【課題】 短波長光源に用いる光学素子材料としてより好適な総合特性を有するフッ化物単結晶を提供する。
【解決手段】 エネルギー密度３０〜３００ｍＪ／ｃｍ^２、発振周波数３０〜３００ＨｚのＡｒＦレーザー光を１０^３〜１０^８パルス照射した後の波長２４８ｎｍにおける透過率Ｔ_２４８及び波長１９３ｎｍにおける透過率Ｔ_１９３が共に８５パーセント以上であること、及びＴ_１９３／Ｔ_２４８が０．９５０以上であることを満たし、かつ上記パルス照射した後の波長１５７ｎｍにおける透過率Ｔ_１５７が８０パーセント以上であること、及びＴ_１５７／Ｔ_１９３が０．９００以上であることを満たすフッ化物単結晶。 （もっと読む）

例えば、光学用途に適している、ハイカラーを有するＣＶＤダイヤモンド層を形成する方法。この方法は、第１の種類の不純物原子がＣＶＤ合成雰囲気中に存在することにより引き起こされるカラーに対する悪影響に対抗するために第２の種類の不純物原子種を含む気体源を加えることを含む。説明される方法は、単結晶ダイヤモンド及び多結晶ダイヤモンドの両方の生成に適用される。 （もっと読む）

【課題】 光軸方向と直交する｛１１１｝結晶面にサブグレインバウンダリーが存在するフッ化物単結晶であっても、加工精度や生産性を悪化させることなく、紫外光および真空紫外光を用いた高精度な光学系に使用できるものを提供する。
【解決手段】 波長２５０ｎｍ以下の光を透過するフッ化物単結晶であり、該フッ化物単結晶の｛１１１｝結晶面の面方位が光軸方向と一致、又は、略一致するように加工される光学用被加工部材１であって、前記フッ化物単結晶の｛１１１｝結晶面に存在するサブグレインバウンダリー量が、０．１ｃｍ／ｃｍ^２以下である光学用被加工部材。 （もっと読む）

【課題】結晶育成方向軸に垂直な断面の直径が５０ｍｍ以上であって、ステッパー用レンズ材料として用いた場合に十分な解像性能が得られるフッ化物単結晶、及び、かかるフッ化物単結晶を容易且つ確実に育成することが可能なフッ化物単結晶の育成方法、並びに、かかるフッ化物単結晶からなるレンズを提供する。
【解決手段】結晶育成方向軸Ａに垂直な断面の形状が直径５０ｍｍ以上の略円形状で、前記断面における中心部Ｃの複屈折率をＢ_１、外周部Ｏの複屈折率をＢ_２としたとき、Ｂ_２／Ｂ_１の値が下記式：０．１≦Ｂ_２／Ｂ_１≦１００の条件を満たすフッ化物単結晶であって、結晶育成方向に温度勾配のある結晶成長炉内で単結晶を育成する育成ステップと、 前記結晶成長炉内で前記単結晶をその融点未満の均一な温度に加熱する再加熱ステップと、前記単結晶を冷却する冷却ステップとを含む育成方法により得られる。 （もっと読む）

【課題】 結晶育成方向軸に垂直な断面の直径が５０ｍｍ以上であって、ステッパー用レンズ材料として用いた場合に十分な解像性能が得られるフッ化物単結晶、及び、フッ化物単結晶の育成方法、並びに、フッ化物単結晶からなるレンズを提供する。
【解決手段】 結晶育成方向軸Ａに垂直な断面の形状が直径５０ｍｍ以上の略円形状であるフッ化物単結晶であって、前記断面における中心部ＣのＡｒＦレーザー照射前後の透過率の変化値〔（照射前透過率−照射後透過率）ともに測定波長１９３ｎｍ〕をΔＴ１、外周部ＯのＡｒＦレーザー照射前後の透過率の変化値〔（照射前透過率−照射後透過率）ともに測定波長１９３ｎｍ〕をΔＴ２としたとき、（ΔＴ２−ΔＴ１）の値が下記式：
【数１】


の条件を満たしていることを特徴とするフッ化物単結晶、前記フッ化物単結晶を育成させるフッ化物単結晶の育成方法及び前記フッ化物単結晶からなるレンズ。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用基板として有用な大面積でかつ歪が少ない高品質単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】１主面から２つの互いに直交する直線偏光の合成とみなされる直線偏光を照射して、対面の主面から出射した２つの互いに直交する直線偏光の位相差が、試料全体にわたり、試料厚さ１００μｍあたり最大５０ｎｍ以下である単結晶ダイヤモンドであり、その製造方法は、高圧合成法、あるいは気相合成法により製造した種となる単結晶ダイヤモンド基板の１主面を反応性イオンエッチングによりエッチング除去してから、気相合成法により新たに単結晶ダイヤモンド層を成長させる工程と、種となる単結晶ダイヤモンド基板と、気相合成法により新たに成長させた単結晶ダイヤモンド層を分離する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 結晶育成方向軸に垂直な断面の直径が５０ｍｍ以上であって、ステッパー用レンズ材料として用いた場合に十分な解像性能が得られるフッ化物単結晶、及び、かかるフッ化物単結晶を容易且つ確実に育成することが可能なフッ化物単結晶の育成方法、並びに、かかるフッ化物単結晶からなるレンズを提供する。
【解決手段】 結晶育成方向軸Ａに垂直な断面の形状が直径５０ｍｍ以上の略円形状であるフッ化物単結晶であって、前記断面における中心部Ｃの波長１９３ｎｍにおける透過率をＴ１、外周部Ｏの波長１９３ｎｍにおける透過率をＴ２としたとき、Ｔ２／Ｔ１の値が下記式：
【数１】


の条件を満たしているフッ化物単結晶育成するステップと、再加熱ステップと、冷却ステップと、を含むフッ化物単結晶の育成方法及び前記のフッ化物単結晶からなるレンズ。 （もっと読む）

フッ化物成長材料の合成において、アルカリ金属またはアルカリ土類金属フッ化物とスカベンジャー剤を共沈させることにより、アルカリ金属またはアルカリ土類金属フッ化物結晶成長材料からの改善された汚染物質の除去を得ることができる。アルカリ金属またはアルカリ土類金属フッ化物とスカベンジャー剤との共沈は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の塩化物、硝酸塩、水酸化物、および炭酸塩の少なくとも１つおよびスカベンジャーを用いて行うことができる。これにより、改善されたガス放出およびより少ない捕捉不純物のために、より親密な混合物が、または固溶体中のスカベンジャー剤の分散体が、またはアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属フッ化物との機械的混合物として得られ、改善された耐放射線性およびバルク吸収をもたらす。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質なＧａ含有窒化物半導体単結晶を提供する。
【解決手段】下記（ａ）〜（ｃ）の１以上を満たすＧａ含有窒化物半導体単結晶。（ａ）Ｇａ含有窒化物半導体単結晶に波長４５０ｎｍの光を照射して測定される最大反射率が２０％以下であり、最大反射率と最小反射率との差が１０％以内である。（ｂ）カソードルミネッセンス法により測定される転位密度の最大値と最小値の比（最大値／最小値）が１０以下である。（ｃ）時間分解フォトルミネッセンス法により測定される寿命が９５ｐｓ以上である。 （もっと読む）

【課題】 小さな応力しか生じないためグライド帯部分が小さくかつ高屈性率均質性であり、また少量の散乱能、少量のシュリーレン及び小角度粒子境界しかもたない単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】高均質低応力大形単結晶の製造方法を、ａ）溶融物から単結晶を成長させ、ｂ）前記単結晶を冷却し、及びｃ）前記単結晶の焼戻しを行う各工程から構成し、結晶成長後の単結晶の冷却を１３００℃から１０５０℃に至る温度範囲内において少なくとも１０Ｋ／時間の冷却速度で行う。 （もっと読む）

本発明は、波長２５０ｎｍより短波長のエキシマレーザー等の紫外線レーザーを光源とした装置などにおいて、プリズム等の光学素子やオプティカルインテグレータを構成する各種の光学素子として使用可能な人工水晶部材に関するものである。
本発明は、波長２５０ｎｍより短波長のレーザー光を光源としてマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターン像を被露光基板上に投影露光する投影光学系とを備えた露光装置であって、波長１５０ｎｍの光に対する初期透過率が１ｃｍ当たり６０％以上、脈理が日本光学硝子工業会規格（ＪＯＧＩＳ）で定める１級又は２級、３５８５ｃｍ^−１に位置するヒドロキシル基の赤外吸収帯の吸収係数αが０．０３５／ｃｍ以下、及びアルミニウム含有量が１ｐｐｍ以下及びリチウム含有量が０．５ｐｐｍ以下である人工水晶部材からなる光学素子を前記照明光学系及び／又は前記投影光学系に配置した露光装置である。
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本発明は、アニール処理炉中の酸素及び水の濃度を下げ、それによって結晶の欠陥をなくさない場合であっても著しく低減させる気体除去方法を提供する。この方法では、アニール処理工程の始めに、アニール処理炉の気密容器を１回だけでなく複数回にわたって排気し、不活性ガスで満たす。アニール処理においては、フッ化剤を伴う又は伴わない不活性ガスを、そのガス流中の酸素及び水の濃度をそれぞれ５ｐｐｍ未満、より好ましくは１ｐｐｍ未満に保ちながら、加熱及び冷却工程の間に、容器を通して流す。
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【課題】 比抵抗が制御された低転位密度のＩＩＩ族窒化物半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 下地基板１上に第１のＩＩＩ族窒化物半導体層１１をエピタキシャル成長させる成長工程と、第１のＩＩＩ族窒化物半導体層１１を裁断および／または表面研磨してＩＩＩ族窒化物半導体基板１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄを形成する加工工程とを含み、上記成長工程において、第１のＩＩＩ族窒化物半導体層１１に、不純物元素としてＣ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｂｅ、Ｚｎ、ＶおよびＳｂからなる群から選ばれる少なくとも１種類の元素を１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上添加する。 （もっと読む）

【課題】 短波長光源に用いる光学素子材料としてより好適な総合特性を持つフッ化カルシウム単結晶及びその選別方法を提供する。
【解決手段】 本発明によれば、フッ化カルシウム単結晶に線量１×１０^５ｒａｄ／ｈのガンマ線を１時間照射した後、波長１４０ｎｍにおける透過率Ｔ_１４０及び波長１９０ｎｍにおける透過率Ｔ_１９０を測定し、Ｔ_１４０及びＴ_１９０が共に８０パーセント以上であって、Ｔ_１４０／Ｔ_１９０が０．９以上であるものを選別する。そのため、１９０ｎｍ及び１４０ｎｍの両者における透過率を高く維持していると共に１９０ｎｍ〜１４０ｎｍでの透過率の低下が少なく、短波長光源に用いる光学素子材料としてより好適な総合特性を持つフッ化カルシウム単結晶を選別することができる。 （もっと読む）

【課題】耐欠損性と耐摩耗性優れかつ安定しばらつきの少ないに単結晶ダイヤモンド工具を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド素材の引張り応力が生ずる面に、気相法により、不純物を含まない高品質なダイヤモンド膜をコーティングする。 （もっと読む）

約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された１以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）及びレーザーダイオード（ＬＤ）用途のような照明用途、並びにＧａＮを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に１以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイスも提供される。
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【課題】 下地基板の上にマスクを設けその上にＧａＮをＨＶＰＥ成長させマスク端部から立ち上がるファセットを維持しながら成長させると、マスクの部分は欠陥集合領域Ｈとなりファセット成長した部分は単結晶低転位領域となるが、欠陥集合領域Ｈが多結晶だったり方位が傾斜した単結晶だったりする。クラックの生じない自立ＧａＮ基板を製造する方法を提供すること。
【解決手段】
初め低温で成長させマスク上に多結晶微粒子を生成し高温でエピタキシャル成長させ露出部だけに窒化ガリウム薄膜が成長するようにし、マスクの端から傾斜して伸びるファセットを充分に広くなるようにし、ファセットから方位反転した爪状の突起がマスクの上方へ伸びるようにする。突起が伸び合体し、その上に成長する部分は方位反転結晶の欠陥集合領域Ｈとなる。熱膨張率異方性の違いがなくクラックが発生しない基板を与えることができる。 （もっと読む）

光デバイス若しくは素子中に、又は光デバイス若しくは素子として、使用するのに適したＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料。それは、例えば、光学窓、レーザ窓、光反射器、光回折器及び格子、及びエタロンなど広範囲の光学用途に使用するのに適している。ＣＶＤダイヤモンド材料は、結晶欠陥の発生を制御するために制御された低いレベルの窒素の存在下でＣＶＤ法によって製造され、これにより、光用途のための重要な特性を有するダイヤモンド材料を得る。 （もっと読む）

【課題】 フレアの発生が問題にならない屈折率均質性などの光学特性に優れたフッ化物単結晶とその結晶製造方法を提供する。
【解決手段】 サブバウンダリーによって区画された複数のサブグレインを有し、隣接する前記サブグレインの結晶面方位の相対傾斜角が０．０２度以内、且つ、前記サブグレインの結晶面方位の最大傾斜角が０．２度以内のフッ化物単結晶を光学素子材料に用いる。屈折率均質性の面内分布をＺｅｒｎｉｋｅ多項式近似で分解し、１項乃至３６項成分を差し引いた残渣ＲＭＳ値が２０ｐｐｂ以下とする。坩堝に収納された結晶性物質の原料から単結晶を製造する製造方法であって、１０℃／ｃｍ以下の温度勾配を形成するステップと、０．５ｍｍ／ｈ以下の速度で前記坩堝を移動させることで溶融した前記原料の結晶を成長させるステップと、前記成長ステップで成長させた結晶を、５℃／ｈ以下の冷却速度で徐冷するステップとを有することを特徴とする結晶製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ＡｌＧａＮ系単結晶基板自体の破壊靭性を改善するとともに、その吸収係数を低減させる。
【解決手段】 窒化物半導体単結晶基板は、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）の組成を有する場合に、（１．２−０．７ｘ）ＭＰａ・ｍ^1/2以上の破壊靭性値と２０ｃｍ²以上の面積を有し、また、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０．５≦ｘ≦１）の組成を有する場合に、３５０〜７８０ｎｍの全波長範囲において５０ｃｍ^-1以下の吸収係数を有することを特徴としている （もっと読む）