本発明は、水素の存在下で四塩化ケイ素をトリクロロシランへと接触水素化脱ハロゲン処理する方法の必須の要素としてのセラミック熱交換器の使用に関し、その際、生成物ガス及び出発材料ガスを、加圧下にある流として、該熱交換器に導き、かつ、該熱交換器が、セラミック材料より成る熱交換器エレメントを包含する。 （もっと読む）

本発明は、触媒を含む水素化脱塩素反応器内での、水素を用いた四塩化ケイ素の変換のための改善された方法に関する。本発明は、さらに、かかる水素化脱塩素反応器のための触媒系に関する。 （もっと読む）

本発明は、ハロゲンシランからヒドリドシランを製造するための方法において、ａ）ｉ）一般式Ｓｉ_nＸ_2n+2［式中、ｎ≧３であり、かつＸ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］の少なくとも１のハロゲンシランと、ｉｉ）一般式ＮＲＲ’_aＲ’’_bＹ_c［式中、ａ＝０又は１であり、ｂ＝０又は１であり、かつｃ＝０又は１であり、かつ式（Ｉ）であり、その際、ａａ）Ｒ、Ｒ’及び／又はＲ’’は、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アリール、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アラルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアリール、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアラルキルであり、かつ／又は、基Ｒ、Ｒ’及びＲ’’のうち２つ又は３つは、ｃ＝０である場合には、一緒になって、Ｎを含む環式又は二環式、複素脂肪族又は複素芳香族系を形成するが、但し、基Ｒ、Ｒ’又はＲ’’のうち少なくとも１つは−ＣＨ₃ではなく、かつ／又は、ｂｂ）Ｒ及びＲ’及び／又はＲ’’は、（ｃ＝１である場合には）−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アリーレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アラルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアリーレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアラルキレン及び／又は−Ｎ＝であるか、又は、ｃｃ）（ａ＝ｂ＝ｃ＝０である場合には）Ｒ＝≡Ｃ−Ｒ’’’（但し、Ｒ’’’＝−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アリール及び／又は−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アラルキルである）である］の少なくとも１の触媒とを、一般式Ｓｉ_mＸ_2m+2［式中、ｍ＞ｎであり、かつＸ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］の少なくとも１のハロゲンシランとＳｉＸ₄［式中、Ｘ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］とを含む混合物の形成下に反応させ、かつ、ｂ）一般式Ｓｉ_mＸ_2m+2の少なくとも１のハロゲンシランを、一般式Ｓｉ_mＨ_2m+2のヒドリドシランの形成下に水素化することを特徴とする方法、該方法により製造可能なヒドリドシラン及びその使用に関する。
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【課題】モノシランの精製方法を提供する。
【解決手段】（１）モノシラン及びエチレンを含有する原料から分別蒸留工程を用いて不純物を除去する工程；及び（２）前記工程（１）で精製された原料を活性炭に通過させ、エチレン及び残余不純物を除去する工程；を含むモノシランの精製方法を提供するものである。本発明によると、活性炭を用いて分別蒸留によって分離され難いエチレンを選択的に吸着除去することによって追加副産物の生成無しに、より簡単で効率的に高純度のモノシランを提供できる。 （もっと読む）

本発明は、トリクロロシランの合成システム及び方法に向けられる。開示されたシステム及び方法は、気化された金属塩を回収又は分離し、トリクロロシラン合成中の下流操作で金属塩の凝固によって生じる閉塞を削減するために、スラリー中の固形物濃度を増大することを含みうる。加熱して温度を上げてクロロシラン化合物を気化し、その後気化クロロシラン化合物を凝縮するのではなく、本発明は、水素などの非凝縮性ガスを利用してクロロシラン成分を気化することによって、スラリーストリーム中の固形分濃度を増大させることを含みうる。この方法は、結果的に、スラリー温度を低下できる蒸発条件を促進できる。低いスラリー温度によって金属塩は気化しにくくなり、このことが下流のユニット操作へのキャリーオーバーの可能性を削減する。 （もっと読む）

【課題】トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ_３）を接触的に不均化することによりモノシラン（ＳｉＨ_４）を製造するための設備および方法を提供する。
【解決手段】トリクロロシランが触媒と接触して反応塔（１００）中で変換され、次いで精留塔（１０９）中で精製され、反応塔（１００）中の反応および蒸留の反応領域（１０４、１０５）と精留塔（１０９）との間に、反応塔（１００）からのモノシラン含有反応生成物が部分的に凝縮される１つ以上のコンデンサー（１０３）が配置され、このコンデンサー（１０３）のどれもが−４０℃より高い温度で操作される、前記設備および前記設備を用いる方法。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１種のハロゲンシランを不均化し、かつ少なくとも１種のハロゲンシラン及び得られた少なくとも１種のシランの異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含量を低下させる方法に関し、一般式Ｉ Ｈ_nＳｉＣｌ_m（Ｉ）［式中ｎ及びｍは整数、かつｎ＝１、２又は３及びｍ＝１、２又は３及びｎ＋ｍ＝４］の少なくとも１種のハロゲンシランが粒状の有機アミノ官能性樹脂と接触され、かつ一般式ＩＩ Ｈ_aＳｉＣｌ_b（ＩＩ）［式中ａ及びｂは整数、かつａ＝０、２、３又は４及びｂ＝０、１、２又は４、ここでａ＋ｂ＝４］の少なくとも１種のシランが工程で取得され、かつ前記シラン中の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含量が式Ｉのハロゲンシランに比べて低下されている。本発明の対象はさらにハロゲンシランを不均化するため及びモノシランの製造方法における異種金属又は異種金属を含有する化合物の吸着剤としてのこの樹脂の使用である。 （もっと読む）

本発明は、モノシランを製造するためのシステムであって、トリクロロシランのための供給ライン（１０１）及び生成する四塩化ケイ素のための排出ライン（１０２）を有する反応カラム（１００）と、製造されたモノシランを前記反応カラムから取り出すことができる少なくとも１つの凝縮器（１０３）とを備え、前記反応カラムが、異なる温度で運転されかつ異なる触媒活性固形物を含む少なくとも２つの反応／蒸留反応領域（１０４、１０５）を含むシステムに関する。さらに、トリクロロシランの接触不均化によってモノシランを製造するための方法であって、前記不均化が、異なる温度で運転されかつ異なる触媒活性固形物を含む少なくとも２つの反応／蒸留反応領域（１０４、１０５）において実施される方法が記載される。
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【課題】珪素等の半金属元素、又は金属元素を主成分とし不純物を含有する材料から、精製された材料を効率的に得ること。
【解決手段】半金属元素又は金属元素を主成分とし不純物を含有する材料と、下記一般式（１）で表される化合物と、を接触させることにより材料中の不純物を除去する、材料の精製方法。
ＡｌＸ_３ （１）
［式中、Ｘはハロゲン原子である。］ （もっと読む）

【解決手段】珪素粒子と二酸化珪素粒子との混合物を、非酸化雰囲気下１０００〜１４００℃で焼結させてなり、ゆるめ嵩密度が０．７〜２．０ｇ／ｃｍ³、かつＢＥＴ１点法で測定した比表面積が０．０１〜３０ｍ²／ｇであることを特徴とする酸化珪素製造用原料。
【効果】本発明の酸化珪素製造用原料及びその製造方法によれば、酸化珪素製造時の反応性を低下させることなく、反応器単位容積あたりの原料充填率を高め、さらに吸湿を抑制し、安定した物性の酸化珪素を効率よく製造でき、装置部材の劣化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】高純度シリコンを製造するための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】（１）トリクロロシランの生成、（２）区分（１）で生成されたトリクロロシランの不均化によるモノシランの生成、および（３）このようにして生成されたモノシランの熱的分解の区分を有し、その際、 区分（１）で、トリクロロシランの生成のためにシリコンは少なくとも１つの塩化水素処理工程において塩化水素と反応され且つ、それに同時に、区分（２）で副生成物として形成している四塩化ケイ素がシリコンおよび水素と反応される高純度シリコンの製造方法、およびトリクロロシランの生成のための生成装置（１）、モノシランを生成するためのさらなる装置（２）および生成されたモノシランの熱的分解のための装置（３）を有する高純度シリコンの製造設備であって、装置（１）が少なくとも１つの塩化水素処理反応器、少なくとも１つの変換反応器、トリクロロシラン含有反応混合物のための少なくとも１つの回収容器および少なくとも１つの分離装置を有し、装置（２）が少なくとも１つの不均化反応器および少なくとも１つの分離装置を有し、且つ装置（３）がモノシランのための少なくとも１つの分解反応器を有し、装置（２）が、装置（２）において形成している四塩化ケイ素が装置（１）における少なくとも１つの変換反応器に供給され得る方法により少なくとも１つの戻り配管によって装置（１）に接続されている、前記設備。 （もっと読む）

請求項１に記載のプラントにおける操作温度及び１〜５０ｂａｒ ａｂｓ．の圧力でのトリクロロシランの触媒不均化によるモノシラン及び四塩化ケイ素の連続的生産方法であって、その際、−トリクロロシラン（Ａ）を熱交換器において予熱し、そして触媒（３）を備えている向流反応器（１）に供給し、−向流反応器（１）において形成された生成混合物を、−２５〜５０℃の範囲内の温度で、凝縮物を向流反応器（１）中に逆流させながら、冷却器（５）によって少なくとも部分的に凝縮し、−冷却器（５）において凝縮されていない生成物相を、−４０〜−１１０℃の範囲内の温度で操作される冷却装置（８）に通過させ、−冷却装置（８）からの揮発性生成物相を、−６０〜−１７０℃の範囲内の温度で操作される蒸留塔（９）に供給し、そしてモノシラン（Ｃ）を、蒸留塔（９）の塔頂部で排出し、−向流反応器（１）からのＳｉＣｌ₄を含有する残留物を、気化器（６）において６０〜１１０℃の範囲内の温度まで昇温させ、並びに−気化器（６）からの残留生成物を、二重壁（２）中に熱変換器（７）を介して運搬し、かつＳｉＣｌ₄を含有する生成物流（Ｂ）を、反応器（１）の上部でのレベルで排出する上記の連続的生産方法。
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【課題】 トリクロロシランからシリコンを蒸着法により製造する際に、トリクロロシランを製造するクロロシラン循環系から汚染物質を除去する工業的に有利な方法を提供する。
【解決手段】 トリクロロシランの１部を太陽電池用シリコンに変換して太陽電池級シリコンを製造しつつ半導体級シリコンを製造する、シリコンの蒸着法。 （もっと読む）

【課題】 従来の方法に比べ、水素化ハロゲン化珪素の収量を向上させること。
【解決の手段】 芳香族環に式（Ｉ）で表される官能基を結合してなり、かつ、比表面積が１５ｍ^２／ｇ以上２０ｍ^２／ｇ未満である、スチレン単位を有する架橋共重合体からなる弱塩基性陰イオン交換樹脂を水素化ハロゲン化珪素と接触させる水素化ハロゲン化珪素の反応方法を構成とする。
式（Ｉ）−ＣＨ_２ＮＲ_１Ｒ_２（Ｒ_１、Ｒ_２は、水素、アルキル基又はヒドロキシアルキル基） （もっと読む）

本発明は、触媒の存在で、少なくとも１個の比較的高度に塩素化されたシランの不均化により一般式Ｈ_ｎＳｉＣｌ_４−ｎ（ｎは１，２，３および／または４である）のシランを製造する装置に関し、前記装置は塔底部（１．１）および塔頭部（１．２）を有する少なくとも１つの蒸留塔（１）、触媒床（３）を有する少なくとも１つの側面反応器（２）、少なくとも１つの供給物入口（１．３）、生成物取り出し口（１．４）および少なくとも１つの他の生成物取り出し口（１．５または１．８）をベースとする装置であり、蒸留塔（１）が少なくとも１つの煙突トレー（４）を備えており、少なくとも１つの側面反応器（２）が少なくとも３個の管（５，６，７）により蒸留塔（１）に接続され、煙突トレー（４、４．１）からの凝縮物を排出するための蒸留塔（１）への管（５）の接続位置が触媒床（３、３．１または３．２）の上側端部より高い位置にあり、側面反応器（２）から液相を排出するための管（６）が蒸留塔（１）に煙突トレー（４）より下で開口し、この開口（６、６．１）が触媒床（３、３．１または３．２）の上側端部より低い位置にあり、結合した側面反応器（２）から気相を排出するための管（７）が蒸留塔（１）に、煙突トレー（４）の高さ（４．１）より高い位置で開口する（７.１）。本発明は更に本発明による装置で前記シランを製造する方法を提供する。
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本発明はシリコンの製造方法に関する。ここでは、モノシランおよびモノクロロシランを含み、望ましい場合にはたとえばジクロロシラン等の別のクロロシランも含む気体混合物を熱分解する。 （もっと読む）