複数のナノ粒子を提供する。本ナノ粒子は、金属酸化物または半導体酸化物の表面領域と、金属または半導体のコア領域とを有してもよく、および／または、均一にドープされていてもよい。本ナノ粒子は、バルク材料を摩砕して粉末とし、その後、この粉末を溶液中でエッチングして所望のナノ粒子サイズとすることによって形成することができる。

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キャスト法を用いたＳｉ系結晶の成長方法において、前記Ｓｉ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｓｉ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｓｉ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。キャスト成長用坩堝１１の底部に、少なくともＳｉを含む結晶片１２を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１１内において、結晶片１２の上方にＳｉ原料１３を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１２を加熱して、結晶片１２の少なくとも一部が残存するようにＳｉ原料１３を溶解して、Ｓｉ融液１４を形成する。次いで、Ｓｉ融液１４を冷却及び凝固させることにより、結晶片１２の残部１２ＡからＳｉ系結晶を一方向成長させる。 （もっと読む）

本発明は新規な超疎液性ナノ繊維、このようなナノ繊維を含む構造、該ナノ繊維表面の作製法及び使用法を提供する。 （もっと読む）

本発明は、珪素とHClガスとを、流動床反応器、攪拌床反応器または固定床反応器中で、２５０℃ないし１１００℃の範囲の温度及び０．５−３０気圧の絶対圧力の条件下で反応させることによってトリクロルシランを製造する際、反応器に供給される珪素が３０ないし１００００ppmの範囲のクロムを含有することを特徴とするトリクロルシランの製造法に関する。本発明はまた、珪素とHClガスとの反応によるトリクロルシランの製造に使用するための珪素であって、該珪素が３０ないし１００００ppmの範囲のクロムを含有し、残部は通常の不純物以外は珪素であることを特徴とする前記目的に使用する珪素に関する。

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