金属酸化物前駆体、溶媒およびエポキシドの混合物からゾルを製造すること、およびゾルから金属酸化物材料を調製することにより調製される誘電体酸化物材料。種々の形態において、混合物は、共溶媒、１以上の追加の金属酸化物前駆体、水、またはガラス形成酸化物の前駆体、またはこれらの任意の組合せをも含み得る。調製された誘電体酸化物材料は、κ値が高く、漏電が少なく、誘電正接値が低い薄膜の形態であり得る。
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【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｂｉを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した形成用組成物等を提供する。
【解決手段】一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）の複合金属酸化物Ａに、一般式Ｃ_nＨ_2n+1ＣＯＯＨ（但し、３≦ｎ≦７）で、かつ、上記金属に配位したときに式（１）の構造をとり得る、カルボン酸Ｂが混合した液状組成物であり、酸化物Ａ構成原料並びにカルボン酸Ｂがモル比０＜Ｂ／Ａ＜０．２になるように溶解している有機金属化合物溶液からなる。


但し、式中、上記一般式Ｃ_nＨ_2n+1ＣＯＯＨのｎを満たす範囲内で、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６は水素、メチル基又はエチル基を示し、ＭはＰｂ，Ｌａ，Ｚｒ又はＴｉを示し、ｍはＭの価数を示す。 （もっと読む）

【課題】常温において電気磁気効果を呈する電気磁気効果材料及び電気磁気効果材料からなる電子素子を提供する。
【解決手段】電気磁気効果材料を、下記式(1)で表され、式(1)中のＲの一部が正二価以下の元素により固溶置換されている酸化物とする。
(ＲＭ₂Ｏ₄)_m(ＲＭＯ₃)_n (1)
(式中、Ｒは、Ｙ、Ｄｙ、Ｌｕ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｈｏ、Ｓｃ及びＩｎからなる群より選択される少なくとも１種の元素であり、Ｍは、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＧａからなる群より選択される少なくとも１種の元素であり、ｍは１または２であり、ｎは０以上の整数である。)。この電気磁気効果材料を用いて電子素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｓｍを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で、かつ、ＢとＡとのモル比Ｂ／Ａが０．００５≦Ｂ／Ａ＜０．０３の範囲内となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の強誘電体薄膜と同程度の比誘電率を有し、かつ、低いリーク電流密度が得られる、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｃｅを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ハフニウム含有酸化膜を提供できる半導体成膜用材料として好適なハフニウムアミド錯体を高収率でかつ簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】 一般式：Ｈｆ［Ｏ（ＣＲ_１Ｒ_２Ｒ_３）］_４で示される第３級ハフニウムアルコキシド錯体に、一般式：Ｌｉ（ＮＲ_４Ｒ_５）で示されるリチウムアルキルアミドを添加し反応させた後、減圧蒸留を行うことを特徴とする、一般式：Ｈｆ（ＮＲ_４Ｒ_５）_４で示されるハフニウムアミド錯体の製造方法。
（式中において、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３はそれぞれ独立で、フェニル基、ベンジル基、炭素数１〜６の１級又は２級又は３級のアルキル基のいずれか一つを表し、Ｒ_４、Ｒ_５はそれぞれ独立で、メチル基又はエチル基のいずれか一つを表わす。但し、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３が全てメチル基の場合及びＲ_１、Ｒ_２、Ｒ_３のいずれか一つがエチル基で他の二つがメチル基の場合は除く。） （もっと読む）

【課題】平均粒径が１μｍ以下、好ましくは、０．０１〜０．５μｍの均一微細な球状の粒子からなる結晶性が高く、Ａ／Ｂ比が任意に制御されており、しかも、結晶粒子内のナノメーターサイズの空孔の数が少ないＡＢＯ₃ 化合物を含有する組成物を得ることができる改良された水熱合成法による上記組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ及びＳｎから選ばれる少なくとも一種のＢ群元素の含水酸化物を１００〜３００℃の範囲の温度で水熱反応に付して、上記含水酸化物を脱水する第一工程と、上記第一工程で得られた反応生成物とＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ及びＰｂから選ばれる少なくとも一種のＡ群元素の水酸化物とを水性媒体の存在下、１００〜３００℃の範囲の温度で水熱反応させる第二工程を含むことを特徴とするペロブスカイト型化合物を含有する組成物の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】種々の部材の高性能化に寄与できる積層体を提供する。
【解決手段】コバルト源を含有し、かつ、溶媒としてコバルト酸化物の単結晶２を形成可能な単結晶形成可能溶媒とジケトン類またはケトエステル類とを含有するコバルト酸化物膜３形成用溶液を、コバルト酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材１に接触させることにより、前記基材上にコバルト酸化物膜を形成する。この形成したコバルト酸化物膜の膜厚が、５００ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】従来の固相法に比べて低温でセラミックス粉体を得ることができる製造方法、およびかかる製造方法を用いたセラミックス膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】セラミックス粉体の製造方法は、金属化合物を含む原料液を準備する工程と、前記原料液を噴霧・乾燥させることにより粉体を形成する工程と、を含み、前記金属化合物は、加水分解性金属化合物および熱分解性有機金属化合物の少なくとも１種を含む。 （もっと読む）

【課題】電子部品の誘電材料として機能し得るセラミック酸化物材料を形成するプロセスにおいて、周囲の部品を劣化させるような温度を用いることなく、高い誘電率および低い誘電正接を有する材料を得ることができるプロセスを提供すること。
【解決手段】本発明のプロセスは、少なくとも１つのパイロクロール結晶相を含む鉛ベースのセラミック酸化物誘電材料を形成するプロセスであって、ａ）該鉛ベースのセラミック酸化物材料の少なくとも１つの非晶層を基板上に堆積させる工程と；ｂ）５５０℃を超えない温度で該非晶層に施され、それにより、少なくとも１つのパイロクロール結晶相を含む鉛ベースのセラミック酸化物誘電材料が得られる、結晶化アニール工程と；を含む。 （もっと読む）

【課題】コンデンサ材料として好適な比表面積が大きく、且つ微細な粒子からなる一酸化ニオブの製造技術を提供する。
【解決手段】本発明は、五酸化ニオブまたは二酸化ニオブを還元焼成して一酸化ニオブを生成する一酸化ニオブの製造方法において、五酸化ニオブまたは二酸化ニオブと、希土類元素を含む塩とを湿式混合して焼成処理を行い、焼成処理後、希土類元素がニオブ原子位置にドープされた状態のニオブ酸化物と還元剤とを混合して、還元焼成処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高圧を要することなく、Ｂｉ欠陥を抑制でき、数十μｍ程度と比較的厚くかつ緻密な構造を得ることが可能な、Ｂｉ系ペロブスカイト型酸化物を主成分する酸化物体を提供する。
【解決手段】酸化物体１３は、基材１１上に形成され、ＡサイトがＢｉを主成分とするＢｉ系ペロブスカイト型酸化物を主成分とするものであり、下地１２との界面及びその近傍にアンカーリング層が形成されている。酸化物体１３は、エアロゾル化されたセラミックス原料粉を基材１１上に衝突させて、原料粉の破砕物を基材１１上に堆積させる堆積工程を有する製造方法により製造されたものである。 （もっと読む）

【課題】低温で短時間かつ効率良く薄膜を酸化又は還元する反応装置及び反応方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る反応装置は、チャンバー３と、前記チャンバー内に配置され、薄膜が形成された基板１を保持する保持機構２と、極性溶媒のｐＨを調製するｐＨ調製機構と、前記ｐＨ調製機構によってｐＨが調製された極性溶媒を加熱する加熱機構と、前記加熱機構によって加熱された前記極性溶媒を前記保持機構に保持された前記基板に供給する供給機構と、を具備し、前記ｐＨが調製され且つ加熱された極性溶媒によって前記薄膜に酸化反応又は還元反応を起こさせることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】誘電特性は改質前と同等以上で、ペロブスカイト型複合酸化物を改質する被覆成分からの被覆成分の溶出も実質的になく、ペロブスカイト型複合酸化物の比表面積の経時変化及びＡサイト金属の溶出を効果的に抑制すると共に、解砕性の良好な改質ペロブスカイト型複合酸化物を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型複合酸化物の粒子表面を、ＳｉＯ₂と、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｄ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ及びＳｍの群から選択される少なくとも１種とで被覆した改質ペロブスカイト型複合酸化物であって、前記被覆が、加水分解性ＴｉＯ₂前駆体と、Ｎｄ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ及びＳｍの群から選択される少なくとも１種の塩とを加水分解した後、焼成することにより形成されたものであることを特徴とする改質ペロブスカイト型複合酸化物である。 （もっと読む）

【課題】誘電特性は改質前と同等以上で、ペロブスカイト型複合酸化物を改質する被覆成分からの被覆成分の溶出も実質的になく、ペロブスカイト型複合酸化物のＡサイト金属の溶出を効果的に抑制すると共に、解砕性の良好な改質ペロブスカイト型複合酸化物を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型複合酸化物の粒子表面をＴｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂及びＮｄ₂Ｏ₃の群から選択される少なくとも１種で被覆した改質ペロブスカイト型複合酸化物であって、前記被覆が、加水分解性ＴｉＯ₂前駆体、加水分解性Ａｌ₂Ｏ₃前駆体、加水分解性ＺｒＯ₂前駆体及び加水分解性Ｎｄ₂Ｏ₃前駆体の群から選択される少なくとも１種を加水分解した後、７００℃〜１２００℃で焼成することにより形成されたものであることを特徴とする改質ペロブスカイト型複合酸化物である。 （もっと読む）

【課題】誘電特性は改質前と同等以上で、ペロブスカイト型複合酸化物を改質する被覆成分からの被覆成分の溶出も実質的になく、ペロブスカイト型複合酸化物の比表面積の経時変化及びＡサイト金属の溶出を効果的に抑制すると共に、解砕性の良好な改質ペロブスカイト型複合酸化物を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型複合酸化物の粒子表面を少なくともＡｌ₂Ｏ₃を含む被覆層で１次被覆し、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂及びＮｄ₂Ｏ₃からなる群から選択される少なくとも１種で２次被覆した改質ペロブスカイト型複合酸化物であって、前記１次被覆が、加水分解性Ａｌ₂Ｏ₃前駆体の加水分解生成物を焼成することにより形成されたものであり、且つ前記２次被覆が、加水分解性ＳｉＯ₂前駆体、加水分解性ＴｉＯ₂前駆体、加水分解性ＺｒＯ₂前駆体及び加水分解性Ｎｄ₂Ｏ₃前駆体の群から選択される少なくとも１種の加水分解生成物を焼成することにより形成されたものであることを特徴とする改質ペロブスカイト型複合酸化物である。 （もっと読む）

【課題】圧電性能に優れた強誘電性酸化物を提供する。
【解決手段】特定構造の結晶対称性を有する下記一般式（ａ１）で表される組成を有する強誘電性酸化物においてＡサイト元素となり得るイオン半径及びイオン価数を有するＡサイト元素Ａと、Ｂサイト元素となりうるイオン半径及びイオン価数を有するＢサイト元素Ｂを選択して構成元素を決定し、特定構造の結晶対称性を有する強誘電性酸化物に対して、自発分極方向に電界を印加して自発分極方向へ変位させた時のＢｉ元素のＢｏｒｎ有効電荷が、同じ特定構造のＢｉＦｅＯ_３のＢｉ元素のＢｏｒｎ有効電荷より大きくなるように組成を決定し、この組成の強誘電性酸化物を製造する。
ＡＢＯ_３・・・（ａ１）
（式（ａ１）中、ＡはＢｉを主成分とする1種又は複数種のＡサイト元素、Ｂは１種又は複数種のＢサイト元素、Ｏは酸素。） （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系のペロブスカイト型酸化物において、Ａサイトに１モル％超の置換イオン及びＢサイトに１０モル％以上の置換イオンを添加され、且つＡサイト欠陥が少ないものとする。
【解決手段】本発明のペロブスカイト型酸化物は、下記式（Ｐ）で表されることを特徴とするものである。
（Ｐｂ_{１−ｘ＋δ}Ａ_ｘ）（Ｚｒ_ｙＴｉ_１−ｙ）_１−ｚＭ_ｚＯ_ｗ・・・（Ｐ）
（式中、Ｐｂ及びＡはＡサイト元素であり、ＡはＰｂ以外の少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ及びＭはＢサイト元素であり、ＭはＮｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｓｂ，Ｍｏ及びＷからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０．０１＜ｘ≦０．４、０＜ｙ≦０．７、０．１≦ｚ≦０．４。δ＝０及びｗ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】簡単かつ低コストで作製することができ、結晶配向セラミックスの作製時のテンプレートとして用いることができる異方形状粉末及びこれを用いた結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、該多結晶体を構成する擬立方｛１００｝面が配向する結晶配向セラミックスを製造するためのテンプレートとして用いられる異方形状粉末及びこれを用いた結晶配向セラミックスの製造方法である。異方形状粉末は、｛０１０｝面が発達して配向面を形成する異方形状の配向粒子からなる。配向粒子は、一般式（１）Ａ₄Ｂ₆Ｏ₁₇又は一般式（２）ＡＢ₃Ｏ₈で表される層状化合物（但し一般式（１）及び（２）においてＡサイト元素は少なくともＫを主成分とし、Ｂサイト元素は少なくともＮｂを主成分とする）からなる。 （もっと読む）