【課題】結晶性を向上するＡｌＮ結晶の製造方法、ＡｌＮ基板の製造方法および圧電振動子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ結晶１０の製造方法は、ＡｌＮ下地基板１１を準備する工程と、ＡｌＮ下地基板１１上にＡｌＮ結晶１０を成長する工程と、ＡｌＮ結晶１０からＡｌＮ下地基板１１を分離する工程とを備えている。ＡｌＮ下地基板１１およびＡｌＮ結晶１０の一方は、２８０ｎｍ以下の波長の光に対して吸収係数が１００ｃｍ^-1以上である。ＡｌＮ下地基板１１およびＡｌＮ結晶１０の他方は、２２０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下の波長の少なくとも一部の波長域の光に対して吸収係数が１００ｃｍ^-1未満である。上記分離する工程では、ＡｌＮ下地基板１１およびＡｌＮ結晶１０のうち吸収係数が低い他方側から光を照射する。 （もっと読む）

【課題】気相成長法により得られるダイヤモンド単結晶基板の割れの問題を克服して、半導体材料、電子部品、光学部品等に用いられる、大型かつ高品質なダイヤモンド単結晶基板を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶種基板からの気相成長により得られたダイヤモンド単結晶基板であって、励起光の集光スポット径が２μｍの顕微ラマン分光法で、種基板層と気相成長層の界面に顕微焦点を設定して測定したダイヤモンド固有ラマンシフトが、界面の、０％より大きく２５％以下の領域（領域Ｃ）では、歪みのないダイヤモンドの標準ラマンシフト量から−１．０ｃｍ^−１以上−０．２ｃｍ^−１未満のシフト量であり、界面の領域Ｃ以外の領域（領域Ｄ）では、歪みのないダイヤモンドの標準ラマンシフト量から−０．２ｃｍ^−１以上＋０．２ｃｍ^−１以下のシフト量である。 （もっと読む）

【課題】ＵＶ／ＶＵＶ（紫外・真空紫外）領域においてＳＨＧ（第２高調波発生）を得ることができ、しかも、ＵＶ／ＶＵＶ領域の波長のレーザーに対して高い耐久性を有する強誘電体フッ化物結晶を提供する。
【解決手段】Ｂａ１−ｙ（Ｍｇ１−ｘＺｎｘ）１＋ｙＦ４（但し、０≦ｘ≦１且つ−０．２≦ｙ≦０．２）で表されるフッ化物の結晶において、結晶中に含まれるカリウム、ナトリウム、ルテチウムの総量を、重量濃度で３０ｐｐｍ以下とすることにより、エネルギー密度５〜１００（ｍＪ／ｃｍ２・Ｐｕｌｓｅ）のＡｒＦエキシマレーザーを１０４パルス以上照射したときの、波長１９３ｎｍの光に対する透過率低下が厚さ５ｍｍあたり１０％以下である強誘電体フッ化物結晶がえられる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも約２２ＭＰａ ｍ^１／２の靭性を有する単結晶ホウ素ドープＣＶＤダイヤモンドに関する。本発明はさらに、単結晶ホウ素ドープＣＶＤダイヤモンドを製造する方法に関する。本発明のダイヤモンドの成長速度は約２０μｍ／ｈ〜１００μｍ／ｈであり得る。 （もっと読む）

【課題】改善された表面および構造的品質を示すフィルムを成長させる、改善された方法を提供すること。
【解決手段】非極性のａ平面窒化ガリウム薄膜を、ｒ平面基板上で、金属・有機化学気相成長によって成長させる方法が提供される。この方法は、以下の工程：
（ａ）該基板をアニールする工程；
（ｂ）窒化物ベースの核生成層を、該基板上に堆積させる工程；
（ｃ）該非極性のａ平面窒化ガリウムフィルムを、該核生成層上で成長させる工程；および
（ｄ）窒素の過剰圧力下で、該非極性のａ平面窒化ガリウムフィルムを冷却する工程、を包含する。この方法により、上記課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高いLED構造の作製可能なエピタキシャル成長用基板を提供する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル成長用基板2は、凹凸形状の主表面3aを有する単結晶基板3と、単結晶基板3上に、エピタキシャル成長により形成された、凹凸形状の第１表面4aを有する第１のIII族窒化物結晶からなる下地層4と、下地層4上に、エピタキシャル成長により形成された、第２のIII族窒化物結晶からなる中間層5とを少なくとも有することを特徴とする。 （もっと読む）

単結晶ＳｉＣ基板上のＳｉＣ層をエピタキシャル成長させるための方法が記載される。この方法は、チャンバ内において単結晶ＳｉＣ基板を少なくとも１４００℃の第１温度まで加熱する工程と、キャリアガス、シリコン含有ガス、及び、炭素含有ガスをチャンバに取り入れる工程と、及び、ＳｉＣ基板の表面上のＳｉＣ層をエピタキシャル成長させる工程とを備える。ＳｉＣ基板は少なくとも３０℃／分の速度で第１温度まで加熱される。ＳｉＣ基板の表面は、基板材料の底面に対して１°から３°の角度で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】連続運転不要な気相合成法により得られる、高品質で大面積のダイヤモンド多結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンドと異なる成膜用種基板を用意し、気相合成法により厚さ５００μｍ未満のダイヤモンド多結晶を成膜した後、ダイヤモンド多結晶と種基板を分離してダイヤモンド多結晶自立板とし、ダイヤモンド多結晶自立板上に、さらに気相合成法によりダイヤモンド多結晶を追加成長して、板厚５００μｍ以上のダイヤモンド多結晶基板とすることにより、基板両面研磨後、波長４００ｎｍの光透過率が３５％以上であるダイヤモンド多結晶基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】 紫外発光素子などの半導体素子を形成するために好適に使用できるＡｌNなどのIII族窒化物単結晶自立基板であって、結晶面の曲率半径が大きなＡｌ系III族窒化物単結晶自立基板を提供する。
【解決手段】 サファイアなどの不活性ガス中８００℃において実質的に分解しない無機物質であって、８００〜１６００℃で水素ガスなどの還元性ガスと接触することにより分解して揮発性物質を生成する無機物質の単結晶からなるベース基板上に、厚さ３〜２００ｎｍのＡｌ系III族窒化物単結晶薄膜層を形成した後に、アンモニアガスを含む還元性ガス雰囲気中８００〜１６００℃で加熱処理することにより、得られた積層基板のベース基板とＡｌ系III族窒化物単結晶薄膜層との界面に空隙を形成し、次いで上記Ａｌ系III族窒化物単結晶薄膜層上にIII族窒化物単結晶厚膜を形成し、これを分離することにより自立基板を得る。 （もっと読む）

【課題】結晶育成方向軸に垂直な断面の直径が７０ｍｍ以上であって、ステッパー用レンズ材料として用いた場合に十分な解像性能が得られるフッ化物単結晶、及び、その育成方法、並びに、かかるフッ化物単結晶からなるレンズを提供する。
【解決手段】結晶育成方向に沿って温度勾配のある結晶成長炉内で育成後、前記結晶成長炉内で単結晶の融点未満の均一な温度に再加熱され、冷却することにより製造されたフッ化物単結晶１０であって、断面が直径７０ｍｍ以上の略円形状を有し、波長２４８ｎｍ、エネルギー密度５０ｍＪ／ｃｍ^２、パルス幅１０^５ｓｈｏｔ、周波数１００ＨｚのＫｒＦレーザーを前記断面の中心部に照射した前後の透過率の変化値が、０．００≦（ΔＴ_２−ΔＴ_１）≦０．２０（ΔＴ_１は前記断面の中心部におけるＫｒＦレーザー照射前後の透過率の変化値、ΔＴ_２は前記断面の外周部におけるＫｒＦレーザー照射前後の透過率の変化値）の条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】熱対流を用いた水熱合成法によって、容易にかつ育成期間の長期化を避けながら不純物の低減化を図ることができ、光学部材として好適な人工水晶を得ることのできる人工水晶の製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムの含有量を２．７ｐｐｍ以下、ナトリウムの含有量を１．１ｐｐｍ以下、カルシウムの含有量を０．１ｐｐｍ以下、鉄の含有量を０．０４ｐｐｍ以下、リチウムの含有量を０．８ｐｐｍ以下に抑えた育成用原料を用い、そして水晶種子のＺ方向への成長速度を０．１ｍｍ／日以上０．３ｍｍ／日以下に設定して育成することにより、アルミニウム、ナトリウム、カルシウム、鉄、リチウムの量が、夫々０．０４２ｐｐｍ以下、０．００２１ｐｐｍ以下、０．０００５ｐｐｍ以下、０．０００４ｐｐｍ以下、０．０１１ｐｐｍ以下の光学部材用人工水晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】 不純物の影響を全く受けない、固有の特性を反映した高輝度短波長紫外線発光する六方晶窒化ホウ素単結晶を提供し、前記単結晶を使用することによって、高輝度紫外線発光する素子を提供しようというものである。
【解決手段】 本発明の六方晶窒化ホウ素単結晶は、少なくとも室温において波長２１５ｎｍに最大発光強度を有する紫外線発光を有してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶基板自体の吸収係数を低減させる。
【解決手段】窒化物半導体単結晶基板は、ＡｌＮの組成と、１×１０¹⁷ｃｍ^-3以下の全不純物密度と、３５０〜７８０ｎｍの全波長範囲における５０ｃｍ^-1以下の吸収係数とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

本発明は、低圧においてダイヤモンドの光学的性質を改善する方法に関し、特に、ＣＶＤダイヤモンドを成長させるステップと、ダイヤモンド安定領域外の約１〜約７６０ｔｏｒｒの圧力において還元雰囲気中、約５秒〜約３時間の時間の間、ＣＶＤダイヤモンドの温度を約１４００℃〜約２２００℃に上昇させるステップとを含む所望の光学的品質のＣＶＤダイヤモンドの製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】ラマン分光法を用いた簡易な応力測定方法を見出し、これに基づいて、ＧａＮ活性層を有する化合物半導体基板において、バッファ層における応力を制御し、全体として応力フリーの化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】厚さ１００〜１０００μｍの六方晶ＳｉＣ、単結晶Ｓｉ、単結晶Ｓｉ上に立方晶ＳｉＣ層が形成されたもののうちのいずれかからなる台基板１上に、バッファ層２、厚さ０．５〜５μｍのＧａＮ活性層３を順次積層し、前記バッファ層２を、厚さ３〜２５０ｎｍのＡｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶層（０．５＜ｘ≦１）２ａ‐１の上に、厚さ３〜２５０ｎｍのＡｌ_yＧａ_1-yＮ単結晶層（０．２≦ｙ≦０．３）２ｂ‐１が形成され、さらに、厚さ３〜２５０ｎｍのＡｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶層２ａ‐ｎおよび厚さ３〜２５０ｎｍのＡｌ_zＧａ_1-zＮ単結晶層（０≦ｚ＜０．５）２ｃ‐ｎの２層を１組としたものが１〜５００組積層されている構成とする。 （もっと読む）

【課題】凝集せずに長時間にわたり安定である、粒径が数ナノメートルの酸化亜鉛結晶を提供すること、また、これにポリマーをグラフト化し、機能性を有するナノコンポジットを提供すること。
【解決手段】表面を２−ブロモ−２メチルプロピオニル基で修飾した酸化亜鉛ナノクリスタル。これは、溶解度高い亜鉛化合物（酢酸亜鉛）を出発原料として、数ナノメートルの酸化亜鉛結晶粒子の表面にＯＨ基をもつ有機物（ヒドロキシプロピオン酸）を導入し、次に、末端ＯＨ基を酸ブロミドで修飾し、重合開始点を導入し２−ブロモ−２メチルプロピオニル基で修飾した酸化亜鉛ナノ粒子が得られ、これにリビングラジカル重合してポリマー鎖をグラフト化すればナノコンポジットが製造できる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体材料を用いた、発光特性に優れたナノ粒子蛍光体と、これを高い歩留りで製造出来る製造方法およびこれを用いた発光装置を提供すること。
【解決手段】直径が３ｎｍ以下の柱状結晶で構成される蛍光体であって、柱状結晶において発光領域と光吸収領域とが規定され、発光領域および光吸収領域は、柱状結晶の長手方向に隣接しており、発光領域は、蛍光体の長手方向において２つの光吸収領域に挟持されており、発光領域の呈する発光波長が４３０ｎｍより長波長であり、蛍光体の励起光の波長は２００〜４５０ｎｍであり、光吸収領域は、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）およびＩｎ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ≦０．１５）の少なくとも１つからなる蛍光体を提供する。 （もっと読む）

【課題】 短波長での光吸収が向上した酸化ガリウムを含む固溶体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 ２３０ｎｍ以上２５５ｎｍ未満の光吸収端波長を有することを特徴とする酸化アルミニウム−酸化ガリウム固溶体。酸化ガリウム粉末および酸化アルミニウム粉末を原料とした焼結体を用い、酸化ガリウム単結晶を種結晶とした浮遊帯域溶融法により酸化アルミニウム−酸化ガリウム固溶体を得る工程を有する前記固溶体を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】β−Ga₂O₃結晶中に他の元素を強制的に混入させて特性を向上させたナノ構造体及びその製造方法を提供する
【解決手段】酸化ガリウム粉末とSi、Ge、Snから選ばれた少なくとも１種類の元素の粉末又はその酸化物粉末とからなる焼結体を素材とし、この焼結体を、実質的に酸素を含まない雰囲気下で加熱することにより、酸化ガリウム結晶中に、Si、Ge、Snから選ばれた少なくとも１種類の元素を混入させた酸化ガリウムナノ構造体を得る。 （もっと読む）

【課題】化学的に安定で光活性の高い結晶面に配向した一次元構造のペロブスカイト型酸化物が基板に対して垂直方向に配向している機能性材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】基材と、該基材の表面に形成される被膜からなる機能性材料であって、前記被膜にペロブスカイト型酸化物の柱状物質を含み、前記柱状物質の長手方向がペロブスカイト型結晶の（１１０）方向に配向している機能性材料。
前記ペロブスカイト型酸化物の柱状物質が単結晶であり、また前記ペロブスカイト型酸化物の柱状物質の長手方向が基材に対して垂直方向に配向している機能性材料。 （もっと読む）