第１の結晶組成物がガリウムと窒素を含む、結晶組成物を成長させる方法。この結晶組成物は約３１７５ｃｍ^−１に赤外吸収ピークを有し、単位厚み当りの吸光度が約０．０１ｃｍ^−１より大きい。一態様で、この材料は１立方センチメートル当り約３×１０^１８未満の濃度の酸素量を有し、第１の結晶組成物の所定の体積中には二次元の平面境界欠陥がない。
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【課題】 III−Ｖ族窒化物と格子定数及び熱膨張係数が整合した基板を用い、その基板上に結晶性の良好なIII−Ｖ族窒化物単結晶膜を成長させた発光素子やダイオード等の半導体素子を提供する。
【解決手段】 １０ｐｐｂ以上０.１モル％以下の遷移金属を含有し、Ｘ線回折におけるロッキングカーブの半値幅が１.５分以下で、主面が（０００１）劈開面もしくは（１−１００）劈開面と垂直な研磨面から構成されるIII−Ｖ族窒化物単結晶基板１１上に、直接又はIII−Ｖ族窒化物の低温バッファー層１３を介して、ＭＯＣＶＤ法によって窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化インジウム及びこれらの物質からなる混晶の中から選ばれた少なくとも１種のIII−Ｖ族窒化物の単結晶膜１２、１４、１５を成膜することによって形成された半導体素子。 （もっと読む）

【課題】 ルチル(ＴｉＯ_２)単結晶の光透過率を制御することにより、透明感があり、かつ着色されたルチル(ＴｉＯ_２)単結晶、特に青色のルチル(ＴｉＯ_２)単結晶の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 所定の育成雰囲気中でルチル原料棒とルチル種結晶との接合部分を融解させ溶融帯を形成し、前記溶融帯を移動させながらルチル(ＴｉＯ_２)単結晶を育成するルチル(ＴｉＯ_２)単結晶の製造方法において、前記溶融帯にチタン原子価＋４よりも低原子価の異種金属イオンの添加により、育成される前記ルチル(ＴｉＯ_２)単結晶の光透過率を変化させ、前記ルチル(ＴｉＯ_２)単結晶の色彩を調節する。前記溶融帯に前記異種金属イオン濃度が全金属イオン中の０．００５ａｔ％から１．０ａｔ％の割合となるように異種金属イオンを添加する。 （もっと読む）

【課題】下地基板の上にマスクを設けその上にＧａＮをＨＶＰＥ成長させマスク端部から立ち上がるファセットを維持しながら成長させると、マスクの部分は欠陥集合領域Ｈとなりファセット成長した部分は単結晶低転位領域となるが、欠陥集合領域Ｈが多結晶だったり方位が傾斜した単結晶だったりする。そこで、クラックの生じない自立ＧａＮ基板を提供する。
【解決手段】初め低温で成長させマスク６３上に多結晶微粒子７０を生成し高温でエピタキシャル成長させ露出部６９だけに窒化ガリウム薄膜６４が成長するようにし、マスク６３の端から傾斜して伸びるファセット６６を充分に広くなるようにし、ファセット６６から方位反転した爪状の突起６８がマスク６３の上方へ伸びるようにする。突起６８が伸び合体し、その上に成長する部分は方位反転結晶の欠陥集合領域Ｈとなる。熱膨張率異方性の違いがなくクラックが発生しない基板を与えることができる。 （もっと読む）

【課題】導電性に優れ、紫外線遮蔽性及び赤外線遮蔽性が高く、かつ、高い可視光透過性を有する酸化亜鉛機能膜の製造方法及び該方法により得られる酸化亜鉛機能膜を提供する。
【解決手段】亜鉛源として亜鉛イオンと、ドーパント源として亜鉛イオンとは異なる種類の金属イオンとをそれぞれ含みかつｐＨが６以上に調整された水溶液に予め亜鉛と酸素を含有する化合物からなるシード層が表面に存在する基材を浸漬することによって、基材上にドーパントを含んだ酸化亜鉛機能膜を自己組織的に析出させる。 （もっと読む）

【課題】ガンマ線検出装置用に、極めて高い発光量、蛍光の減衰時間が極めて短い特徴を有するＰｒを含むガーネット型酸化物シンチレータ用単結晶を提供すること。
【解決手段】（Ｐｒ_ｘＬｕ_１−ｘ）_３Ａｌ_ｙＯ_１２で表される初期融液を結晶化して、シンチレータ用単結晶を製造する方法において、前記初期融液のｘが０．０２≦ｘ≦０．０３、ｙが５＜ｙ≦５．２となるように調整することを特徴とするシンチレータ用単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶成長レートが高く、高品質の結晶が得られるIII族元素窒化物結晶の製造方法、およびIII族元素窒化物結晶を提供する。
【解決手段】III族元素、アルカリ金属およびIII族元素窒化物の種結晶２０を結晶成長容器１８に入れ、窒素含有ガス雰囲気下において、結晶成長容器１８を加圧加熱し、III族元素、アルカリ金属および窒素を含む融液中でIII族元素および窒素を反応させ、種結晶２０を核としてIII族元素窒化物結晶を成長させるIII族元素窒化物結晶の製造方法であって、結晶成長容器１８を加圧加熱する前に、沸点がアルカリ金属の融点よりも高い炭化水素を添加するものである。 （もっと読む）

【課題】マイクロバブルの発生を抑制して効率的に電子部品材料や光学用部品材料に適した高品質な酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供。
【解決手段】単結晶製造装置の炉体内のルツボに単結晶用原料を入れて加熱溶融し、原料融液から成長結晶を引き上げる溶融固化法により酸化アルミニウム単結晶を製造する方法において、単結晶用原料を加熱溶融する際に、まず窒素または不活性ガス雰囲気下、炉内圧力０．１ＭＰａ以上において、加熱によって単結晶用原料から発生するガスを除去するに十分な条件で単結晶用原料を溶融し、次に炉内に酸素を導入し、酸素および窒素または不活性ガスからなる混合ガス雰囲気下、引き続き原料融液を５時間以上加熱してから成長結晶の引き上げを開始し、結晶成長中も引き続き酸素および窒素または不活性ガスの混合雰囲気で維持することを特徴とする酸化アルミニウム単結晶の製造方法などにより提供。 （もっと読む）

【課題】原料や種結晶としてリチウムガレートを用いることなく、水熱合成法によってリチウムガレート単結晶を得るリチウムガレート単結晶の製造方法、及びこの方法によって得られるリチウムガレート単結晶を提供する。
【解決手段】水酸化リチウム及び／又は炭酸リチウムを含んだアルカリ溶媒の存在下で、酸化ガリウム多結晶を原料にして、水熱合成法によりリチウムガレート単結晶を得るリチウムガレート単結晶の製造方法、及びこの方法によって得られたリチウムガレート単結晶である。 （もっと読む）

【課題】 不定比欠陥を有するも、完全な定比組成のタンタル酸リチウム単結晶と同様の特性を維持したタンタル酸リチウム単結晶からなる波長変換素子を提供すること。
【解決手段】 周期分極反転構造を有するタンタル酸リチウム単結晶に入射されるレーザー光の波長を、周期分極反転構造に基づく擬似位相整合により、短波長化または長波長化するタンタル酸リチウム単結晶からなる波長変換素子であって、タンタル酸リチウム単結晶は、Ｍｇ、Ｚｎ、ＳｃおよびＩｎからなる群から少なくとも一種選択される元素を０．１〜３．０ｍｏｌ％含み、タンタル酸リチウム単結晶におけるＬｉ_２Ｏ／（Ｔａ_２Ｏ_５＋Ｌｉ_２Ｏ）のモル分率は、０．４９０以上０．５００未満の間にあり、タンタル酸リチウム単結晶の室温で分極反転するために必要な印加電圧が３．５ｋＶ／ｍｍ未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

ガリウム及び窒素を含む結晶組成物を提供する。この結晶組成物は、立方センチメートル当たり約３×１０^１８未満の濃度で存在する酸素量を有し、結晶組成物の所定の体積中に二次元面境界欠陥を含まない。その体積は、少なくとも１つの次元で約２．７５ミリメートル以上であって、またその体積は、平方センチメートル当たり約１０，０００未満の一次元線欠陥転位密度を有している。
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結晶組成物を提供する。この結晶組成物は、ガリウム及び窒素を含んでいてよく、また約３１７５ｃｍ^−１に赤外吸収ピークを有していてよく、単位厚み当りの吸光度が約０．０１ｃｍ^−１より大きい。 （もっと読む）

【課題】歪複屈折（歪）が少なくて均質な光学的性質を備えた新たな蛍石を提供する。
【解決手段】＜１００＞方位の平行平面を有する結晶基板において、光入射面を（１００）面としたときの、波長６３３ｎｍにおける厚みあたりの歪複屈折値の平均値が０．３７ｎｍ／ｃｍ〜１．７９ｎｍ／ｃｍであり、且つ波長６３３ｎｍにおける厚みあたりの歪複屈折値の最大値と最小値の差（：ＰＶ）が４．０ｎｍ／ｃｍ以下であり、＜１１１＞方位の平行平面を有する結晶基板において、光入射面を（１１１）面としたときの、波長６３３ｎｍにおける厚みあたりの歪複屈折値の平均値が０．２０ｎｍ／ｃｍ〜０．４０ｎｍ／ｃｍであり、且つ波長６３３ｎｍにおける厚みあたりの歪複屈折値の最大値と最小値の差（：ＰＶ）が３．２ｎｍ／ｃｍ以下である蛍石。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のＧａＮ層内の刃状転位を削減し、半導体装置の特性を改善すること。
【解決手段】本発明は、基板（１０）上に設けられたＡｌＮ層（１２）と、ＡｌＮ層（１２）上に設けられたＳｉドープＧａＮ層（１４）と、ＳｉドープＧａＮ層（１４）上に設けられたアンドープＧａＮ層（１６）と、を具備する半導体基板、半導体装置およびその製造方法である。本発明によれば、ＧａＮ層内の刃状転位を削減し、半導体装置の特性を改善することができる。 （もっと読む）

窒化ガリウムを含む結晶を開示する。この結晶は、２．７５ｍｍより大きい少なくとも１つの次元と約１０^４ｃｍ^−２未満の転位密度とを有する少なくとも１つの粒子を有し、実質的に傾角境界がない。
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【課題】製造が容易で優れた品質の窒化ガリウム単結晶基板を製造できる表面加工方法、及び窒化ガリウム単結晶基板を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム単結晶基板１１０の表面加工方法は、支持台上に位置する窒化ガリウム原板の上面及び底面を平坦化する工程、平坦化された窒化ガリウム原板に波長３７０〜８００ｎｍの光を照射する工程、窒化ガリウム原板の透過率を測定する工程、及び透過率が６５〜９０％であるか否かを確認する工程を含む。この表面加工方法において、窒化ガリウム単結晶基板１１０の両面の損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）は０．９９〜１．０１である。 （もっと読む）

直径が少なくとも約２．７５ミリメートルであり、約１０^４ｃｍ^−１未満の転位密度を有し、傾斜境界が実質的にないＧａＮ単結晶が提供される。ＧａＮ単結晶を形成する方法も開示する。本方法は、チャンバーに、核生成中心、ＧａＮ原料物質、およびＧａＮ溶媒を準備することを含む。チャンバーを加圧する。前記チャンバー内に、前記溶媒が前記チャンバーの核生成領域で過飽和状態になるように、第１および第２の温度分布を発生させる。前記第１および第２の温度分布は、チャンバー内で異なる温度勾配を有する。 （もっと読む）

硼酸フッ化ベリリウム塩非線形光学結晶であり、分子式は、MBe₂BO₃F₂であり、M＝Rb又はCsであり、フラックス法により製造されている。硼酸フッ化ベリリウム塩と融剤とを比例的に均一に混合させ、750-800℃まで温度上昇させ、恒常温度になってから、飽和温度以上の2-10℃まで冷却させ、硼酸フッ化ベリリウム塩と融剤とを含む高温溶液が得られ、シードロッド上の種結晶を当該高温溶液に入れ、シードロッドを回転させ、飽和温度まで温度降下させてから、次第に温度降下させる。こうして得られた結晶を液面から持ち上げ室温まで降下させ、本発明による非線形光学結晶が得られる。当該結晶は非線形光学効果を有し、光透過波長域は広く、紫外遮断波は150ｎｍに達し、潮解することもなく、希塩酸と希硝酸に溶けることもなく、化学安定性がよく、紫外波長域レーザ周波数変換の需要に適し、非線形光学デバイスの製作に用いられる。Nｄ：YAGレーザの２倍波、３倍波、４倍波、５倍波又は６倍波に変換する調波出力デバイスが実現でき、その他のレーザ波長の調波出力デバイスに使用することができ、266ｎｍ以下の干渉光の出力が生成できる。
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【課題】フッ化物単結晶中の固体スカベンジャー粒子と酸化物との残留量を十分に低減することによって、優れた光学性能を有するフッ化物単結晶を容易に生産できる製造方法を提供すること。
【解決手段】ルツボ１中に収容されたフッ化物粒子及び固体スカベンジャー粒子を含有する粒子混合物を、温度勾配を設けて加熱することによりフッ化物粒子の融液を得る加熱工程、及び融液を冷却してフッ化物単結晶を得る冷却工程を有し、ルツボ１が、温度勾配の方向に、フッ化物粒子及び固体スカベンジャー粒子の合計量に対する固体スカベンジャー粒子の含有割合が互いに異なる粒子混合物からなる複数の粒子群を収容し、複数の粒子群が、フッ化物粒子を主成分として含む第一の粒子群４Ａと、第一の粒子群４Ａよりも固体スカベンジャー粒子の含有割合が高い第二の粒子群とを含む、フッ化物単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基礎吸収端が２５０〜２６０ｎｍの範囲にあり、厚さ０．４ｍｍにおける３１０〜６２０ｎｍの波長領域（紫外光領域及び可視光領域）での内部透過率が８０％以上の光透過率に優れたバルクの酸化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＺ法（浮遊帯域溶融法）により作製した酸化ガリウム単結晶を原料棒に用いて更にＦＺ法により酸素含有雰囲気下で酸化ガリウム単結晶を得るようにして、多段階的にＦＺ法を適用する酸化ガリウム単結晶の製造方法であって、成長速度を２．５〜２０ｍｍ／ｈの範囲で結晶成長させる。 （もっと読む）