【課題】ＰＺＴ系のペロブスカイト型酸化物において、Ａサイトに１モル％超の置換イオン及びＢサイトに１０モル％以上の置換イオンを添加され、且つＡサイト欠陥が少ないものとする。
【解決手段】本発明のペロブスカイト型酸化物は、下記式（Ｐ）で表されることを特徴とするものである。
（Ｐｂ_{１−ｘ＋δ}Ａ_ｘ）（Ｚｒ_ｙＴｉ_１−ｙ）_１−ｚＭ_ｚＯ_ｗ・・・（Ｐ）
（式中、Ｐｂ及びＡはＡサイト元素であり、ＡはＰｂ以外の少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ及びＭはＢサイト元素であり、ＭはＮｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｓｂ，Ｍｏ及びＷからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０．０１＜ｘ≦０．４、０＜ｙ≦０．７、０．１≦ｚ≦０．４。δ＝０及びｗ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】簡単かつ低コストで作製することができ、結晶配向セラミックスの作製時のテンプレートとして用いることができる異方形状粉末及びこれを用いた結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、該多結晶体を構成する擬立方｛１００｝面が配向する結晶配向セラミックスを製造するためのテンプレートとして用いられる異方形状粉末及びこれを用いた結晶配向セラミックスの製造方法である。異方形状粉末は、｛０１０｝面が発達して配向面を形成する異方形状の配向粒子からなる。配向粒子は、一般式（１）Ａ₄Ｂ₆Ｏ₁₇又は一般式（２）ＡＢ₃Ｏ₈で表される層状化合物（但し一般式（１）及び（２）においてＡサイト元素は少なくともＫを主成分とし、Ｂサイト元素は少なくともＮｂを主成分とする）からなる。 （もっと読む）

【課題】従来のマンガン系酸化物の焼結体に比し、熱電変換材料としての特性を損なうことなしに、機械的強度にも優れる焼結体を提供する。
【解決手段】マンガン系酸化物を主成分として含有し、酸化物Ａ（ここで、酸化物Ａは、酸化ニッケル、酸化銅および酸化亜鉛から選ばれる１種以上を表す。）をさらに含有し、相対密度が８０％以上９０％以下である焼結体。マンガン系酸化物が、カルシウムを含有するマンガン系酸化物である前記焼結体。酸化物Ａが、酸化銅である前記焼結体。前記の焼結体からなる熱電変換材料。 （もっと読む）

【課題】圧電性能に優れたペロブスカイト型酸化物を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｐ）で表される組成を有するペロブスカイト型酸化物の製造方法において、下記式（１）及び（２）を充足する条件で、組成を決定する。
（Ｂａ，Ｂｉ，Ａ）（Ｔｉ，Ｆｅ，Ｍ）Ｏ_３・・・（Ｐ）、
０．９８≦ＴＦ（Ｐ）≦１．０２・・・（１）、
ＴＦ（ＢｉＦｅＯ_３）＜ＴＦ（ＡＭＯ_３）＜ＴＦ（ＢａＴｉＯ_３）・・・（２）
（式（Ｐ）中、Ｂａ，Ｂｉ，及びＡはＡサイト元素、Ｔｉ，Ｆｅ，及びＭはＢサイト元素。Ａ及びＭは、Ｐｂを除く各々１種又は複数種の金属元素である。式（１），（２）中、ＴＦ（Ｐ）は上記一般式（Ｐ）で表される酸化物の許容因子、ＴＦ（ＢｉＦｅＯ_３）、ＴＦ（ＡＭＯ_３）、及びＴＦ（ＢａＴｉＯ_３）はそれぞれ（）内に記載の酸化物の許容因子である。） （もっと読む）

【課題】均一な組織を有するアルカリニオブ酸ペロブスカイト結晶を安定して製造できるようにする。
【解決手段】五酸化ニオブをフッ化水素酸により溶解し、その溶液にアルカリ水溶液を加えるｐＨ調整工程によって沈殿物を生成させ、その沈殿物をクエン酸水溶液に溶解させてニオブのキレート化合物を含むニオブ原料液を調整する。一方、アルカリ金属イオンを含むアルカリ原料液を調整し、これを前記ニオブ原料液と混合する。混合液にエタノールを添加する等して混合液から析出物を生成させ、その析出物を酸化雰囲気中で比較的低温で焼成する結晶化工程を行って、その後、結晶化工程の生成物を粉砕・成形して比較的焼成することで、アルカリニオブ酸ペロブスカイト結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】チタン酸ジルコン酸鉛系の圧電体であって、圧電特性が良好な組成を有する圧電体を提供すること。
【解決手段】本発明の圧電体は、組成式（１）、Ｐｂ（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）_１−ｙＭ_ｙＯ_３・・・（１）（式中、Ｍは、ＴａおよびＮｂの少なくとも一方であり、かつ、ＺｒおよびＴｉの少なくとも一方を置換している。式中、ｘは、０．５１≦ｘ≦０．５７の範囲であり、ｙは、０．０５≦ｙ＜０．２の範囲である。）で示されるペロブスカイト型化合物を含み、ペロブスカイト型化合物は、添加物として、ＳｉＯ_２およびＧｅＯ_２の少なくとも一方を含有し、添加物の添加量は、前記ペロブスカイト型化合物に対して、０．５モル％以上５モル％以下である。 （もっと読む）

【課題】ストロンチウムドープマンガン酸ランタン微粒子、その製造方法及び用途を提供する。
【解決手段】ストロンチウム、ランタン及びマンガン化合物の混合水溶液をアルカリ水溶液でｐＨ６程度に調製し、亜臨界ないし超臨界状態の水を媒体として、３８０〜４５０℃で水熱反応させて、一次粒子径が５０ｎｍ以下であり、結晶化度が高いストロンチウムドープマンガン酸ランタン微粒子を製造する。
【効果】固体酸化物燃料電池等で使用される電極材料等として利用可能な、高温処理を必要としない、高結晶性で、かつ粒子径が５０ｎｍ以下のストロンチウムドープマンガン酸ランタン微粒子、その製造方法及びその応用製品を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】従来のマンガン系酸化物の焼結体に比し、機械的強度に優れる焼結体を提供する。
【解決手段】マンガン系酸化物を主成分として含有し、相対密度が９０％以上であり、構成する粒のサイズの平均値が３μｍ以下である焼結体。マンガン系酸化物の結晶構造が、ペロブスカイト型結晶構造または層状ペロブスカイト型結晶構造を有する前記の焼結体。焼結体が、さらに無機物を含有する前記の焼結体。無機物が酸化ニッケル、酸化銅および酸化亜鉛から選ばれる１種以上の酸化物である前記の焼結体。焼結体が含有するマンガン１モルに対するＭ（ここで、Ｍは、ニッケル、銅および亜鉛からなる群より選ばれる１種以上を表す。）の総モル量が、０．０００１以上１以下である前記の焼結体。前記焼結体からなる熱電変換材料。前記熱電変換材料を有する熱電変換素子。 （もっと読む）

【課題】ゾル‐ゲル法により得られるペロブスカイト系のRuddlesden-Popper型化合物であるＣａＯ−ｎ（ＣａＭｎ_１−ｘＶ_ｘＯ_３）酸化物、この酸化物の製造方法及び、この酸化物を用いた熱電素子を提供する。
【解決手段】化学式：ＣａＯ−ｎ（ＣａＭｎ_１−ｘＶ_ｘＯ_３）（ｎ＝２：０＜ｘ≦０．０４）で表されるペロブスカイト系酸化物から成り、２００〜７００℃において、−１５０μＶ／Ｋ以下のゼーベック係数と、０.５〜０.９Ω・ｃｍの電気抵抗率を有する。このような酸化物は、Ｃａ（ＮＯ_３）_２・４Ｈ_２ＯとＭｎ（ＮＯ_３）_２・６Ｈ_２ＯとＶＯ（ＯＣ_２Ｈ_５）_３を出発材料として準備し、当該出発材料を化学量論比にて、クエン酸とエチレングリコールを含む溶液中で加熱攪拌し、生成したゲル状物質を熱処理することによって製造できる。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が極めて小さいフラックス法により合成したタンタル酸塩結晶粒子とその製造方法、及び該タンタル酸塩結晶粒子を半導体電極に用いた色素増感型太陽電池を提供する。
【解決手段】層状ペロブスカイト型構造もしくは層状構造を有し、かつ下記一般式（１）または（２）で表される化合物であることを特徴とするタンタル酸塩結晶粒子。
一般式（１）
ＸαＹβＴａγＯδ
一般式（２）
ＹζＴａηＯθ
〔式中、Ｘはアルカリ金属、Ｙはアルカリ土類金属を表し、α＋２β＋５γ＝２δ、２ζ＋５η＝２θの関係式からなり、γ、ηは１より大きい正数を表す。〕 （もっと読む）

ランタン元素（Ｌａ）；任意のプラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、イットリウム（Ｙ）及びこの混合物を含む群から選択される（Ｌｎ）元素、任意のセリウム元素（Ｃｅ）；カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）及びこの混合物を含む群から選択されるＱａ元素；マンガン元素（Ｍｎ）；マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）、スズ（Ｓｎ）、タンタル（Ｔａ）、インジウム（Ｉｎ）、ニオブ（Ｎｂ）及びこの混合物を含む群から選択されるＱｂ元素；酸素元素を含有する溶融生成物に関する。 （もっと読む）

【課題】セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供する。このセラミックス膜の製造方法により得られたセラミックス膜を提供する。このセラミックス膜が適用された半導体装置および圧電素子を提供する。
【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、原材料体２０を結晶化することにより、セラミックス膜３０を形成する工程を含み、原材料体２０は、種類が異なる原料を混在した状態で含み、種類が異なる原料同士は、原料の結晶化における結晶成長条件および結晶成長機構の少なくとも一方が相互に異なる関係にある。 （もっと読む）

【課題】セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供する。このセラミックス膜の製造方法により得られたセラミックス膜を提供する。このセラミックス膜が適用された半導体装置および圧電素子を提供する。
【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、原材料体２０を結晶化することにより、セラミックス膜３０を形成する工程を含み、原材料体２０は、種類が異なる原料を混在した状態で含み、種類が異なる原料同士は、原料の結晶化における結晶成長条件および結晶成長機構の少なくとも一方が相互に異なる関係にある。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系のペロブスカイト型酸化物において、Ａサイトに１モル％超の置換イオン及びＢサイトに１０モル％以上の置換イオンを添加され、且つＡサイト欠陥が少ないものとする。
【解決手段】本発明のペロブスカイト型酸化物は、下記式（Ｐ）で表されることを特徴とするものである。
（Ｐｂ_{１−ｘ＋δ}Ａ_ｘ）（Ｚｒ_ｙＴｉ_１−ｙ）_１−ｚＭ_ｚＯ_ｗ・・・（Ｐ）
（式中、Ｐｂ及びＡはＡサイト元素であり、ＡはＰｂ以外の少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ及びＭはＢサイト元素であり、ＭはＮｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｓｂ，Ｍｏ及びＷからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０．０１＜ｘ≦０．４、０＜ｙ≦０．７、０．１≦ｚ≦０．４。δ＝０及びｗ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】ＳＯＦＣにおいて、Ｎｉ−ＹＳＺアノードの現状は、８００℃を超える高い運転温度で妥当な電気化学的活性を与えるが、レドックス安定性はない。Ｎｉの還元及び酸化が原因のＮｉ−ＹＳＺアノードの体積変化は、アノード材料中において、燃料電池の性能を劣化させる不利な機械的応力をまねく結果となる。本発明は、高い電気化学的活性が幅広い温度（６５０〜８５０℃）で得られるアノード構造体を提供する。
【解決手段】構成材料として、ニオブドープドチタン酸ストロンチウム、バナジウムドープドチタン酸ストロンチウム、タンタルドープドチタン酸ストロンチウム及びこれらの混合物からなる群から選択され、この粉末焼成体に、酸化セリウムの前駆体溶液を含浸し、得られた構造体をか焼に付し、含浸、か焼を少なくとも一回行、段階を含む方法によって得ることができるセラミックアノード構造体とする。 （もっと読む）

【課題】セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供する。このセラミックス膜の製造方法により得られたセラミックス膜を提供する。このセラミックス膜が適用された半導体装置および圧電素子を提供する。
【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、原材料体２０を結晶化することにより、セラミックス膜３０を形成する工程を含み、原材料体２０は、種類が異なる原料を混在した状態で含み、種類が異なる原料同士は、原料の結晶化における結晶成長条件および結晶成長機構の少なくとも一方が相互に異なる関係にある。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系のペロブスカイト型酸化物において、焼結助剤ややアクセプタイオンを添加することなく、Ａサイトに５モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明のペロブスカイト型酸化物は、下記式（Ｐ）で表されることを特徴とするものである。
（Ｐｂ_{１−ｘ＋δ}Ｍ_ｘ）（Ｚｒ_ｙＴｉ_１−ｙ）Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＭはＢｉ及びランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０．０５≦ｘ≦０．４。０＜ｙ≦０．７。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系のペロブスカイト型酸化物において、焼結助剤ややアクセプタイオンを添加することなく、Ａサイトに５モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明のペロブスカイト型酸化物は、下記式（Ｐ）で表されることを特徴とするものである。
（Ｐｂ_{１−ｘ＋δ}Ｍ_ｘ）（Ｚｒ_ｙＴｉ_１−ｙ）Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＭはＢｉ及びランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０．０５≦ｘ≦０．４。０＜ｙ≦０．７。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】プロトン伝導体の結晶粒径を大きくして全体の抵抗を低下させる。
【解決手段】ＡＺｒＯ₃（Ａはアルカリ土類金属）の組成式で表記されるペロブスカイト構造を有する酸化物であるプロトン伝導体において、Ｚｒを元素Ｍａ及びＭｂで置換する。元素ＭａはＭａはＹ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる元素群のうち少なくとも１種類の元素、元素ＭｂはＳｃ及びＩｎのうち少なくとも１種類の元素である。 （もっと読む）

【課題】鉛を含まず信頼性の高い強誘電体膜およびその製造方法、強誘電体キャパシタ、ならびに誘電体メモリを提供する。
【解決手段】本発明にかかる強誘電体膜１０１の製造方法は、（ａ）ニオブ元素を含むポリカルボン酸塩と、ビスマス元素を含むポリカルボン酸塩と、ポリカルボン酸またはポリカルボン酸エステルと、有機溶媒と、を混合する工程と、（ｂ）混合した溶液を、基体上に塗布した後、熱処理することにより、ＢｉＮｂＯ_４からなる強誘電体膜を形成する、工程と、を含む。 （もっと読む）