【課題】 本発明は、１５０℃以上の比較的高い温度領域で処理しても高沸点有機化合物、特に重合性有機化合物の色調が変化して起こる黒色化などの問題が発生しないまたはこれを抑制できる、チタン系無機酸化物微粒子を含む液状組成物に関する。
【解決手段】 チタン酸化物微粒子または少なくともチタンおよびケイ素を含有するチタン系複合酸化物微粒子からなる核粒子の表面を、少なくともジルコニウムおよびケイ素を含有する複合酸化物で被覆してなる無機酸化物微粒子を重合性有機化合物に分散してなる液状組成物であって、前記無機酸化物微粒子の内部およびその表面に、該無機酸化物微粒子の全量に対してアルカリ金属元素を酸化物換算基準で２．０〜６．０重量％含む液状組成物および該液状組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】圧電性能に優れたペロブスカイト型酸化物を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｐ）で表される組成を有するペロブスカイト型酸化物の製造方法において、下記式（１）及び（２）を充足する条件で、組成を決定する。
（Ｂａ，Ｂｉ，Ａ）（Ｔｉ，Ｆｅ，Ｍ）Ｏ_３・・・（Ｐ）、
０．９８≦ＴＦ（Ｐ）≦１．０２・・・（１）、
ＴＦ（ＢｉＦｅＯ_３）＜ＴＦ（ＡＭＯ_３）＜ＴＦ（ＢａＴｉＯ_３）・・・（２）
（式（Ｐ）中、Ｂａ，Ｂｉ，及びＡはＡサイト元素、Ｔｉ，Ｆｅ，及びＭはＢサイト元素。Ａ及びＭは、Ｐｂを除く各々１種又は複数種の金属元素である。式（１），（２）中、ＴＦ（Ｐ）は上記一般式（Ｐ）で表される酸化物の許容因子、ＴＦ（ＢｉＦｅＯ_３）、ＴＦ（ＡＭＯ_３）、及びＴＦ（ＢａＴｉＯ_３）はそれぞれ（）内に記載の酸化物の許容因子である。） （もっと読む）

【課題】均一な組織を有するアルカリニオブ酸ペロブスカイト結晶を安定して製造できるようにする。
【解決手段】五酸化ニオブをフッ化水素酸により溶解し、その溶液にアルカリ水溶液を加えるｐＨ調整工程によって沈殿物を生成させ、その沈殿物をクエン酸水溶液に溶解させてニオブのキレート化合物を含むニオブ原料液を調整する。一方、アルカリ金属イオンを含むアルカリ原料液を調整し、これを前記ニオブ原料液と混合する。混合液にエタノールを添加する等して混合液から析出物を生成させ、その析出物を酸化雰囲気中で比較的低温で焼成する結晶化工程を行って、その後、結晶化工程の生成物を粉砕・成形して比較的焼成することで、アルカリニオブ酸ペロブスカイト結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】高温での誘電損失の低減化を可能にし、かつ薄膜化が可能である高誘電性フィルム形成用のコーティング組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）フィルム形成樹脂、（Ｂ）高誘電性無機粒子および（Ｃ）溶剤を含むコーティング組成物であって、（Ａ）がセルロース系樹脂のみからなり、（Ｂ）が、Ｍ_aＴｉ_bＯ_c（Ｍは周期表の第２周期から第５周期までの２族金属元素；ａは０．９〜１．１；ｂは０．９〜１．１；ｃは２．８〜３．２）で示される複合酸化物粒子、Ｍ¹_aＭ²_bＯ_c（Ｍ¹とＭ²は異なり、Ｍ¹は周期表の２族金属元素、Ｍ²は周期表の第５周期の金属元素；ａは０．９〜１．１；ｂは０．９〜１．１；ｃは２．８〜３．２）で示される複合酸化物粒子、および周期表の２族金属元素および４族金属元素よりなる群から選ばれる少なくとも３種の金属元素を含む複合酸化物粒子よりなる群れから選ばれた少なくとも１種である高誘電性フィルム形成用コーティング組成物。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜の強誘電体特性にバラツキが生じるのを防止し、しかも良好な強誘電体特性が得られるようにした、強誘電体メモリの製造方法を提供する。
【解決手段】ゾルゲル溶液を準備する工程と、ゾルゲル溶液から溶媒を除去することにより、紛体を得る工程と、紛体を少なくとも第１の紛体及び第２の粉体に分ける工程と、第１の紛体を用いて溶液を得る工程と、溶液を第１の導電膜上に塗布する工程と、第１の導電膜上の溶液を熱処理して、強誘電体膜を形成する工程と、を含む強誘電体メモリの製造方法。 （もっと読む）

【課題】亜酸化ニオブ、亜酸化ニオブの製造方法ならびに亜酸化ニオブを含有するアノードを有するキャパシタを提供する。
【解決手段】ＮｂＯ_ｙ［式中、１．８＜ｙ＜２．１、有利には１．９＜ｙ＜２］と理論量のニオブ金属とを水素の存在下で反応させることによって式ＮｂＯ_ｘ［式中、０．７＜ｘ＜１．３、有利には０．９＜ｘ＜１．１５］の亜酸化ニオブを製造する。
【効果】従来技術によって得られる生成物と比較して改善された流動性を特徴とする亜酸化ニオブが得られる。 （もっと読む）

【課題】セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供する。このセラミックス膜の製造方法により得られたセラミックス膜を提供する。このセラミックス膜が適用された半導体装置および圧電素子を提供する。
【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、原材料体２０を結晶化することにより、セラミックス膜３０を形成する工程を含み、原材料体２０は、種類が異なる原料を混在した状態で含み、種類が異なる原料同士は、原料の結晶化における結晶成長条件および結晶成長機構の少なくとも一方が相互に異なる関係にある。 （もっと読む）

【課題】セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供する。このセラミックス膜の製造方法により得られたセラミックス膜を提供する。このセラミックス膜が適用された半導体装置および圧電素子を提供する。
【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、原材料体２０を結晶化することにより、セラミックス膜３０を形成する工程を含み、原材料体２０は、種類が異なる原料を混在した状態で含み、種類が異なる原料同士は、原料の結晶化における結晶成長条件および結晶成長機構の少なくとも一方が相互に異なる関係にある。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系のペロブスカイト型酸化物において、Ａサイトに１モル％超の置換イオン及びＢサイトに１０モル％以上の置換イオンを添加され、且つＡサイト欠陥が少ないものとする。
【解決手段】本発明のペロブスカイト型酸化物は、下記式（Ｐ）で表されることを特徴とするものである。
（Ｐｂ_{１−ｘ＋δ}Ａ_ｘ）（Ｚｒ_ｙＴｉ_１−ｙ）_１−ｚＭ_ｚＯ_ｗ・・・（Ｐ）
（式中、Ｐｂ及びＡはＡサイト元素であり、ＡはＰｂ以外の少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ及びＭはＢサイト元素であり、ＭはＮｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｓｂ，Ｍｏ及びＷからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０．０１＜ｘ≦０．４、０＜ｙ≦０．７、０．１≦ｚ≦０．４。δ＝０及びｗ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供する。このセラミックス膜の製造方法により得られたセラミックス膜を提供する。このセラミックス膜が適用された半導体装置および圧電素子を提供する。
【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、原材料体２０を結晶化することにより、セラミックス膜３０を形成する工程を含み、原材料体２０は、種類が異なる原料を混在した状態で含み、種類が異なる原料同士は、原料の結晶化における結晶成長条件および結晶成長機構の少なくとも一方が相互に異なる関係にある。 （もっと読む）

【課題】セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供する。このセラミックス膜の製造方法により得られたセラミックス膜を提供する。このセラミックス膜が適用された半導体装置および圧電素子を提供する。
【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、原材料体２０を結晶化することにより、セラミックス膜３０を形成する工程を含み、原材料体２０は、種類が異なる原料を混在した状態で含み、種類が異なる原料同士は、原料の結晶化における結晶成長条件および結晶成長機構の少なくとも一方が相互に異なる関係にある。 （もっと読む）

【課題】強誘電体メモリ用途ＰＺＴにおいて、ＺｒとＴｉの比率が５２／４８を境にＺｒを多く含む稜面体晶ＰＺＴの場合、スリムなヒステリシス形状を示し、低電圧駆動が可能であるが、角型性が不良なヒステリシスを示し、Ｔｉをリッチに含む正方晶ＰＺＴの場合、角型性良好なヒステリシスの形状を有しているが、抗電界が大きく、低電圧駆動が困難であり、信頼性が確保出来ないという課題があった。
【解決手段】正方晶ＰＺＴ形成用ゾルゲル溶液において、有機酸のエステルを４≦ｐＨ＜７の範囲で添加し、３次元巨大ネットワークゲルを形成し、添加剤の添加前よりも、Ｐｔ（１１１）膜被服基板の格子情報を生かした（１１１）配向ＰＺＴ膜を提供する。或いは、稜面体晶ＰＺＴ強誘電体膜形成用ゾルゲル溶液において、塩基性のアルコールを７≦ｐＨ＜１０添加することで、２次元微小ネットワークゲルを形成し、添加剤の添加前よりも、目的の稜面体晶ＰＺＴ強誘電体結晶自身が安定に存在できる方向の（００１）配向膜を提供する。 （もっと読む）

【課題】通常ペロブスカイト型構造を取り得ないペロブスカイト型酸化物を、その物質固有の特性を有して、常圧にて、且つ厚みを制限されることなく製造可能とする。
【解決手段】ペロブスカイト型酸化物積層体１は、基板１１上に、少なくとも１層の下記一般式（Ｐ１）で表される第１のペロブスカイト型酸化物膜２１（不可避不純物を含んでいてもよい）と、通常ペロブスカイト型の結晶構造を取り得ない酸化物からなり（不可避不純物を含んでいてもよい）、下記一般式（Ｐ２）で表される少なくとも１層の第２のペロブスカイト型酸化物膜２２とが交互に積層されたものである。
ＡＢＯ_３ ・・・（Ｐ１）
ＣＤＯ_３ ・・・（Ｐ２）
（上記式中、Ａ及びＣはＡサイト元素であり１種又は複数種の金属元素、Ｂ及びＤはＢサイト元素であり１種又は複数種の金属元素、Ｏは酸素原子。） （もっと読む）

【課題】長期間安定な逆ミセル液と、このような特徴を有する逆ミセル液を用いて製造される粒径変動および粒子間の組成変動の少ない単分散な無機ナノ粒子およびその製造法を提供する。
【解決手段】本発明の逆ミセル液は、水と、疎水性有機溶媒と、界面活性剤と、前記疎水性有機溶媒を基準にして溶解度パラメータの差が０〜５の親水性有機溶媒とを含むか、あるいは、水と、疎水性有機溶媒と、界面活性剤と、前記界面活性剤を基準にして無機性値／有機性値比の差が±１．５以内である親水性有機溶媒とを含み、親水性有機溶媒は、全容積１リットル当り２ミリモル〜３００ミリモル含む。無機ナノ粒子は、これらの逆ミセル液を用いた製造方法によって得ることができる。 （もっと読む）

【課題】微細な酸化物粒子であり、フッ素含有量が低いニオブ酸化物微粒子或いはタンタル酸化物微粒子からなる金属酸化物粉を提供する。
【解決手段】本発明は、結晶性を有し、平均粒径０．２μｍ以下、フッ素含有量が１００ｐｐｍ以下のニオブ酸化物微粒子またはタンタル酸化物微粒子よりなる金属酸化物粉に関する。本発明の金属酸化物粉は、フッ化物イオンを含有する溶液中に、ニオブまたはタンタルからなる電極を浸漬し、該電極表面をアノード酸化して、該電極表面に形成された酸化物を回収することにより、結晶性のニオブ酸化物微粒子または結晶性のタンタル酸化物微粒子を得ることにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】緻密な構造であり、高周波特性に優れ、熱膨張係数が小さいとともに、簡便な手段で製造できるタングステン酸ジルコニウム−酸化ケイ素複合焼結体、当該複合焼結体の製造方法、及び当該複合焼結体を備えた成形体を提供すること。
【解決手段】本発明は、タングステン酸ジルコニウム粉体と酸化ケイ素の焼結粉体からなり、ゾル・ゲル法により得られたタングステン酸ジルコニウ粉体と酸化ケイ素のアモルファス粉体を混合し、放電プラズマ焼結して複合化することにより得ることができる。かかる複合焼結体は、緻密な構造となり、熱膨張係数が小さく加熱に対する寸法安定性に優れるとともに、低誘電損失であるため高周波特性にも優れるため、機能性セラミックス材料として、優れた高周波特性を必要とし、熱膨張の制御が課題とされる高周波デバイス・機器分野に加え、光学分野、熱エネルギー分野、電子材料分野等において適用することができる。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系のペロブスカイト型酸化物において、焼結助剤ややアクセプタイオンを添加することなく、Ａサイトに５モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明のペロブスカイト型酸化物は、下記式（Ｐ）で表されることを特徴とするものである。
（Ｐｂ_{１−ｘ＋δ}Ｍ_ｘ）（Ｚｒ_ｙＴｉ_１−ｙ）Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＭはＢｉ及びランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０．０５≦ｘ≦０．４。０＜ｙ≦０．７。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系のペロブスカイト型酸化物において、焼結助剤ややアクセプタイオンを添加することなく、Ａサイトに５モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明のペロブスカイト型酸化物は、下記式（Ｐ）で表されることを特徴とするものである。
（Ｐｂ_{１−ｘ＋δ}Ｍ_ｘ）（Ｚｒ_ｙＴｉ_１−ｙ）Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＭはＢｉ及びランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０．０５≦ｘ≦０．４。０＜ｙ≦０．７。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系の強誘電体膜において、焼結助剤やアクセプタイオンを添加することなく、Ｂサイトに１０モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明の強誘電体膜は、多数の柱状結晶からなる柱状結晶膜構造を有し、下記式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とするものである。
Ａ_１＋δ［（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）_１−ｙＭ_ｙ］Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＡはＡサイト元素であり、Ｐｂを主成分とする少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ，及びＭはＢサイト元素である。ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，及びＳｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０＜ｘ≦０．７、０．１≦ｙ≦０．４。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

この発明は、極性絶縁体である、一般式ＡＢＯ_２Ｎの部分的に規則正しい且つ規則正しいオキシ窒化灰チタン石に関する。Ａは灰チタン石型構造においてのＡ−位置から由来する位置に存在する１種以上の陽イオン、又は複数の陽イオンのセットを含む。Ｂは灰チタン石型構造においてのＢ−位置から由来する位置に存在する１種以上の陽イオン、又は複数の陽イオンのセットを含む。Ｃは随意的に幾らかの窒素、Ｎと共に酸素、Ｏを含み、そしてＤは随意的に幾らかのＯと共にＮを含む。陽イオンＡ＋Ｂの合計原子価は陰イオン２Ｃ＋Ｄの合計原子価に等しい。また、そのようなオキシ窒化灰チタン石を製造する方法、及びそのようなオキシ窒化灰チタン石の用途が開示される。
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