物AOxと絶縁体酸化物BOxとにより構成される複合焼結体AOx・BOxからなる複合温度センサ素子1である。絶縁体酸化物BOxの焼結体の結晶粒内及び/又は結晶粒界中には焼結助材が分散している。焼結助材は、平均結晶粒径が1.0μm以下であることが好ましい。焼結助材は、CaCO3、CaZrO3、及びCaSiO3のうち少なくとも1種以上であることが好ましい。焼結助材の添加量は、半導体酸化物AOxとマトリックス酸化物BOxとの合計に対して、0.2モル%〜5モル%であることが好ましい。半導体酸化物AOxは、Aが元素周期律表第2A族及びLaを除く第3A族、第2B族、第3B族、第4A族、第5A族、第6A族、第7A族、及び第8A族の元素から選択される少なくとも1種以上の元素であることが好ましい。 (もっと読む)


層が適用される内壁又はブロックの集合体によって保護される内壁を備えたガス化装置であって、この層又はブロックは、(i)少なくとも25質量%の酸化クロムCrと(ii)少なくとも1質量%の酸化ジルコニウムとを含有する焼結材料の少なくとも1つの領域を有し、この酸化ジルコニウムZrOの少なくとも20質量%が立方晶及び/又は正方晶で安定化される。 (もっと読む)


4.00g・cm−3よりも高い密度を有する、TiOおよびYを含む焼結されたジルコンを主成分とする改良された耐火材料ならびにこのようなジルコン材料の作製方法が開示されている。この方法は、多峰性の粒子分布曲線を有するジルコン粒子を未焼成体の作製に使用することを含む。この材料はクリープ速度において優れた特性を示す。本発明は、ガラスシート材料のフュージョン・ダウンドロー形成のための、ジルコンを主成分とするアイソパイプの作製に特に有用である。
(もっと読む)


【課題】信頼性が高く、安全に運用可能なセラミックス部品の適用方法を提供する。
【解決手段】セラミックス材料からなるセラミックス部品を加工した後、加工による残留応力を熱処理により低下させる熱処理工程(111)と、所定温度においてセラミックス部品に一定荷重を負荷する予荷重負荷を与えることにより、高応力部でのクリープ変形を進める予荷重負荷工程(112)と、予荷重負荷工程(112)の後、セラミックス部品が設計強度を有するか否かを調べる保証試験工程(115)とを具備したセラミックス部品の適用方法。 (もっと読む)


【課題】測定周波数1MHz〜GHz帯における誘電正接を小さくできるアルミナ質焼結体および半導体製造装置用部材ならびに液晶パネル製造装置用部材を提供する。
【解決手段】AlをAl換算で99.3質量%以上、SiをSiO換算で0.05〜0.3質量%、SrをSrO換算で0.01〜0.16質量%含有するとともに、アルミナ結晶粒子1を主結晶粒子とし、該アルミナ結晶粒子1で構成される3重点2にSi、Al、SrおよびOの各元素を含有する結晶相が存在し、かつアルミナ結晶粒子1の平均粒径が10μm以上である。これにより、Si、Al、SrおよびOの各元素を含む低損失の結晶相が存在するため、またアルミナ結晶粒子1の平均粒径が10μm以上であるため粒界の数が少なくなり、周波数1MHz〜8.5GHzにおける誘電正接を小さくすることができる。 (もっと読む)


【課題】鉛の含有量が十分に低減されるとともに、圧電特性に十分優れた圧電磁器及び当該圧電磁器を備える圧電素子を提供すること。
【解決手段】圧電素子20は圧電磁器1を備えている。この圧電磁器1は構成元素として鉛とは異なる金属元素を有する一種以上の複合酸化物からなる組成物を主成分として含有する。複合酸化物の少なくとも一種は、構成元素としてアルカリ金属及びNbを有している。そして、上記組成物の結晶粒の粒界には、Mn及びCuの少なくとも一方の元素が偏在している。 (もっと読む)


【課題】機械的強度をより高めた酸化イットリウム材料を提供する。
【解決手段】半導体製造装置用部材である静電チャック20は、酸化イットリウムに固溶・析出可能であり酸化イットリウムの粒内に存在する第1無機粒子と、第1無機粒子には固溶可能であり酸化イットリウムには固溶しにくい酸化イットリウムの粒界に存在する第2無機粒子と、を含む酸化イットリウム材料により構成されている。この第1無機粒子は、ZrO2及びHfO2のうち少なくとも1以上であり、第2無機粒子は、MgO、CaO、SrO、BaOのうち少なくとも1以上である。この酸化イットリウム材料は、第1無機粒子と第2無機粒子とを混合・焼成して固溶粒子を作製し、作製した固溶粒子と酸化イットリウムとを混合・焼成することにより、第1無機粒子を酸化イットリウムの粒内に存在させると共に、第2無機粒子を酸化イットリウムの粒界に存在させて作製することができる。 (もっと読む)


多孔質セラミック基質は、第1の相のマイクロクラックのあるコーディエライトセラミック材料と、コーディエライトセラミックに分散した第2の相の非コーディエライト金属酸化物粒子とを含み、第1と第2の相の間の界面の少なくとも一部がガラスにより濡れており、第2の相の粒子が、約0.01〜約10μmの範囲のサイズを有する。多孔質マイクロクラックのあるコーディエライトセラミックを強化する方法は、コーディエライトバッチ組成物を提供する工程と、コーディエライトバッチ組成物を、少なくとも1つの非コーディエライト形成金属酸化物または金属酸化物前駆体に添加する工程と、バッチ組成物を、ポア形成剤、バインダーおよび水と混合してペーストにする工程と、ペーストをグリーン体へと成形する工程と、グリーン体を焼成する工程と、焼成したグリーン体を焼成温度より低い温度でアニールして、コーディエライトセラミック内に分散された第2の相の結晶化非コーディエライト粒子を有し、第1と第2の相の間の界面の少なくとも一部がガラスにより濡れている、強化コーディエライトセラミックハニカムを形成する工程とを含む。
(もっと読む)


21 - 40 / 83