Fターム[4G048AC02]の内容
Fターム[4G048AC02]に分類される特許
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化学的に安定な固体のリチウムイオン伝導体
本発明は、化学的に安定な固体のリチウムイオン伝導体、該リチウムイオン伝導体の製造法、及び、バッテリー、アキュムレータ、スーパーカップ及びエレクトロクロミックデバイスにおける該リチウムイオン伝導体の使用に関する。
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コンデンサに用いるためのニオブ酸化物粉末の製法
本発明は、高い純度と大きい比表面積と制御された酸素及び窒素の含有量とコンデンサの製造に用いるのに適切な形態とを有する一酸化ニオブ(NbO)粉末の製法であって、第1の段階と第2の段階とを包含する五酸化ニオブ(Nb2O5)の二段階還元であって、第1の段階は、水素によって五酸化ニオブ(Nb2O5)を二酸化ニオブ(NbO2)まで還元する工程を含み、第2の段階は、二酸化ニオブ(NbO2)からの酸素原子が酸素ゲッター材へ移動するのを可能にする雰囲気の中、一酸化ニオブ(NbO)を形成するのに適した時間と温度との条件の下、該酸素ゲッター材を用いることによって、該二酸化ニオブ(NbO2)を該一酸化ニオブ(NbO)まで還元する工程を含む、二段階還元を包含することを特徴とする、上記製法に関する。本方法を用いて生成される一酸化ニオブ(NbO)粉末の粒子は小さくて、大きい表面積と適切な形態とを有し、コンデンサを作るのに適している。 (もっと読む)
前駆体溶液、前駆体溶液を準備する方法、及び前駆体溶液の使用
1500以上の相対誘電率を有する、結晶質のPbMg0.33Nb0.67O3の単相の層が、大環状錯化剤を有する前駆体溶液の使用によって準備される。この錯化剤は、有機溶液内の鉛成分に付加される。得られる層は、半導体素子及び抵抗器を更に含み得るデバイスの一部である。
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