結晶塩酸デュロキセチン、結晶塩酸デュロキセチンを含有する組成物、およびそれらの製造方法。 （もっと読む）

結晶塩酸デュロキセチン、結晶塩酸デュロキセチンを含有する組成物、およびそれらの製造方法。
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結晶塩酸デュロキセチン、結晶塩酸デュロキセチンを含有する組成物、およびそれらの製造方法。
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【課題】ガーネット単結晶の厚みを550μｍ未満に抑えてLPE法での育成を可能にすると共に、単体で45度の回転角を有し、絶対値で温度特性0.030度/℃以下を実現するガーネット単結晶とその製造方法の提供。
【解決手段】波長1.3μｍ帯域用で、格子定数を12.482Å以上且つ12.484Å以下の範囲とし、ファラデー回転角45度、温度特性が絶対値で0.030度／℃以下の単体からなるビスマス置換型テルビウム−鉄−ガーネット単結晶を製造する。その製造方法としては、格子定数が12.482Å以上且つ12.486Å以下の範囲の非磁性ガーネット結晶基板上に、LPE法によって12.482Å以上且つ12.484Å以下の範囲の格子定数のビスマス置換型テルビウム−鉄−ガーネット単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れた窒化アルミニウム単結晶を製造する。
【解決手段】単結晶製造装置１において、種結晶１０は、長さ方向がｃ軸配向した棒状の窒化アルミニウム単結晶からなり、窒化アルミニウム原料８が結晶成長する側部の露出面は｛０００１｝面に対し９０°の傾きを有する。 （もっと読む）

【課題】分極制御特性や非線形光学特性および電気光学特性に優れた光学用途のニオブ酸リチウム単結晶と、その単結晶を用いた光素子、およびニオブ酸リチウム単結晶を安定に成長させる製造方法を提供する。
【解決手段】Ｌｉ_２Ｏ／（Ｎｂ_２Ｏ_５＋Ｌｉ_２Ｏ）のモル分率が０．５６〜０．６０である、Ｌｉが定比組成よりも過剰な組成の融液から育成されたニオブ酸リチウム単結晶であって、融液は、Ｍｇ元素を含み、ニオブ酸リチウム単結晶は、Ｍｇ元素をニオブ酸リチウム単結晶に対して０．１〜３．０ｍｏｌ％含み、ニオブ酸リチウム単結晶におけるＬｉ_２Ｏ／（Ｎｂ_２Ｏ_５＋Ｌｉ_２Ｏ）のモル分率は、０．４９０以上０．５００未満の間にあり、室温で分極反転するために必要な印加電圧が３．７ｋＶ／ｍｍ未満であり、ニオブ酸リチウム単結晶は、分極反転構造を利用した光素子用である。 （もっと読む）

【課題】結晶性及び導電性が共に優れた酸化ガリウム単結晶及びその製造方法、並びに窒化物半導体をエピタキシャル成長させるのに好適な窒化物半導体用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム粉末にＳｎ、Ｇｅ、Ｓｉ又はこれらの酸化物から選ばれた１種以上からなる添加物を添加した粉末材料を圧縮成形し、これを１４００〜１６００℃で焼結して酸化ガリウム焼結体を得て、この酸化ガリウム焼結体を原料棒としてＦＺ法により酸素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気下で、成長速度ｖを５mm/h＜ｖ＜１５mm/hとして酸化ガリウム単結晶を育成させる。また、この単結晶の表面を窒化処理して窒化物半導体用基板を得る。 （もっと読む）

【課題】特に屈折率のばらつきの無い、屈折率の均一性が高く、複屈折の低い、即ち歪複屈折の低い結晶を提供する。更に、元の結晶成長からの使用済み原料、廃棄物及びトリミング屑を再使用、再生利用する方法を提供する。
【解決手段】高純度で、大型、特に耐放射性であり、且つ固有複屈折率の低い単結晶を、結晶原料の溶融物を生成し、制御冷却して結晶に固化することにより製造する方法において、結晶原料として、成長結晶の破片及び／又は廃棄物を用い、破片及び／又は廃棄物が１）自然光での視覚観察下では無色であり、２）暗室内の白色光での照明下ではａ）赤及び／又は青みがかった蛍光を全く有しないか、あってもかろうじて知覚できるものであり、ｂ）拡散散乱を全く有しないか、あってもかろうじて知覚できるものであり、且つｃ）離散的散乱を全く有しないか、あってもｄｍ^３当り２個の散乱中心である僅かの離散的散乱を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】微小な気泡に起因するピットやマイクロバブルが大幅に減少し、電子部品材料や光学用部品材料に適した高品質な酸化アルミニウム単結晶、及びマイクロバブルの発生を抑制して効率的に酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】原料融液から成長結晶を引き上げる溶融固化法において、単結晶用原料として、比表面積１ｍ^２／ｇ以下の酸化アルミニウム焼結体をイリジウム坩堝に入れて、１０時間以上かけて徐々に加熱溶融した後、炉体内雰囲気を酸素分圧１０〜５００Ｐａに設定し、酸化アルミニウム単結晶を育成する。これにより、原料に吸着または内包しているガス成分の取り込みを抑え、融液中での微小な気泡の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】真空紫外域において、高透過率及び高屈折率を有する光学素子を提供する。
【解決手段】光の吸収端が１９０ｎｍ以下であり、真空紫外光に使用される光学素子であって、スカンジウムを含むフッ化物で構成されることを特徴とする光学素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】ステッパー用レンズ材料として用いた場合に、十分な解像性能が得られるフッ化物単結晶を提供すること。
【解決手段】結晶育成方向軸に垂直な断面の形状が円形状であり、その短径が５０ｍｍ以上であるフッ化物単結晶であって、当該単結晶を結晶育成方向軸に対して垂直に略三等分し、略三等分された各々の単結晶について、結晶育成方向軸と垂直な面における屈折率均一性のＲＭＳ値を求めた場合に、その最小値ｙを最大値ｘで除した値（ｙ／ｘ）が０．５以上であるフッ化物単結晶。 （もっと読む）

【課題】 加熱保持されたフッ化物単結晶を降温させる熱処理方法であって、屈折率の均一性が高く複屈折が低減されたフッ化物単結晶を、短時間で得ることの可能な熱処理方法を提供する。
【解決手段】 融点未満である第１の温度に加熱保持されたフッ化物単結晶を、第１の温度から、１０〜１００℃の範囲内の第２の温度まで降温させるフッ化物単結晶の熱処理方法であって、第１の温度からの降温開始後、第２の温度到達前に、フッ化物単結晶の温度を一定に保つ温度保持を少なくとも１回行い、当該温度保持の合計時間を第１の温度から第２の温度に至るまでの時間の１％以上とする、熱処理方法。 （もっと読む）

３Ｄ島または特徴が成長パラメーターを調整することのみで生み出される、エピタキシャル・ラテラル・オーバーグロース技術の新たな修正法を用いて、高特性自立ＧａＮが得られる。これらの島を平滑化させること（２Ｄ成長）は、次いで高い横方向成長を生じる成長条件を設けることにより達成される。３Ｄ‐２Ｄ成長の繰返しは貫通転位のマルチベンディングをもたらし、こうして厚い層、即ち貫通転位密度１０^６ｃｍ^−２以下の自立ＧａＮを生産する。 （もっと読む）

ＡｌＮ中のマイクロボイド（ＭＶ）密度を低減することによって、結晶成長時のクラック生成、研磨時のエッチピット生成、ＡｌＮウェハ中の光学透過性の低減、並びに場合によってはＡｌＮ及び／又はＧａＮのエピタキシャル成長時の成長ピット密度に関連する多くの問題が排除される。これによって、実際の結晶製造上の方針、並びに低欠陥密度、例えば１０^４ｃｍ^−３を下回る転位密度及び１０^４ｃｍ^−３を下回るインクルージョン密度及び／又は１０^４ｃｍ^−３を下回るＭＶ密度を有する大きなバルクＡｌＮ結晶を得ることが容易となる。 （もっと読む）

【課題】光の吸収係数が小さく高い透明度を有すると共に、充分な導電性を確保することができる窒化物系半導体基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板上１１にＧａＮ膜１２及びＴｉ膜１３を形成後、水素ガスとアンモニアガスとの混合雰囲気で加熱して、多孔質ＴｉＮ薄膜１４に変換後、多孔質ＴｉＮ薄膜１４上にファセット成長ＧａＮ１５を形成し、ｃ面以外のファセット面を形成しながら成長する成長初期段階のＧａＮ層の厚さが最終的に成長させたＧａＮ層の全厚の３０％以下となるように、ＧａＮ結晶を成長させてＧａＮ厚膜１７とし、ボイド１６を介してサファイア基板１１から剥離して、ＧａＮ自立基板とする。 （もっと読む）

【課題】短波長で高出力の光を長期間繰り返し照射した場合であっても、透過率特性が劣化し難い蛍石、それよりなる光学部品及び該光学部品を用いたフォトリソグラフィー用の露光装置を提供する。
【解決手段】蛍石は、１３５ｎｍの波長の光に対する内部透過率が７０％以上である。蛍石は、ストロンチウムを含む蛍石であって、ストロンチウムの含有量が１ｐｐｍ以上６００ｐｐｍ以下である。エキシマレーザー用の光学系は、蛍石又はストロンチウムを含む蛍石からなるレンズを有する。フォトリソグラフィー用の露光装置は、蛍石からなるレンズを有する光学系と、露光される基板を保持するステージとを備えている。フォトリソグラフィー用の露光装置は、ストロンチウムを含む蛍石からなるレンズを有する光学系と、露光される基板を保持するステージとを備えている。 （もっと読む）

【課題】レーザ材料として、長期間の使用後も、また高エネルギーで用いても、エネルギー値の高いレーザパルスで用いても高い放射耐性を示す弗化カルシウム材料を提供する。
【解決手段】ドーパントを含有する結晶原料から成る溶融体の凝固の制御条件下で結晶を成長させることにより、耐放射性の増大した弗化カルシウム単結晶を作製する方法であって、このＣａＦ_２溶融体がドーパントとしてＡｌ及び／又はＧａ及び／又はＩｎ及び／又はＴｌのイオンを含有して成ることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】単結晶、特に生長片、とりわけ魚尾状パターンの生長片を生じないか、あるいは問題となる程度まで生じない高溶融性酸化物結晶を提供する。
【解決手段】所定方位をもつ高均質低応力単結晶を、ａ）結晶原材料の融点以下の温度に保持された単結晶を溶融液中に浸漬して固体・液体相境界面を形成し、 ｂ）単結晶が所定の結晶方位へ生長するように、工程ａ）において溶融液中に浸漬された単結晶を溶融液からその液面に対して垂直に引き抜き、 ｃ）工程ｂ）において結晶を引き抜きながら熱を取り除き、 ｄ）工程ｂ）において、制御可能な回転速度で、結晶及び溶融液を互いに対して回転させ、 ｅ）るつぼ内部において少なくとも１つの特徴的表面温度を検出し、及び ｆ）少なくとも１つの特徴的表面温度の温度変動が検出された時、回転速度を増減して少なくとも１つの特徴的表面温度を制御し、かつ結晶と溶融液との間の相境界面が平面状となるように調節する。 （もっと読む）

【課題】 低吸湿性、高発光量フッ化物シンチレータ材料を提供すること。さらにコストダウンを図るために低融点であるフッ化物シンチレータを提供すること。
【解決手段】 Ｃｅ_ｘＡＥ_１−ｘＦ_２＋ｘで表されることを特徴とするフッ化物シンチレータ材料。 但し、ＡＥはＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選ばれた１種又は２種以上である。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも約３０ＭＰａ ｍ^1/2の靭性を有するマイクロ波プラズマ化学気相析出によって成長させた単結晶ダイヤモンドに関する。本発明は、少なくとも約３０ＭＰａ ｍ^1/2の靭性を有する単結晶ダイヤモンドを生成する方法にも関する。本発明はさらに、単結晶ＣＶＤダイヤモンドを単結晶ダイヤモンド基材上に三次元で生成するプロセスに関する。
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