【課題】本発明は、封着材料付きガラス基板を作製する際に、有機バインダーを完全に焼却除去し得る方法を創案することにより、有機ＥＬデバイスの長期信頼性を高めることを技術的課題とする。
【解決手段】本発明の封着材料層付きガラス基板の製造方法は、ガラス基板を用意する工程と、ガラス粉末を含む封着材料と、有機バインダーを含むビークルとを混合して、封着材料ペーストを作製する工程と、前記ガラス基板に前記封着材料ペーストを塗布して、塗布層を形成する工程と、前記塗布層を前記ガラス粉末のガラス転移点より高く、且つ前記封着材料のガラス転移点未満の温度で熱処理して、前記有機バインダーを焼却除去する工程と、前記有機バインダーを焼却除去した前記塗布層を熱処理して、封着材料層を形成する工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】短時間で結晶化し、成形したガラスの形状と表面状態を保持しつつ結晶化する結晶性ガラス、及び、機械的強度が優れ、建材用結晶化ガラスとして好適な熱膨張係数を有し、アルカリ金属酸化物の含有量が少なく優れた化学的耐久性を有する結晶化ガラス、並びに該結晶性ガラス及び結晶化ガラスの製造方法を提供する。
【解決手段】質量百分率でＳｉＯ₂ ５５．０〜６５．０％、Ａｌ₂Ｏ₃ ８．０〜１４．０％、ＭｇＯ １０．０〜２０．０％、ＣａＯ １．５〜６．０ ％、Ｌｉ₂Ｏ １．０〜２．２％、Ｎａ₂Ｏ ０．７〜３．０％、Ｋ₂Ｏ ２．５〜４．０％、Ｆ １．５〜３．０％を含む組成を有することを特徴とするＭｇＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系結晶性ガラス及び結晶化ガラス。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板全体を加熱することができないような場合においても、封着材料層を良好に形成することを可能にした封着材料層付きガラス部材の製造方法を提供する。
【解決手段】封着ガラスとレーザ吸収材とを含む封着材料を有機バインダと混合して調製した封着材料ペーストを、ガラス基板２の封止領域上に枠状に塗布する。封着材料ペーストの塗布層８に沿って第１のレーザ光９を照射し、塗布層８を選択的に加熱して有機バインダを除去する。続いて、脱バイ層１０に沿って第２のレーザ光１１を照射し、脱バイ層１０を選択的に加熱することによって、封着材料を焼成して封着材料層７を形成する。このような封着材料層７を用いて、２枚のガラス基板間を封止する。 （もっと読む）

本発明は、ガラスフリットまたは誘導体セラミック組成物が核形成剤を含むことで、特定の結晶構造をなし、低い誘電率、低い誘電損失、高いＱ値と、高い強度を有する、ガラスフリット及び充填材が所定の成分比で含有される誘電体セラミック組成物に関する。本発明による高強度及び高Ｑ値を有する低温焼成用誘電体セラミック組成物は、サイズを増大でき、低温焼成用多層基板の製造を向上でき、衝撃耐久性が優れた電子部品のモジュール化を可能とする。
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【課題】高周波領域での比誘電率が６〜１０である低誘電率誘電体層が積層された誘電体の製造。
【解決手段】層数が奇数の積層誘電体の製造方法で、偶数番目の原料層が含有するガラス粉末が、モル％で、ＳｉＯ_２ ２３〜３５％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜１５％、Ａｌ_２Ｏ_３ ２〜１５％、ＭｇＯ ３０〜５０％、ＣａＯ ０〜１２％、ＳｒＯ ０〜１２％、ＢａＯ ０〜４％、ＺｎＯ ２〜１２％、等からなり、奇数番目の原料層が含有するガラス粉末が、ＳｉＯ_２ ３６〜５５％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜５％、Ａｌ_２Ｏ_３ ５〜２０％、ＭｇＯ ２０〜４５％、ＣａＯ＋ＳｒＯ ０〜２０％、ＢａＯ ０〜１０％、ＺｎＯ ０〜１５％、等からなり、隣り合う誘電体層の線膨張係数の差が１５×１０^−７／℃以下である。 （もっと読む）

【課題】リチウム、ナトリウムあるいはカルシウムが層間イオンである雲母結晶が主結晶相であり、イオン伝導性を示し、しかも空気中や水中でも崩壊しない焼成体および結晶化ガラス、および室温で高いイオン伝導を示す透明なケイ酸塩系のガラスを製造する。さらに、イオン伝導性および空気中や水中でも崩壊しない耐水性のみならず、快削性および透明性を有する結晶化ガラスを製造する。
【解決手段】リチウム、ナトリウムあるいはカルシウムが層間イオンである雲母結晶を主結晶相とした焼成体および結晶化ガラスを製造するにあたり、それらが得られる化学組成の範囲を選定し、熱処理条件を制御する。また、それら焼成体や結晶化ガラスと同組成のフッ素含有ケイ酸塩ガラスを製造する。
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本発明は、表面研磨容易性に優れ、極めて固く、かつ耐破損性であるガラスセラミックの製造に用いられる結晶性アルミノケイ酸マグネシウム含有ガラスに関する。本発明に係るガラスはＳｉＯ_２を５〜３３質量％、Ａｌ_２Ｏ_３を２５〜４０質量％、ＭｇＯを５〜２５質量％、Ｂ_２Ｏ_３を０〜１５質量％、Ｙ_２Ｏ_３、Ｌｎ_２Ｏ_３、Ａｓ_２Ｏ_３及び／またはＮｂ_２Ｏ_５を０．１〜３０質量％、及びＰ_２Ｏ_５を０．１〜１０質量％含有する。 （もっと読む）