【課題】オフ角が０．５°以下とほとんどないオン基板のＳｉＣ単結晶からなる種結晶を用いてＳｉＣ単結晶を成長させる際に、異種多形のＳｉＣ単結晶の成長を防止し、高品質のＳｉＣ単結晶を製造することが可能なＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶４を配置する台座３に空洞部３ａを設け、空洞部３ａにおいて台座３の他の部分よりも放熱性を高める。そして、空洞部３ａのうち種結晶４側の部位が直径１ｍｍ以上、５ｍｍ以下の円形内に収まるようにすることで、種結晶４の表面に１つの成長核のみが形成され、その成長核からＳｉＣ単結晶が広がりながら成長する。これにより、初めに形成された成長核となる部分の上、つまりファッセットが形成される部分では、マイクロパイプ欠陥やらせん転位が発生するが、それら以外の領域では、基底面転位や積層欠陥の発生を防ぐことが可能となり、異種多形が発生しないようにできる。 （もっと読む）

【課題】欠陥が少なく良質で、大型ウェハの切り出しが可能な大面積の４Ｈ型炭化珪素単結晶インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、予め、摂氏１８００度から摂氏２２００度程度の高温処理により高純度化処理を施し、純度を９９．９９％以上にした炭化珪素粉末を原料として使用する。このような４Ｈ型単結晶炭化珪素を成長用基板として用い、気相エピタキシャル成長法により、この基板上に単結晶炭化珪素薄膜を成長させれば、電気的特性の優れた高耐圧・耐環境性電子デバイスを製作することができる。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板に不純物が均一にドーピングされた炭化珪素膜を成膜することができる半導体製造装置及び基板の製造方法及び基板処理装置を提供する
【解決手段】反応室内に延在されて設けられる第１のガス供給ノズル６０及び第２のガス供給ノズル７０と、第１のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第２のガス供給ノズルの方向に１以上分岐され1以上の第１のガス供給口６８を有する第１の分岐ノズルと、第２のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第１のガス供給ノズルの方向に１以上分岐され、1以上の第２のガス供給口７２を有する第２の分岐ノズルとを備え、第１のガス供給口と第２のガス供給口とが基板の積層方向に隣接するように設けられた基板処理装置によって課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】大面積を有する高品質の単結晶炭化珪素を、工業的規模で安定に供給し得る結晶製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶１を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、予めＣＭＰ処理を施した炭化珪素基板を種結晶１として使用する。また、予めＣＭＰ処理及びエピタキシャル成長による炭化珪素皮膜を施した炭化珪素基板を種結晶１として使用してもよい。さらに、予め黒鉛坩堝３の上部蓋４と、種結晶１をグラファイト系接着剤により接着固定し、その後接着された種結晶１の表面にＣＭＰ処理、もしくはＣＭＰ処理及びエピタキシャル成長による炭化珪素皮膜を施して坩堝３を組み立ててもよい。 （もっと読む）

【課題】大面積を有する高品質の単結晶炭化珪素を、工業的規模で安定に供給し得る結晶製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶１を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、原料２となる炭化珪素粉末に窒化珪素粉末を混合する。その割合は、９０対１０から９９．５対０．５の範囲である。混合される窒化珪素は、分解、昇華温度が炭化珪素に近く、かつ炭化珪素単結晶中に窒素が取り込まれることによりＮ型の特性を示す。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ（炭化珪素）膜形成を行う際に反応ガスを効率良く使用し、膜厚均一性と品質の高い膜を実現する成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置５０の成膜室１を、珪素ソースガスを含む第１の反応ガス２５用の第１のガス供給路４と、炭素ソースガスを含む第２の反応ガス２６用の第２のガス供給路１４と、半導体基板６の置かれる胴部３０より断面積の小さい頭部３１を有して成膜室１内壁を被うライナ２とから構成する。第１のガス供給路４は、内管と外管とからなって、先端が半導体基板６近傍まで延び、外管に水素ガスを供給しながら、内管に第１の反応ガス２５を供給できるようにする。そして、第２のガス供給路１４からライナ２の頭部３１に供給された第２の反応ガス２６を流下させ、第１の反応ガス２５と半導体基板６の表面で混合し、半導体基板６表面にＳｉＣ膜形成を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】昇華法等の気相成長によって製造されるＳｉＣ等の結晶の品質を向上させることができる、坩堝、結晶製造装置、および支持台を提供する。
【解決手段】坩堝１００は、内部が空洞の本体部１０１と、本体部１０１の内周面に接続され、内部に突出した凸部１０２とを備えている。凸部１０２の側面にはねじが切られている。支持台１１０は、台座１１１と、台座１１１の端部に接続された突起１１２とを備えている。突起１１２の内周側にねじが切られている。結晶製造装置１２０は、坩堝１００と支持台１１０とを備えている。支持台１１０は、坩堝１００の凸部１０２に、互いに切られたねじにより取り付けられている。これにより、種基板１１の温度分布のばらつきが抑制され、したがって、成長する結晶の熱応力が抑制されるので、製造する結晶の品質向上がはかれる。 （もっと読む）

【課題】昇華法による高品質のＳｉＣ結晶の製造方法、製造装置および積層膜を提供する。
【解決手段】昇華法によるＳｉＣ結晶の製造装置１００において、種結晶１１の裏面１１ｂ上に、カーボン硬質膜、ダイヤモンド膜、タンタル膜および炭化タンタル膜からなる群より選ばれた少なくとも一種の膜１２を形成し、前記種結晶１１の表面１１ａ上に結晶１３を成長させることにより、膜１２と、種結晶１１と、結晶１３とを備えた積層膜を形成する。前記積層膜は、膜形成時に隙間が発生しにくく、かつ熱が加えられても熱分解しにくい膜１２を備えているため、種結晶１１においてこの膜１２と反対側に形成された結晶１３は、種結晶１１の昇華を抑制して製造されたものとなるので、高品質の結晶１３を備えた積層膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】成長結晶中における所定値以上の温度勾配を維持しつつ成長結晶の中心部と外周部との温度差を小さくして、良質で大口径の単結晶を得ることができる炭化ケイ素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】昇華用原料１５を収容するるつぼ本体５と、前記昇華用原料１５に対向した位置に種結晶を取り付ける種結晶取付部２１が設けられた蓋体３とを有する坩堝９を備え、該坩堝９の外周側から加熱される炭化ケイ素単結晶の製造装置１であって、前記蓋体３の種結晶取付部２１について、内周側に配置された中央部３１の熱伝導率を外周側に配置された外側部３２の熱伝導率よりも大きく設定する。 （もっと読む）

【課題】ガイド部材において低温となる部位を低減させ、単結晶を効率的に成長させることができる炭化ケイ素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶の製造装置１は、昇華用原料１５を収容する坩堝本体５、と、昇華用原料１５に対向した位置に種結晶２３を取り付ける蓋体３を有する坩堝９と、蓋体３から昇華用原料１５に向けて筒状に延びるガイド部材７と、坩堝本体５の外周側に配設した加熱部１３とを備え、ガイド部材７の高さをＨ１、加熱部１３とガイド部材７との高さ方向において重複する高さ寸法をＨ２とした場合に、Ｈ２＝（０．５〜１．０）×Ｈ１を満たす。 （もっと読む）

【課題】基底面転位、螺旋転位などの特定の転位欠陥を低減させることができる炭化ケイ素単結晶基板の改質方法、及び炭化ケイ素単結晶基板の改質装置を提供する。
【解決手段】アルゴンガス雰囲気下において、加熱部２０は、本体部１０の内部の温度が摂氏１０００度以上１５００度以下の範囲になるように本体部１０の内部を加熱する。これにより、炭化ケイ素単結晶から切り出された炭化ケイ素単結晶基板５０が内部の温度によって熱せられる。続いて、加圧工程Ｓ２において、炭化ケイ素単結晶基板５０の表面及び裏面を所定の圧力で所定の期間にわたり加圧する。ここで、炭化ケイ素単結晶基板５０の表面及び裏面を加圧するときの所定の圧力は、０．１ＧＰａ以上１．０ＧＰａ以下の範囲とすることができる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素原料の昇華ガスを供給して炭化珪素種結晶上に炭化珪素の単結晶を成長させる方法において、貫通欠陥のない高品質の炭化珪素単結晶を製造するための炭化珪素種結晶の固定方法及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】台座１０上に炭化珪素種結晶１３を固定する方法であって、前記台座１０の種結晶側表面１０ａを鏡面研磨する工程と、真空中で前記台座１０の種結晶側表面１０ａ及び前記炭化珪素種結晶１３の台座側表面の少なくとも一方に原子またはイオンを照射する照射工程と、真空中で前記台座１０の種結晶側表面１０ａと前記炭化珪素種結晶１３の台座側表面とを密着させた後に加圧して直接接合する接合工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な品質の単結晶を製造することができる炭化ケイ素単結晶の製造装置及び炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による坩堝１は、昇華用原料３を収容する坩堝本体５と、該坩堝本体５の開口を塞ぐと共に種結晶７を支持する取付部９が設けられた蓋体１１と、前記取付部９の外周部から昇華用原料３側に向けて延びるガイド部材１３と、を備える。このガイド部材１３において取付部９側に位置する取付部側端部２１に、前記種結晶７の外周端部であるベベル部３５を昇華用原料３側から覆うカバー部２７を突出して形成させている。 （もっと読む）

【課題】昇華再結晶法による単結晶の製造において、高品質な単結晶を製造できる単結晶製造装置、及び種結晶へのクラックなどの構造欠陥の発生を防止できる種結晶固定方法を提供できる。
【解決手段】本発明に係る単結晶製造装置１は、成長用の単結晶の成長の基となる種結晶１０と、単結晶の成長に用いられる昇華用原料２０を収容する坩堝１００とを備える。坩堝１００は、開口部１１１を有し、昇華用原料２０を収容する反応容器１１０と、開口部１１１に取り付けられる蓋体１２０と、種結晶１０を保持する保持部１３０とを備える。種結晶１０は、蓋体１２０側に種結晶１０を保護する保護層１５を有する。保持部１３０は、種結晶１０の蓋体１２０側（上面１０Ａ）に対する反対側（下面１０Ｂ）の一部のみと接する接触面１４３を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ結晶の結晶性を良好にすることができる、ＳｉＣ結晶、その製造方法、その製造装置および坩堝を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ結晶の製造方法は、以下の工程を備える。本体部１０２を含む坩堝１０１と、本体部１０２を覆う断熱材１２１とを含む製造装置１００を準備する。本体部１０２内に原料１７を配置する。本体部１０２内において、原料１７と対向するように種結晶１１を配置する。本体部１０２内において、原料１７を加熱することにより昇華させて、種結晶１１に原料ガスを析出することによりＳｉＣ結晶を成長する。製造装置１００を準備する工程は、本体部１０２における種結晶１１側の外表面１０２ａ側に、断熱材１２１よりも熱伝導率の高い放熱部１３１を配置するとともに、放熱部１３１で、または、放熱部１３１と断熱材１２１とで、本体部１０２における種結晶１１側の外表面１０２ａ全体を覆う工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ａ軸およびｃ軸の双方向の欠陥が非常に少ない４Ｈ型ＳｉＣ単結晶が得られる４Ｈ型ＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】４Ｈ型ＳｉＣ単結晶から形成されてオフ角を設けて切り出された第１の種結晶６０を、Ｃ原子の数よりもＳｉ原子の数の方が多いＳｉ面が露出するように台座１３に設置する第１工程と、前記第１の種結晶６０を加熱して、初期段階で成長する４ＨＳｉＣ単結晶６２から多形変換されて、６Ｈ型ＳｉＣ単結晶６３を成長させる第２工程と、前記６Ｈ型ＳｉＣ単結晶６３から第２の種結晶６４を切り出して、Ｓｉ原子の数よりもＣ原子の数の方が多いＣ面が露出するように台座に設置する第３工程と、前記第２の種結晶６４を加熱して４Ｈ型ＳｉＣ単結晶を成長させる第４工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高品質の炭化珪素単結晶を安定的に製造し、高品質化を可能とする成分調整部材及びそれを備えた単結晶成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る成分調整部材は、結晶成長用容器と、該結晶成長用容器内の下部に位置する原料収容部と、該原料収容部の上方に同軸に配置して該原料収容部より小径の基板支持面で基板を支持する基板支持部とを備え、前記原料を昇華させて前記基板上に前記原料の化合物半導体単結晶を成長させる単結晶成長装置において、前記原料収容部と前記基板支持部との間に配置して前記結晶成長用容器内の空間を分離する成分調整部材であって、前記原料の昇華ガスが透過する複数の透過孔を有すると共に、中央側の開口率（前記透過孔の総開口面積／前記透過孔以外の部分の総面積）が周端側の開口率より高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】実用的な条件によって加工変質層が除去された炭化珪素単結晶基板および炭化珪素単結晶基板を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】 本発明の炭化珪素単結晶基板の製造方法は、第１および第２の主面を備え、導電性を有する炭化珪素単結晶基板であって、前記第１および前記第２の主面のうち、少なくとも一方に加工変質層を有する炭化珪素単結晶基板を用意する工程（Ａ）と、前記加工変質層の少なくとも一部を電解エッチングによって除去する工程（Ｂ）とを包含する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ結晶の結晶性を良好にすることができる、ＳｉＣ結晶の製造方法、ＳｉＣ結晶、およびＳｉＣ結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ結晶の製造方法は、以下の工程を備える。坩堝１０１と、坩堝１０１の外周を覆う断熱材１２１とを含む製造装置１００を準備する。坩堝１０１内に原料１７を配置する。坩堝１０１内において、原料１７と対向するように種結晶１１を配置する。坩堝１０１内において、原料１７を加熱することにより昇華させて、種結晶１１に原料ガスを析出することによりＳｉＣ結晶を成長する。製造装置１００を準備する工程は、坩堝１０１の種結晶１１側の外表面１０１ａと、断熱材１２１との間に、空間からなる放熱部１３１を配置する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】昇華再結晶法による炭化珪素単結晶等の製造において、種結晶及び成長結晶の表面温度の径方向の均一化効果が顕著で、高品質でかつ長尺の単結晶の製造を可能とする遮蔽部材及びそれを備えた単結晶成長装置を提供する。
【解決手段】結晶成長用容器と、該結晶成長用容器内の下部に位置する原料収容部と、該原料収容部の上方に配置して、該原料収容部に対向するように基板を支持する基板支持部と、前記結晶成長用容器の外周に配置する加熱装置とを備え、前記原料収容部から原料を昇華させて前記基板上に前記原料の単結晶を成長させる単結晶成長装置において、前記原料収容部と前記基板支持部との間に配置して用いる遮蔽部材１０であって、原料ガスが透過する複数の透過孔１６，１７，１８，１９を有すると共に、中心部から端部に向かうにつれて熱容量が大きく構成されてなる。 （もっと読む）